日前，天津綠菱氣體有限公司綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地項目舉行奠基儀式。隨著一鍬鍬土的培下，又一項濱海新區(qū)重點建設(shè)項目建成指日可待。該項目位于天津經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)南港工業(yè)區(qū)，預(yù)計明年3月投入運行，研發(fā)生產(chǎn)產(chǎn)品將解決國家關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的“卡脖子”技術(shù)難題，滿產(chǎn)后預(yù)計年銷售收入超過25億元。

電子氣體是發(fā)展集成電路、光電子、微電子，特別是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半導(dǎo)體材料制造過程中不可缺少的基礎(chǔ)性支撐性原材料。綠菱集團(tuán)公司是國內(nèi)領(lǐng)先的特種氣體產(chǎn)品與服務(wù)提供商，為國內(nèi)及全球多個著名芯片制造商提供產(chǎn)品和服務(wù)，公司打破了此前中國特種氣體被國外壟斷的歷史，為中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展與關(guān)鍵材料突破提供堅實支撐。

正在建設(shè)中的綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地是綠菱集團(tuán)重要生產(chǎn)基地之一，擬建成年產(chǎn)6000噸、47種電子特種氣體產(chǎn)品，服務(wù)于半導(dǎo)體集成電路、光伏、光纖等高精尖領(lǐng)域。項目占地54455.89㎡，建筑面積24453.36㎡，總建設(shè)投資3.2億元，年度計劃投資2億元，計劃于2021年3月建成。滿產(chǎn)后，項目預(yù)計年銷售收入25.68億元，利稅2.12億元，解決就業(yè)崗位150個。

“項目建成后，有3個車間、5個庫房，還有配套的綜合樓、公用配套設(shè)施等。”作為項目負(fù)責(zé)人，天津綠菱氣體有限公司總經(jīng)理馬建修指著項目施工圖紙告訴記者。

“2008年，綠菱集團(tuán)在天津武清區(qū)投資設(shè)廠，研發(fā)、生產(chǎn)各種電子特種氣體。近年來，天津大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，形成了良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。我們實際上就是要緊跟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐，進(jìn)行產(chǎn)品技術(shù)更新迭代，綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地建成后，將大大擴(kuò)展產(chǎn)品種類，搶占市場先機(jī)?！本G菱集團(tuán)副總裁王新鵬表示。隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程的更新?lián)Q代，日益緊迫的材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程，綠菱氣體有限公司將加大研發(fā)力度，加快研發(fā)的進(jìn)度，為天津半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供更好的產(chǎn)品和配套服務(wù)，不斷推動新一代特種氣體在我國高精尖領(lǐng)域的應(yīng)用。?

據(jù)馬建修介紹，項目研發(fā)生產(chǎn)的關(guān)鍵電子特種氣體主要解決我國超大規(guī)模集成電路先進(jìn)制程中的材料制約問題，為國家集成電路配套新材料產(chǎn)業(yè)提供重要保障。天津綠菱氣體有限公司將與京津冀相關(guān)集成電路制造企業(yè)實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng)，推動天津傳統(tǒng)制造業(yè)向高端智能制造轉(zhuǎn)型升級。

新冠疫情擴(kuò)散，雖導(dǎo)致智能手機(jī)等產(chǎn)品需求萎縮，不過因來自數(shù)據(jù)中心的需求揚(yáng)升，也讓全球第二大閃存廠商鎧俠 (KIOXIA, 原東芝存儲器) 傳出無懼疫情影響，將按原先計劃增產(chǎn)投資，打造3D NAND Flash新廠房。

根據(jù)《日刊工業(yè)新聞》27日報導(dǎo)，新冠疫情雖導(dǎo)致智能手機(jī)銷售暫時減速，不過因民眾避免外出，影片下載服務(wù)需求急增，帶動來自數(shù)據(jù)中心的需求成長，加上居家辦公推升來自PC的需求，因此即便身處疫情沖擊當(dāng)下，鎧俠也將如原先計劃增產(chǎn)投資，在旗下四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND Flash新廠房「Fab 7」。

報導(dǎo)指出，鎧俠已取得現(xiàn)有工廠附近的土地，將在27日舉行動土儀式，完成整地后將在12月開始廠房興建工程，打造生產(chǎn)最先端3D NAND Flash新廠房「Fab 7」，預(yù)定2022年夏天完工。總投資額預(yù)估最高達(dá)3,000億日圓，鎧俠的合作伙伴西部數(shù)據(jù) (Western Digital) 預(yù)估會參與分擔(dān)投資。

東芝于2018年6月將鎧俠獨立，并出售給由美國貝恩資本主導(dǎo)的「日美韓聯(lián)盟」。東芝目前仍持有鎧俠40.2%股權(quán)。

鎧俠14日公布財報數(shù)據(jù)指出，因出貨量增加、每GB單價揚(yáng)升，帶動上季 (2020年1~3月) 合并純益為98億日圓，前一季凈損253億日圓，去年同期凈損193億日圓；為5季來首度轉(zhuǎn)虧為盈。

關(guān)于今后市場展望，鎧俠表示，受新冠疫情擴(kuò)散影響，預(yù)估智能手機(jī)用需求將暫時性萎縮，不過因居家辦公、影片串流等消費者行動發(fā)生變化，因此預(yù)估PC及數(shù)據(jù)中心用SSD需求將穩(wěn)健。

5月26日，英飛凌表示，已透過發(fā)行新股集資約10.6億歐元（11.6億美元），為賽普拉斯半導(dǎo)體（Cypress）收購案提供部分資金。

新聞稿稱，英飛凌此次發(fā)行了5500萬股新股，發(fā)行價格為每股19.30歐元，總收益約為10.6億歐元，扣除傭金和費用后，這些資金將用于償還銀行為購買賽普拉斯半導(dǎo)體公司提供的部分收購融資。

英飛凌首席財務(wù)官Sven Schneider表示，該公司去年已經(jīng)宣布計劃通過股權(quán)融資的方式完成交易額的30%，而在去年進(jìn)行首次配股和發(fā)行混合債券之后，該公司已經(jīng)略微超過了這一目標(biāo)。

2019年6月3日，英飛凌宣布將以每股23.85美元現(xiàn)金收購賽普拉斯，總價值為90億歐元（約100億美元），當(dāng)時預(yù)計該交易將于2019年底或2020年初正式完成。今年3月，英飛凌和賽普拉斯均在官網(wǎng)發(fā)布公告表示，美國外國投資委員會（“CFIUS”）根據(jù)相關(guān)規(guī)定，已完成對英飛凌收購賽普拉斯交易的審查，不過仍須獲得中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。4月7日，英飛凌在其官網(wǎng)宣布，收購賽普拉斯半導(dǎo)體公司已獲得所有必要的監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)。

5月27日，甬矽電子一期2廠舉行了封頂儀式，

資料顯示，甬矽電子(寧波)股份有限公司成立于2017年11月，主要從事高端IC的封裝和測試，該項目占地總面積約為126畝，項目計劃五年內(nèi)總投資約22億元，目標(biāo)為達(dá)成年產(chǎn)25億塊通信用高密度集成電路及模塊封裝項目，預(yù)計年營收規(guī)模約25億元，2018年6月1日，甬矽電子首批封測項目成功下線。

據(jù)甬矽電子官微消息，甬矽項目一期1廠目前年產(chǎn)能已達(dá)20億顆，年銷售額人民幣10億元。甬矽電子表示，一期2廠廠房的封頂標(biāo)志著該項目工程取得了階段性的成果，預(yù)計今年8月份正式投產(chǎn)，屆時將達(dá)到年產(chǎn)能40億顆，年銷售額達(dá)人民幣25億元。

今年年初，甬矽電子二期項目正式簽約，據(jù)悉，二期項目總投資100億元，占地面積500畝，預(yù)計今年年底開始動工。

存儲器廠旺宏昨(27)日召開股東常會，董事長吳敏求表示，第2季營運將與第1季相當(dāng)，但下半年市況仍看不清楚；3D NAND進(jìn)度方面，48層產(chǎn)品預(yù)計第3季送樣客戶，第4季量產(chǎn)。

對于本季展望，吳敏求表示，仍維持先前法說會看法，目前產(chǎn)能滿載，第2季營運將與第1季相當(dāng)，符合預(yù)期，但下半年市況目前還是看不清楚。

19納米SLC NAND Flash方面，吳敏求表示，今年下半年出貨可望放量，客戶涵蓋各類應(yīng)用，包括工控、醫(yī)療、安控與車載等。48層3D NAND預(yù)計第3季送樣客戶，第4季量產(chǎn)，明年才可望放量。

吳敏求并認(rèn)為，雖然近期肺炎疫情影響全球，但5G發(fā)展腳步不停歇，包括線上會議、線上教學(xué)等趨勢，將有助于帶動高密度NOR Flash產(chǎn)品需求。

集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展已成為國家重點發(fā)展戰(zhàn)略，廈門市也在不斷加大馬力，推動這一產(chǎn)業(yè)在廈門扎根、成長。昨日，廈門市工業(yè)和信息化局副局長李建明做客政府網(wǎng)，對廈門市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策進(jìn)行解讀。

當(dāng)前廈門市集成電路產(chǎn)業(yè)已初具規(guī)模，去年該市半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值433.33億元，同比增長3.8%；其中集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值237.99億元，同比增長27.4%；先后引進(jìn)聯(lián)芯、士蘭、通富、紫光展銳、星宸等一批重點企業(yè)。目前全市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)有200多家，初步形成涵蓋集成電路設(shè)計、制造、封測、裝備與材料以及應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈。

為推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，廈門市已出臺一些政策，形成發(fā)展規(guī)劃、落地實施、人才保障等全方位產(chǎn)業(yè)政策體系。根據(jù)發(fā)展規(guī)劃，到2025年，廈門市集成電路產(chǎn)值將力爭突破1000億元。

據(jù)介紹，當(dāng)前廈門市加快重大項目引進(jìn)及產(chǎn)業(yè)鏈完善，重點支持聯(lián)芯12英寸集成電路生產(chǎn)線、三安6英寸化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線等重大項目，通過重大項目帶動，構(gòu)建完善的上下游產(chǎn)業(yè)鏈配套；已成立聯(lián)和、中電中金等集成電路產(chǎn)業(yè)基金，引入國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，截至目前，廈門市已累計投入半導(dǎo)體領(lǐng)域資金500多億元，有效支持聯(lián)芯、士蘭、天馬等龍頭企業(yè)集聚發(fā)展。

廈門市通過出臺政策，不斷加大人才培養(yǎng)和引進(jìn)力度。如設(shè)立集成電路高端人才引進(jìn)補(bǔ)助，符合條件者最高補(bǔ)助100萬元，還有高端和技術(shù)團(tuán)隊核心人員獎勵等。

受到COVID-19疫情持續(xù)影響，即便有部分晶圓代工廠商在客戶訂單方面的掌握度尚且良好，但普遍對后續(xù)產(chǎn)業(yè)狀況存有不確定性。

在這樣的氛圍中，臺積電與Samsung在2020年第一季法說會中皆有提及，將分別在2020上半年與下半年量產(chǎn)最新5nm制程技術(shù)，對應(yīng)5G終端裝置與高效能運算的需求，加添晶圓代工產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)制程的產(chǎn)值占比，對抵抗產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)來說不啻為一項助力。

5nm制程如期量產(chǎn)有望助益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

臺積電預(yù)計在2020年第二季推出5nm制程量產(chǎn)服務(wù)，產(chǎn)品初期主要為旗艦級手機(jī)AP，第四季則陸續(xù)加入5G調(diào)制解調(diào)器芯片，并將推出第二代N5P優(yōu)化版本對應(yīng)高效能運算用芯片的開發(fā)工作。

Samsung目前推出的5LPE(Low Power Early)是較早期就投入開發(fā)的產(chǎn)品，搭配自家System LSI的芯片設(shè)計下，首款5nm產(chǎn)品同樣屬于旗艦級手機(jī)AP，預(yù)計會在2020下半年發(fā)表，更進(jìn)一步的5LPP(Low Power Plus)制程則預(yù)計在年底發(fā)表，實際量產(chǎn)時程落在2021年。

從產(chǎn)能規(guī)劃來看，考量COVID-19疫情導(dǎo)致終端消費市場需求疲弱，臺積電目前將產(chǎn)能控制在約40K/M左右，同時也進(jìn)行在高效能運算方面的研發(fā)工作，特別是AMD憑借7nm制程助益獲得市占顯著提升，在5nm產(chǎn)品線布局也讓臺積電確保至2023年的訂單狀況。

另外，Apple使用5nm制程投入生產(chǎn)自研Mac處理器也是關(guān)注重點，預(yù)估將助益臺積電在5nm制程提升產(chǎn)品的客制化能力。相較之下，Samsung的產(chǎn)能目前不多，在EUV專線生產(chǎn)廠的產(chǎn)能規(guī)劃約15K/M，預(yù)計在2020下半年量產(chǎn)。

整體而言，5nm制程持續(xù)提高晶體管密度與降低功耗，意味著在算力疊加方面能夠包含更多核心數(shù)，確實推升高效能運算芯片的發(fā)展進(jìn)度，提供客戶更能擴(kuò)展芯片設(shè)計的潛力。

另外，在COVID-19疫情影響下，不單是遠(yuǎn)程辦公或通訊提升服務(wù)器、計算機(jī)與資料中心既有運算芯片的需求量，也可能加速如AI醫(yī)療、邊緣運算與深度機(jī)器學(xué)習(xí)等發(fā)展進(jìn)度，更提升對高效能運算芯片的依賴程度。

如此，在市場創(chuàng)造需求、技術(shù)又能對應(yīng)供給的情況下，5nm制程若如期量產(chǎn)，從相對高的晶圓代工價與市場領(lǐng)先性來看，對半導(dǎo)體產(chǎn)值助益效果與相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品的后續(xù)發(fā)展助益不少。

芯片升級引發(fā)缺口填補(bǔ)效應(yīng)成先進(jìn)制程觀察重點

在5nm制程量產(chǎn)下，預(yù)估將提升先進(jìn)制程部分營收占比與技術(shù)發(fā)展，但對先進(jìn)制程中其他的納米節(jié)點是否造成影響則有評估的必要性。

首先，因7nm制程轉(zhuǎn)單而可能出現(xiàn)的需求缺口是否填補(bǔ)，這對臺積電來說，由于Apple升級手機(jī)AP轉(zhuǎn)為5nm制程，導(dǎo)致7nm出現(xiàn)需求缺口，但在AMD與NVIDIA的投片加持下，臺積電7nm制程在2020上半年仍能維持近滿載的產(chǎn)能利用率。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院認(rèn)為，雖然2020下半年可能出現(xiàn)因消費市場衰退造成的旺季不旺狀況，然而，臺積電目前有5G基礎(chǔ)建設(shè)與服務(wù)器需求力道支撐7nm訂單，從長期來看，在7nm制程的高市占比也有助廠商鞏固訂單能見度，預(yù)估可持續(xù)至2020年底，在成本控管優(yōu)化下，7nm制程可望成為在成本與效能平衡點上最佳的先進(jìn)制程，對制程轉(zhuǎn)進(jìn)的缺口影響應(yīng)對審慎樂觀。

而Samsung對7nm制程的產(chǎn)能規(guī)劃與產(chǎn)品組合較少，故因產(chǎn)品制程升級出現(xiàn)的需求缺口則填補(bǔ)機(jī)會可能不大，雖說自研手機(jī)AP是立即性的填補(bǔ)首選，但Samsung針對疫情影響而下修手機(jī)出貨量，使得手機(jī)AP需求量可能有所調(diào)整，加上EUV專線仍有支援5nm產(chǎn)線的必要性，若出現(xiàn)缺口則單一填補(bǔ)力道有限。

憑借成熟制程及成本較低的優(yōu)勢，第一代硅質(zhì)半導(dǎo)體芯片已成為人們生活中不可或缺的重要器件。然而，硅質(zhì)半導(dǎo)體受制于無法在高溫、高頻以及高電壓等環(huán)境中使用的材料限制，讓化合物半導(dǎo)體逐漸嶄露頭角。

襯底與外延質(zhì)量成決定化合物半導(dǎo)體器件特性關(guān)鍵

化合物半導(dǎo)體主要指砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 等第二、第三代半導(dǎo)體，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面較優(yōu)。

全球知名研究咨詢公司集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，現(xiàn)行化合物半導(dǎo)體的供應(yīng)鏈關(guān)系，主要透過襯底廠商提供適當(dāng)?shù)木A，并由外延廠進(jìn)行所需之反應(yīng)層材料成長，隨后再透過IDM廠或各自獨立的代工廠進(jìn)行加工，最終再由終端產(chǎn)品商加工統(tǒng)整后販賣至消費者手中。

考慮到化合物半導(dǎo)體襯底在生長過程中產(chǎn)生部分缺陷，所以制作器件前需透過如MOCVD、MBE等外延程序，再次成長所需的反應(yīng)層，借此降低并滿足器件性能表現(xiàn)；在襯底方面，目前化合物半導(dǎo)體主要以6吋襯底為主，并試圖滿足GaAs、 SiC、GaN on Si / SiC等各類器件生產(chǎn)之需求。

由于化合物半導(dǎo)體屬二元以上結(jié)構(gòu)，在襯底及外延的制備上，相較于傳統(tǒng)硅材料困難，因此，如何有效控制襯底與外延質(zhì)量，是決定化合物半導(dǎo)體器件的特性關(guān)鍵。

新冠疫情席卷全球，化合物半導(dǎo)體應(yīng)用受波擊

化合物半導(dǎo)體并不是近年的產(chǎn)物，不過，直到近期化合物半導(dǎo)體才真正開始普及和興起，尤其近年中國開始大規(guī)模投資，亦使得產(chǎn)業(yè)漸趨繁榮。然而，受到中美貿(mào)易摩擦及突如其來的新冠肺炎疫情影響，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用也受到波及。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出，基于砷化鎵或氮化鎵的射頻器件受到不小震蕩。其中，砷化鎵技術(shù)相較成熟，但由于市場仍以手機(jī)射頻為主，以致受到影響較大，預(yù)估2020年營收將小幅下跌。而氮化鎵器件仍處于開發(fā)階段，目前主要應(yīng)用于基站射頻技術(shù)，預(yù)計2020年營收則呈現(xiàn)小幅增長。

功率器件方面，雖然受大環(huán)境影響，但其已是化合物半導(dǎo)體的發(fā)展重點，成長動能依舊顯著。碳化硅材料因襯底生產(chǎn)難度大，功率器件成長幅度受限，后續(xù)有待襯底技術(shù)持續(xù)精進(jìn)；氮化鎵功率器件技術(shù)發(fā)展則相對成熟，雖大環(huán)境不佳導(dǎo)致成長放緩，但向上幅度仍明顯。

中國廠商與國際大廠技術(shù)差距將逐漸縮小

雖然受到中美貿(mào)易摩擦和疫情影響拖累全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，但化合物半導(dǎo)體憑借自身材料特性和新興應(yīng)用需求，各家IDM廠相繼推出相關(guān)措施應(yīng)對?？莆郑≦orvo）、意法半導(dǎo)體、安森美以及中國三安光電和英諾賽科等廠商都紛紛通過新品、并購或新建生產(chǎn)線等方式積極參與市場競爭，以擴(kuò)大影響力。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析，目前來看，在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國廠商雖然和國際廠商相比仍有技術(shù)差距，但隨著中國國家大基金的支持以及廠商的不斷布局，技術(shù)差距將不斷縮小。當(dāng)前唯有真實掌握市場需求，廠商才有機(jī)會在競爭中當(dāng)中成長及獲利。