南亞科本周法說會 聚焦兩大重點

南亞科本周法說會 聚焦兩大重點

南亞科將于周二 (15 日) 召開法說會,公布第 4 季與全年獲利表現(xiàn),市場將聚焦南亞科對第 1 季及今年整體市況展望。南亞科去年全年營收創(chuàng)新高、達到 847.21 億元(新臺幣,下同),法人預期,南亞科第 4 季每股純益可望達 2.5 元,全年每股純益上看 12.5 元,可望寫下歷史次高成績。

南亞科去年第 4 季受到美中貿易摩擦影響市場需求,加上 CPU 缺貨等因素影響,且 DRAM 銷售單價也下修,在價量同步走弱下,使營運表現(xiàn)受到影響,第 4 季營收為 169.57 億元,季減 3 成,不過,由于前 3 季營運表現(xiàn)相當不錯,帶動去年全年合并營收達 847.22 億元,年增率 54.3%,改寫歷史新高。

從南亞科大股東南亞公告的第 4 季財報來看,共認列南亞科投資收益 23.2 億元,法人推估,南亞科第 4 季獲利將達 79 億至 80 億元,雖然獲利季減幅度可能超過 3 成,但單季每股純益可望達 2.5 元,全年每股純益則預期將超過 12.5 元,寫下歷史次高紀錄。

今年市況方面,據(jù)集邦咨詢半導體研究中心 DRAMeXchange 最新調查,繼去年第 4 季 DRAM 合約價格較前一季大幅修正約 1 成后,受到終端產品需求疲軟影響,DRAM 主要供應商紛紛放緩新增產能腳步,以期減緩價格跌勢,今年 DRAM 產業(yè)用于生產的資本支出總金額約 180 億美元,年減約 1 成,為近年來最保守的投資水位。

南亞科去年第 4 季起,開始延緩產能擴充與資本支出,去年全年資本支出也由原先的近 240 億元、下調至 210 億元,調幅逾 1 成,預期在市況未有太大變化之下,加上三星半導體、SK 海力士與美光均同步下修今年資本支出,南亞科今年資本支出可望比去年更保守。

DRAMeXchange 預期,今年 DRAM 價格仍將逐季修正,第 1 季價格下修幅度約 15%,第 2 季收斂至 10% 以內,下半年除非需求明顯改善,否則價格仍將維持約 5% 的季度下修。

金泰克貪狼星內存兇猛上新

金泰克貪狼星內存兇猛上新

繼烈焰風暴X3系列之后,金泰克又推出了一款兇猛型產品——貪狼星電競內存,這款產品從外形設計到頻率都做了新升級,尤其強化了散熱功能。命名也是采用新系列星宿名,寓意在星宿眾將里面代表著智慧的貪狼星,能在游戲殺場上助你一臂之力。

貪狼星目前推出的是2666MHz主流頻率,單條容量8GB,8層PCB架構設計,搭載新一代DDR4技術架構,信號傳輸更穩(wěn)定更高效,同時兼俱高性能低功耗,工作電壓低至1.2V。在顆粒方面,貪狼星每一顆使用的DRAM顆粒,都經過層層篩選測試,性能持久。

金泰克貪狼星電競內存采用新研制的“疾風”散熱馬甲,是借鑒高端電競X系列內存的設計元素和散熱參數(shù),設計出1mm雙翼對稱高效鋁制散熱馬甲,利用散熱速度快的鋁材質特性和導熱膠材質,結合零組件和計算機系統(tǒng)流體力學,在冷熱空氣對流的過程中加快熱傳導速率,有效降低內存運作時的溫度,延長內存壽命。

在游戲玩家界有一句俗語:一馬甲定游戲生死!游戲的時候內存溫度會升高,如果你的內存有好的散熱馬甲,就能更好的提高內存散熱,使內存在高負荷運作時擁有更低的溫度和更高的可靠性,保障游戲過程中的穩(wěn)定性。并且這款貪狼星電競內存的兼容性非常強,多家主板廠商驗證測試,兼容Intel主流平臺,非常適合游戲玩家用來給電腦升級。

三星擬在印度推出廉價智能手機 迎擊小米等對手

三星擬在印度推出廉價智能手機 迎擊小米等對手

據(jù)路透社14日稱,韓國三星電子公司計劃在全球發(fā)布之前在印度推出一個廉價智能手機系列,旨在在與小米等競爭對手爭奪這一全球第二大手機市場的份額。

根據(jù)技術研究機構Counpoint的數(shù)據(jù),2018年已公布數(shù)據(jù)的三個季度中,三星在印度以出貨量計算的市場份額有兩個季度落后于小米。

三星計劃在印度推出三款新的M系列手機,只通過其網(wǎng)站和亞馬遜印度網(wǎng)站銷售,三星印度移動業(yè)務負責人Asim Warsi表示,這將有助于該公司將在線銷售額翻一番。

Warsi表示:“M系列是圍繞著印度千禧一代的消費者打造的,”并補充稱,這三款手機將于1月底首先在印度推出,然后將在全球范圍內推出。

他表示,這三款印度制造的手機售價在1萬盧比(約合141.80美元)至2萬盧比之間,將配備體積較大的電池和快速充電等功能。

監(jiān)管文件顯示,截至2018年3月底的12個月里,三星在印度的手機銷售額達到3735億盧比(約合53億美元)。

三星一直在加大對印度市場的投入。印度擁有超過10億移動用戶,其中約3.5億用戶仍未使用智能手機。

去年,三星在印度首都新德里郊區(qū)開設了據(jù)稱是全球最大的手機生產廠,并在班加羅爾開設了其全球最大的手機商店。

三星的印度業(yè)務通過25萬家零售店和2000多家專賣店銷售手機,并得到了2000家服務中心的支持。

蘋果高管:新iPhone考慮用三星和聯(lián)發(fā)科技的5G基帶

蘋果高管:新iPhone考慮用三星和聯(lián)發(fā)科技的5G基帶

據(jù)路透社報導,上周五(1月11日)美國聯(lián)邦貿易委員會(FTC)針對高通的反壟斷案的開庭審理過程中,Apple公司供應鏈主管托尼?布萊文斯在證詞中稱,Apple公司正在考慮由Samsung電子和聯(lián)發(fā)科技以及現(xiàn)有供應商英特爾公司為2019年的iPhone提供5G調制解調器芯片。

基于此前高通在通信領域的強大技術優(yōu)勢和專利優(yōu)勢,2011年至2016年期間,高通都是Apple基帶芯片的唯一供應商,幫助Apple設備連接網(wǎng)絡。但從2016年開始,Apple將業(yè)務分拆給英特爾和高通。2018年,Apple將最新款手機業(yè)務僅由英特爾承接。

據(jù)悉,由于英特爾的基帶芯片在性能上與高通仍有差距,所以英特爾基帶芯片所占的比例還相對較低,有消息稱只有不到20%。而且Apple為了平衡不同版本iPhone基帶芯片性能的差異,還通過軟件限制了高通基帶芯片的性能。

布萊文斯在加州圣何塞的一家聯(lián)邦法院出庭作證時表示,Apple一直在為調制解調器芯片尋找多家供應商,但與高通簽署了一項協(xié)議,由高通獨家供應調制解調器芯片,因為高通在專利許可成本上提供了高額回扣,以換取獨家使用權。

2017年,Apple與高通之間的專利糾紛以及專利授權費問題的爆發(fā),雙方在全球展開了訴訟,兩家公司之間的關系也是急劇惡化。Apple至今為止仍拒絕向高通支付專利授權費。而高通則開始積極謀求禁售非高通基帶版本的iPhone。

據(jù)第三方拆解機構的信息來看,2017年Apple發(fā)布的iPhone仍有采用高通的基帶芯片。高通基帶版的iPhone 8系列采用的是SnapdragonX16。而英特爾基帶版的iPhone 8系列則搭載的是X女生 7480。不過,Apple在iPhone 8當中確實進一步減少了高通基帶芯片的比例。2018年推出的iPhone XS / XS Max / XR系列當中,則完全拋棄了高通的基帶芯片,選擇全部采用英特爾的基帶芯片。

Apple一直在尋找新的供應商,而目前從近期AppleCEO庫克的表態(tài),Apple與高通短期內部應該不可能和解,那么在基帶芯片性能上能夠滿足Apple基本要求的除了英特爾,可能就只有Samsung、聯(lián)發(fā)科了。同時,布萊文斯表示,Samsung的Galaxy和Note設備與iPhone存在激烈競爭關系,與Samsung進行談判對Apple來說“不是一個理想的環(huán)境”。

Samsung于2018年8月宣布推出旗下首款5G基帶芯片——Exynos Modem 5100。據(jù)介紹,Exynos Modem 5100是業(yè)內首款完全兼容3GPP Release 15規(guī)范、也就是最新5G NR新空口協(xié)議的基帶產品。Samsung表示,已經成功使用搭載Exynos Modem 5100基帶的5G原型終端和5G基站間進行了無線呼叫測試,相關產品將會在今年商用。

而在2018年的臺北國際計算機展 (COMPUTEX 2018) 的記者會上,聯(lián)發(fā)科正式宣布推出了首款 5G基帶芯片 ——M70。聯(lián)發(fā)科預計,2019年將有機會看見搭載聯(lián)發(fā)科5G基帶芯片的產品推出。

據(jù)了解,2017年11月,業(yè)內就曾傳出消息稱Apple已秘密與聯(lián)發(fā)科接觸。而雙方合作將包括手機基帶芯片、CDMA的IP授權、WiFi定制化芯片等方面。而隨后的消息也顯示,Apple的HomePod采用了聯(lián)發(fā)科定制的WiFi芯片。所以有不少人猜測,聯(lián)發(fā)科技很有可能會成Apple新iPhone的5G基帶芯片的第二大主力供應商。

但據(jù)路透社報導,布萊文斯并沒有說明Apple是否已經就5G調制解調器供應商做出決定,也沒有說明Apple是否會在2019年推出5G iPhone。此外,據(jù)彭博社之前援引消息人士報導稱,Apple或將最早于2020年發(fā)布5G iPhone產品。

亞馬遜野心勃勃放眼云端游戲市場  但微軟早已搶占先機

亞馬遜野心勃勃放眼云端游戲市場 但微軟早已搶占先機

亞馬遜、微軟和谷歌正面臨著一場激烈的競爭,戰(zhàn)場不在實體而在云端。它們正在云端計算的一個非常另類市場展開競爭:游戲。

微軟長期以來一直是游戲強權,在 2000 年推出 Xbox 游戲機。在擴大游戲方式和地點方面,微軟在 10 月表示將在今年開始測試云端游戲產品。其 xCloud 計劃將適用于行動設備。去年 1 月該公司收購了為游戲開發(fā)商提供云端基礎工具的新創(chuàng)公司 PlayFab。

亞馬遜對其在這塊市場的野心保持沉默。但《The Information》報導,該公司已與出版商就 2020 年推出新服務發(fā)布游戲進行對話。該項目將建立在之前支持游戲開發(fā)商的努力基礎之上。

與此同時,谷歌已經開始對特定用戶測試名為 Project Stream 的云端游戲服務。

這是三家大型美國網(wǎng)絡龍頭企業(yè)的最新動作,這些公司將其科技用于讓客戶不再自行計算和儲存,可以在不依賴昂貴硬件的情況下完成更多工作。

但這些企業(yè)立足點并非平等。在游戲方面,微軟擁有主場優(yōu)勢。

「亞馬遜不是一家游戲公司,谷歌也不是。索尼是一家游戲公司,但它沒有云端服務?!乖贫擞螒蚬?OnLive 前 CEO Steve Perlman 說,「市場上只有微軟兩者兼具?!?/p>

Perlman 了解這個市場帶來的挑戰(zhàn)。他在 2007 年創(chuàng)立 OnLive,最終在 2015 年將資產出售給索尼,當年索尼宣布推出游戲串流媒體服務 PlayStation Now。在他職業(yè)生涯的早期,帕爾曼將 WebTV 出售給微軟,該團隊的一些成員后來在微軟的 Xbox 360 控制臺上工作。

當 Perlman 十多年前跨入游戲串流媒體時,可以透過連接遠距服務器來玩游戲,但它從未進入大眾市場。當時蘋果 (AAPL-US) 和谷歌還沒有成為擁有 App 商店的主要行動大咖,而且出版商也沒有專注于為云端開發(fā)游戲。

盡管如此,該技術確實吸引了一些用戶。Perlman 表示,即使在某些高性能競爭游戲場景中可能存在遞延,OnLive 在測試后,發(fā)現(xiàn)人們通常無法分辨游戲是在遠端運行還是在本機上操作。

他說,當時微軟對游戲機銷售更感興趣。

Perlman 說:「我們與他們討論過一些關于云端游戲的問題」?!傅鼈儫o意于此?!?/p>

不過如今的世界完全不同。微軟現(xiàn)在「主要業(yè)務在云端」,他說,除與 Activision Blizzard (ATVI-US)、Electronic Arts (EA-US) 和 Take Two Interactive (TTWO-US) 等游戲公司建立合作關系外,該公司還對云端基礎架構進行了大量投資。

他說,「至少在理論上,我認為微軟可以做到?!?/p>

三星7nm工藝確認下半年量產 2021年沖3nm GAA量產

三星7nm工藝確認下半年量產 2021年沖3nm GAA量產

為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊,全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業(yè)務,希望有機會進一步拉近與臺積電的差距。在先進制程的發(fā)展方面,根據(jù)三星高層表示,將在 2019 下半年量產內含 EUV技術的 7 納米制程,而 2021 年量產更先進的 3 納米 GAA 制程。

根據(jù)國外科技網(wǎng)站《Tomshardware》報導,三星晶圓代工業(yè)務市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星從 2002 年一直在開發(fā)硅納米線金屬氧化物半導體場效晶體管(Gate-All-Around;GAA )技術,也就是透過使用納米設備制造 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),可顯著提升晶體管性能。三星準備在 2021 年量產 3 納米 GAA 制程。

來源:三星

報導進一步表示,關于三星 3 納米 GAA 制程何時進入量產,至今似乎并沒有統(tǒng)一說法。三星晶圓代工業(yè)務負責人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 會議就表示,三星已完成 3 納米制程技術性能驗證,進一步優(yōu)化制程后,目標是在 2020 年大規(guī)模量產。

不過 3 納米 GAA 制程不論 2020 年還是 2021 年量產,都還離現(xiàn)在都還有點遠。三星 2019 年主推的是內含 EUV 技術的 7 納米制程,預計 2019 下半年量產。盡管三星 2018 年就已經宣布內含 EUV 技術的 7 納米制程能量產,實際上之前所說的量產只是風險試產,遠未達到規(guī)模量產的地步,2019 年底量產才有可能。

只是,在內含 EUV 技術的 7 納米制程,臺積電之前也宣布將在 2019 年量產,看起來三星也沒有進度優(yōu)勢,目前僅能寄望在三星在內含 EUV 技術的 7 納米制程有自己開發(fā)的光罩檢查工具,而在其他競爭對手還沒有類似的商業(yè)工具的情況下,能有更好的良率,以及更低的成本。因此 7 納米節(jié)點,三星現(xiàn)階段想要超前,似乎還需要一點運氣。

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CES2019風向已定!得一微電子重磅頂級旗艦PCIe3x4 SSD主控來襲!

CES2019風向已定!得一微電子重磅頂級旗艦PCIe3x4 SSD主控來襲!

每年的CES展都是開年大戲,電子行業(yè)的最新技術展示,市場趨勢預測就在此呈現(xiàn)。今年CES展上,5G商用、8K顯示技術和8K電視、人工智能、自動駕駛更加引人注目。

這幾大亮點反映出的2019年最新技術與趨勢,的確值得關注并做出相應的布局。

存儲作為服務這些新技術的一環(huán),這些新技術必然需要更大容量、更快速度、更安全耐用的存儲產品,這對存儲廠商提出更大挑戰(zhàn)。

此次,得一微電子在CES展同期也正式宣布推出新一代頂級旗艦PCIe SSD存儲控制芯片YS9203。
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這顆PCIe Gen3x4 SSD主控芯片專門針對消費級旗艦以及輕企業(yè)級應用而打造,得益于硬件和固件上的優(yōu)化,該主控將充分發(fā)揮NWMe1.3的性能。該主控提供PCIe 4個Lane和8個NAND Flash通道,支持3D MLC/TLC/QLC的NAND,使用LDPC以及Enhance RAID增強了數(shù)據(jù)可靠性和耐久性。

它還支持1.2V和1.8V接口電壓,國密SM2/SM3/SM4,TCG OPAL。消費級工作溫度范圍:0°C-70°C,工業(yè)級工作溫度范圍:-40°C-85°C。順序讀寫速度高達3500MB/s, 3000MB/s, 隨機讀寫速度都高達700K IOPS。

我們知道PCIe Gen3x4理論最大順序讀寫速度為4GB/s,理論上最大IOPS為1000K。由此可以看出,得一微電子的這顆YS9203已經達到了相當高速的性能。

這顆YS9203是得一微電子的最新力作,較上一代產品性能更高,穩(wěn)定性更強。隨著這顆芯片的推出,也彰顯了得一微電子打造國內頂級超高性能,頂級消費級SSD控制芯片的實力。

毋庸置疑,PCIe接口的固態(tài)硬盤正在成為固態(tài)硬盤行業(yè)的發(fā)展主流。在云計算、大數(shù)據(jù)以及消費級筆記本電腦,乃至未來的5G、自動駕駛等,這些應用市場對數(shù)據(jù)存儲容量要求更高,數(shù)據(jù)傳輸速度要求更快,產品性能表現(xiàn)要求更穩(wěn)定,都將是PCIe接口固態(tài)硬盤的廣闊市場。

2019年伊始,得一微電子發(fā)布重磅利器——頂級旗艦SSD存儲控制芯片YS9203,相信將為消費級旗艦以及輕企業(yè)級PCIe接口固態(tài)硬盤產品乃至閃存行業(yè)帶來新的突破和發(fā)展!

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湖北省將研究出臺集成電路政策

湖北省將研究出臺集成電路政策

為貫徹落實湖北省“一芯兩帶三區(qū)”戰(zhàn)略布局,加快推進該省芯片產業(yè)跨越發(fā)展,1月9日湖北省經信廳在武漢組織召開集成電路產業(yè)發(fā)展座談會。

該座談會由省經信廳黨組成員陶紅兵,武漢市、襄陽市、宜昌市經信委和東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會分管領導,華中科技大學武漢國際微電子學院、省半導體行業(yè)協(xié)會以及芯片設計、制造、封裝等骨干企業(yè)負責人出席。

會議上,與會成員深入地分析了湖北省集成電路產業(yè)發(fā)展所處的國際國內環(huán)境以及面臨的機遇和挑戰(zhàn),結合湖北省集成電路產業(yè)發(fā)展實際情況,就如何更好地推動該省集成電路產業(yè)特色化定位、錯位化布局、差異化發(fā)展提出了相關意見和建議。

陶紅兵在會上強調,集成電路是國之重器,發(fā)展集成電路產業(yè)已成為國家重大戰(zhàn)略。湖北省委、省政府審時度勢、科學謀劃、重點部署了以“一芯驅動、兩帶支撐、三區(qū)協(xié)同”為主要內容的高質量發(fā)展區(qū)域和產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略布局,為湖北省高質量發(fā)展指明了方向,經信系統(tǒng)和廣大企業(yè)一定要緊緊抓住這個重要歷史性機遇,找準產業(yè)發(fā)展的突破點和發(fā)力點,以建設武漢國家存儲器基地為契機,匯聚資源全力推進集成電路產業(yè)做大做強。

據(jù)了解,湖北省“一芯驅動”,即打造產業(yè)之“芯”,推動制造業(yè)高質量發(fā)展;“兩帶支撐”,就要以長江綠色經濟和創(chuàng)新驅動發(fā)展帶、漢隨襄十制造業(yè)高質量發(fā)展帶為紐帶,打造高質量發(fā)展的產業(yè)走廊;“三區(qū)協(xié)同”,即推動鄂西綠色發(fā)展示范區(qū)、江漢平原振興發(fā)展示范區(qū)、鄂東轉型發(fā)展示范區(qū)競相發(fā)展,形成全省東、中、西三大片區(qū)高質量發(fā)展的戰(zhàn)略縱深。

陶紅兵表示,會后省經信廳將立即研究吸收大家提出的意見和建議,歸納整理報送省委省政府領導參閱。同時,圍繞集中產業(yè)、金融、土地、科技、人才等資源要素,研究出臺支持集成電路產業(yè)發(fā)展的相關政策,并組織匯編全省集成電路企業(yè)產品名錄,以利于各地開展招商引資,加強企業(yè)間的合作,形成完整的集成電路產業(yè)鏈,通過行業(yè)上下的共同努力,把湖北集成電路產業(yè)推向一個新的高度。

此前,湖北省市已相繼出臺了《武漢市人民政府關于進一步鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展的意見》、《湖北省集成電路產業(yè)發(fā)展行動方案》等政策。目前,湖北省以存儲器制造為核心,同時發(fā)展設計、封裝測試、材料、設備等集成電路產業(yè)鏈環(huán)節(jié),擁有長江存儲、臺基股份、烽火通信、光迅科技、臺基股份、興福電子、鼎龍股份等企業(yè)。

近日,湖北省將加快國家存儲器基地建設寫入新政,提出加快國家存儲器基地項目建設,重點推動芯片設計、封裝測試、材料加工等方面研發(fā)應用。

TCL推進重組組織架構調整 部分高管因隨重組標的業(yè)務調動

TCL推進重組組織架構調整 部分高管因隨重組標的業(yè)務調動

TCL集團(000100.SZ)1月10日晚間發(fā)布公告,董事會于近日收到董事、首席財務官(CFO)黃旭斌先生的書面辭職申請,黃旭斌先生因個人及家庭原因申請辭去公司第六屆董事會董事、首席財務官(CFO)及公司內全部職務。目前TCL集團董事會已審議通過決議,任命首席運營官(COO)杜娟女士兼任公司首席財務官(CFO),任期自2019年1月10日至本屆董事會屆滿日(2020年9月1日)止。同日,TCL電子(01070.HK)也宣布,黃旭斌已辭任公司非執(zhí)行董事及已不再出任審核委員會的成員,由TCL通訊CFO楊安明先生接任其職務。

黃旭斌先生表示,他從2001年3月加入TCL開始,至今已為公司服務18年,見證和參與了TCL集團走向全球化和加速業(yè)務轉型的過程,對公司有非常深厚的感情。據(jù)了解,黃旭斌先生由于個人及家庭原因,實際于2018年7月已向公司提出辭職申請,但因當時公司正在籌劃重組事項,在董事長李東生先生挽留下,黃旭斌先生決定推遲半年離職,并參與協(xié)助完成公司重組工作。

黃旭斌先生是財政部研究生部財政學專業(yè)出身的國內資深財務人士,在其努力下,TCL集團財務和融資部門已經積累了豐富的人才儲備資源,將繼續(xù)把公司業(yè)務向前穩(wěn)步推進。公司董事會也在公告表示,對黃旭斌先生擔任公司董事、高級管理人員期間勤勉盡責的工作高度認可,并對他為公司做出的貢獻表示衷心的感謝。黃旭斌先生離任之后,經公司董事長、CEO(首席執(zhí)行官)李東生先生提名,TCL集團現(xiàn)任首席運營官(COO)杜娟女士將兼任公司首席財務官(CFO),負責公司業(yè)務運營管理、財務管理工作。杜娟女士在公司服務近20年,在公司戰(zhàn)略發(fā)展、業(yè)務運營和財務管理方面經驗豐富。據(jù)了解,在杜娟女士的帶領下,TCL金融業(yè)務過去幾年發(fā)展較快、盈利貢獻持續(xù)增長,此次具有資深財務背景的杜娟女士擔任COO兼CFO,將有助于各業(yè)務板塊運營效率和效益的提升,帶領轉型聚焦后的TCL集團進入精細管理、高效運營、關注企業(yè)成長和股東回報的發(fā)展階段。

此外,因TCL集團實施重大資產重組的工作安排,服務于本次重組標的業(yè)務的主要管理人員不再擔任上市公司的相關職務,原高級副總裁王成先生,副總裁李書彬先生、于廣輝先生、郭愛平先生、王軼先生、何軍先生,將隨標的業(yè)務重組而不再擔任上市公司的任何職務。目前TCL集團高管團隊中,主要管理人員未發(fā)生變化,各職能分工明確完整。

管理專家指出,人隨資產走是交易的基本原則,TCL集團近期的人事變動是上市公司重組中常見的高管團隊按任職企業(yè)和業(yè)務的拆分,將進一步優(yōu)化組織流程和人員,提高企業(yè)的競爭力。

同時,TCL集團此次通過重組戰(zhàn)略聚焦半導體顯示及新材料業(yè)務,一個深層意義在于減少上市公司層面與核心業(yè)務板塊各部門的管理層級,精兵簡政優(yōu)化上層管理組織和人員。市場競爭激烈,企業(yè)強調戰(zhàn)略明確后的行動力,TCL集團在原已領先行業(yè)的高效管理基礎上進一步提升,全面建立起以用戶以市場為中心的全新高科技集團公司。(CIS)

珠海高新區(qū)出臺新政  加快推進集成電路設計產業(yè)發(fā)展

珠海高新區(qū)出臺新政 加快推進集成電路設計產業(yè)發(fā)展

1月10日,珠海國家高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)官網(wǎng)發(fā)布《珠海高新區(qū)加快推進集成電路設計產業(yè)發(fā)展扶持辦法(試行)》。

該政策主要為加快推進該區(qū)集成電路設計產業(yè)集聚發(fā)展,加快技術創(chuàng)新和應用創(chuàng)新,在集成電路設計領域培育若干個國內外知名龍頭企業(yè),扶持一批“專、精、特、新”中小型科技企業(yè),打造集成電路產業(yè)生態(tài)鏈。

具體而言,該政策共列有十條,包括支持研發(fā)創(chuàng)新、場地補貼支持、支持企業(yè)做大做強、支持產業(yè)公共平臺發(fā)展、鼓勵專業(yè)人才培養(yǎng)等幾大方面內容,對符合相關條件的集成電路設計企業(yè)給予支持及資助補貼等。

政策詳情如下:

第一條? 為加快推進我區(qū)集成電路設計產業(yè)集聚發(fā)展,加快技術創(chuàng)新和應用創(chuàng)新,在集成電路設計領域培育若干個國內外知名龍頭企業(yè),扶持一批“專、精、特、新”中小型科技企業(yè),打造集成電路產業(yè)生態(tài)鏈,根據(jù)《珠海市促進新一代信息技術產業(yè)發(fā)展的若干政策》,并結合我區(qū)實際,制定本辦法。

第二條? 本辦法適用于工商注冊地、稅務征管關系以及統(tǒng)計關系在珠海高新區(qū)主園區(qū)(以下簡稱“高新區(qū)”)范圍內的獨立法人企業(yè)和有關機構。

第三條? 支持研發(fā)創(chuàng)新。

(一)流片補貼支持。集成電路設計企業(yè)在參加多項目晶圓(MPW)、工程片試流片階段,市財政對企業(yè)多項目晶圓(MPW)直接費用給予最高70%的補貼,區(qū)財政再給予10%的補貼;市財政對企業(yè)首次工程片流片加工費(含IP授權或購置、掩模版制作、流片等)給予最高30%的補貼,區(qū)財政再給予20%的補貼;單個企業(yè)年度市、區(qū)兩級補貼金額不超過600萬元(其中區(qū)財政不超過200萬元)。

(二)支持購買工具或服務。對集成電路設計企業(yè)購買IP(IP提供商或者FoundryIP模塊)、集成電路設計軟件工具,且單項購買費用達50萬元以上,獲得市財政專項補貼的,區(qū)財政按照市補貼金額給予1:1配套資助。單個企業(yè)年度市、區(qū)兩級補貼金額不超過400萬元(其中區(qū)財政不超過200萬元)。

(三)研發(fā)設備購置補貼支持。年營業(yè)收入增幅在20%以上、且納入我區(qū)規(guī)上企業(yè)統(tǒng)計的集成電路設計企業(yè),對其當年采購相關研發(fā)設備(單個設備原值10萬元人民幣及以上)的實際支付金額(不含稅),區(qū)財政按照10%的比例予以補貼,單個企業(yè)年度補貼金額不超過200萬元。

第四條? 場地補貼支持。

(一)租房補貼支持。對我區(qū)新引進設立的集成電路設計企業(yè),實繳注冊資本在100萬美元或1000萬元人民幣以上的,租用自用辦公用房的,按實際租金的50%予以補貼,年度補貼金額最高不超過50萬元,補貼期限3年。

(二)購房補貼支持:對實繳注冊資本在100萬美元或1000萬元人民幣以上的集成電路設計企業(yè),在我區(qū)首次購置辦公用房且自用的,按購置額(不含稅)的10%予以一次性補貼,最高補貼200萬元。

第五條? 支持企業(yè)做大做強。

(一)支持初創(chuàng)期優(yōu)質企業(yè)快速發(fā)展。對成立5年以內的集成電路設計企業(yè),成功獲得專業(yè)投資機構(含我區(qū)天使投資基金)投資并在1年內向我區(qū)提出申請,按照單個專業(yè)投資機構實際到位股權投資資金的10%予以一次性獎勵。本條款專項用于初創(chuàng)期優(yōu)質企業(yè)扶持,單個企業(yè)獎勵金額不超過100萬元。

(二)支持成長期企業(yè)規(guī)?;l(fā)展。對年營業(yè)收入分別達到5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元且同比實現(xiàn)正增長的集成電路設計企業(yè),分別累計給予50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的獎勵資金。企業(yè)自獲得首次獎勵后,每新上一個臺階只獎勵一次,并只獎勵差額部分。同一企業(yè)獎勵資金累計不超過500萬元。

(三)支持產業(yè)鏈聯(lián)動發(fā)展。對采購我區(qū)非關聯(lián)集成電路設計企業(yè)自主研發(fā)設計芯片或模組,年營業(yè)收入增幅10%以上,且納入我區(qū)規(guī)上企業(yè)統(tǒng)計的系統(tǒng)(整機)、終端企業(yè)給予補貼,按年度實際采購金額的10%予以補貼,單個企業(yè)年補貼金額最高100萬元,最多享受3年。符合市相關政策資助標準的,協(xié)助其申報市級扶持資金。

第六條? 支持產業(yè)公共平臺發(fā)展。對由市財政資助建設的集成電路公共服務平臺,每年按其實現(xiàn)服務收入的20%給予獎勵,單個平臺年度獎勵金額不超過50萬元。

第七條? 鼓勵專業(yè)人才培養(yǎng)。支持區(qū)內集成電路設計領域重點企業(yè)、有關機構聯(lián)合國內外著名高校、培訓機構,開展集成電路專業(yè)人才培訓工作,根據(jù)工作開展情況及培訓效果,最高給予獎勵資金30萬元。

第八條? 符合本辦法的企業(yè)同時符合我區(qū)其他扶持政策相關規(guī)定(含上級部門要求區(qū)配套或承擔資金的政策規(guī)定),按就高不重復的原則予以支持,另有規(guī)定的除外。對引領我區(qū)科技進步和產業(yè)轉型升級的重點企業(yè)和項目,采取“一事一議”的方式予以支持。

第九條? 享受本辦法扶持的企業(yè)應承諾自扶持資金到賬之日起,10年內不遷出我區(qū)、不改變在我區(qū)的納稅義務、不減少實繳貨幣出資;若違反承諾,應退回已獲得的扶持資金。

第十條? 本辦法自印發(fā)之日起實施,有效期至2021年12月31日。原《珠海高新區(qū)扶持軟件和集成電路設計產業(yè)發(fā)展暫行規(guī)定》(珠高〔2016〕81號)同時廢止。本辦法有效期內,如遇法律、法規(guī)或有關政策調整變化的,從其規(guī)定。本辦法由高新區(qū)科技產業(yè)局負責解釋。