據(jù)韓國媒體報道，三星電子準備在韓國平澤新建一個大型半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，并計劃在9月份啟動工廠建設(shè)。

報道指出，三星P3工廠的生產(chǎn)制造規(guī)模將比P2工廠增加50%，預(yù)計將采取“綜合半導(dǎo)體工廠”的形式，同時生產(chǎn)DRAM，NAND閃存和系統(tǒng)半導(dǎo)體，并有望采用最新工藝。P3工廠預(yù)計將在2021年第三季度竣工，投入量產(chǎn)時間將從2021年底開始。

三星電子是全球最大的存儲器廠商，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)此前發(fā)布的NAND Flash和DRAM廠商營收排名顯示，2020年第一季度，三星電子在NAND Flash和DRAM市場的營收分別為45.01億美元和65.37億美元，均排名第一。

目前，三星電子在韓國平澤設(shè)有名為“P1”和“P2”的半導(dǎo)體工廠，其中P2是新工廠，已于去年竣工。

6月初，三星電子曾宣布，將在京畿道平澤工業(yè)園區(qū)投建先進的NAND Flash閃存生產(chǎn)線。該擴建工程于今年5月開始，將為2021年下半年大規(guī)模生產(chǎn)三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道路。據(jù)三星官方當(dāng)時消息指出，新工廠位于韓國平澤2號線內(nèi)，計劃于2021年2月量產(chǎn)，將專門用于制造三星最先進的V-NAND存儲器。

根據(jù)韓國媒體《sammobile》的報導(dǎo)，雖然目前因為全球存儲器市場在新冠肺炎疫情的沖擊下，可能面臨到下半年庫存過剩的壓力，但是韓國存儲器大廠三星仍無懼于市場上的狀況，已經(jīng)于日前成立了一個特別工作小組，而該工作小組最重要的工作是進一步提高三星的生產(chǎn)技術(shù)，以提高其NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。

事實上，在當(dāng)前新冠肺炎疫情的沖擊之下，存儲器廠商對于擴產(chǎn)的狀況變得保守，相對于投資大量成本來新建產(chǎn)線，藉由技術(shù)的發(fā)展來提高NAND Flash的產(chǎn)能已經(jīng)成為當(dāng)前的主流。

日前，三星在實現(xiàn)量產(chǎn)128層堆疊的的第6代NAND Flash快閃存儲器之后，又在兩個月前宣布將完成160層堆疊第7代NAND Flash快閃存儲器的開發(fā)，這使得目前看來。三星已經(jīng)將對手遠遠拋在身后。

報導(dǎo)指出，由于NAND Flash快閃存儲器目前堆疊的層數(shù)越高，儲存容量就越大。目前，存儲器芯片使用的層數(shù)最高為128層，但三星有望在不久后完成160層或更高堆疊的存儲器開發(fā)和生產(chǎn)。這使得其在不增加新產(chǎn)線的情況下，三星也能進一步提升NAND Flash快閃存儲器的容量供應(yīng)，滿足市場的需求。

鑒于此，為了提高在128層堆疊V-NAND Flash快閃存儲器生產(chǎn)上的競爭力，三星成立了一個特別工作組，成員包括三星設(shè)備解決方案（SDS）制造技術(shù)中心，以及負責(zé)NAND Flash快閃存儲器生產(chǎn)的部門的高端主管。新團隊將解決芯片生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的任何問題，并負責(zé)監(jiān)督提高整個流程的生產(chǎn)率。

報導(dǎo)進一步說到，三星在贏得了128層NAND Flash快閃存儲器的市場競爭后并沒有得到滿足，該公司希望進一步提高與競爭對手的差距，進一步將技術(shù)轉(zhuǎn)移到160層堆得的技術(shù)上，已持續(xù)保持在市場上的競爭優(yōu)勢。

據(jù)根據(jù)韓國媒體《ddaily》的報導(dǎo)，韓國三星目前仍在努力爭取蘋果iPhone新機的處理器代工訂單。不過，對于三星要爭取蘋果的訂單，外界并不看好，表示三星旗下的代工部門想要維護一個大型客戶并不容易。而且，隨著晶圓代工龍頭臺積電前往美國設(shè)廠，其與蘋果的關(guān)系預(yù)計將進一步加深，三星要搶下蘋果的訂單也更加困難。

報導(dǎo)指出，根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的消息人士透露，在臺積電吃下2020年秋季即將發(fā)表的蘋果新iPhone的處理器訂單之后，預(yù)計接下來蘋果仍會繼續(xù)委托臺積電生產(chǎn)iPhone所使用的A系列處理器。也就是說，與其將代工單分開由兩家晶圓代工廠來生產(chǎn)，還不如繼續(xù)保持單一供應(yīng)商體系。而且，日前也有國外媒體指出，現(xiàn)階段的臺積電將更加集中于服務(wù)于蘋果、高通、AMD等企業(yè)。

事實上，過去iPhone的A系列處理器訂單經(jīng)常由臺積電和三星同用承接，直到2015年，臺積電推出了扇型晶圓級封裝（Fan-out WLP，F(xiàn)oWLP）技術(shù)，并藉此與蘋果簽署了獨家代工合約之后，三星就此失勢，再也無法取得蘋果A系列處理器的代工訂單。

只是，截至目前為止，三星并未放棄爭取蘋果A系列移動處理器的代工訂單。報導(dǎo)指出，三星電子為獲得蘋果的A系列移動處理器代工訂單，已經(jīng)與三星電機成立了特別工作小組，并著手開發(fā)新的Fanout封裝技術(shù)（FO-PLP）。之前，三星電機已成功將FO-PLP技術(shù)商業(yè)化，并于2018年將其應(yīng)用于Galaxy Watch AP上。這也使的三星開始期望將此過去用于面板的封裝技術(shù)，進一步運用在半導(dǎo)體的封裝制程中。

只是，對于這樣的發(fā)展，韓媒本身也不看好，指出三星與臺積電在制程技術(shù)方面本來就有所落差，加上在封裝技術(shù)上，臺積電仍然占據(jù)優(yōu)勢，這個結(jié)果似乎也讓三星在競爭上始終處于弱勢。

對此，產(chǎn)業(yè)人士表示，三星不是純粹的代工廠，因此本身就存在有局限性，只是在當(dāng)期的先進制程上，市場上除了臺積電之外，其他替代方案也就只有三星這個。所以，藉此特性，若未來三星能具備先進封裝能力，而且獲得顧客的信賴，則可能有機會增加訂單量。

近日，三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴產(chǎn)計劃，除擴建采用極紫外光(EUV)的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴大3D NAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3D NAND閃存方面的投資額就達8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌鸑AND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。

三星、鎧俠率先擴產(chǎn)

據(jù)了解，三星電子將在平澤廠區(qū)的二期建設(shè)中投建新的3D NAND生產(chǎn)線，量產(chǎn)100層以上三星電子最先進的第六代V-NAND閃存，無塵室的施工5月份已經(jīng)開始進行。新生產(chǎn)線預(yù)計將于2021年下半年進入量產(chǎn)階段，新增產(chǎn)能約為2萬片/月的晶圓。

受新冠肺炎疫情的影響，當(dāng)前NAND閃存市場上的不確定性仍然存在。根據(jù)集邦咨詢的報告，2020年第一季度NAND閃存出貨量與上季度大致持平，其中服務(wù)器供應(yīng)鏈的恢復(fù)狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，因此疫情對于數(shù)據(jù)中心需求的影響或許有限。但是筆記本電腦與手機品牌廠生產(chǎn)及物料供應(yīng)則受到零組件供應(yīng)鏈斷鏈的影響，也間接拖累了市場對NAND閃存的需求。

然而，在此情況下，三星電子依然選擇了擴產(chǎn)。去年年底，三星電子便啟動了中國西安廠二期的建設(shè)，投資80億美元。西安廠二期主要生產(chǎn)100層以下的第五代V-NAND，平澤二廠則會生產(chǎn)100層以上的第六代V-NAND。三星NAND Flash生產(chǎn)線主要分布在韓國華城廠區(qū)、平澤廠區(qū)以及中國西安廠區(qū)。

除三星電子之外，近日有消息稱，鎧俠(原東芝)也將按照原計劃增產(chǎn)投資，在日本四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND閃存新廠房“第7廠房”，總投資額預(yù)估最高達3000億日元(約合200億元人民幣)，預(yù)定2022年夏天完工。鎧俠合作伙伴西部數(shù)據(jù)預(yù)估會分擔(dān)投資。

研究機構(gòu)人士指出，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器受疫情影響較小，甚至疫情還推動網(wǎng)上直播、線上電子商務(wù)、線上教育、遠程辦公等對數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器的需求，讓存儲芯片的需求有所增加。

這或許是存儲廠商加碼投資3D NAND閃存的原因之一。

128層3D NAND成比拼重點

本次投資擴產(chǎn)及相關(guān)市場競爭當(dāng)中，各大閃存廠商無疑將先進工藝放在了重點位置。三星電子此次在平澤二期中建設(shè)的就是100層以上的第六代V-NAND。目前三星電子在市場上的主流NAND閃存產(chǎn)品為92層工藝，預(yù)計今年會逐步將128層產(chǎn)品導(dǎo)入到各類應(yīng)用當(dāng)中，以維持成本競爭力。

美光也在積極推進128層3D NAND的量產(chǎn)與應(yīng)用，特別是固態(tài)硬(SSD)領(lǐng)域，成為美光當(dāng)前積極布局擴展的重點，與PC OEM廠商進行Client SSD產(chǎn)品的導(dǎo)入。美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產(chǎn)品成本。美光于2019年10月流片出樣128層3D NAND。

今年第一季度SK海力士以14.47億美元的銷售額擊敗英特爾，重新奪回NAND閃存市場第五的位置，在全球市場中占比10.7%。受此激勵，預(yù)計SK海力士將向NAND閃存方面投入更多的力量。根據(jù)集邦咨詢的介紹，SK海力士將繼續(xù)增加96層產(chǎn)品的占比，同時著重進行制造工藝上的提升。SK海力士2019年6月發(fā)布128層TLC 3D NAND，預(yù)計今年將進入投產(chǎn)階段。

鎧俠今年1月發(fā)布112層3D NAND，量產(chǎn)時間預(yù)計在下半年。鎧俠今年的主力產(chǎn)品預(yù)計仍為96層，將滿足SSD方面的市場需求。隨著112層產(chǎn)能的擴大，未來鎧俠會逐步將之導(dǎo)入到終端產(chǎn)品中。

去年9月，長江存儲發(fā)布了64層3D NAND閃存。隨著生產(chǎn)線產(chǎn)能規(guī)模的擴大，長江存儲的產(chǎn)品也將陸續(xù)加入到市場競爭當(dāng)中。有消息稱，長江存儲64層消費級固態(tài)硬盤將于今年第三季度上市。有分析認為，長江存儲今年的重點在于擴大產(chǎn)能，同時提升良率，并與OEM廠商合作進行64層3D NAND的導(dǎo)入。不過今年4月長江存儲也發(fā)布了兩款128層3D NAND閃存，量產(chǎn)時間約為今年年底至明年上半年。在先進工藝方面，長江存儲并不落于下風(fēng)。

半導(dǎo)體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度標準化的特性，且品種單一，較難實現(xiàn)產(chǎn)品的差異化。這導(dǎo)致各廠商需要集中在工藝技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當(dāng)市場格局出現(xiàn)新舊轉(zhuǎn)換，廠商往往打出技術(shù)牌，以期通過新舊世代產(chǎn)品的改變，提高產(chǎn)品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢。

QLC展現(xiàn)成本優(yōu)勢

在本輪NAND閃存競爭中，QLC(每個存儲單元可存儲4bit數(shù)據(jù))3D NAND閃存也是各大存儲廠商關(guān)注并且展開競逐的重點。

QLC的優(yōu)勢在于成本更低，但是它的性能特別是寫入性能和擦寫次數(shù)方面與TLC(每個存儲單元可存儲3bit數(shù)據(jù))產(chǎn)品相比有一定差距，使得此前市場對QLC產(chǎn)品的接受程度不高。對此，長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊指出，在QLC推出之際，3D NAND的堆疊層數(shù)還沒有現(xiàn)在這么高，主流為64層或96層，因而成本優(yōu)勢沒有表現(xiàn)出來。不過，隨著128層產(chǎn)品量產(chǎn)，并逐步進入市場，QLC的成本優(yōu)勢將進一步得到體現(xiàn)。

此外，數(shù)據(jù)中心也將極大激發(fā)QLC的發(fā)展，成為QLC產(chǎn)品的巨大潛在市場。受疫情影響，在線應(yīng)用大熱，如在線會議、在線視頻、在線教育等。這些應(yīng)用在大數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)層面更多表現(xiàn)為對存儲器讀取能力的需求，一次性寫入之后更多是從數(shù)據(jù)庫進行數(shù)據(jù)的讀取，而非頻繁寫入。而在這些方面QLC存儲器是有其應(yīng)用優(yōu)勢的，加上成本優(yōu)勢，將有效拉動市場對QLC的需要。今年4月，長江存儲發(fā)布兩款128層3D NAND，其中包括業(yè)內(nèi)首款128層QLC 3D NAND閃存，可提供1.33Tb的單顆存儲容量，展現(xiàn)了在QLC方面的市場競爭力。

“從全球的半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)來看，計算機領(lǐng)域的市場份額占全球市場的1/3左右，消耗了全球45%左右的存儲器?！毙袠I(yè)分析師表示。2020年，5G等先進技術(shù)將首次應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，而機器學(xué)習(xí)及其他AI技術(shù)的應(yīng)用也將創(chuàng)造新的學(xué)習(xí)和工作方式。這意味著，數(shù)據(jù)中心供應(yīng)商將有更多的機會發(fā)展和增強其現(xiàn)有業(yè)務(wù)。

英特爾也一直對QLC非常關(guān)注。從研發(fā)出64層QLC之后，英特爾就將其大量應(yīng)用到SSD中。目前，英特爾在大連工廠生產(chǎn)基于QLC的3D NAND SSD產(chǎn)品。有消息稱，英特爾計劃于2020年推出144 層 QLC產(chǎn)品。美光也于日前推出采用QLC NAND的經(jīng)濟型SSD，這顯示美光今年也加大了在QLC產(chǎn)品方面的投入力度。

據(jù)新華社報道，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司一季度進出口額為278.67億元，相較去年同期增加45%，二期項目第一階段預(yù)計在今年第三季度實現(xiàn)滿產(chǎn)。

三星（中國）半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基介紹稱，疫情期間，三星半導(dǎo)體存儲芯片二期項目第一階段正處于設(shè)備調(diào)試期。為了確保產(chǎn)品順利下線，西安高新區(qū)建立了重大外資項目專班機制，通過包機幫助三星接回700多名工程師，還從湖北幫忙運回了關(guān)鍵原材料。

資料顯示，三星西安二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個階段進行，其中第一階段項目總投資70億美元，預(yù)計2020年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資80億美元，已于去年年底啟動建設(shè)，預(yù)計2021年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2020年3月10日，三星（中國）半導(dǎo)體有限公司高端存儲芯片二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。至于第一階段的產(chǎn)能，韓國媒體曾報道稱，三星計劃每月生產(chǎn)6.5萬片NAND閃存芯片，但該數(shù)字并未得到三星中國的確認。

據(jù)此前的消息指出，三星高端存儲芯片二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

6月1日，三星電子 (Samsung Electronics) 宣布，將在京畿道平澤工業(yè)園區(qū)投建先進的NAND Flash閃存生產(chǎn)線。該擴建工程于今年5月開始，將為2021年下半年大規(guī)模生產(chǎn)三星的尖端V-NAND存儲器鋪平道路。

據(jù)三星官方消息指出，新工廠位于韓國平澤2號線內(nèi)，計劃于2021年2月量產(chǎn)，將專門用于制造三星最先進的V-NAND存儲器。

在不久前，5月21日，三星電子官方宣布了將在平澤市再投建一條全新的晶圓代工生產(chǎn)線，以滿足全球?qū)O紫外光刻技術(shù) (EUV) 的需求。時隔10天，三星再次宣布新的NAND Flash產(chǎn)線投資計劃。

雖然官方暫未公布具體投資金額，但業(yè)界推測該新晶圓代工生產(chǎn)線和NAND生產(chǎn)線的投資規(guī)模，或分別達到10萬億和8萬億韓元。

三星電子表示，此次投資旨在應(yīng)對隨著人工智能 (AI)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 、以及5G的普及而帶來的NAND需求。業(yè)者認為，三星電子近期連續(xù)宣布的投資計劃，尤其是在目前新冠疫情重創(chuàng)全球經(jīng)濟的情況下，反映出其欲在全球閃存市場繼續(xù)拉大優(yōu)勢的決心。

目前，EUV晶圓代工生產(chǎn)和NAND閃存生產(chǎn)所需的潔凈室已在著手建設(shè)中，爭取在2021年下半年可以投產(chǎn)5納米EUV芯片及V-NAND閃存產(chǎn)品。

5月21日，三星宣布計劃提高其在韓國平澤市新生產(chǎn)線的晶圓代工生產(chǎn)能力。

新聞稿指出，該生產(chǎn)線已于本月開始建設(shè)，將專注于基于EUV的5納米及以下工藝技術(shù)，預(yù)計將于2021年下半年全面投入生產(chǎn)。三星的目標是在包括5G，高性能計算（HPC）和人工智能（AI）在內(nèi)的眾多當(dāng)前和下一代應(yīng)用中擴展最新工藝技術(shù)的使用。

三星電子總裁兼代工業(yè)務(wù)負責(zé)人ES Jung博士表示，新的生產(chǎn)線將擴大三星在5納米以下制程的制造能力，并能夠迅速滿足客戶對基于EUV解決方案的日益增長的需求。此外，新的生產(chǎn)線還將使三星能夠繼續(xù)開拓新的領(lǐng)域，同時推動三星代工業(yè)務(wù)的強勁增長。

三星指出，在2019年初首次批量生產(chǎn)基于EUV的7nm工藝之后，三星最近在韓國華城增加了一條新的EUV專用V1生產(chǎn)線。而隨著新的平澤工廠于2021年全面投入運營，三星基于EUV的晶圓代工產(chǎn)能預(yù)計將大幅增加。

根據(jù)規(guī)劃，三星將于今年下半年開始在華城工廠開始批量生產(chǎn)5nm EUV工藝。加上平澤工廠，三星將在韓國和美國總共擁有7條晶圓代工生產(chǎn)線，其中包括6條12英寸生產(chǎn)線和1條8英寸生產(chǎn)線。

5月18日，陜西省委書記胡和平、省長劉國中在西安會見了三星電子副會長李在镕。

胡和平表示，當(dāng)前，陜西疫情防控取得階段性重要成果，經(jīng)濟社會秩序加快恢復(fù)，包括三星在內(nèi)的外資企業(yè)保持良好運行態(tài)勢。陜西將進一步加大對外資企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)的支持力度，幫助解決物資流通、人員往來等方面問題，為企業(yè)在疫情防控常態(tài)化條件下生產(chǎn)經(jīng)營創(chuàng)造良好環(huán)境。

胡和平還指出，愿與三星增進友誼、深化合作，全力服務(wù)和保障三星在陜項目建設(shè)，進一步加強閃存芯片、邏輯芯片、動力電池、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域的合作，推動雙方共同發(fā)展、互利共贏。

李在镕表示，三星在陜項目進展順利、效益良好，愿繼續(xù)拓展合作領(lǐng)域、深化交流交往，為譜寫陜西新時代追趕超越新篇章作出積極貢獻。

資料顯示，西安三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約70億美元，第二階段投資80億美元。

今年3月10日，西安三星電子二期第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市，據(jù)西安新聞網(wǎng)此前報道，西安三星電子二期二階段已經(jīng)全面開工建設(shè)。三星西安二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，占三星電子全球產(chǎn)量的40%，新增產(chǎn)值300億元。