隨著NAND Flash快閃存儲器及DRAM價格不斷下跌，2019年存儲器市場將迎接逆風。而為了應付降價導致的損失，包括存儲器大廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光都計劃減少資本支出。

不過，降低成本支出并不意味著他們不再建設(shè)工廠了，就在本周，SK Hynix正式開工建設(shè)第7座半導體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還沒確定最終生產(chǎn)NAND Flash還是DRAM，但是這座晶圓廠確定將會采用最先進的EUV光刻技術(shù)。

2018年10月份，SK Hynix才剛完成最新的M15工廠興建，并且在日前正式進入量產(chǎn)，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。M15工廠位于韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，以生產(chǎn)3D NAND Flash為主，初期以生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開始，就會轉(zhuǎn)到96層堆疊的3D NAND Flash上。

至于新動工的M16廠，在本周正式舉行開工典禮之后，預計2020年正式完成，總投資額還沒確定。不過，也確定不會低于15萬億韓元。其中，基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)就要3.5萬億韓元，占地達30英畝。這座工廠最終會以生產(chǎn)DRAM還是NAND Flash為主，目前尚未確定。對此，SK Hynix表示，要看落成時的市場需求以及工廠的技術(shù)水準來決定。

雖然，還不確定要生產(chǎn)什么樣的產(chǎn)品，不過有一點可以肯定，那就是M16工廠將會用上最先進的EUV光刻技術(shù)。事實上，存儲器跟邏輯芯片不同，雖然對EUV光刻技術(shù)的需求沒那么高，不過三星、SK Hynix仍會依計劃，在未來使用EUV技術(shù)生產(chǎn)存儲器。而相對于韓國兩大存儲器廠的做法，美系廠商美光對EUV使用的態(tài)度就顯得比較保守。之前曾經(jīng)宣布，在未來2代的存儲器生產(chǎn)中都將不會用到EUV光刻技術(shù)。

而除了韓國之外，SK Hynix在無錫也有生產(chǎn)DRAM的晶圓廠。無錫廠目前的一期工程產(chǎn)能在每月10萬到12萬片之間，是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期，還宣布將投資86億美元在無錫建設(shè)第2座存儲器工廠，預計完成后存儲器產(chǎn)能將達到每月20萬片。

另外，日前有韓國媒體報導，目前韓國政府正在推動大型半導體制造群體，預計在10年內(nèi)投資超過120萬億韓元，并納入4家大型半導體工廠及50家上下游材料及設(shè)備供應商。其中，SK Hynix就允諾，將依據(jù)計劃在韓國境內(nèi)再興建一座大型半導體工廠。因此，在當前半導體景氣面臨逆風的狀態(tài)下，韓系存儲器廠的擴張計劃將不會有所改變。