SEMI:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將陷入低迷  2019年韓國半導(dǎo)體資本支出減34.7%

SEMI:全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將陷入低迷 2019年韓國半導(dǎo)體資本支出減34.7%

隨著存儲器價格的下滑,接下來全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將面臨一輪新的的低迷。對此,半導(dǎo)體設(shè)備和材料國際協(xié)會 (SEMI),日前已經(jīng)將 2019 年全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)期資本支出,下調(diào)至更低的水平上。其中,SEMI 預(yù)測半導(dǎo)體大國韓國,其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出與 2018 年相較,將下降 34.7%。但是在中國臺灣地區(qū),則預(yù)期將會逆勢成長,較 2018 年成長 24.2%,達到 114.38 億美元。

根據(jù) SEMI 最近的最新報告中指出,2019 年全球晶圓廠設(shè)備支出總額可能達到 557.8 億美元,相較 2018 年減少 7.8%。這樣的數(shù)字較 2018 年 9 月時提出的675億美元,成長表現(xiàn)已經(jīng)從之前 14%下調(diào)到當前 9%。其中,在存儲器產(chǎn)業(yè)的部分,制造商的資本支出預(yù)計將下降 19%,而不是原本預(yù)計的成長 3%。而在 DRAM 產(chǎn)業(yè)方面,估計 2019 年將下降 23%,NAND Flash 的部分則是下滑 13%。

此外,針對半導(dǎo)體大國韓國,2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出,預(yù)計將達到 120.87 億美元,較 2018 年下降 34.7%,這將有可能引發(fā)整體產(chǎn)業(yè)的衰退潮。至于,在中國半導(dǎo)體方面,2018年資本支出雖然成長 84.3%,但預(yù)計 2019 年將下降 2%,金額將達到 119.57 億美元。

另外,預(yù)計中國臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出將達114.38 億美元,較 2018 年成長 24.2%,這方面歸功于臺積電在 7 納米以下新的先進制程投資所造成結(jié)果。至于美國存儲器大廠美光,則將成長 28%,金額達到 105 億美元。

而 SEMI 表示,為了因應(yīng) 2019 年面臨的半導(dǎo)體景氣逆風(fēng),韓國三星電子可能會減少對平澤的 P1 廠和 P2 廠設(shè)施,以及華城的 S3 廠的相關(guān)資本投資。至于,一心想擴展 DRAM 產(chǎn)業(yè)的韓國另一家半導(dǎo)體大廠 SK 海力士,預(yù)計將放慢DRAM 技術(shù)發(fā)展的速度。而除了韓國半導(dǎo)體公司之外,SEMI 還表示,格芯也正在重新考慮其在成都新建廠的計劃。還有中芯國際以及聯(lián)華電子目前也正在進行相關(guān)資本支出延遲的規(guī)劃。

協(xié)鑫集成:關(guān)于投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金暨關(guān)聯(lián)交易的進展公告

協(xié)鑫集成:關(guān)于投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金暨關(guān)聯(lián)交易的進展公告

近日,協(xié)鑫集成科技股份有限公司(以下簡稱“協(xié)鑫集成”)公布了關(guān)于投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金暨關(guān)聯(lián)交易的進展公告。

今年7月9日,協(xié)鑫集成審議通過了《關(guān)于投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金暨關(guān)聯(lián)交易的議案》,該事項已經(jīng)公司2018年第三次臨時股東大會審議通過。為構(gòu)建產(chǎn)業(yè)投資整合平臺,推動公司的戰(zhàn)略發(fā)展布局,協(xié)鑫集成擬作為有限合伙人以自有資金人民幣5.61億元投資徐州睿芯電子產(chǎn)業(yè)基金(有限合伙)(以下簡稱“睿芯基金”)。

12月21日,協(xié)鑫集成通過全資子公司協(xié)鑫集成科技(蘇州)有限公司與南京鑫能、徐州引導(dǎo)基金等相關(guān)方簽署了《徐州睿芯電子產(chǎn)業(yè)基金(有限合伙)之有限合伙協(xié)議》。

根據(jù)上述協(xié)議,蘇州協(xié)鑫集成受讓南京鑫能全部出資份額中所對應(yīng)的睿芯基金 5億元認繳份額(實繳出資0元),受讓徐州引導(dǎo)基金全部出資份額中所對應(yīng)的睿芯基金5,100萬元認繳份額(實繳出資0元),同時出資1,000萬元對睿芯基金進行增資。本次交易完成后,協(xié)鑫集成將間接持有睿芯基金 25.38%份額。

資料顯示,協(xié)鑫集成是國內(nèi)新能源企業(yè)協(xié)鑫集團旗下的光伏公司,主營光伏組件和系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。在2018年,該公司頻繁布局半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

今年4月,協(xié)興集成開始接觸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),對外宣布擬收購一家半導(dǎo)體材料制造企業(yè)。

7月,協(xié)鑫集成發(fā)布公告稱,擬以自有資金5.61億元投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金徐州睿芯電子產(chǎn)業(yè)基金。

8月,協(xié)鑫集成通過了《關(guān)于調(diào)整第二主業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃的議案》,決定把握半導(dǎo)體行業(yè)的歷史性機遇,探索半導(dǎo)體項目的可行性,進入夯實光伏產(chǎn)業(yè)、發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型階段。

12月7日,協(xié)鑫集成又對外宣布,擬非公開發(fā)行股票募集資金總額不超過500,000.00萬元??鄢l(fā)行費用后的募集資金凈額將全部用于大尺寸再生晶圓半導(dǎo)體項目,C-Si材料深加工項目,半導(dǎo)體晶圓單晶爐及相關(guān)裝備項目,以及補充流動資金的使用。

“芯動力”人才計劃第三屆集成電路產(chǎn)業(yè)緊缺人才創(chuàng)新發(fā)展高級研修班暨產(chǎn)業(yè)促進交流會成功舉辦

“芯動力”人才計劃第三屆集成電路產(chǎn)業(yè)緊缺人才創(chuàng)新發(fā)展高級研修班暨產(chǎn)業(yè)促進交流會成功舉辦

2018年12月18日~19日,由工業(yè)和信息化部人才交流中心、南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管理委員會主辦的“芯動力”人才計劃第三屆集成電路產(chǎn)業(yè)緊缺人才創(chuàng)新發(fā)展高級研修班暨產(chǎn)業(yè)促進交流會在南京成功舉辦。此次研修班以“芯人才、芯產(chǎn)業(yè)、芯交流”為主題,主會場與兩場技術(shù)研討會、三場交流會同時進行,深入探討高質(zhì)量產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng),并搭建技術(shù)、應(yīng)用、投資交流平臺推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)融入全球生態(tài)體系。本次會議吸引了來自集成電路及相關(guān)領(lǐng)域的企業(yè)、研究院所、高校、政府園區(qū)、投融資機構(gòu)的代表400余人前來參加。

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工業(yè)和信息化部人才交流中心“芯動力”人才計劃負責(zé)人、IC智慧谷項目辦公室主任王喆主持會議并對各位嘉賓的到來表示歡迎。王喆介紹,2018年,芯動力人才計劃在全國各地,乃至海外共舉辦了各種類型的活動100余場,希望通過這樣的形式,為行業(yè)和地區(qū)注入創(chuàng)新發(fā)展的人才動力、資源動力,打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人文生態(tài)環(huán)境。

IC智慧谷項目辦公室主任王喆

芯人才

工業(yè)和信息化部人才交流中心副主任李寧在致辭中表示,中心是工信部負責(zé)重點領(lǐng)域人才培養(yǎng)、國際交流、智力引進的單位。近年來,中心圍繞貫徹落實“中國制造2025”,在重點領(lǐng)域開展人才工作,特別是在集成電路領(lǐng)域,中心實施了芯動力人才計劃。目前,已打造專家智庫平臺、培訓(xùn)管理平臺、行業(yè)交流平臺、賽事運營平臺、項目孵化平臺、科技成果轉(zhuǎn)化等平臺,希望通過與地方合作,打造區(qū)域的行業(yè)人才高地,用人才聚集帶動產(chǎn)業(yè)聚集。

工業(yè)和信息化部人才交流中心副主任李寧

南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管委會主任曹衛(wèi)華在致辭中表示,人才的短缺已成為制約我國集成電路產(chǎn)業(yè)騰飛的一大瓶頸,且中國IC面對的人才問題日益嚴峻。近年來,浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,引進了一批國內(nèi)外知名企業(yè),落戶項目呈現(xiàn)出科技含量高、投資強度大、輻射帶動強等特點,已引進臺積電、紫光、華天科技等企業(yè),總投資超百億元,企業(yè)全部達產(chǎn)后總產(chǎn)值將超過千億元。因此,浦口區(qū)對集成電路相關(guān)人才有極大的需求。此次以“以人為本,芯動未來”為主題的研修班攜手頂級行業(yè)專家,共同探討人才培養(yǎng)之道。

南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管委會主任曹衛(wèi)華

隨著新興產(chǎn)業(yè)的崛起及產(chǎn)業(yè)變遷,人才的需求也在發(fā)生變化。芯恩(青島)集成電路資深研發(fā)副總季明華博士指出,AI/IoT助力人才快速增長。通過大數(shù)據(jù)、云計算等先進平臺可實現(xiàn)資源共享等,幫助高科技人才迅速成長,能增長人才的能力;借助機器人的幫助,工程師可進一步提升工作效率,AI/IoT 可精減人才的需求,也為人才投入新領(lǐng)域的開發(fā)提供了條件。對于新興產(chǎn)業(yè)而言,人才是緊缺的,因此自動化、智能化技術(shù)的導(dǎo)入尤為重要?!?/p>

芯恩(青島)集成電路資深研發(fā)副總季明華

AI在滲透到各行各業(yè)的同時,也引發(fā)了人們的失業(yè)焦慮。但在產(chǎn)業(yè)看來,AI帶來的產(chǎn)業(yè)與人才機遇將大于科技失業(yè)威脅。因為科技更新將帶來科技失業(yè)與新的就業(yè)機會是永恒不變的定律。

新思科技人工智能實驗室主任廖仁億介紹到,人工智能領(lǐng)域人才分布極不平衡,全球AI領(lǐng)域人才約30萬,而市場需求在百萬量級。隨著供應(yīng)飆升,缺人現(xiàn)象卻更加嚴重,而AI時代真正需要的是跨學(xué)科人才 。面對如此嚴峻的人才缺口,新思科技將新的方法學(xué)運用于AI芯片的開發(fā),結(jié)合20多年累積IC人才的培養(yǎng)經(jīng)驗,與合作伙伴共建面向AI的新IC人才培養(yǎng)生態(tài)體系。

新思科技人工智能實驗室主任廖仁億

對于“跨界”這個概念,中國國際人才交流基金會副主任鄭杰從產(chǎn)業(yè)層面表達了自己的觀點。他認為,IC行業(yè)亟需“跨界”合作,如今IC芯片的快速發(fā)展得益于廠商之間的協(xié)同。

鄭杰指出,我國IC產(chǎn)業(yè)的特點是弱與散。IC產(chǎn)業(yè)是一個為英雄準備的產(chǎn)業(yè),需要創(chuàng)新力與耐力。以華為為例,2012年華為推出第一款芯片,當時遭到行業(yè)界的一片嘲笑,但是華為通過超越摩爾定律速度地不斷迭代,取得了舉世矚目的成績。

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中國國際人才交流基金會副主任鄭杰

在CPU驅(qū)動下,技術(shù)沿著摩爾定律方向發(fā)展,而在感知時代,超越摩爾技術(shù)越發(fā)奏效。上海微技術(shù)工研院CEO丁輝文指出,超越摩爾領(lǐng)域也很先進。傳感器是超越摩爾很好的應(yīng)用案例,傳感器廣闊的市場空間折射了超越摩爾領(lǐng)域的無窮潛力。超越摩爾領(lǐng)域也需要創(chuàng)新,而載體、人才、資本是創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的關(guān)鍵要素。

上海微技術(shù)工研院CEO丁輝文

對于一個企業(yè)而言,創(chuàng)新可能帶來產(chǎn)品架構(gòu)的變遷。賽靈思教育與創(chuàng)新生態(tài)總監(jiān)陸佳華介紹了賽靈思產(chǎn)品由FPGA逐漸演變?yōu)镾oC、MPSoC、RFSoC、ACAP的過程。芯片架構(gòu)變遷也帶來人才需求的變化。

賽靈思教育與創(chuàng)新生態(tài)總監(jiān)陸佳華

新的人才需求,往往帶來人才培養(yǎng)的問題?!案叨巳瞬排囵B(yǎng)需要經(jīng)驗、耗時、耗錢、耗力,但是人才產(chǎn)生的價值卻是可觀的,這與IC產(chǎn)業(yè)投入產(chǎn)出規(guī)律是一樣的。”深圳能芯半導(dǎo)體有限公司董事長黃勍隆如是說。

深圳能芯半導(dǎo)體有限公司董事長黃勍隆

在黃勍隆看來,留住人才與培養(yǎng)人才對于集成電路產(chǎn)業(yè)而言同樣重要。對于人才的流失,敵人不是同行,而是金融、房地產(chǎn)等其他產(chǎn)業(yè)。如果留不住人才不是企業(yè)的失敗而是產(chǎn)業(yè)的失敗。

清華大學(xué)教授、IEEE Fellow王志華強調(diào),集成電路與人才需求無處不在。

清華大學(xué)教授、IEEE Fellow王志華

數(shù)據(jù)顯示,2017年我國高校畢業(yè)生人數(shù)為795萬人,教授集成電路相關(guān)知識的學(xué)科專業(yè)有電子科學(xué)與工程、微電子與固體電子學(xué)、集成電路設(shè)計與系統(tǒng)、集成電路工程等,畢業(yè)生在2萬左右,對于人才缺口而言顯得“微不足道”。

中國科學(xué)院微電子研究所副所長周玉梅從人才培養(yǎng)角度指出,我國集成電路人才培養(yǎng)存在在讀學(xué)生培養(yǎng)缺乏實訓(xùn)機會和工程化能力、學(xué)科交叉及綜合型人才供給不足、高校人才培養(yǎng)的知識結(jié)構(gòu)與企業(yè)需求有一定的脫節(jié)的問題。

中國科學(xué)院微電子研究所副所長周玉梅

面對產(chǎn)業(yè)每年20%的人才需求增長以及人才質(zhì)量不高的問題,周玉梅建議可從五方面解決該問題,即吸引大類人才,進入集成電路領(lǐng)域;加大高等教育人才培養(yǎng)體量,完善人才培養(yǎng)的體系;發(fā)展集成電路人才培訓(xùn)產(chǎn)業(yè),加大繼續(xù)教育的力度;提升人才培養(yǎng)質(zhì)量,加大實踐能力和創(chuàng)新能力的培養(yǎng);完善培養(yǎng)體系,設(shè)立一級學(xué)科。

從產(chǎn)業(yè)角度,艾新教育學(xué)院院長謝志峰認為,中國缺乏行業(yè)領(lǐng)軍人物。最近取得的重大突破,很多都是海歸創(chuàng)造的。我們需要制定長期本土人才培養(yǎng)戰(zhàn)略。

艾新教育學(xué)院院長謝志峰

加強對本土人才培養(yǎng)已不僅僅是政府、高校、本土企業(yè)的共識,國際芯片企業(yè)也在此方面做出針對性的工作。Arm中國教育生態(tài)部總監(jiān)陳煒表示,“我們的愿景是共同建設(shè)開放式創(chuàng)新與成長的生態(tài)系統(tǒng),這需要大量的全球及本地人才?!?/p>

Arm中國教育生態(tài)部總監(jiān)陳煒

人才需求的飆升、人才流失、人才缺口、人才質(zhì)量不高是我國集成電路產(chǎn)業(yè)必須應(yīng)對以及解決的問題。

針對人才培養(yǎng)和政府該如何在這方面助力產(chǎn)業(yè),各位專家分別從產(chǎn)業(yè)和學(xué)術(shù)視角進行了深入的圓桌論壇交流。各位嘉賓就“什么樣的’芯人才‘最緊缺?”、“該如何實現(xiàn)突破?”、“政府如何幫忙引導(dǎo)?“、“產(chǎn)學(xué)研如何幫忙推動?”四個問題進行了談?wù)摗?/p>

嘉賓認為:當前產(chǎn)業(yè)最需要融合性的新人才,現(xiàn)在是智能化時代,考量的是人工智能,智能化時代軟硬件都需要有所突破,集成電路需要融合性的人才。智能傳感器知道怎么做,但是大部分只是做了加工的層面,從材料和芯片做起來的很少,物聯(lián)網(wǎng)需要大量的傳感器,終端設(shè)備增長了三倍以上,各種物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備需要大量智能傳感,還需要結(jié)合通訊和邊緣計算,所以芯片既有模擬還有數(shù)字還有融合,需要從應(yīng)用層面出發(fā)培養(yǎng)人才。

同時,嘉賓也表示:短期內(nèi),國內(nèi)集成電路好的項目還需要保持,但更需要抓取前沿的,不能在摩爾定律上追趕,需要在后摩爾時代實現(xiàn)創(chuàng)新。盡早布局前沿科技是關(guān)鍵所在。政府方面,只需要長期耐心堅持去投資,產(chǎn)業(yè)是一定能做好的,但需要專注和耐心。

對于高校人才培養(yǎng)與企業(yè)人才需求間的鴻溝,嘉賓們指出:企業(yè)在人才培養(yǎng)上也有一定的社會責(zé)任,在高校人才培養(yǎng)和企業(yè)用人需求之間應(yīng)該發(fā)揮作用,應(yīng)在高校畢業(yè)生進入社會前的實習(xí)階段加大投入,給實習(xí)生同等待遇,避免高校和企業(yè)人才輸送斷層。

上午圓桌論壇嘉賓:芯恩(青島)集成電路資深研發(fā)副總季明華,深圳能芯半導(dǎo)體有限公司董事長黃勍隆,中國傳感器與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟常務(wù)副秘書長倪小龍,東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院、微電子學(xué)院院長孫立濤,新思科技人工智能實驗室主任廖仁億

下午圓桌論壇嘉賓:艾新教育學(xué)院院長謝志峰、中國國際人才交流基金會副主任鄭杰、清華大學(xué)教授王志華、中國科學(xué)院微電子研究所副所長周玉梅、Arm中國教育生態(tài)部總監(jiān)陳煒

芯產(chǎn)業(yè)

此次研修班舉辦了IC設(shè)計與制造技術(shù)研討會和傳感器技術(shù)在新興領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展研討會,會上專家學(xué)者對產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及趨勢進行了深入解讀。

在IC設(shè)計與制造技術(shù)研討會上,芯恩(青島)集成電路資深研發(fā)副總季明華博士表示,“未來IC產(chǎn)業(yè)的驅(qū)動力,在于人工智能與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。AI/IoT的IC需要快速開發(fā)和制造,周期短而頻繁更新。IC產(chǎn)業(yè)必須通過技術(shù)創(chuàng)新才可應(yīng)對挑戰(zhàn)。高度模塊化的集成方案是一大趨勢,該方案容易并行設(shè)計,可共享 EDA/TCAD/PDK/IP,執(zhí)行多層次協(xié)同優(yōu)化,且可以使產(chǎn)品實現(xiàn)高性能、好良率、高可靠性、低成本、快速上市等。

芯恩(青島)集成電路資深研發(fā)副總季明華

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司技術(shù)研發(fā)部副部長李冰寒介紹了嵌入式閃存平臺,指出華虹eNVM技術(shù)極具競爭力,包括涵蓋0.18μm – 90nm技術(shù)節(jié)點,并與RF, BCD集成,用最少光刻層數(shù)占用最小的IP面積;擁有包括智能卡安全芯片、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用低功耗微控制器等全方位應(yīng)用解決方案。

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司技術(shù)研發(fā)部副部長李冰寒

中國電子科技集團公司首席科學(xué)家朱健介紹了后摩爾時代的微納三維集成技術(shù)。

中國電子科技集團公司首席科學(xué)家朱健

江蘇省半導(dǎo)體封裝技術(shù)研究所所長、華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)總經(jīng)理曹立強指出,近幾年中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了高速發(fā)展,有了長足的進步,然而國內(nèi)集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈整體技術(shù)水平不高也是不爭的事實。建立一個“立足應(yīng)用、重在轉(zhuǎn)化、多功能、高起點”的虛擬IDM產(chǎn)業(yè)鏈來整合國內(nèi)優(yōu)勢資源,聯(lián)合攻關(guān)集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),是追求自主創(chuàng)新,突破技術(shù)瓶頸的有益嘗試。華進半導(dǎo)體作為Virtual IDM產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新的平臺,將建設(shè)完善的晶圓級封裝、后道組裝、失效分析可靠性服務(wù)平臺,服務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴,提升行業(yè)技術(shù)實力。

江蘇省半導(dǎo)體封裝技術(shù)研究所所長、華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)總經(jīng)理曹立強

Silterra高級市場總監(jiān)、原臺積電市場經(jīng)理盧平強分享了半導(dǎo)體主流工藝制程技術(shù)的挑戰(zhàn)和機會,表示半導(dǎo)體科技日新月異、一日千里,工程師和從業(yè)人員需要快速累積不同專業(yè)知識,要有求新求快求變的精神,樂于接受挑戰(zhàn)并迎接下一個產(chǎn)業(yè)的高峰。

Silterra高級市場總監(jiān)、原臺積電市場經(jīng)理盧平強

Global Foundry – Avera Semi 大中華區(qū)高級架構(gòu)師戴紅衛(wèi)在《什么是靠譜的ASIC設(shè)計?》的分享中,給出了針對人工智能和機器學(xué)習(xí)的ASIC方案。

Global Foundry – Avera Semi 大中華區(qū)高級架構(gòu)師戴紅衛(wèi)

在物聯(lián)網(wǎng)時代,傳感器作為最重要的要素之一,擁有廣闊的市場空間。根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),2017年物聯(lián)網(wǎng)傳感器市場總額大約為80.1億美元,預(yù)計在2018-2023年,物聯(lián)網(wǎng)傳感器市場年平均增長率為23.9%,到2023年將達到277億美元的市場規(guī)模。

傳感器技術(shù)在新興領(lǐng)域的應(yīng)用與發(fā)展研討會上,中國電子科學(xué)研究院、中國電科發(fā)展戰(zhàn)略研究中心高級工程師楊巍認為智能傳感器構(gòu)筑新興領(lǐng)域發(fā)展基石。他介紹到,傳感器在2000年后進入到智能型階段,即傳感器原理多樣化,工作方式智能化,具備感知、處理、分析能力,代表性產(chǎn)品如光纖傳感器、MEMS傳感器等。

中國電子科學(xué)研究院、中國電科發(fā)展戰(zhàn)略研究中心高級工程師楊巍

中芯芯片科技(南京)股份有限公司應(yīng)用工程/MCU副總經(jīng)理陳智維分享了傳感器新應(yīng)用的開發(fā)與挑戰(zhàn)。

中芯芯片科技(南京)股份有限公司應(yīng)用工程/MCU副總經(jīng)理陳智維

Mentor, A Siemens Business IC設(shè)計方案事業(yè)部全球晶圓廠負責(zé)人陳昇祐介紹到,物聯(lián)網(wǎng)智能器件的架構(gòu)主要有共通架構(gòu)與異質(zhì)整合兩大類。共通架構(gòu)有Multiple sensors、Associated circuits、Wireless communication、Power sources、Security幾類;異質(zhì)整合包括“MEMS + IC”多重芯片融合,MEMS/IC integration單芯片融合等方式。

Mentor,A Siemens Business IC設(shè)計方案事業(yè)部全球晶圓廠負責(zé)人陳昇祐

新加坡南洋理工大學(xué)MEMS中心創(chuàng)始人、華景傳感創(chuàng)始人繆建民分享了MEMS傳感器芯片產(chǎn)業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)。他指出,MEMS傳感器是智能語音、手機、車聯(lián)網(wǎng)、電動車、智能家電等重要的元器件。物聯(lián)網(wǎng)和人工智能時代,MEMS傳感器將成為最具前景的產(chǎn)業(yè)之一,能夠大批量生產(chǎn)性能完全一致的產(chǎn)品,具有性價比高、體積小、重量輕、功耗低、耐用性好和性能穩(wěn)定等優(yōu)點。?

新加坡南洋理工大學(xué)MEMS中心創(chuàng)始人、華景傳感創(chuàng)始人繆建民

清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授劉澤文分享了傳感器產(chǎn)業(yè)機遇與創(chuàng)新。他表示,傳感器在消費類、汽車電子、醫(yī)療等領(lǐng)域占據(jù)最大份額,傳感器的應(yīng)用需要時日,而5G是傳感器的最大機遇。中國MEMS傳感器技術(shù)的發(fā)展面臨性能,制造環(huán)境,基礎(chǔ)設(shè)備、材料、器件的聯(lián)合,傳感器集成和智能傳感器,新型傳感器等眾多挑戰(zhàn)。MEMS和傳感器發(fā)展離不開創(chuàng)新發(fā)展、戰(zhàn)略投入和長期堅持。

清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授劉澤文

國家智能傳感器創(chuàng)新中心副總裁朱佳騏發(fā)起圓桌論壇,各位嘉賓圍繞萬億顆傳感器的市場爆發(fā)點、加速傳感器應(yīng)用的開發(fā)、傳感器軟硬件融合等話題展開激烈的討論。

圓桌論壇

芯交流
本次研修班除了討論國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)迫切需要的人才問題,還致力于增強產(chǎn)業(yè)內(nèi)和跨產(chǎn)業(yè)合作,組織開展了集成電路從業(yè)機構(gòu)交流會、集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)研討會暨投融資合作專場交流會及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游對接會。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游對接會上,設(shè)計、制造、封裝、存儲等產(chǎn)業(yè)鏈不同領(lǐng)域的12家企業(yè),從自身優(yōu)勢產(chǎn)品、技術(shù)的相關(guān)推介,市場定位、應(yīng)用的深度剖析等不同視角,對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀進行分析,共同探討本土IC未來發(fā)展之道。多家企業(yè)在分享的過程中,現(xiàn)場播報合作需求,為找尋共享經(jīng)濟商機提供了面對面的機會和持續(xù)對話的可能。臨近結(jié)束,江蘇華存李庭育總對集成電路業(yè)界“一代拳王”的定義給出了讀到的見解,企業(yè)加強技術(shù)、人才管理,克服工藝短板,從應(yīng)用出發(fā)進行創(chuàng)新,持續(xù)提升自身核心競爭,才是企業(yè)長足發(fā)展的源動力。艾科瑞思王敕總也分享了公司在封測設(shè)備領(lǐng)域的最新進展和優(yōu)勢,以及獲得包括日本SBI集團多家頂級風(fēng)投的經(jīng)驗,與大家共勉。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游對接會

在集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)研討會暨投融資合作專場交流會上,南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、上海臨芯投資管理有限公司、廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、第一創(chuàng)客、中科光芯等機構(gòu)、企業(yè)對國內(nèi)IC投資環(huán)境、未來投資需求等進行深度解讀。

南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)管委會主任曹衛(wèi)華

在集成電路從業(yè)機構(gòu)交流會上,集成電路相關(guān)領(lǐng)域的協(xié)會、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、企業(yè)、媒體、高校等機構(gòu)介紹各自業(yè)務(wù)范圍,圍繞培養(yǎng)、吸引人才,加強機構(gòu)間的合作,共同助力行業(yè)發(fā)展等積極建言獻策。交流會上還舉行了“芯動力”人才計劃——芯動聯(lián)盟授牌儀式,20家機構(gòu)成為了“芯動聯(lián)盟”首批成員單位。芯動聯(lián)盟將努力把這次怦然“芯”動的相遇,逐步發(fā)展為“芯”“芯”相印的緊密合作,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“芯”“芯”向榮再添一股“芯”動力。

芯動聯(lián)盟首批成員單位代表合影

本次會議有高屋建瓴的人才思考,也有引領(lǐng)前沿的技術(shù)干貨,有業(yè)務(wù)對接的交流合作,也有產(chǎn)品技術(shù)的展示平臺和親身體驗的參觀考察。會議現(xiàn)場20余家企業(yè)參展,集成電路相關(guān)領(lǐng)域的前沿科技、最新產(chǎn)品、應(yīng)用方案得到了充分的展示。

活動最后,100余人赴南京浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)展廳中心、博郡新能源汽車、欣銓科技、臺積電參觀考察。

參展企業(yè)

本次研修班是工業(yè)和信息化部人才交流中心“芯動力”人才計劃年度大會。圍繞集成電路主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,截至2018年底,“芯動力”人才計劃已舉辦5期國際人才與產(chǎn)業(yè)合作交流會,包括中荷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)促進發(fā)展峰會和ITF中國之夜系列活動等,以及80余期國際名家講堂,26次“名家芯思維”研討會,74期IC家園線上活動,16次IC家園線下沙龍,3期知識更新工程-高級研修班,6次芯動力懇談會,2期名家校企行。百余位集成電路產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)外專家與全國各地高端人才、集成電路從業(yè)人員匯聚一堂,圍繞芯片設(shè)計、晶圓制造、芯片測試等不同主題,共同研討集成電路最新技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用,助推集成電路產(chǎn)業(yè)人才供給側(cè)改革,著力培育“芯”人才和“芯”動能。

為人才發(fā)展營造良好的生態(tài)環(huán)境,是做好人才工作的治本之策?!靶緞恿Α比瞬庞媱潽q如一棵大樹,國內(nèi)乃至國際集成電路的專家、院校及投融資機構(gòu)等資源附著在其繁茂的枝干上,構(gòu)建出充滿活力和富含價值的集成電路產(chǎn)業(yè)人文生態(tài)環(huán)境。未來,“芯動力”人才計劃將增加項目類別和活動數(shù)量,通過線上線下結(jié)合的形式開展集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)活動,通過招才引智,知識更新,人員間、項目間、國內(nèi)外交流互動等系列手段,進一步推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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杭州IC產(chǎn)業(yè)再迎利好 杭州“芯火”創(chuàng)新基地正式啟動

杭州IC產(chǎn)業(yè)再迎利好 杭州“芯火”創(chuàng)新基地正式啟動

集成電路產(chǎn)業(yè)具有戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性,被譽為電子信息產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠、現(xiàn)代信息社會的基石。
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杭州作為較早發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的城市之一,集中了浙江省85%以上的設(shè)計企業(yè)和95%以上的設(shè)計業(yè)務(wù),具有強大的潛力。
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扎根于杭州高新區(qū),杭州國家“芯火”創(chuàng)新基地旨在集聚公共服務(wù)機構(gòu)、優(yōu)勢骨干企業(yè)、社會力量等資源,以集成電路技術(shù)和產(chǎn)品為著力點,為微小企業(yè)、初創(chuàng)企業(yè)和創(chuàng)業(yè)團隊建立完善的政策、制度環(huán)境和服務(wù)體系,推動形成“芯片-軟件-整機-系統(tǒng)-信息服務(wù)”的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。
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基地于2018年3月由國家工信部批復(fù)成立,成為全國第五家國家“芯火”創(chuàng)新基地。在國家工信部、浙江省經(jīng)信廳、浙江省科技廳、杭州市經(jīng)信委、杭州市科委以及杭州市濱江區(qū)政府的大力關(guān)心支持下,經(jīng)過前期的工作籌備,于2018年12月21日正式開始運營。

高新區(qū)(濱江)集成電路產(chǎn)業(yè)起步較早,是國家最早批準的7個國家集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地之一。經(jīng)過多年的發(fā)展和積累,高新區(qū)集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力不斷提升,現(xiàn)有八十余家芯片設(shè)計企業(yè),在2017年有7項課題入圍國家核高基重大科技專項(01專項),課題涉及若干領(lǐng)域,已形成了整機與芯片互動的良性產(chǎn)業(yè)生態(tài)。在這樣的沃土上,杭州國家“芯火”創(chuàng)新基地已成為高新區(qū)打造全國數(shù)字經(jīng)濟最強區(qū)的主要創(chuàng)新平臺。

半年多以來,為籌備芯火基地建設(shè),杭州國家集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)化基地有限公司,先后走訪調(diào)研多家集成電路設(shè)計企業(yè),梳理企業(yè)對產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境和芯火公共服務(wù)平臺的建設(shè)需求。

杭州“芯火”將在原有浙江省集成電路設(shè)計公共技術(shù)平臺的基礎(chǔ)上,進一步提升技術(shù)服務(wù)和產(chǎn)業(yè)孵化能力,建成立足杭州、覆蓋浙江、輻射周邊的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)服務(wù)平臺。

據(jù)了解,杭州“芯火”創(chuàng)新基地在前期試運營中吸引了不少優(yōu)秀集成電路企業(yè)咨詢?nèi)腭v,目前已正式引入杭州宇稱電子技術(shù)有限公司、杭州蜜蜂計算科技有限公司、派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司、杭州行芯科技有限公司、愛普存儲技術(shù)(杭州)有限公司等多家集成電路設(shè)計企業(yè)。

另外,為做大做強杭州芯火創(chuàng)新基地,在前期籌建工作中,圍繞芯片代工、設(shè)計服務(wù)、封裝測試、人才培訓(xùn)等領(lǐng)域,基地與浙江大學(xué)微電子學(xué)院、杭州電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)工程師學(xué)院、臺積電制造聯(lián)盟、華大九天、Synopsys、Cadence、Mentor及脈圖等眾多機構(gòu)達成合作伙伴關(guān)系。

值得一提的是,目前,杭州市已集聚了一批集成電路芯片設(shè)計企業(yè),其中包含士蘭微電子、矽力杰等上市企業(yè),以及中天微系統(tǒng)、國芯科技、華瀾微電子、中科微電子、晟元數(shù)據(jù)安全、萬高科技、鋮昌科技等一批極具創(chuàng)新能力并在細分領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位的中小集成電路設(shè)計企業(yè)。而近日開始運營的杭州國家“芯火”創(chuàng)新基地為杭州集成電路產(chǎn)業(yè)帶來又一利好。杭州國家“芯火”創(chuàng)新基地將秉承“引領(lǐng)芯發(fā)展,助力芯騰飛”的宗旨,為集成電路企業(yè)提供技術(shù)服務(wù)、人才培訓(xùn)、企業(yè)孵化等多方面的支持,助力企業(yè)、項目、資金、人才的精準對接。

屏下指紋識別是手機未來亮點 三大技術(shù)比拼高下

屏下指紋識別是手機未來亮點 三大技術(shù)比拼高下

全世界智能手機市場呈現(xiàn)飽和、換機潮時間拉長,各家手機廠商希望藉由創(chuàng)新科技帶動買氣的當下,要說 2019 年智能手機有何創(chuàng)新亮點能吸引消費者目光,屏下指紋識別絕對是重點。

期待未來市場滲透率進一步突破、有更大商機同時,目前市場屏下指紋識別應(yīng)用,可分為傳統(tǒng)屏下電容式指紋識別、屏下超聲波指紋識別、屏下光學(xué)式指紋識別等 3 種系統(tǒng)。各有什么優(yōu)缺點,未來又有什么應(yīng)用與發(fā)展趨勢,一一與您說分明。

電容式技術(shù)成熟? 價格低廉移但植技術(shù)待克服

傳統(tǒng)屏下電容式指紋識別對許多消費者都不陌生,目前除了屏下指紋識別,其他類型的商用指紋識別技術(shù),都是利用電容式指紋識別技術(shù)。就技術(shù)來說相對成熟,成本也更低,但想將電容式指紋識別轉(zhuǎn)移到屏下,的確有不小困難,尤其較弱的穿透力是其限制。

傳統(tǒng)電容式指紋識別要移轉(zhuǎn)到屏幕下,最主要的解決方案,就是藉由傳統(tǒng)硅基指紋識別傳感器換成透明的玻璃基傳感器,并直接嵌入手機 LCD 液晶面板,減少需要穿透的 LCD 液晶面板厚度,改善穿透力差的問題。這使手指接觸屏幕時,指紋識別傳感器便能感知到信號,完成指紋識別。

雖然采用傳統(tǒng)電容式屏下指紋識別,過程中屏幕不需發(fā)光。能支援 LCD 液晶屏幕,使應(yīng)用成本相對低廉,但因為智能手機屏幕都有一層觸控用面板,可能會產(chǎn)生觸控面板信號和指紋識別信號相互干擾,目前這問題也有待解決。

超聲波辨識度高? 價格高昂等商機

日前,移動處理器大廠高通(Qualcomm)在年度發(fā)表會,發(fā)表首款支持屏下超聲波指紋識別系統(tǒng)的芯片,可說是為屏下超聲波指紋識別的世紀拉開序幕。韓國三星的高端智能手機將首發(fā)這款由 GIS-KY 業(yè)成生產(chǎn),搭配高通芯片的屏下指紋識別系統(tǒng),預(yù)估其他手機品牌商也將會陸續(xù)配置到高端手機。

就目前來說,屏下超聲波指紋識別技術(shù)是最先進的技術(shù)。識別過程是在手指接觸到智能手機屏幕時,透過傳感器向手指表面發(fā)射超聲波,利用指紋表面皮膚和空氣密度的不同,構(gòu)建一個 3D 圖像。傳感器接受到超聲波回波訊息后,比對與存于手機的信息,達到識別指紋的目的。

由于屏下超聲波指紋識別的優(yōu)勢,在于有較強穿透性,且抗污能力高,即使?jié)袷种概c臟污手指使用智能手機,都能完美識別。因超聲波絕佳的穿透性,還能支持其他活體檢測。透過屏下超聲波指紋識別,能取得 3D 指紋識別圖像,安全性相較其他屏下指紋識別技術(shù)都要高。不過也因技術(shù)復(fù)雜度,成本也是屏下指紋識別解決方案中最高者。未來或許透過量產(chǎn)推廣,數(shù)量成長后能壓低成本。

光學(xué)式應(yīng)用領(lǐng)域廣泛? 卻僅能在 OLED 產(chǎn)品使用

屏下光學(xué)式指紋識別,是目前最常為大家使用的解決方案。不僅智能手機的應(yīng)用,包括大樓指紋識別系統(tǒng)、企業(yè)出勤指紋識別系統(tǒng)等,都是采用光學(xué)式指紋識別。主要原理依靠傳感器投射出光線,之后獲取光線反射繪制指紋圖樣,與系統(tǒng)內(nèi)存指紋圖像比對,達到識別功能。

不過智能手機使用的屏幕下光學(xué)式指紋識別系統(tǒng),受限于手機體積,只能拋棄一般的光學(xué)照射系統(tǒng),藉助手機屏幕的光為光源。同時 LCD 液晶屏幕本身無法發(fā)光,因此支持屏幕下光學(xué)式指紋識別的產(chǎn)品都是采用 OLED 屏幕。OLED 屏幕的智能手機,像素間天生有一定間隔,能保證光線透過。當使用者手指接觸到屏幕時,OLED 屏幕發(fā)出光線會將手指區(qū)域照亮,反射光線再透過屏幕像素間隙,返回屏下傳感器,形成的圖像再與數(shù)據(jù)庫儲存的資料比對分析。

屏下光學(xué)式指紋識別的優(yōu)勢,在于可最大程度避免環(huán)境光的干擾,甚至在極端環(huán)境的穩(wěn)定性更好。但屏下光學(xué)式指紋識別同樣面臨干手指識別率的問題。此外,由于點亮屏幕特定區(qū)域,不可避免面會出現(xiàn)某部分屏幕易老化的問題,且屏下光學(xué)式指紋識別的功耗相對傳統(tǒng)光學(xué)式指紋要高很多,這些都有待解決。

手機應(yīng)用相繼投入? 屏下指紋識別與臉部識別將并存

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院表示,屏下指紋識別技術(shù)過往受限于良率不足,以及相關(guān)業(yè)者投入不夠,讓市場應(yīng)用始終無法提高。隨著如 vivo 等手機業(yè)者對屏下指紋識別的需求擴大,讓供應(yīng)鏈相關(guān)業(yè)者正視此技術(shù),并大量投入資源提升良率及尋求更佳的成本方案。未來有望看到各品牌不僅在自家最頂尖的旗艦機種搭載屏下指紋識別技術(shù),甚至于部分中、高端機種導(dǎo)入此技術(shù),順應(yīng)全屏幕設(shè)計的智能手機。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院還預(yù)期,隨著屏下指紋識別技術(shù)良率提升、價格逐漸親民,將成為中端以上非蘋機種的標準配備。為提供消費者更多元的選擇,預(yù)期多數(shù)品牌將同時推出具指紋識別(無論是否為屏下)、人臉識別技術(shù)(含 3D 與 2D)并存的產(chǎn)品。

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攜手高通、聯(lián)發(fā)科等廠商 阿里巴巴發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)芯片生態(tài)體系

攜手高通、聯(lián)發(fā)科等廠商 阿里巴巴發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)芯片生態(tài)體系

日前,包括高通、聯(lián)發(fā)科、瑞昱等廠商在內(nèi)的 23 家芯片、模塊廠商,共同出席了中國阿里巴巴集團物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)合作伙伴大會,并宣布與阿里巴巴達成合作,將分別推出內(nèi)嵌 AliOS Things 的芯片模塊產(chǎn)品,并將在天貓進行在線銷售。

根據(jù)國內(nèi)媒體報道,參加本次會議的芯片模塊商包括高通、聯(lián)發(fā)科、瑞昱、挪威北歐半導(dǎo)體、中移物聯(lián)、移遠通信、日海智能、高新興、廣和通、紫光展銳、上海博通、全志、樂鑫、南方硅谷等 23 家企業(yè)。

這 23 家芯片模塊商幾乎覆蓋了全球物聯(lián)網(wǎng)芯片市場的多數(shù)江山。在會上,部分與會的芯片模塊商展示了與阿里巴巴合作的產(chǎn)品,產(chǎn)品均已經(jīng)印上 Powered by AliOS Things 的字樣,內(nèi)嵌入 AliOS Things 以后,使用這些芯片模塊產(chǎn)品的終端設(shè)備將具備便捷的上云能力。

報道進一步指出,根據(jù)阿里巴巴的介紹,AliOS Things 是由阿里云 IoT 事業(yè)部所推出的國產(chǎn)物聯(lián)網(wǎng)作業(yè)系統(tǒng),屬于輕量級的物聯(lián)網(wǎng)嵌入式操作系統(tǒng)。該操作系統(tǒng)致力于搭建云端一體化 IoT 的基礎(chǔ)設(shè)備,具備極致性能,極簡開發(fā)、云端一體、完整組件、安全防護等能力。

另外,值得一提的是,阿里巴巴在近期于芯片上的動作頻頻,不僅成立了「平頭哥半導(dǎo)體公司」,同時還舉辦了首次天貓芯片節(jié),加快芯片產(chǎn)業(yè)在線銷售的型態(tài)。而對于物聯(lián)網(wǎng)芯片來說,目前的物聯(lián)網(wǎng)芯片主要用各種 RTOS 操作系統(tǒng),缺乏強有力的生態(tài)。此次,23 家芯片模塊商內(nèi)嵌中國國產(chǎn)作業(yè)系統(tǒng),或許意味著中國物聯(lián)網(wǎng)芯片將獲得市場更大的認同。

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傳富士康投資600億元珠海建晶圓廠

傳富士康投資600億元珠海建晶圓廠

由于蘋果iPhone手機面臨銷量下滑的風(fēng)險,富士康這兩年來也積極拓展新領(lǐng)域,半導(dǎo)體目前已經(jīng)是富士康投資的重點。11月底富士康宣布在南京投資20億元建設(shè)京鼎精密南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地暨半導(dǎo)體設(shè)備制造項目,這個主要是生產(chǎn)半導(dǎo)體裝備的。

除此之外,有消息稱富士康正在跟珠海市政府談判,預(yù)計投資600億元建設(shè)晶圓廠,除了給富士康集團供應(yīng)芯片之外,未來還會開放代工服務(wù),要跟臺積電等公司搶市場了。

日經(jīng)新聞日前援引消息人士的話稱,富士康正在跟珠海市政府談判投資半導(dǎo)體事宜,目前已經(jīng)進入最后階段了。根據(jù)爆料消息,富士康及子公司夏普聯(lián)合與珠海市政府成立一家合資公司,項目總投資約600億元,不過大部分投資都會來自于珠海市政府以國家高新技術(shù)的名義申請補貼及稅收減免。

富士康的晶圓廠建設(shè)也沒這么快,預(yù)計2020年開始動工,主要用于制造8K電視所需的芯片、圖像傳感器以及其他工業(yè)用的芯片,之后還會擴建12英寸晶圓廠產(chǎn)能,用于生產(chǎn)機器人、自動駕駛所用的芯片。

富士康半導(dǎo)體項目的最終目的不只是給自家企業(yè)生產(chǎn)芯片,還要開放代工服務(wù),而晶圓代工也是富士康一直以來的目標,在這個市場上臺積電是老大,一家就占據(jù)了全球代工市場60%的份額。

改革開放40年 我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力整體提升

改革開放40年 我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力整體提升

集成電路是培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、發(fā)展信息經(jīng)濟的重要支撐,在信息技術(shù)領(lǐng)域的核心地位十分突出。改革開放后,我國加快集成電路產(chǎn)業(yè)建設(shè),先后啟動908工程、909工程等重大項目,集成電路業(yè)實現(xiàn)高速發(fā)展。特別是黨的十八大以來,我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力得到快速提升。中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額從2013年的2508.5億元,增長到2017年的5411.3億元,5年間增長了一倍。2018年1—9月中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為4461.5億元,同比增長22.4%。

IC設(shè)計龍頭帶動作用日趨明顯

IC設(shè)計是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的龍頭,設(shè)計企業(yè)的發(fā)展直接影響著制造和封裝等產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多環(huán)節(jié)。近幾年來,我國IC設(shè)計業(yè)發(fā)展非常迅速。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會的數(shù)據(jù)顯示,至2018年年底,全國共有1698家設(shè)計企業(yè),比去年的1380家多了318家,數(shù)量增長了23%。這是2016年設(shè)計企業(yè)數(shù)量大增600多家后,再次出現(xiàn)企業(yè)數(shù)量大增的情況。

從統(tǒng)計數(shù)量上看,除了北京、上海、深圳等傳統(tǒng)設(shè)計企業(yè)聚集地外,無錫、成都、蘇州、合肥等城市的設(shè)計企業(yè)數(shù)量都超過100家,西安、南京、廈門等城市的設(shè)計企業(yè)數(shù)量接近100家,天津、杭州、武漢、長沙等地的設(shè)計企業(yè)數(shù)量也有較大幅度的增加。

IC設(shè)計企業(yè)數(shù)量增長的同時,規(guī)模以上企業(yè)也在增加。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會理事長魏少軍介紹,2018年預(yù)計有208家IC設(shè)計企業(yè)的銷售額超過1億元,比2017年的191家增加17家,增長8.9%。同時,這208家銷售過億元的企業(yè)銷售總和達到2057.64億元,比上年的1771.49億元增加了286.15億元,占全行業(yè)銷售總和的比例為79.85%。

銷售額是衡量一個行業(yè)發(fā)展狀況的重要指標,我國IC設(shè)計業(yè)增速近年來一直保持兩位數(shù)水平,且遠高于國際平均水平,2018年同樣保持這一態(tài)勢,銷售規(guī)模預(yù)計為2576.96億元,比2017年的1945.98億元增長32.42%,增速比上年的28.15%提高4.27個百分點。按照美元與人民幣1∶6.8的兌換率,全年銷售額達到378.96億美元,在全球集成電路設(shè)計業(yè)的占比將再次提高。

從產(chǎn)品類型上看,我國企業(yè)在通信芯片上的實力已逐步進入國際一線陣營。紫光展銳已開發(fā)出5G原型pilot-v2平臺,將在2019年推出5G芯片,實現(xiàn)5G芯片的商用。2018年從事通信芯片設(shè)計的企業(yè)從2017年的266家增加到307家,對應(yīng)的銷售總額提升了16.34%,達到1046.75億元。

此外,計算機芯片與消費類芯片也有較強增長。從事計算機芯片設(shè)計的企業(yè)數(shù)量從去年的85家增加到109家,銷售大幅提升了180.18%,達到359.41億元。消費類電子的企業(yè)數(shù)量從上年的610家增加到783家,銷售增長36.46%,達617.24億元,繼續(xù)保持了2017年的快速增長勢頭。

建立了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈

設(shè)計的發(fā)展離不開晶圓制造、封測、裝備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈支撐,以往我國晶圓制造業(yè)技術(shù)距離國際先進水平約有二代左右的差距,裝備、材料上的差距更大,但是經(jīng)過這些年的追趕,已經(jīng)有了較大幅度的提高。

目前中國集成電路已形成了適合自身的技術(shù)體系,建立了相對完整的產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)業(yè)生態(tài)和競爭力得到完善和提升,形成了長三角、珠三角、津京環(huán)渤海以及中西部地區(qū)多極發(fā)展的格局。目前,已建成12英寸生產(chǎn)線10條,并有多條12英寸生產(chǎn)線處于建設(shè)當中,其中既包括中芯國際、華虹集團、武漢新芯等本土資本為主導(dǎo)的企業(yè),也包括英特爾、三星、格芯、臺積電外資或臺資投資(獨資或參股)的企業(yè)。

在制造工藝方面,65納米、40納米、28納米工藝已經(jīng)量產(chǎn),14納米技術(shù)研發(fā)取得突破,特色工藝競爭力提高。存儲器是通用芯片之一,應(yīng)用十分廣泛。我國在3D NAND技術(shù)研發(fā)上取得重大進展和創(chuàng)新,以自主知識產(chǎn)權(quán)為基礎(chǔ)開展研發(fā),提出新架構(gòu)Xtacking。這也是中國企業(yè)首次在集成電路領(lǐng)域提出重要的新架構(gòu)和技術(shù)路徑。

封裝業(yè)一直是國內(nèi)實力較強的領(lǐng)域,近年來積極推進先進封裝的發(fā)展,從中低端進入高端領(lǐng)域,競爭力大幅提升。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會封裝分會統(tǒng)計數(shù)據(jù),2017年國內(nèi)集成電路封測業(yè)銷售收入由2016年的1523.2億元增加至1816.6億元,同比增長19.3%,國內(nèi)IC封測業(yè)規(guī)模企業(yè)為96家,從業(yè)人數(shù)達15.6萬。長電科技實現(xiàn)了高集成度和高精度SiP模組的大規(guī)模量產(chǎn),通富微電率先實現(xiàn)7nm FC產(chǎn)品量產(chǎn),華天科技開發(fā)了0.25mm超薄指紋封裝工藝,實現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4G PA的量產(chǎn)。

關(guān)鍵裝備和材料則實現(xiàn)了從無到有的轉(zhuǎn)變,整體水平達到28納米,部分產(chǎn)品進入14納米~7納米,被國內(nèi)外生產(chǎn)線采用。近日,中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機在通過臺積電驗證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。中微半導(dǎo)體打入臺積電供應(yīng)鏈,證明國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備力量正在逐漸壯大。

在此之前,臺積電7納米芯片生產(chǎn)線也用上中微的刻蝕機。目前,國內(nèi)關(guān)鍵裝備品種覆蓋率達到31.1%,先進封裝裝備品種覆蓋率80%。

在材料方面,200mm硅片產(chǎn)品品質(zhì)顯著提升,高品質(zhì)拋光片、外延片開始進入市場。300mm硅片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)取得突破,90納米~65納米產(chǎn)品通過用戶評估,開始批量銷售。測射耙材及超高純金屬材料取得整體性突破,形成相對完整的耙材產(chǎn)品體系。銅和阻擋層拋光液國內(nèi)市場占有率超過50%,并進入國際市場。NF3、WF6等氣體產(chǎn)業(yè)化技術(shù)達到世界領(lǐng)先,國內(nèi)市占率超過70%,并進入國際市場。磷烷、砷烷和安全離子源產(chǎn)品形成自主供應(yīng)能力。

積極追蹤新材料技術(shù)步伐

新材料產(chǎn)業(yè)成為未來高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的先導(dǎo)和基石,其中,寬禁帶半導(dǎo)體材料是新材料的代表之一。黨的十八大以來,我國掀起了寬禁帶功率半導(dǎo)體材料和器件的產(chǎn)業(yè)化浪潮。2016年12月,國務(wù)院成立了國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組。近年來,在國內(nèi)企業(yè)、科研院所、高等院校等共同的努力下,建成或正在建設(shè)十余條4英寸~6英寸碳化硅芯片工藝線和6英寸~8英寸硅基氮化鎵芯片工藝線,形成了技術(shù)積累,縮小了與國外先進水平的差距。

我國碳化硅外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化水平緊緊跟隨國際水平,產(chǎn)品已打入國際市場。在產(chǎn)業(yè)化方面,我國20μm及以下的碳化硅外延材料產(chǎn)品水平接近國際先進水平;在碳化硅功率器件上,我國具備了1200V~3300V SiC MOSFET、1200V~4500V SiC JFET等芯片的研發(fā)能力,最大單芯片電流容量25A。目前國內(nèi)有多家企業(yè)建成或正在建設(shè)多條碳化硅芯片工藝線,這些工藝線的投產(chǎn),將會大大提升國內(nèi)碳化硅功率器件的產(chǎn)業(yè)化水平。

硅基氮化鎵材料成本優(yōu)勢顯著,易于獲得大尺寸、導(dǎo)熱性好,而且器件制備可以有效兼容傳統(tǒng)硅集成電路CMOS工藝,是目前工業(yè)界普遍采用的技術(shù)路線。我國在平面型氮化鎵功率器件領(lǐng)域的發(fā)展緊跟國際步伐,晶圓尺寸以6英寸為主,并開發(fā)出了900V及以下電壓等級的硅基氮化鎵器件樣品。

近年來,國內(nèi)也開始了垂直氮化鎵功率器件的研發(fā),開發(fā)了最高阻斷電壓1700V的氮化鎵二極管樣品。我國氮化鎵射頻器件近年來取得迅速發(fā)展,并已形成產(chǎn)業(yè)化公司,器件性能達到國際先進水平。

三星成立傳感器業(yè)務(wù)部

三星成立傳感器業(yè)務(wù)部

前不久小米曝光了一款4800萬像素拍照的手機新品,此前爆料稱它使用的圖像傳感器就是索尼IMX586 4800萬像素,不過后者是華為Nova 4首發(fā)的,小米使用的可能是三星ISOCELL GM1傳感器,同樣是4800萬像素。

這種情況也是三星與索尼在傳感器市場上競爭的寫照,現(xiàn)在三星正式成立了傳感器事業(yè)組,主管三星LSI事業(yè)部的CIS圖像傳感器業(yè)務(wù),在這個領(lǐng)域三星是僅次于索尼的存在,但市場份額與索尼相差很大,后者幾乎一家獨大。

移動設(shè)備目前是CIS傳感器的最大市場,不過未來幾年自動駕駛汽車、安防監(jiān)控等市場對CIS圖像傳感器的需求也會繼續(xù)增長。

2017年全球CIS市場規(guī)模為116.88億美元,其中索尼以60.2億美元的營收位列第一,市場份額超過51%,三星電子以24.5億美元的營收位列第二,市場份額20.9%,由此也可以看到三星與索尼的差距,特別是索尼傳感器牢牢掌握了高端市場,不論蘋果還是華為,甚至是三星自家高端手機都在使用索尼的CIS傳感器。

三星CIS事業(yè)組的項目組長由System LSI開發(fā)室長樸庸仁擔任,他2014年加入三星LSI事業(yè)部,此前在LG、TI等公司工作過,加入三星之后主要致力于傳感器開發(fā)。

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

前不久英特爾聯(lián)合加州大學(xué)伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件,其工作電壓可以從3V降低到500mV,能耗減少10-30倍,性能提升5倍,該技術(shù)有望取代現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體工藝,成為未來計算技術(shù)的基礎(chǔ)。英特爾對這個技術(shù)很重視,在宣傳上也不遺余力,這種情況在以往可不多見,畢竟普通人對枯燥的技術(shù)是沒興趣了解的。

提到半導(dǎo)體工藝,在這個問題上英特爾被罵了很多年的“擠牙膏”,但事實上英特爾這幾年來在CPU架構(gòu)、指令集及工藝上還是有不少進展的,不過從2014年14nm節(jié)點到現(xiàn)在,英特爾在CPU處理器上確實沒有取得明顯進展,以往兩年一升級的Tick-Tock鐘擺戰(zhàn)略也完了,所以英特爾被玩家調(diào)侃擠牙膏不是沒理由的。

在上周的英特爾架構(gòu)日活動上,英特爾一反常態(tài)地公布了多項CPU架構(gòu)、半導(dǎo)體工藝、芯片封裝以及核顯、獨顯架構(gòu)上的進展。這次會議雖然規(guī)模很小,但是影響深遠,標志著英特爾在未來的芯片架構(gòu)、工藝上的重大變化。今天的超能課堂我們就來聊聊英特爾的這些變化,特別是Sunny Cove架構(gòu)及3D封裝Foreros技術(shù)。

“摩爾定律”到頭了,線寬微縮終有盡時

如果說英特爾近年來遭遇的難題以及這次轉(zhuǎn)變,繞不過的一個話題就是摩爾定律,它的提出者戈登·摩爾是英特爾創(chuàng)始人之一,當年提出摩爾定律時還沒有創(chuàng)立英特爾,1965年《電子學(xué)雜志》發(fā)表了時任仙童半導(dǎo)體工程師戈登·摩爾的一篇文章,他在文中預(yù)言半導(dǎo)體芯片上的晶體管數(shù)量會以每年翻倍的速度增長,這個就是“摩爾定律”的由來,這個定律隨后也在不斷修正,1975年摩爾將其改為每2年晶體管數(shù)量翻倍。

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

摩爾定律

摩爾定律在過去50年中成為半導(dǎo)體行業(yè)的金科玉律,指導(dǎo)著行業(yè)技術(shù)發(fā)展,英特爾也成為摩爾定律最堅定的支持者,之前的Tick-Tock戰(zhàn)略實際上就是摩爾定律的變種,2年升級一次工藝、架構(gòu),每次升級都會大幅降低晶體管成本,提升晶體管密度。

但是摩爾定律沒法一直持續(xù)下去,隨著晶體管的不斷縮小,人們開始遇到兩個問題,一個是技術(shù)上的,10nm節(jié)點及之后,CMOS工藝的柵極氧化層越來越薄,可能只有10個原子的厚度,導(dǎo)致量子效應(yīng)愈加嚴重,而光刻工藝也會越來越難,目前的預(yù)測是5nm節(jié)點實際上就是摩爾定律的終結(jié)了。

除了技術(shù)原因,經(jīng)濟效應(yīng)越來越低也是摩爾定律終結(jié)的重要原因,此前半導(dǎo)體工藝升級會帶來成本下降,但是隨著工藝微縮困難增加,半導(dǎo)體制造使用的先進材料、多重曝光以及EUV光刻機等都會大幅增加制造成本,晶體管微縮帶來的成本降低已經(jīng)被增加的成本抵消了。

對于摩爾定律,F(xiàn)inFET工藝及FD-SOI工藝的發(fā)明人、加州大學(xué)伯克利分校教授,IEEE院士、美國工程院院士、中科院外籍院士胡正明之前提到過“集成電路的發(fā)展路徑并不一定非要把線寬越做越小,現(xiàn)在存儲器已經(jīng)朝三維方向發(fā)展了。當然我們希望把它做得更小,可是我們也可以采取其他方法推進集成電路技術(shù)的發(fā)展,比如減少芯片的能耗。這個方向芯片還有1000倍的能耗可以降低。線寬的微縮總是有一個極限的,到了某種程度,就沒有經(jīng)濟效應(yīng),驅(qū)動人們把這條路徑繼續(xù)走下去。但是我們并不一定非要一條路走到黑,我們也可以轉(zhuǎn)換一個思路,同樣可能實現(xiàn)我們想要達到的目的?!?/p>

英特爾解綁芯片架構(gòu)與工藝,向3D封裝進發(fā)

盡管英特爾嘴上依然不承認摩爾定律終結(jié),但是這次的架構(gòu)日上英特爾并沒有提及10nm工藝以及未來的7nm工藝具體進展,他們重點介紹的其實不是制造工藝,而是新型封裝技術(shù)Foveros,而3D封裝也被視為后摩爾定律時代的一個方向,這也是上面胡正明教授所說的不要一條道走到黑,轉(zhuǎn)換思路的結(jié)果。

英特爾是一家IDM垂直整合型半導(dǎo)體公司,自己設(shè)計芯片架構(gòu),自己生產(chǎn)芯片,然后自己封裝芯片。就CPU業(yè)務(wù)來說,以往的時候,英特爾會針對不同的工藝開發(fā)不同的CPU架構(gòu),針對新工藝開發(fā)的架構(gòu)可以最大化利用工藝優(yōu)勢,但是缺點就是架構(gòu)與工藝捆綁起來,不夠靈活,這也是為什么英特爾10nm工藝不斷延期,英特爾不能使用14nm生產(chǎn)10nm架構(gòu),只能耗著等的原因。

現(xiàn)在英特爾學(xué)乖了,工藝跟架構(gòu)分離,萬一工藝延期了,CPU架構(gòu)也不用干等著,理論上英特爾現(xiàn)在就可以用14nm工藝生產(chǎn)原本用于10nm工藝的Ice Lake處理器了。不僅如此,英特爾現(xiàn)在還更上一層樓,帶來了全新的Foveros 3D封裝。

為了讓大家理解Foveros封裝,英特爾做了很詳細的解釋,簡單來說就是單片時代處理器內(nèi)部的CPU核心、GPU核心、IO單元、內(nèi)存控制器等子單元都是同一工藝的,但是不同的單元實際上對工藝的需求不同,CPU、GPU核心對性能要求高,上先進工藝是值得的,但是IO單元、控制器單元不需要這么先進的工藝,所以他們是可以使用不同工藝然后集成到一起的。

在Foveros之前,英特爾推出了EMIB封裝技術(shù),就是把不同的工藝的IP核心集成到一起,而Foveros封裝更進一步,不僅具備2D封裝的所有優(yōu)勢,還能大幅重構(gòu)系統(tǒng)芯片。

根據(jù)英特爾所說,該技術(shù)提供了極大的靈活性,因為設(shè)計人員可在新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊與各種存儲芯片和I/O配置。并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”,其中I/O、SRAM和電源傳輸電路可以集成在基礎(chǔ)晶片中,而高性能邏輯“芯片組合”則堆疊在頂部。

英特爾預(yù)計將從2019年下半年開始推出一系列采用Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。首款Foveros產(chǎn)品將整合高性能10nm計算堆疊“芯片組合”和低功耗22FFL基礎(chǔ)晶片。它將在小巧的產(chǎn)品形態(tài)中實現(xiàn)世界一流的性能與功耗效率。

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

AMD在Zen 2處理器上也使用了類似的封裝

在使用3D封裝提升芯片性能、集成度方面,英特爾其實不孤獨,在他們之前AMD在7nm Zen 2處理器上也使用了類似的理念,其CPU核心使用先進的7nm工藝制造,IO核心、內(nèi)存控制器等單元使用的是14nm工藝,然后將兩個子單元封裝在一起。

英特爾Core內(nèi)核路線圖:大小核時代來臨,Sunny Cove首發(fā)

在通過Foveros 3D封裝技術(shù)“解決”工藝問題之后,英特爾還需要在CPU架構(gòu)升級來提升IPC性能,因為現(xiàn)在14nm+++工藝潛力挖掘差不多了,哪怕是未來的10nm工藝量產(chǎn)了,性能恐怕也是無法大幅超越14nm工藝的,所以CPU架構(gòu)對英特爾的作用比以往更重要。

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

在架構(gòu)日上,英特爾也更新了Core內(nèi)核路線圖,實際上是分為兩個類別的,大核心是Core系列,首發(fā)的是Sunny Cove微內(nèi)核,主要聚焦在ST單核性能、全新ISA及并行性三個方面,之后是Willow Cove,改進重點是緩存、晶體管優(yōu)化、安全功能,再往后是Goden Cove內(nèi)核,重點是ST單線程、AI性能、網(wǎng)絡(luò)/5G、安全功能等。

Atom處理器的小核心路線圖升級周期比Core更長,明年首發(fā)的是Trement,重點提升ST單線程性能、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器及續(xù)航,2021年還會有Gracemont,重點提升單線程性能及頻率、矢量性能,再往后的架構(gòu)還沒確定,只是一個方向了。

英特爾不再擠牙膏,Sunny Cove遇上3D封裝

對PC玩家來說,最期待的還是Sunny Cove架構(gòu),2019年開始它會是英特爾下一代服務(wù)器及PC處理器的主力架構(gòu)。根據(jù)英特爾所說,該架構(gòu)主要改進是:

·增強的微架構(gòu),可并行執(zhí)行更多操作。

·可降低延遲的新算法。

·增加關(guān)鍵緩沖區(qū)和緩存的大小,可優(yōu)化以數(shù)據(jù)為中心的工作負載。

·針對特定用例和算法的架構(gòu)擴展。例如,提升加密性能的新指令,如矢量AES和SHA-NI,以及壓縮/解壓縮等其它關(guān)鍵用例。

Sunny Cove架構(gòu)與Skylake架構(gòu)對比

上圖就是Sunn Cove(右)與現(xiàn)有的Skylake架構(gòu)(左)的渲染流水線對比,后者是2015年發(fā)布的架構(gòu)了,第一代14nm處理器Broadwell由于進度關(guān)系沒產(chǎn)生什么影響力,而Skylake架構(gòu)一直衍生出了Kaby Lake、Coffee Lake、Wisky Lake、Cascade Lake等架構(gòu),在移動、桌面及服務(wù)器領(lǐng)域全面開花。

在如何實現(xiàn)CPU IPC性能提升的方式上,英特爾總結(jié)了三個字——更深(deeper)、更寬(wider)、更智能(smarter),全面提升從前端到執(zhí)行單元的性能、位寬。

在更深方面,Sunny Cove的L1數(shù)據(jù)緩存從32KB增加到48KB,增加了50%,L2緩存、uop緩存、二級TLB緩存都加大了。

在執(zhí)行管線上,Sunny Cove的分配單元從目前的4個增加到5個,執(zhí)行接口從8個增加到10個,L1 Store帶寬翻倍。

前面增加緩存、提升操作次數(shù)的設(shè)計還需要搭配更好的算法,所以Sunny Cove還要更加智能,提高分支預(yù)測的精度,減少延遲等等。

專業(yè)性能提升

除了前面的更寬、更深、更智能之外,Sunny Cove架構(gòu)在專業(yè)性能上也有改進,大家可能還記得最早爆料架構(gòu)日新內(nèi)容的時候就有7-Zip性能提升75%的爆料,這就是Sunny Cove架構(gòu)了加密解密指令集的緣故,其他還有AI、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)、矢量等方面的改進。

全新加密指令可以大幅提升7-Zip的性能

英特爾版的big.LITTLE大小核策略:Sunny Cove與Tremont合體

在擁有了Sunny Cove大核以及Tremont小核之后,再加上3D封裝技術(shù)Foveros,英特爾終于可以做一些不同尋常的產(chǎn)品了。在架構(gòu)日當天,英特爾就展示了一種混合X86處理器,大核是Sunny Cove,小核是Tremont,整合了22nm工藝的IO核心以,共享1.5M L2緩存,所有核心共享4MB的LLC緩存,內(nèi)存控制器是4*16位的,支持LPDDR4,整合了Gen 11核顯,有64個EU單元,Gen 11.5顯示控制器還有新的IPU,支持DP 1.4。

英特爾的這個混合X86處理器就是很早之前曝光的“Lakefield”的處理器,它將采用“Ice Lake”高性能內(nèi)核和“Tremont”低功耗內(nèi)核,它主要是給移動市場準備的,類似ARM公司的big.LITTLE大小核架構(gòu),需要高性能運算的時候使用大核心,否則使用低功耗核心以降低功耗。

在這個混合X86處理器上,占用空間小也是個優(yōu)勢,其尺寸只有12*12*1mm,相當于一個10美分硬幣大小,而且待機功耗只有2mW,低功耗+小體積的優(yōu)勢非常適合各種移動設(shè)備,有助于英特爾更好地跟ARM等移動處理器競爭,守衛(wèi)自己的領(lǐng)地。

總結(jié):英特爾靈活應(yīng)對后摩爾定律時代,再戰(zhàn)AMD 7nm

總之, 一直自詡為摩爾定律守衛(wèi)者的英特爾也不得不考慮后摩爾時代的生存問題了,架構(gòu)日上他們還是避而不談10nm工藝以及未來的7nm工藝,如果還是像過去那樣等著先進工藝量產(chǎn)才來升級CPU架構(gòu),那么在面對早早采用模塊化設(shè)計思路的AMD競爭時,英特爾只怕更無力應(yīng)對。

Foveros 3D封裝及Sunny Cove就是英特爾給出的答案,通過封裝不同工藝水平的芯片解決了工藝升級的問題,而全新設(shè)計的Sunny Cove架構(gòu)(還有Gen 11核顯這里沒重點介紹)也進一步提高了Ice Lake處理器的IPC性能。

根據(jù)英特爾的消息,2019年他們就會推出Foveros 3D封裝技術(shù)的新一代10nm+22nm工藝Sunny Cove處理器,整合Gen 11核顯,而AMD明年推出的是7nm+14nm工藝的Zen 2處理器及Navi GPU核心。雖然目前還不知道這兩家公司具體的桌面處理器規(guī)格,但是2019年有好戲看是沒跑了。