8月6日，三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)250千兆字節(jié)（SATA）固態(tài)硬盤（SSD），該硬盤集成了該公司的第六代（1xx層）256Gb，適用于全球PC OEM的三位V-NAND。通過(guò)在短短13個(gè)月內(nèi)推出新一代V-NAND，三星已將批量生產(chǎn)周期縮短了四個(gè)月，同時(shí)確保了業(yè)界最高的性能，功效和制造生產(chǎn)率。

三星電子解決方案產(chǎn)品與開(kāi)發(fā)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung說(shuō)：“隨著下一代V-NAND產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期加快，我們計(jì)劃快速擴(kuò)展我們的高速，高容量512Gb V-NAND解決方案的市場(chǎng)?！?/p>

具有100多層設(shè)計(jì)的唯一單堆棧3D存儲(chǔ)器芯片

三星的第六代V-NAND具有業(yè)界最快的數(shù)據(jù)傳輸速率，充分利用該公司獨(dú)特的制造優(yōu)勢(shì)，將3D內(nèi)存提升到新的高度。

利用三星獨(dú)特的“通道孔蝕刻”技術(shù)，新型V-NAND可將先前9x層單層結(jié)構(gòu)的單元數(shù)量增加約40％。這是通過(guò)構(gòu)建由136層組成的導(dǎo)電模具堆疊，然后從頂部到底部垂直穿透圓柱形孔來(lái)實(shí)現(xiàn)的，從而產(chǎn)生均勻的3D電荷捕獲閃光（CTF）單元。

隨著每個(gè)單元區(qū)域中的模具堆疊的高度增加，NAND閃存芯片往往更容易受到錯(cuò)誤和讀取延遲的影響。為了克服這些限制，三星采用了速度優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)，使其能夠?qū)崿F(xiàn)最快的數(shù)據(jù)傳輸速度，寫入操作低于450微秒（μs），讀取低于45μs。與上一代產(chǎn)品相比，性能提升了10％以上，同時(shí)功耗降低了15％以上。

得益于這種速度優(yōu)化設(shè)計(jì)，三星將能夠在不影響芯片性能或可靠性的情況下，通過(guò)安裝三個(gè)電流堆棧，提供超過(guò)300層的下一代V-NAND解決方案。

此外，創(chuàng)建256Gb芯片密度所需的通道孔數(shù)量已從上一代的9.3億個(gè)減少到6.7億個(gè)孔，從而減小了芯片尺寸并減少了工藝步驟。這使制造業(yè)生產(chǎn)率提高了20％以上。

利用高速和低功耗特性，三星不僅計(jì)劃將其3D V-NAND的范圍擴(kuò)展到下一代移動(dòng)設(shè)備和企業(yè)服務(wù)器等領(lǐng)域，而且還擴(kuò)展到高可靠性至關(guān)重要的汽車市場(chǎng)。

繼今天推出250GB SSD之后，三星計(jì)劃在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。該公司還計(jì)劃從明年起在其Pyeongtaek（韓國(guó)）園區(qū)擴(kuò)大更高速和更大容量的第六代V-NAND解決方案的生產(chǎn)，以更好地滿足全球客戶的需求。

參考：三星V-NAND批量生產(chǎn)時(shí)間表

注：本文根據(jù)三星網(wǎng)文章編譯，原文鏈接：https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-takes-3d-memory-to-new-heights-with-sixth-generation-v-nand-ssds-for-client-computing

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陜西日?qǐng)?bào)消息，上半年陜西省電子信息行業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展順利。

其中，三星芯片二期項(xiàng)目基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)已接近尾聲，主廠房和附屬設(shè)施進(jìn)入試運(yùn)行狀態(tài)，預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成設(shè)備調(diào)試等工作；奕斯偉硅片基地項(xiàng)目6月5日正式啟動(dòng)設(shè)備搬入工作，計(jì)劃年內(nèi)交付認(rèn)證產(chǎn)品，2020年將實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)；華天集成電路封測(cè)項(xiàng)目，一期建設(shè)已按計(jì)劃完成，預(yù)計(jì)三季度開(kāi)始投產(chǎn)。

報(bào)道指出，下半年陜西省將繼續(xù)推動(dòng)電子信息制造業(yè)重大項(xiàng)目建設(shè)，如協(xié)調(diào)推動(dòng)三星芯片二期、中興智能終端二期、奕斯偉硅材料產(chǎn)業(yè)基地等重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，力爭(zhēng)盡快建成投產(chǎn)；延伸并拓展產(chǎn)業(yè)鏈，培育配套企業(yè)群體；發(fā)揮西安電子科技大學(xué)在第三代化合物半導(dǎo)體氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì)，積極推動(dòng)省內(nèi)氮化鎵生產(chǎn)線項(xiàng)目落地等。

另外，陜西省將依托陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心和陜西光電子集成電路先導(dǎo)技術(shù)研究院等平臺(tái)，推動(dòng)以第三代化合物半導(dǎo)體、功率器件和光電子集成為核心的技術(shù)創(chuàng)新，著重培育電子信息產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新能力，打造產(chǎn)業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

去年10月，三星芯片工廠正式開(kāi)始使用其7LPP（7nm低功耗+）制造工藝生產(chǎn)芯片，此后并未放緩其制造技術(shù)的發(fā)展。該公司有望在2019年下半年采用其精制的6LPP（6nm低功耗+）技術(shù)開(kāi)始批量生產(chǎn)芯片。此外，該公司表示將推出其首款5LPE（5nm低功耗早期）SoC并且將在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)完成其4LPE（4nm低功耗早期）工藝的開(kāi)發(fā)。

由于DRAM和NAND價(jià)格下降，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的綜合收入在第二季度下降至16.09萬(wàn)億韓元（143.02億美元），而營(yíng)業(yè)利潤(rùn)總計(jì)為3.4萬(wàn)億韓元（28.77億美元）。雖然三星的內(nèi)存業(yè)務(wù)疲軟，但該公司表示其代工業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁。據(jù)三星稱，其合同生產(chǎn)部門對(duì)使用10LPP / 8LPP技術(shù)制造的移動(dòng)SoC以及使用14LPx / 10LPP工藝制造的移動(dòng)，HPC，汽車和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁?？偟膩?lái)說(shuō)，三星芯片工廠使用其領(lǐng)先的FinFET工藝技術(shù)生產(chǎn)大量?jī)?yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

今年晚些時(shí)候，三星將采用其6LPP工藝技術(shù)開(kāi)始生產(chǎn)芯片，該技術(shù)早些時(shí)候又回到了其路線圖。三星的6LPP是三星7LPP的精制版，提供更高晶體管密度（密度提升10%），更低的功耗、此外，6LPP為愿意開(kāi)發(fā)全新IP的客戶提供智能結(jié)構(gòu)支持。三星7LPP生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展的下一步將是其5LPE制造工藝。與6LPP相比，這在功耗，性能和面積方面提供了更多的好處，三星預(yù)計(jì)將在今年下半年推出使用其5LPE技術(shù)的首批芯片，預(yù)計(jì)將在2020年上半年大規(guī)模生產(chǎn)。

盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，但三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇依然將如期舉行。屆時(shí)三星將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片、名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。三星稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年。

韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星28日宣布，2019年“三星晶圓代工論壇”（SFF）將如期于9月4日在東京舉行，且已于26日在網(wǎng)站上開(kāi)始受理報(bào)名。在日韓貿(mào)易緊張不斷升高之際，業(yè)界正懷疑這場(chǎng)論壇能否如期在東京舉行，三星這項(xiàng)決定消弭了外界的疑慮。

產(chǎn)業(yè)專家分析，三星想要傳達(dá)的訊息是，盡管面臨日本的“斷貨”威脅，三星電子旗下的晶圓代工事業(yè)不受中斷。

報(bào)導(dǎo)指出，三星將展示自家納米制程技術(shù)，并提供名為“環(huán)繞閘極”（GAA）技術(shù)的制程套件。GAA技術(shù)將用于3納米、甚至更精密的制程技術(shù)。

日本在4日加強(qiáng)管制三項(xiàng)重要半導(dǎo)體原料的出口，其中，日制光刻膠為極紫外光（EUV）微影技術(shù)的關(guān)鍵材料，讓三星的晶圓代工部門首當(dāng)其沖，也削弱與臺(tái)積電在7納米芯片的競(jìng)逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球存儲(chǔ)器、無(wú)晶圓廠及晶圓代工業(yè)務(wù)穩(wěn)坐龍頭寶座的關(guān)鍵。在EUV制程與臺(tái)積電旗鼓相當(dāng)?shù)娜请娮?，正快馬加鞭量產(chǎn)7納米芯片，希望能借此提前進(jìn)度超車臺(tái)積電。但日本本周非常有可能把韓國(guó)踢出“白色名單”，三星的高科技原料進(jìn)口預(yù)料將更加受限。

三星預(yù)定未來(lái)幾個(gè)月完成位于華城的第一條EUV芯片產(chǎn)線，并計(jì)劃之后在京畿道平澤建設(shè)另一條EUV產(chǎn)線。如今，三星一名高端主管指出，“考量到當(dāng)前情況，我們必須考慮投資新EUV產(chǎn)線的時(shí)機(jī)”。

三星電子自5月開(kāi)始陸續(xù)在美國(guó)、上海及首爾舉辦晶圓代工論壇，待9月論壇落幕后，下一場(chǎng)將論壇于10月在德國(guó)慕尼黑登場(chǎng)。

7月25日，三星電子在官網(wǎng)宣布，三星首款折疊手機(jī)——Galaxy Fold將于今年9月起陸續(xù)在特定市場(chǎng)與消費(fèi)者見(jiàn)面。三星表示，會(huì)在接近上市日期時(shí)，與外界分享更多細(xì)節(jié)。

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今年早些時(shí)候，三星Galaxy Fold已經(jīng)發(fā)布。隨后的時(shí)間內(nèi)，三星投入大量時(shí)間，評(píng)估產(chǎn)品設(shè)計(jì)，進(jìn)行必要改良與嚴(yán)格測(cè)試。產(chǎn)品設(shè)計(jì)與改良有：

Infinity Flex屏幕頂部保護(hù)層已延伸至外邊框，使其成為結(jié)構(gòu)的一部分，不會(huì)被撕除掉。

加入多項(xiàng)強(qiáng)化設(shè)計(jì)，避免異物影響，以及為裝置提供更高的保護(hù)性。包括在鉸鏈頂部和底部，增加了強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的保護(hù)罩；在Infinity Flex屏幕下方新增金屬結(jié)構(gòu)層，為屏幕帶來(lái)更強(qiáng)悍的保護(hù)；使鉸鏈設(shè)計(jì)和機(jī)身的間隙減少。