2020年5月21日，世界知名超頻內(nèi)存及高端電競(jìng)外圍領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國(guó)際再度突破內(nèi)存超頻世界紀(jì)錄。這次聯(lián)手華碩ROG團(tuán)隊(duì)，以 DDR4-6666MHz 的驚人速度領(lǐng)先于全球，成為現(xiàn)今最快的內(nèi)存超頻紀(jì)錄保持者。此紀(jì)錄選用了芝奇皇家戟系列內(nèi)存，并搭載最新的 ASUS ROG MAXIMUS XII APEX 主板與Intel? Core? i9-10900K處理器，充份展示出芝奇內(nèi)存與新一代Z490平臺(tái)的超頻極限與潛能。

新世代平臺(tái)的超頻世界紀(jì)錄DDR4-6666MHz

隨著第十代Intel?Core?處理器及Z490新世代主板帶來(lái)的效能提升，芝奇也竭力挑戰(zhàn)內(nèi)存頻率的上限，此次與華碩ROG團(tuán)隊(duì)密切合作，使用芝奇的旗艦級(jí)皇家戟系列內(nèi)存及風(fēng)靡全球超頻玩家的華碩APEX 系列主板，結(jié)合最新Intel? Core? i9-10900K處理器，利用液態(tài)氮能最低至攝氏零下196度的極度低溫超頻技術(shù)，成功將內(nèi)存頻率推升到難以置信的DDR4-6666MHz驚人成績(jī)，展示出各項(xiàng)硬件配備強(qiáng)大的超頻潛力。

關(guān)于芝奇國(guó)際

芝奇國(guó)際實(shí)業(yè)股份有限公司創(chuàng)立于1989年，總公司位于臺(tái)北市，為全球高端超頻、電競(jìng)電腦內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌。在電腦科技產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)達(dá)近30年的經(jīng)驗(yàn)，芝奇深信唯有不懈的創(chuàng)新及突破，才能建立永續(xù)的品牌價(jià)值。另外，芝奇往往率先同行開(kāi)發(fā)出高規(guī)格產(chǎn)品，其高端內(nèi)存宛如電腦硬件界的超跑，乃全球高端玩家藉以競(jìng)技爭(zhēng)鋒的夢(mèng)幻逸品。

5月21日，三星宣布計(jì)劃提高其在韓國(guó)平澤市新生產(chǎn)線的晶圓代工生產(chǎn)能力。

新聞稿指出，該生產(chǎn)線已于本月開(kāi)始建設(shè)，將專(zhuān)注于基于EUV的5納米及以下工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)將于2021年下半年全面投入生產(chǎn)。三星的目標(biāo)是在包括5G，高性能計(jì)算（HPC）和人工智能（AI）在內(nèi)的眾多當(dāng)前和下一代應(yīng)用中擴(kuò)展最新工藝技術(shù)的使用。

三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人ES Jung博士表示，新的生產(chǎn)線將擴(kuò)大三星在5納米以下制程的制造能力，并能夠迅速滿足客戶(hù)對(duì)基于EUV解決方案的日益增長(zhǎng)的需求。此外，新的生產(chǎn)線還將使三星能夠繼續(xù)開(kāi)拓新的領(lǐng)域，同時(shí)推動(dòng)三星代工業(yè)務(wù)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

三星指出，在2019年初首次批量生產(chǎn)基于EUV的7nm工藝之后，三星最近在韓國(guó)華城增加了一條新的EUV專(zhuān)用V1生產(chǎn)線。而隨著新的平澤工廠于2021年全面投入運(yùn)營(yíng)，三星基于EUV的晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計(jì)將大幅增加。

根據(jù)規(guī)劃，三星將于今年下半年開(kāi)始在華城工廠開(kāi)始批量生產(chǎn)5nm EUV工藝。加上平澤工廠，三星將在韓國(guó)和美國(guó)總共擁有7條晶圓代工生產(chǎn)線，其中包括6條12英寸生產(chǎn)線和1條8英寸生產(chǎn)線。

5月20日，深圳中科飛測(cè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中科飛測(cè)”）橢偏膜厚量測(cè)儀作為首批設(shè)備正式搬入廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“士蘭集科”）。

資料顯示，士蘭集科由廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)和士蘭微共同出資成立，注冊(cè)資本為20億元，其中廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)出資17億元，占股85%；士蘭微出資3億元，占股15%，主要負(fù)責(zé)實(shí)施運(yùn)營(yíng)士蘭微在廈門(mén)建設(shè)的12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目。

該項(xiàng)目總投資170億元，建設(shè)兩條以MEMS、功率器件為主要產(chǎn)品的12英寸集成電路制造生產(chǎn)線。其中第一條12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目總建筑面積約25萬(wàn)平方米，總投資70億元，分兩期建成，規(guī)劃產(chǎn)能8萬(wàn)片/月。項(xiàng)目一期總投資50億元，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能4萬(wàn)片；二期項(xiàng)目總投資40億元，新增月產(chǎn)能4萬(wàn)片。5月10日，該項(xiàng)目在海滄正式通電

第二條芯片制造生產(chǎn)線預(yù)計(jì)總投資100億元，定位為功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2020年完成廠房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試，2021年實(shí)現(xiàn)通線生產(chǎn)，2022年達(dá)產(chǎn)。項(xiàng)目二期2022年前后啟動(dòng)，2024年達(dá)產(chǎn)。

廈門(mén)網(wǎng)此前指出，該項(xiàng)目是國(guó)內(nèi)首條12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線，它的落地將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)特色工藝半導(dǎo)體芯片方面的空白，助力我國(guó)在特色工藝半導(dǎo)體芯片方面實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)，對(duì)提升廈門(mén)乃至福建集成電路產(chǎn)業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略布局中的格局和地位，具有里程碑意義。

5月20日，華潤(rùn)微發(fā)布公告，公司董事會(huì)會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于選舉公司董事長(zhǎng)的議案》，同意選舉陳小軍擔(dān)任公司董事長(zhǎng)、董事會(huì)戰(zhàn)略委員會(huì)主任委員、董事會(huì)提名委員會(huì)委員，任期與公司第一屆董事會(huì)任期一致。

公告稱(chēng)，華潤(rùn)微前任董事長(zhǎng)李福利已于4月21日申請(qǐng)辭去公司董事長(zhǎng)職務(wù)。根據(jù)此前公告，李福利因本人工作調(diào)整，申請(qǐng)辭去公司董事長(zhǎng)、董事會(huì)戰(zhàn)略委員會(huì)主任委員、董事會(huì)提名委員會(huì)委員職務(wù)，李福利辭職后將不再擔(dān)任公司的任何職務(wù)。李福利遞交的辭職報(bào)告自送達(dá)董事會(huì)之日起生效。

資料顯示，華潤(rùn)微新任董事長(zhǎng)陳小軍1966年生，中國(guó)國(guó)籍。陳小軍歷任中國(guó)通廣電子公司技術(shù)開(kāi)發(fā)部干部、項(xiàng)目經(jīng)理、銷(xiāo)售經(jīng)理、 區(qū)域經(jīng)理、總經(jīng)理助理、副總經(jīng)理，中國(guó)瑞達(dá)系統(tǒng)裝備有限公司副總經(jīng)理、總經(jīng)理、黨委書(shū)記，中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司人力資源部主任，中國(guó)長(zhǎng)城計(jì)算機(jī)深圳股份有限公司黨委書(shū)記、總經(jīng)理，中國(guó)長(zhǎng)城科技集團(tuán)股份有限公司黨委書(shū)記、總經(jīng)理、董事長(zhǎng)，中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司副總經(jīng)理、黨組成員。

根據(jù)公告，陳小軍現(xiàn)任華潤(rùn)（集團(tuán)）有限公司黨委委員、副總經(jīng)理，公司董事，現(xiàn)選舉為公司董事長(zhǎng)。陳小軍未持有公司股票，除在華潤(rùn)（集團(tuán)）有限公司任職外與公司或其控股股東及實(shí)際控制人不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系，未受過(guò)中國(guó)證監(jiān)會(huì)及其他有關(guān)部門(mén)的處罰和證券交易所懲戒。

華潤(rùn)微是華潤(rùn)集團(tuán)旗下旗下半導(dǎo)體投資運(yùn)營(yíng)平臺(tái)，擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營(yíng)能力。今年2月27日，華潤(rùn)微成功登陸科創(chuàng)板迎來(lái)發(fā)展新階段，如今再迎新董事長(zhǎng)，陳小軍上任將為華潤(rùn)微帶來(lái)哪些變化？有待后續(xù)觀察。

據(jù)人民網(wǎng)發(fā)布的中國(guó)統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國(guó)共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國(guó)兩會(huì)各民主黨派提案選登”報(bào)道顯示，民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案指出，當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)看，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研 究顯示全球市場(chǎng)的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量是約3億多美金，硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場(chǎng)的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國(guó)際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場(chǎng)應(yīng)用驗(yàn)證，穩(wěn)定可靠，價(jià)格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點(diǎn)，在未來(lái)至少7至8年左右仍是市場(chǎng)應(yīng)用主流。

另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展，而我國(guó)碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距。可喜的是，在國(guó)家多項(xiàng)科研計(jì)劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術(shù)差距，并取得了不少成就。

隨著工業(yè)、汽車(chē)、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國(guó)功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國(guó)家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口。為此，民進(jìn)中央提出以下建議：

一、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān)，立項(xiàng)支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計(jì)和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展，我國(guó)在硅材料 IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)及批量制造工藝技 術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn)，采取先易后難、解決“有無(wú)”問(wèn)題的發(fā)展策略，盡快實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來(lái)越高的要求，大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)看，碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。目前碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)處于起步階段，國(guó)內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)。 一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國(guó)家計(jì)劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來(lái)的應(yīng)用需求，進(jìn)行前瞻性布局。推動(dòng)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題，在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。三是要避免對(duì)新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系，打造更加開(kāi)放包容的投資環(huán)境。

三、謹(jǐn)慎支持收購(gòu)國(guó)外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過(guò)收購(gòu)很難實(shí)現(xiàn)完全學(xué)會(huì)和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯 片設(shè)計(jì)及制造工藝技術(shù)，同時(shí)海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無(wú)法出口到中國(guó)的危險(xiǎn)。

5月20日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）發(fā)布2019年年度股東大會(huì)決議公告，審議通過(guò)了關(guān)于公司擬簽署投資協(xié)議暨購(gòu)買(mǎi)土地并進(jìn)行項(xiàng)目建設(shè)的議案。

根據(jù)此前發(fā)布的公告，中微公司擬與中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臨港管委會(huì)”）簽署《合作意向協(xié)議書(shū)》，公司擬使用自有或自籌資金在中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臨港新片區(qū)”）建設(shè)高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

中微公司表示，就本次投資合作相關(guān)事宜，公司擬在臨港新片區(qū)競(jìng)拍土地建設(shè)中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地及中微臨港總部和研發(fā)基地。其中中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地用地選址：目標(biāo)地塊位于臨港產(chǎn)業(yè)區(qū)閔聯(lián)臨港園區(qū)內(nèi)，土地面積預(yù)計(jì)為151,544平方米，約折合227.3畝；中微臨港總部和研發(fā)基地用地選址：目標(biāo)地塊位于臨港科技城園區(qū)內(nèi)，土地面積預(yù)計(jì)為16,700平方米，約折合25.05畝。

就本次投資，中微公司將根據(jù)公司戰(zhàn)略規(guī)劃、經(jīng)營(yíng)計(jì)劃、資金情況分步實(shí)施，投資主體為本公司或本公司在臨港新片區(qū)新設(shè)立的全資子公司。

中微公司表示，隨著公司規(guī)模及業(yè)務(wù)的擴(kuò)張，公司在現(xiàn)有上?？偛繌S區(qū)的半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)與研發(fā)將會(huì)出現(xiàn)瓶頸，本次選址在臨港新片區(qū)進(jìn)行項(xiàng)目投資，能夠充分利用該區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)集群優(yōu)勢(shì)，將有利于完善公司的產(chǎn)業(yè)鏈布局，進(jìn)一步做好公司半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃，提升公司整體實(shí)力，推動(dòng)公司半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，進(jìn)一步提升公司的盈利能力和綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。