7月1日，西安高新區(qū)重點項目集中開工、竣工儀式舉行，據(jù)西安高新區(qū)消息，此次集中竣工投用儀式的項目共有25個，總投資560億元，包括三星12英寸閃存芯片二期一階段項目，西安高新區(qū)發(fā)文指出，這些項目的順利投產(chǎn)，將為高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更強(qiáng)大的動能，進(jìn)一步鞏固高新區(qū)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地的地位。

資料顯示，三星存儲芯片項目2012年落戶西安高新區(qū)，一期項目于2014年5月竣工投產(chǎn)，總投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個階段進(jìn)行，其中第一階段項目總投資70億美元；第二階段投資80億美元，已于去年年底啟動建設(shè)，預(yù)計2021年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2020年3月10日，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。

據(jù)此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

3月10日，陜西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級重點項目計劃，確定實施600個省級重點項目，其中續(xù)建項目312個、新開工項目188個、前期項目100個，項目總投資3.4萬億元。

根據(jù)陜西省2020年省級重點項目計劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地（一期）、華天集成電路封裝及測試技術(shù)改造等入列續(xù)建項目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開工項目，咸陽8-12吋晶圓生產(chǎn)線入列前期項目。

媒體報道稱，2012年三星落戶西安，一期項目已于2014年建成投產(chǎn)，二期項目分為兩個階段，其中第一階段于2018年新建，預(yù)計將在今年3月竣工投產(chǎn)，3月10日消息顯示第一階段項目產(chǎn)品下線上市；第二階段于2019年12月正式啟動，預(yù)計將于2021年下半年竣工。

全球最大的晶圓代工廠臺積電在7納米產(chǎn)能熱銷之后，現(xiàn)在又專心在5納米及3納米開發(fā)，并且還將眼光放在更先進(jìn)的2納米研發(fā)，這些進(jìn)展看在韓國媒體眼里也不得不承認(rèn)，相較于三星正苦于不確定性增加，兩家公司的差距未來將會越來越大。

根據(jù)韓國媒體《Business Korea》報導(dǎo)，臺積電計劃在2019年或2020年第1季時啟動5納米制程，并且在2021或2022年啟動3納米制程。一旦順利量產(chǎn)，藉由3納米制程生產(chǎn)的芯片，性能有望較5納米制程產(chǎn)品提升35%，效率提高50%，與最先進(jìn)的7納米制程芯片相較，7納米制程產(chǎn)品將被遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋在后面。

臺積電曾表示，相信摩爾定律依然有效。依據(jù)摩爾定律，半導(dǎo)體的電晶體數(shù)目每隔18個月會增加1倍，性能也提升1倍，盡管有人仍會提及物理限制，臺積電仍強(qiáng)調(diào)，摩爾定律的基礎(chǔ)將會延伸到1納米制程之后。

臺積電補(bǔ)充，有能力達(dá)到1納米制程，目前預(yù)計將在2納米制程技術(shù)投資65億美元，并在2024年開始制造基于該技術(shù)的產(chǎn)品。

報導(dǎo)進(jìn)一步指出，對臺積電循序漸進(jìn)、且越來越精密的制程發(fā)展計劃，對三星來說是沉重的負(fù)擔(dān)。三星原本目標(biāo)是在2030年前在全球晶圓代工市場占最大市占率，但許多因素讓這目標(biāo)不再樂觀，包括之前日本對光阻等半導(dǎo)體生產(chǎn)原料出口限制，導(dǎo)致三星的不確定性不斷增加等。

一位韓國業(yè)內(nèi)人士指出，目前三星已完成3納米技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)正招聘許多具極紫外線（EUV）制程的相關(guān)設(shè)備技術(shù)人員，加速采用EUV技術(shù)的制程研發(fā)。該人士也表示，在外部不確定因素增加情況下，投資和相關(guān)規(guī)劃仍必須在不確定性問題解決后，才可能有進(jìn)展。

不讓Sony專美于前，近年三星在圖像傳感器市場動作同樣頻頻，繼先前推出全球首個超過1億像素的圖像傳感器ISOCELL Bright HMX，24日再發(fā)表全球單位像素最小的圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，單位像素縮小到0.7μm(微米)，主攻強(qiáng)調(diào)輕薄的無邊框手機(jī)市場。

24日三星發(fā)表0.7μm圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，解析度達(dá)4370萬像素（43.7Mp），這是三星繼2015年推出首個1μm圖像傳感器、在64MP和108MP像素發(fā)展到使用0.8μm后的再一新突破，也刷新了業(yè)界最小單位像素尺寸圖像傳感器紀(jì)錄。

三星指出，透過自家的最新像素隔離技術(shù)ISOCELL Plus，可最大程度減少色彩串?dāng)_（cross-talk）與光學(xué)損失（optical loss），讓0.7μm像素傳感器也能吸收足夠的光源，保持成像色彩鮮明和鮮艷，而在低光源環(huán)境下支援Tetracell技術(shù)，會將像素進(jìn)行合成，可表現(xiàn)相當(dāng)于1.4μm圖像傳感器甚至更高的光敏感度，GH1也支持4K影像錄影。

GH1為三星圖像傳感器品牌ISOCELL中的ISOCELL Slim產(chǎn)品線，主要主打輕薄、面向智能手機(jī)市場，GH1的推出，主要鎖定目前無邊框、全面屏的手機(jī)市場。ISOCELL Slim GH1預(yù)計將于今年底進(jìn)行量產(chǎn)。

目前圖像傳感器市場仍由Sony獨大，三星在2017年為自家圖像傳感器ISOCELL分設(shè)了四個產(chǎn)品線，除了Slim還包含Bright、Fast、Dual，分別主打色彩還原、快速自動對焦、雙鏡頭系統(tǒng)不同功能與應(yīng)用市場，并增加了新的Auto產(chǎn)品線搶攻車用圖像傳感器，企圖用明確的應(yīng)用市場搶食Sony的這塊市場大餅。

盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。

三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點的進(jìn)度都會比臺積電要晚一些，導(dǎo)致臺積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計2021年量產(chǎn)。

在3nm節(jié)點，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據(jù)官方所說，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

在這次的日本SFF會議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

在工藝進(jìn)度上，三星今年4月份已經(jīng)在韓國華城的S3 Line工廠生產(chǎn)7nm芯片，今年內(nèi)完成4nm工藝開發(fā)，2020年完成3nm工藝開發(fā)。

各大晶圓代工廠商密集召開2019年第二季法人說明會，相較于第一季的慘淡，各廠商第二季營收已有稍稍回神跡象，尤其是臺積電、Samsung兩大廠商，預(yù)計2019下半年除可依賴先進(jìn)制程需求外，其他成熟節(jié)點市場也會成為兩大廠商在不景氣的2019年中另一重要成長動能。

第一梯隊廠商侵入二、三梯隊市場

由于2019年全球政治局勢極度不穩(wěn)定，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自2018年底便已亮出紅燈警訊，業(yè)界傳出臺積電、Samsung皆于2019上半年積極在部分較成熟產(chǎn)品線中，爭取客戶訂單的市場訊息。

事實上，若細(xì)看在晶圓代工領(lǐng)域擁有絕對市占的臺積電，其過往毛利表現(xiàn)從2016年第二季51.5%，逐步下滑至2019年第二季40%出頭。

然其7nm營收占比卻也與過往最先進(jìn)制程節(jié)點營收，同樣保持在20～30%間的比重，推估拉低臺積電毛利表現(xiàn)的主要原因并不是先進(jìn)制程推廣不佳所致，而是在2019年不景氣的市況氛圍下，臺積電為保持其營收持續(xù)正成長，朝向較成熟卻低毛利的市場入侵，進(jìn)而擠壓其他二、三線晶圓代工廠商空間。

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臺系廠商市場占比將再次攀升

2019年晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，大者恒大的趨勢更加明顯，臺積電、Samsung兩大廠商有望帶動臺灣地區(qū)、韓國兩區(qū)域占比再次成長。其中，臺灣地區(qū)因受到Samsung在2017年5月拆分晶圓代工事業(yè)部之影響，導(dǎo)致其區(qū)域占比自2016年67%快速下滑至2018年60%，此一現(xiàn)象將在2019年重新反轉(zhuǎn)，在臺積電引領(lǐng)下，2019年臺灣地區(qū)占比將成長至62%。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)加劇，日本管制關(guān)鍵高純度氟化氫等應(yīng)用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預(yù)料受原料管制趨嚴(yán)下，三星要藉沖刺先制程搶食臺積電晶圓代工大餅的難度大增，并加速臺積電拉大和三星差距。

日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關(guān)鍵半導(dǎo)體原料輸韓，雖然南韓半導(dǎo)體廠仍可透過專案審查程序申請，但進(jìn)口時程將由過去簡化程序拉長至90天（專案審查期），包括三星和SK海力士除均對外收購既有三項原料存貨外，也透過專案申請、加速他廠認(rèn)證雙管齊下，希望將沖擊降至最低。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，由于目前三星和SK海力士存儲器庫存仍高，日本管制光阻劑等三項半導(dǎo)體原料輸韓，韓廠可將生產(chǎn)快閃存儲器（Flash）的原料轉(zhuǎn)去支援利潤較高的DRAM，并趁機(jī)抬高價格、消化庫存，對三星和全球DRAM供給，短期還不會構(gòu)成太大影響。

不過，日本廠商生產(chǎn)用于先進(jìn)制程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將直接沖擊三星在半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局。

據(jù)了解，三星稍早也曾透過中國臺灣廠商轉(zhuǎn)手賣給三星，不過臺廠擔(dān)心臺韓出口高純度氟化氫，將遭日本原廠發(fā)現(xiàn)異常，拒絕這項交易，讓三星吃到閉門羹。

高純度氟化氫是在采用極紫外光（EUV）進(jìn)行光罩制程時，要讓積體電路精準(zhǔn)對位的蝕刻材料，而三星也靠著7納米制程導(dǎo)入EUV微影設(shè)備并成功搶下高通和輝達(dá)等前往下單的重要利器。

如今日本管制這項原料輸韓，雖然三星正自行生產(chǎn)這項關(guān)鍵化學(xué)品，但這又等于讓制程良率增添變數(shù)，而且三星也是領(lǐng)先全球把EUV設(shè)備導(dǎo)入生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品的大廠。

半導(dǎo)體業(yè)者分析，三星發(fā)展7納米以下制程受阻，未來要追趕臺積電，得花費(fèi)更大的財力和物力 ，日韓貿(mào)易戰(zhàn)其實反而助攻臺積電拉大和三星差距。