7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。據悉，這是SK海力士繼去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的又一成果。

SK海力士新聞稿指出，HBM2E是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案，能以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據，相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB）。

此外，SK海力士此次量產的HBM2E能借助TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。

H據了解，BM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學習加速器（deep learning accelerator）、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用于在未來主導氣候變化、生物醫(yī)學、宇宙探索等下一代基礎、應用科學領域研究的Exascale 超級計算機（能夠在一秒內執(zhí)行一百億億次計算的計算機）。

SK海力士副社長兼首席營銷官吳鐘勛表示：“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM（High Bandwidth Memory）等成果一直引領著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術革新。公司將通過本次HBM2E量產強化高端存儲器市場上的地位，并倡導第四次工業(yè)革命?！?/p>