目前，兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經(jīng)公布了新NAND Flash產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash，SK海力士則是宣布成功開發(fā)出128層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

不過，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK海力士日前在一場(chǎng)會(huì)議上就公布了公司的規(guī)劃，預(yù)計(jì)在2030年推出800+層的NAND Flash，屆時(shí)將可輕松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前舉行的“Flash Memory Summit”大會(huì)上，SK海力士公布旗下新產(chǎn)品的規(guī)劃以及公司的相關(guān)布局。根據(jù)內(nèi)容指出，目前SK海力士正在開發(fā)128層堆疊的4D NAND Flash，其量產(chǎn)時(shí)間將落在2019年第4季。

另外，SK海力士還展示了一款“PE8030”的全新SSD，采用PCIe 4.0×4介面連接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量，連續(xù)讀寫速度最高可達(dá)6200MB/s、3300MB/s，而4KB隨機(jī)讀寫最高可達(dá)950K IOPS、260K IOPS。

在研發(fā)發(fā)展方面，目前SK海力士正在研發(fā)176層NAND Flash，而其他產(chǎn)品的發(fā)展，包括72層堆疊的4D NAND Flash目前在大規(guī)模量產(chǎn)中，96層堆疊的4D NAND Flash目前也在大規(guī)模量產(chǎn)中，而且未來產(chǎn)能即將超越72層堆疊的4D NAND Flash。

128層堆疊的4D NAND Flash將于2019年第4季量產(chǎn)，176層堆疊產(chǎn)品2020年問世、500層堆疊產(chǎn)品則將于2025年問世，其TB/wafer容量比將可提升30%。而800+堆疊的4D NAND Flash則是預(yù)計(jì)2030年問世，TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

據(jù)了解，目前SK海力士生產(chǎn)的128層堆疊NAND Flash核心容量是1Tbit，176層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit，預(yù)計(jì)500層堆疊時(shí)核心容量可達(dá)3.9Tbit，到800層堆疊時(shí)則會(huì)高達(dá)6.25Tbit，是現(xiàn)在的6倍多。

若以當(dāng)前SSD固態(tài)硬盤的容量計(jì)算，目前最大容量約在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成長幅度來計(jì)算，未來SSD容量可達(dá)200TB左右，這個(gè)容量要比當(dāng)前的HDD還要更大。