國產(chǎn)MCU技術(shù)獲突破 四維圖新首顆車規(guī)級MCU芯片量產(chǎn)

國產(chǎn)MCU技術(shù)獲突破 四維圖新首顆車規(guī)級MCU芯片量產(chǎn)

打破國外巨頭壟斷 四維圖新MCU芯片獲首批訂單

近日,國產(chǎn)車規(guī)級MCU技術(shù)取得一大突破,實現(xiàn)量產(chǎn)。

四維圖新旗下全資子公司AutoChips杰發(fā)科技對外發(fā)布消息稱,國內(nèi)首款通過AEC-Q100Grade 1, 工作溫度-40℃~125℃的車規(guī)級MCU(車身控制芯片)在客戶端量產(chǎn),并獲得首批訂單。

四維圖新首顆車規(guī)級MCU芯片實現(xiàn)量產(chǎn),意味著國內(nèi)MCU技術(shù)首次實現(xiàn)零的突破,打破國外企業(yè)的壟斷。

據(jù)了解,這款車規(guī)級MCU芯片的誕生經(jīng)歷了三年時間才完成設(shè)計、研發(fā)與測試等階段。四維圖新副總裁、AutoChips杰發(fā)科技副總經(jīng)理萬鐵軍指出,“車規(guī)級MCU芯片因研發(fā)周期長、設(shè)計門檻高、資金投入大,使得國內(nèi)廠商對車規(guī)級芯片產(chǎn)品望而卻步。”但該款MCU芯片的面世也令車規(guī)級MCU芯片市場出現(xiàn)國內(nèi)產(chǎn)品的身影。

國產(chǎn)MCU發(fā)展空間巨大

資料顯示,MCU被喻為電子產(chǎn)品的心臟,被廣泛應(yīng)用在消費和工業(yè)電子產(chǎn)品中。但事實上,MCU技術(shù)被業(yè)界人士稱為“核心之痛”,長期以來受國外巨頭壟斷。更重要的是,國內(nèi)主營MCU的上市公司數(shù)量并不多,目前包括兆易創(chuàng)新、中穎電子和東軟載波。而對于其他大型集成電路上市公司而言,如華大半導(dǎo)體、大唐微電子、同方微電子和貝嶺股份等,MCU只是作為其產(chǎn)品線分支而存在。

目前,對于國內(nèi)企業(yè)而言,占據(jù)的主流市場還停留在8位MCU,占比約50%。16/32位MCU占比分別為20%左右。國內(nèi)MCU應(yīng)用領(lǐng)域多集中在低端電子產(chǎn)品,中高端電子產(chǎn)品市場依然由國外掌控??傮w來看,國內(nèi)MCU不管是從市場份額還是技術(shù)優(yōu)勢,都落后于國外。

值得一提的是,除了電子產(chǎn)品領(lǐng)域,MCU芯片在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用也相當(dāng)廣泛,從車載信息娛樂產(chǎn)品,到雨刷、車窗、電動座椅等車身控制都需要芯片組來實現(xiàn)功能。據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計,一輛汽車中所使用的半導(dǎo)體器件數(shù)量中,MCU芯片約占30%。由此可見,MCU芯片在汽車領(lǐng)域應(yīng)用的重要性。

這一次四維圖新量產(chǎn)首顆車規(guī)級MCU芯片,雖然意味著邁出了國內(nèi)MCU芯片的第一步,但如四維圖新副總裁萬鐵軍所說,“要實現(xiàn)真正的‘中國芯’,我們還有很長的路要走?!?/p>

三星7nm EUV工藝獲IBM青睞,將代工Power處理器

三星7nm EUV工藝獲IBM青睞,將代工Power處理器

今年8月底Globalfoundries公司(簡稱GF)突然宣布停止7nm及以下工藝的研發(fā)、制造,受此影響AMD公司宣布將7nm訂單全部交給臺積電代工。GF公司停止7nm工藝代工影響的不只是AMD公司,還有一個重要客戶IBM,后者的Power 9處理器使用的也是GF的14nm工藝,因此IBM也要尋找新的代工廠了。

早前有消息稱IBM也選擇了臺積電的7nm代工Power處理器,不過IBM、三星今天聯(lián)合宣布擴大戰(zhàn)略合作關(guān)系,三星將使用7nm EUV工藝為IBM代工Power處理器。

作為OpenPower及IBM研究聯(lián)盟的一員,三星在半導(dǎo)體工藝方面跟IBM已經(jīng)合作至少15年了,三星的FinFET工藝技術(shù)也同樣受益于IBM技術(shù),今天雙方的合作還將擴展到下一個十年,IBM選擇三星代工未來的Power處理器。

根據(jù)雙方的合作信息,IBM將使用三星的7nm EUV工藝生產(chǎn)未來的Power處理器及其他HPC產(chǎn)品,該工藝今年10月份才量產(chǎn),三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程,整個制造過程更加簡單,節(jié)省了時間和金錢,又可以實現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。

不過三星與IBM的合作還缺少細節(jié),目前的Power 9使用的是14nm工藝,依然由GF代工,下一代的Power 10處理器規(guī)劃使用10nm工藝,再下一代的Power 11月才會使用7nm工藝,由于代工廠的變動,現(xiàn)在不確定IBM是跳過10nm節(jié)點直接上7nm還是會繼續(xù)使用10nm工藝。

對三星來說,由于臺積電幾乎壟斷了所有7nm工藝訂單,現(xiàn)在獲得IBM這個大客戶對他們擴展代工業(yè)務(wù)至關(guān)重要,而與IBM的合作也會成為三星7nm EUV工藝的廣告宣傳,未來可以從臺積電那里搶更多的客戶了。

SK海力士第7座半導(dǎo)體廠動工 預(yù)計2020年正式完成

SK海力士第7座半導(dǎo)體廠動工 預(yù)計2020年正式完成

隨著NAND Flash快閃存儲器及DRAM價格不斷下跌,2019年存儲器市場將迎接逆風(fēng)。而為了應(yīng)付降價導(dǎo)致的損失,包括存儲器大廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光都計劃減少資本支出。

不過,降低成本支出并不意味著他們不再建設(shè)工廠了,就在本周,SK Hynix正式開工建設(shè)第7座半導(dǎo)體工廠──M16廠,總投資不低于15萬億韓元(約133億美元)。雖然還沒確定最終生產(chǎn)NAND Flash還是DRAM,但是這座晶圓廠確定將會采用最先進的EUV光刻技術(shù)。

2018年10月份,SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建,并且在日前正式進入量產(chǎn),且該工廠是2015年SK Hynix宣布將斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。M15工廠位于韓國忠清南道的清州市,投資額高達15萬億韓元,以生產(chǎn)3D NAND Flash為主,初期以生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆疊3D NAND Flash,2019年開始,就會轉(zhuǎn)到96層堆疊的3D NAND Flash上。

至于新動工的M16廠,在本周正式舉行開工典禮之后,預(yù)計2020年正式完成,總投資額還沒確定。不過,也確定不會低于15萬億韓元。其中,基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)就要3.5萬億韓元,占地達30英畝。這座工廠最終會以生產(chǎn)DRAM還是NAND Flash為主,目前尚未確定。對此,SK Hynix表示,要看落成時的市場需求以及工廠的技術(shù)水準(zhǔn)來決定。

雖然,還不確定要生產(chǎn)什么樣的產(chǎn)品,不過有一點可以肯定,那就是M16工廠將會用上最先進的EUV光刻技術(shù)。事實上,存儲器跟邏輯芯片不同,雖然對EUV光刻技術(shù)的需求沒那么高,不過三星、SK Hynix仍會依計劃,在未來使用EUV技術(shù)生產(chǎn)存儲器。而相對于韓國兩大存儲器廠的做法,美系廠商美光對EUV使用的態(tài)度就顯得比較保守。之前曾經(jīng)宣布,在未來2代的存儲器生產(chǎn)中都將不會用到EUV光刻技術(shù)。

而除了韓國之外,SK Hynix在無錫也有生產(chǎn)DRAM的晶圓廠。無錫廠目前的一期工程產(chǎn)能在每月10萬到12萬片之間,是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期,還宣布將投資86億美元在無錫建設(shè)第2座存儲器工廠,預(yù)計完成后存儲器產(chǎn)能將達到每月20萬片。

另外,日前有韓國媒體報導(dǎo),目前韓國政府正在推動大型半導(dǎo)體制造群體,預(yù)計在10年內(nèi)投資超過120萬億韓元,并納入4家大型半導(dǎo)體工廠及50家上下游材料及設(shè)備供應(yīng)商。其中,SK Hynix就允諾,將依據(jù)計劃在韓國境內(nèi)再興建一座大型半導(dǎo)體工廠。因此,在當(dāng)前半導(dǎo)體景氣面臨逆風(fēng)的狀態(tài)下,韓系存儲器廠的擴張計劃將不會有所改變。

內(nèi)存、閃存降價太狠,美光削減12.5億美元支出以減少供應(yīng)

內(nèi)存、閃存降價太狠,美光削減12.5億美元支出以減少供應(yīng)

美光公司昨天發(fā)布了2019財年Q1季度財報,當(dāng)季營收79.1億美元,同比增長16%,毛利率達到了58%,凈利潤32.9億美元,同比增長23%。雖然整體業(yè)績還是在增長的,但是相比上個季度已經(jīng)放緩了,主要原因就是NAND閃存大幅降價,DRAM內(nèi)存芯片也由漲轉(zhuǎn)跌,影響了公司的毛利率。2019年內(nèi)存、閃存芯片的價格還會繼續(xù)降低,大趨勢不可避免,為此美光計劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量。

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計增長35%,也低于之前預(yù)計的35-40%增長率。

美光明年的資本支出大概是95億美元,削減了12.5億美元,主要減少的是汽車、智能手機以及數(shù)據(jù)中心等市場上的存儲芯片產(chǎn)能,在這些領(lǐng)域美光認(rèn)為需求量低于預(yù)期。

對于明年存儲市場的情況,普遍的預(yù)期是2019年上半年會繼續(xù)跌,花旗集團分析師Peter Lee預(yù)計明年的內(nèi)存及閃存芯片都會大降價,其中NAND價格會跌45%,DRAM價格會下跌30%,而且明年Q2季度之前是看不到價格底線的,也就是說明年的存儲芯片降價至少會持續(xù)到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也認(rèn)為智能手機市場的需求疲軟是暫時的,預(yù)計2019年下半年市場需求就會升溫。

在美光之前,三星、SK Hynix等公司也計劃削減明年的資本支出以減少NAND閃存、DRAM內(nèi)存產(chǎn)能,三星還計劃增加在晶圓代工市場上的份額以彌補存儲芯片降價導(dǎo)致的損失。

中國首臺ASML NXT2000i正式入駐SK海力士無錫工廠

中國首臺ASML NXT2000i正式入駐SK海力士無錫工廠

此前,光刻機霸主艾司摩爾(ASML)中國區(qū)總裁沈波在中國集成電路制造年會上表示,今年下半年艾司摩爾已開始出貨家族最先進的NXT2000i,很快會在中國市場上也見到。如今,該消息正式被證實。12月19日晚間,中國首臺艾司摩爾NXT2000i正式搬入SK海力士位于無錫的工廠。

此前有消息稱,艾司摩爾已經(jīng)開始出貨新品Twinscan NXT:2000i DUV(NXT:2000i雙工件臺深紫外光刻機),可用于7nm和5nm節(jié)點。

NXT2000i將是NXE3400B EUV光刻機的有效補充,畢竟臺積電/GF的第一代7nm都是基于DUV工藝。同時,NXT2000i也成為了艾司摩爾旗下套刻精度(overlay)最高的產(chǎn)品,達到了和3400B一樣的1.9nm(5nm要求至少2.4nm,7nm要求至少3.5nm)。

據(jù)了解,艾司摩爾今年的EUV光刻機產(chǎn)能將達到20臺,明后兩年將逐步提升到40臺。有消息稱,中芯國際已向艾司摩爾訂購了一臺EUV光刻機,預(yù)計明年交付,用于7nm節(jié)點。

另外值得注意的是,無錫是SK海力士在中國的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地,目前月產(chǎn)能約為14萬片/月。

此外,SK海力士還成立了SK Hynix System IC公司,開始進軍晶圓代工市場。今年7月,SK Hynix還通過SK Hynix System IC(即“SHSI”)子公司跟無錫實業(yè)發(fā)展集團達成合作協(xié)議,雙方合作成立了合資公司海辰半導(dǎo)體(無錫)有限公司。

其中,無錫實業(yè)發(fā)展集團占股49.9%,SHSI占股50.1%,雙方將在無錫建設(shè)一座200mm晶圓廠,用于生產(chǎn)傳感器、電源管理芯片等。今年11月,SK海力士再次透過子公司SHSI向無錫晶圓代工事業(yè)出資1,000萬美元,但資金用途視廠房興建計劃而定。

上海新昇大硅片通過中芯國際認(rèn)證

上海新昇大硅片通過中芯國際認(rèn)證

作為國內(nèi)首個300mm大硅片項目,上海新昇的動態(tài)一直備受業(yè)界關(guān)注,繼向上海華力微銷售正片后,日前再傳出好消息:其大硅片已通過中芯國際認(rèn)證。

上海新昇成立于2014年,由上海新陽、興森科技、張汝京博士技術(shù)團隊及新傲科技發(fā)起,項目占地150畝,總投資68億元,一期總投資22億元。目前國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金旗下上海硅產(chǎn)業(yè)投資有限公司為第一大股東(持股62.82%),上海新陽為第二大股東(持股27.56%)。

上海新昇項目于2015年7月正式動工,自2017年第二季度開始有擋片、空片、陪片等測試片的銷售,并向中芯國際、上海華力微、武漢新芯等晶圓制造企業(yè)提供正片進行認(rèn)證。2018年一季度末,上海新昇300mm硅片正片通過上海華力微的認(rèn)證并開始銷售,但在中芯國際等企業(yè)的認(rèn)證遲遲未有消息。

如今終于傳來好消息。12月20日,上海新陽在互動平臺上透露,上海新昇公司大硅片已通過中芯國際認(rèn)證。這對于上海新昇甚至整個國產(chǎn)硅片而言都是個好消息。

中芯國際是國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的晶圓代工企業(yè),通過中芯國際認(rèn)證體現(xiàn)其對上海新昇大硅片產(chǎn)品品質(zhì)的認(rèn)可,同時也意味著中芯國際將有可能向上海新昇采購大硅片,有望提升大硅片的國產(chǎn)化率。

不過,某不具名的業(yè)內(nèi)人士表示,上海新昇大硅片通過中芯國際認(rèn)證表明其產(chǎn)品良率、純度等指標(biāo)達到了要求,但中芯國際是否向其采購還需考慮各方面因素,比如產(chǎn)能是否可保證持續(xù)供應(yīng)等。據(jù)了解,上海新昇目前月產(chǎn)能10萬片,預(yù)計2020年底前將實現(xiàn)月產(chǎn)能30萬片,最終將達到100萬片的產(chǎn)能規(guī)模。

值得一提的是,上海新昇或有望登陸目前火熱籌備中的科創(chuàng)板。據(jù)上海新陽透露,上海新昇已收到《科創(chuàng)板優(yōu)質(zhì)企業(yè)信息收集表》,但此表僅為信息收集表(且是征集推薦)。此前上海市政府人員曾赴上海新昇實地調(diào)研,釋出積極信號。

目前科創(chuàng)板相關(guān)細則尚未出臺,但根據(jù)網(wǎng)傳政策方向,申報企業(yè)的市值10億元以上最低門檻,且對扣非凈利潤有所要求(1.市值10億元以上,連續(xù)兩年盈利,兩年累計扣非凈利潤5000萬元;2.市值10億元以上,連續(xù)一年盈利,一年累計扣非凈利潤1億元),而上海新昇今年上半年營業(yè)收入7825.89萬元、凈利潤1014.56萬元,實現(xiàn)扭虧為盈。

上海新昇是否會登陸科創(chuàng)板尚未可知,但其大硅片通過中芯國際認(rèn)證后,可期待接下來通過更多晶圓代工廠的認(rèn)證,并如其官網(wǎng)所言“將徹底打破我國大尺寸硅材料基本依賴進口的局面”。

英特爾放棄對外晶圓代工業(yè)務(wù),不見得有利臺積電轉(zhuǎn)單

英特爾放棄對外晶圓代工業(yè)務(wù),不見得有利臺積電轉(zhuǎn)單

日前,市場傳出為了能填補 14 納米制程的產(chǎn)能缺口,處理器龍頭英特爾(intel)在進行旗下 3 座位于包括美國俄勒岡州、愛爾蘭以及以色列的晶圓廠產(chǎn)能擴產(chǎn)之外,還將關(guān)閉對外定制化晶圓代工業(yè)務(wù)。有相關(guān)人士看好此舉,在英特爾退出晶圓代工市場的情況下,有機會對龍頭臺積電造成轉(zhuǎn)單效應(yīng)。不過,目前市場分析師表示,原本英特爾晶圓代工市占比例本來就不高,所以轉(zhuǎn)單效應(yīng)其實有限。

根據(jù)外媒的報導(dǎo),過去一段時間以來,英特爾對無晶圓廠的 IC 設(shè)計公司開放定制化的晶圓代工服務(wù)是個錯誤決定。因為這不但影響了英特爾在處理器方面的核心競爭力,還因為程序上的錯誤,導(dǎo)致近期 14 納米產(chǎn)能不足,使得個人電腦產(chǎn)業(yè)蒙受處理器缺少所帶來沖擊的結(jié)果。因此,英特爾為了填補 14 納米制程的產(chǎn)能空缺,決定關(guān)閉對外晶圓代工業(yè)務(wù),專心將珍貴的產(chǎn)能用于自身的產(chǎn)品量產(chǎn)上。

而在此計劃傳出之后,有人看好在英特爾退出晶圓代工市場之后,將有機會為臺積電帶來轉(zhuǎn)單效益。對此,市場分析師表示,全球主要 IC 設(shè)計廠商在保護自家技術(shù)的考量下,下單給英特爾代工的本來就不多。

即便英特爾退出晶圓代工市場,釋出的市占率極其有限。此外,以臺積電在全球晶圓代工市占率 55% 來看,就算拿到英特爾釋出的代工訂單,頂多額外增加 1 到 2 個百分點的市占率,貢獻度不大。

而值得注意的是,目前英特爾本來就有部分低端的芯片組是委外由臺積電來代工生產(chǎn)的。若未來英特爾不再對外承接晶圓代工訂單,在優(yōu)先填補自家工廠產(chǎn)能利用率的考量下,這些訂單有可能會回流,兩相抵銷后,將使得臺積電的受惠程度更加降低。

所以,由這些角度來觀察,英特爾放棄晶圓代工業(yè)務(wù),除了是想解決 14 納米制程產(chǎn)能不足的問題之外,也為提前為下一世代 10 納米制程進入量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。如此一來,未來英特爾在晶圓制造的部份,藉由產(chǎn)能與制成的優(yōu)化,可以完全達到配合設(shè)計端的目標(biāo)。在雙方磨合更好的情況下,制程進度有機會加快,反而將會為臺積電帶來壓力。

集邦咨詢:2018年全球服務(wù)器出貨年增5%,2019上半年出貨成長趨緩

集邦咨詢:2018年全球服務(wù)器出貨年增5%,2019上半年出貨成長趨緩

集邦咨詢:2018年全球服務(wù)器出貨年增5%,2019上半年出貨成長趨緩

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年全球服務(wù)器市場持續(xù)成長,預(yù)估全年出貨量年增約5%,達到1,242萬臺。從品牌廠出貨市占率排名來看,前三名分別為Dell EMC、HPE(含H3C)與Inspur,出貨市占率分別為16.7%、15.1%、 7.8%。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出,2018年全球服務(wù)器出貨成長動能仍主要來自于北美品牌廠的貢獻,比重超過三成。就服務(wù)器屬性來看,商務(wù)型服務(wù)器(Enterprise Server)仍占出貨大宗,而網(wǎng)絡(luò)型數(shù)據(jù)中心(Internet Data Center)的比重則成長至35%。其主要原因為數(shù)據(jù)中心需求受淡旺季影響較小,上半年北美直接代工規(guī)模年增17%,而下半年因庫存調(diào)整與資本支出放緩,需求略為趨緩,年增約12%。

從品牌端來看,2018年第一季受到淡季影響,出貨略為衰退,但第二季開始市況明顯回溫,出貨量季成長超過一成。進入第三季后整體服務(wù)器更達到出貨高峰,來到320萬臺。展望2019年,因新平臺備貨周期提前,多數(shù)需求已在2018年到位,廠商布局將轉(zhuǎn)為保守,2019上半年出貨成長幅度預(yù)估將收斂至2%。待下半年Intel的Gen2與AMD的Rome新平臺問世后,才有可能再次驅(qū)動市場需求。

云端、商務(wù)需求帶動,北美品牌出貨強勁

現(xiàn)階段北美品牌廠出貨表現(xiàn)仍相當(dāng)強勁,全球市占前兩名的Dell EMC、HPE在商務(wù)型服務(wù)器表現(xiàn)依舊穩(wěn)??;其次,隨著云端運算興起,Dell EMC在全球云端基礎(chǔ)架構(gòu)市場上已占有一席之地,且逐漸擴大存儲服務(wù)器的比重,現(xiàn)階段約占全球云端存儲市場的10%。

反觀營利導(dǎo)向的HPE則逐漸放棄低毛利的超大規(guī)模服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施代工(Hyperscale Server Infrastructure),轉(zhuǎn)而專注在企業(yè)整合與云端超融合(Hyper coverage)的整合方案,以提高營收。

浪潮全年出貨近百萬臺,華為出貨年增20%

中國兩大品牌之一的浪潮,今年受惠于政府政策推動數(shù)據(jù)中心訂單增加,整體出貨將會接近100萬臺,在中國區(qū)出貨市占率近三成。在產(chǎn)品規(guī)劃上,浪潮大部分服務(wù)器代工與品牌出貨皆集中在中國國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)客戶,尤其以一線互聯(lián)網(wǎng)廠商BAT(百度、阿里巴巴與騰訊)最具規(guī)模,而在第二線互聯(lián)網(wǎng)廠商頭條、美團、京東、滴滴等崛起加持下,今年下半年訂單仍然絡(luò)繹不絕。

DRAMeXchange預(yù)估,浪潮明年戰(zhàn)略規(guī)劃將著重在新客戶群的開發(fā),尤以北美客戶為主要目標(biāo)。

華為今年在穩(wěn)健的電信運營商標(biāo)案加持下,整體出貨動能來到歷史新高,全年成長二成。若以出貨規(guī)劃來看,中國區(qū)服務(wù)器需求約占華為整體出貨的七成,其余則以歐洲車廠與電信運營商的服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心建案(5G、telecom server)為主。

3納米之爭!三星2020年量產(chǎn) 臺積電建廠環(huán)評過關(guān)應(yīng)戰(zhàn)

3納米之爭!三星2020年量產(chǎn) 臺積電建廠環(huán)評過關(guān)應(yīng)戰(zhàn)

根據(jù)19日臺灣地區(qū)環(huán)保署所召開的環(huán)評大會決議,晶圓代工龍頭臺積電預(yù)計斥資新臺幣6,000億元,于南科興建3納米廠的計劃,在經(jīng)濟部能源局、水利署、以及臺電掛保障,在供電與供水都將無虞的情況下,環(huán)評委員已決議通過南科園區(qū)環(huán)境差異變更計劃。

臺積電3納米新廠之前已確定落腳南科,而南科管理局也向環(huán)保署提出環(huán)境差異變更計劃,將變更園區(qū)用水量、污水放流量、污水廠處理容量及用電量等。不過,對于之前環(huán)保團體提出質(zhì)疑的電力與水利供給疑慮,包括能源局、水利署、臺電表示,供電方面,包括再生能源以及發(fā)電機組都已汰舊換新情況下,供應(yīng)臺積電3納米廠所需的75萬千瓦用電將無虞。

另外,在供水部分,水利署則是表示,開源措施都能順利完工,加上再生水發(fā)展等應(yīng)對下,供水也沒問題。因此,整個環(huán)評大會在歷時2個小時說明之下,環(huán)評委員最后決議南科園區(qū)環(huán)境差異變更計劃審核修正通過。而且,經(jīng)濟部和臺南市政府得配合此案量產(chǎn)用電時程,協(xié)助優(yōu)先滿足該案再生能源發(fā)電。

事實上,臺積電總裁魏哲家此前在供應(yīng)鏈論壇上表示,3納米將成為帶領(lǐng)推動臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)成長的動能。而預(yù)計在環(huán)評順利通過后,將按照原本臺積電的規(guī)劃,這座3納米廠將在2020年建廠,2021年開始安裝,之后預(yù)估經(jīng)過18個月的認(rèn)證,在2022年底到2023年初開始量產(chǎn)。

不過,此前臺積電的競爭對手,韓國三星已經(jīng)放話,目前旗下的3納米廠已經(jīng)完成相關(guān)認(rèn)證,目前正在進行相關(guān)制程的優(yōu)化中,預(yù)計在2020年正式量產(chǎn),正式超車臺積電。因此,面對三星的來勢洶洶,臺積電3納米制程的發(fā)展就成為攸關(guān)勝負的關(guān)鍵。如今建廠環(huán)評通過,兩家公司的競爭再次白熱化,究竟是先馳得點,還是后發(fā)先至,未來還有待觀察。

存儲器逆風(fēng)維持到2019上半年,三星與SK海力士業(yè)績不樂觀

存儲器逆風(fēng)維持到2019上半年,三星與SK海力士業(yè)績不樂觀

就在19日,美國存儲器大廠美光(Micron)因為在DRAM、NAND Flash快閃存儲器等價格下降的狀況下,使得2019財年首季(2018年9到11月)財報繳出營收及第2季營運預(yù)期都不如分析師的預(yù)估下,造成當(dāng)日美光股價在美股盤后交易大跌近9%的幅度。這也使外界開始憂慮,目前存儲器市占率大于美光,分占市場前兩大的韓國三星及SK海力士,接下來要發(fā)表的季財報結(jié)果,也將會受到不小的沖擊。

根據(jù)外媒報導(dǎo),由于美光主要的存儲器產(chǎn)品,包括DRAM和NAND Flash快閃存儲器的供過于求,因此導(dǎo)致市場價格下跌,讓營收也跟著減少。而且,預(yù)計2019財年第2季的營收將持續(xù)下跌,金額落在57億到63億美元之間。雖然美光對于供過于求的局面,執(zhí)行長也表示將做出了減量的調(diào)整。但市場認(rèn)為,到2019年上半年為止,半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)業(yè)恐怕會持續(xù)維持低檔的情況。

對此,美光執(zhí)行長Sanjay Mehrotra就表示,對于現(xiàn)在的狀況,美光的目標(biāo)是配合產(chǎn)業(yè)的需求量,并采取減少產(chǎn)量的措施。但是,對于存儲器半導(dǎo)體的負成長趨勢,預(yù)計價格的逆風(fēng)還是會持續(xù)好幾季。因此,隨著美光業(yè)績的惡化,也讓外界也擔(dān)憂,目前存儲器市占率更高的韓國三星和SK海力士在接下來繳出的季財報中,業(yè)績恐怕不會有好表現(xiàn)。

根據(jù)韓國媒體《ETnews》最新報導(dǎo),隨著存儲器業(yè)績惡化的憂慮變成現(xiàn)實,韓國半導(dǎo)體企業(yè)在2018年第4季的業(yè)績也將不樂觀。業(yè)界分析,隨著美光在11月增加了DRAM的供給,造成三星和SK海力士的半導(dǎo)體價格下跌,使得第4季的營收也會跟著減少。

報導(dǎo)指出,根據(jù)韓國市場調(diào)查及研究單位表示,原本法人平均預(yù)期三星2018年第4季營業(yè)利益為15萬億韓元,現(xiàn)在已經(jīng)下調(diào)至14.298萬億韓元。另外,在SK海力士的部分,原本第4季營業(yè)利益預(yù)期將達到6.4724萬億韓元,目前也下調(diào)至5.6403萬億韓元。

業(yè)界預(yù)期,整體存儲器產(chǎn)業(yè)的業(yè)績逆風(fēng)情況將會持續(xù)到2019年的上半年。呼應(yīng)這樣的看法,市場調(diào)查公司在日前發(fā)表的報告中也指出,2019年DRAM市場將會出現(xiàn)1%的逆成長。雖然,2017年和2018年各成長了77%和39%。但是。隨著資料中心的需求減少,加上中美貿(mào)易戰(zhàn)爭所帶來的不確定性,成長的趨勢將轉(zhuǎn)變。