據(jù)《路透社》報導，全球化學品大廠杜邦（DUPONT）宣布，將斥資2,800萬美元在韓國建立光阻劑工廠。而對于這樣的消息，韓國媒體報導指出，如此一來三星等韓國大型科技廠商將不用再過度依賴日本供應相關產(chǎn)品，達到產(chǎn)品來源多元化的目的。

另外，就是三星在晶圓代工上大舉采用EUV設備的情況下，杜邦也看好韓國市場的成長性，因此決心進行在韓國本地的投資。

《路透社》指出，目前杜邦在韓國已有2座工廠。而據(jù)韓國貿(mào)易部官員表示，杜邦公司除了將繼續(xù)投資韓國的兩座現(xiàn)有工廠，還將新設一座新工廠。至于投資的地點將是距離首爾南方92公里，已有杜邦廠房的忠清南道天安市，投資時間則為2020~2021年。

自2019年中開始，韓國與日本開始起貿(mào)易爭端，使得日本開始限制對韓國出口包括光阻劑在內(nèi)的3種關鍵半導體原材料，這讓包括三星在內(nèi)的韓國科技企業(yè)過去90%依賴日本供應的情況，后來必須尋找替代來源，還要加速發(fā)展自身半導體原材料的研發(fā)與供應。

不過，就在2019年12月，日本宣布部分取消對韓國光阻劑的出口限制。而對于日本就光阻劑出口的松綁，韓國方面則是表示，雖然日本最近松綁了對光阻劑的出口管制，但這不是根本解決方案。

韓國媒體《ETnews》報導，日本企業(yè)一直在EUV所使用的光阻劑生產(chǎn)上領先，包括日本JSR公司、信越化學、東京應化工業(yè)（TOK）等3家公司占全球供應量的90%以上。因此，隨著日本政府在2019年限制EUV使用的光阻劑出口韓國之后，日本的壟斷情況更加明顯。

但是隨著杜邦成為日本產(chǎn)品的替代方案，除了可以逐漸讓韓國對光阻劑多元化來源的目標達成之外，也顯示杜邦看到了韓國未來的市場成長性，填補韓國市場對光組劑需求的缺口。

報導進一步指出，目前杜邦的EUV光組劑技術尚未達到可以將其完整應用到相關制程上的地步，但是，藉韓國在科技制造業(yè)的成熟環(huán)境，預計杜邦的光阻劑生產(chǎn)技術將會快速的發(fā)展。

另外，由于杜邦在韓國的新投資，韓國國內(nèi)的高科技材料供應也有望產(chǎn)生更大的變化，因為隨著杜邦成為日本產(chǎn)品的替代者，韓國現(xiàn)有的企業(yè)似乎正在考慮以杜邦的替代方案來持續(xù)韓國的市場需求，這可能將成為韓國政府未來繼續(xù)與日本談判的籌碼。

據(jù)國外媒體報道，韓國巨頭三星電子副董事長Kim Ki-nam周二表示，內(nèi)存芯片市場開始出現(xiàn)改善跡象，這使得三星電子需要仔細考慮其位于京畿道平澤市的第二季內(nèi)存芯片工廠的啟動時間。

這位三星電子副董事長在拉斯維加斯舉行的CES展會上對媒體表示：“有跡象表明市場正在復蘇。但是現(xiàn)在還很難預測市場復蘇了多少，也很難預測哪些因素將會起作用。”

三星的第二座內(nèi)存芯片生產(chǎn)工廠即將建成，其面積相當于400個足球場，該工廠計劃在今年內(nèi)投產(chǎn)。韓亞金融學院發(fā)表的一份報告稱，芯片價格有可能在今年第一季度內(nèi)趨向穩(wěn)定，并且在第二季度中恢復。

Kim表示，三星有可能根據(jù)市場的動向，很快決定何時啟動他們在平澤建設的第二家內(nèi)存芯片工廠。他說到：“我們將根據(jù)不斷變化的市場情況，以及我們的（業(yè)務）安排作出決定?！爸劣谶@家工廠是否會大量生產(chǎn)先進的NAND芯片，Kim表示：”這也需要取決于市場狀況?！?/p>

該公司周三發(fā)布的初步財務報告顯示，三星電子的半導體業(yè)務有望在今年上半年迎來反彈，結(jié)束去年的下降趨勢。

今天早些時候，三星宣布該公司在2019年第四季度中獲得了59萬億韓元（約502億美元）的銷售額，營業(yè)利潤為7.1萬億韓元。

由于芯片需求以及價格的下跌，該公司的銷量和營業(yè)利潤分別下降了0.46%和34.26%。

2019年全年，該公司營業(yè)利潤同比下降52.95%，至27.71萬億韓元；營收同比下降5.85%，至229.52億韓元。這是該公司自2015年以來最低的營業(yè)利潤，也是自2016年以來最低的營收。

市場觀察者表示，芯片市場的疲軟有望最早在今年第一季度有所緩解，并且指出三星發(fā)布的第四季度財報預測稍稍超出了市場預期。

半導體行業(yè)如今已經(jīng)顯示了復蘇的跡象，同時，由于5G服務以及可折疊屏幕手機的推出，市場對智能手機的需求也迎來了提升。一些分析師預計，三星今年的運營利潤最高可能提升40%。

三星電子發(fā)布四季度業(yè)績指引，稱運營利潤將減少34%至60.9億美元；年利潤減少53%至240億美元，創(chuàng)2015年最低，以及10年來最大降幅。此外，四季度營收下降0.5%至500億美元。

三星電子表示，其第四季度營業(yè)利潤降幅將小于預期，表明內(nèi)存芯片價格觸底反彈的速度快于此前分析師的預期。三星的這一展望，增強了其業(yè)務復蘇的希望。

全球經(jīng)濟疲軟抑制了數(shù)據(jù)中心客戶的之處，內(nèi)存芯片庫存量上升影響了其價格，受此影響，此前持續(xù)繁榮了兩年的內(nèi)存芯片行業(yè)迎來寒冬，2018年末開始，作為全世界規(guī)模最大的內(nèi)存芯片制造商，三星芯片業(yè)務的經(jīng)營一直處于掙扎。

但是好消息是，芯片價格已經(jīng)出現(xiàn)了反彈的勢頭，因此今年外界對于該行業(yè)的情緒較為樂觀，預計市場對內(nèi)存芯片需求今年將會回歸。

在晶圓代工龍頭臺積電幾乎通吃市場7納米制程產(chǎn)品的情況下，競爭對手三星在7納米制程上幾乎無特別的訂單斬獲。為了再進一步與臺積電競爭，三星則開始發(fā)展6納米制程產(chǎn)線與臺積電競爭，而且也在2019年12月開始進行量產(chǎn)。三星希望藉由6納米制程的量產(chǎn)，進一步縮小與臺積電之間的差距。

根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，三星在發(fā)展出7納米制程之后的8個月內(nèi)就推出了6納米制程產(chǎn)品，顯示其在晶圓代工領域上的微縮時間開始縮短。并且藉由2019年12月就開始量產(chǎn)的6納米制程，期望能進一步減少與臺積電之間的差距。

報導還引用三星合作伙伴的說法指出，三星的6納米制程產(chǎn)品已經(jīng)開始交付給北美的大型客戶使用。而根據(jù)韓國市場人士的推測，此北美大型客戶極有可能為行動處理器龍頭高通。

報導進一步指出，三星是在2019年12月在韓國京畿道的華城廠區(qū)S3線內(nèi)開始量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術的6納米制程。而在此之前，三星在2019年4月就開始向全球客戶提供7納米制程的產(chǎn)品。如今，再推出6納米產(chǎn)品的時間僅差距8個月，顯示其進行制程微縮的時間正在縮短。而與7納米產(chǎn)品相比，6納米產(chǎn)品提供了芯片更小的尺寸，更低的能耗，以及更高的運算效能。

事實上，雖然三星在2019年4月份就開始對全球客戶進行7納米制程產(chǎn)品的供應，不過隨后的接單情況一直不盡理想。

根據(jù)集邦咨詢半導體產(chǎn)業(yè)研究中心（DRAMeXchange）的最新報告指出，2019年第4季，臺積電在全球晶圓代工市場的市占率為52.7%，與三星則僅有17.8%，雙方之間的差距不緊沒有縮小，而且還在擴大之中。而這情況連過去與三星關系頗佳的高通，也都在2019年技術高峰會上所發(fā)表的7款產(chǎn)品，其中4款交由臺積電的7納米制程來生產(chǎn)，其他三星則拿下3項產(chǎn)品，這情況就可以察覺，臺積電的不斷成長，對于三星的壓力有多巨大。

報導還表示，三星過去未能追趕上臺積電的主要原因是，是三星在14納米和10納米制程之后，開發(fā)7納米制程的時間太晚。這使得臺積電透過其成熟的7納米制程，為蘋果獨家生產(chǎn)了A系列處理器。

而相較之下，三星在2014年首次將14納米FinFET制程商業(yè)化之后，但在7納米制程的開發(fā)中卻失去了與臺積電競爭的優(yōu)勢。目前，7納米產(chǎn)品在三星銷售中所占的比例很小。為了克服這個問題，三星正在加緊研發(fā)，以縮短7納米以下先進制程的開發(fā)周期。

目前在大量生產(chǎn)6納米制程產(chǎn)品之后，三星計劃在2020年上半年推出5納米制程產(chǎn)品。此外，三星電子可能會在2020年上半年量產(chǎn)3納米制程產(chǎn)品。日前，三星已經(jīng)宣布完成以GAA技術為基礎的3納米制程的開發(fā)工作，藉由GAA技術可以克服半導體制程微縮的瓶頸，進一步朝下個節(jié)點前進。

三星電子(Samsung Electronics)已成功開發(fā)出業(yè)界首款3納米GAA制程技術，副會長李在熔(Lee Jae-yong)上周四(1月2日)訪問了華城(Hwaseong)芯片廠的半導體研發(fā)中心，討論相關的商業(yè)化議題。

BusinessKorea、韓國先驅(qū)報(Korea Herald)報導，三星電子新開發(fā)的3納米GAA制程技術，有望協(xié)助公司達成“2030年半導體愿景”(即于2030年在系統(tǒng)半導體、存儲器芯片領域成為業(yè)界領導者)。GAA是當前FinFET技術的升級版，可讓芯片商進一步縮小微芯片體積。

李在熔2日訪問了華城芯片廠，聽取3納米制程技術的研發(fā)簡報，并跟裝置解決方案(device solutions, DS)事業(yè)群的主管討論次世代半導體策略方針。

跟5納米相較，采用3納米GAA制程技術的芯片尺寸小了35%、電力消耗量降低50%，但運算效能卻能拉高30%。三星計畫在2022年量產(chǎn)3納米芯片。

三星去(2019)年發(fā)布了133萬億韓元(約1118.5億美元)的投資計劃，目標是在2030年成為全球頂尖的系統(tǒng)單芯片(SoC)制造商。

近日，據(jù)國外媒體報道，韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部日前表示，韓國化工企業(yè)已確立能以高純度大量生產(chǎn)氟化氫的制造技術。氟化氫被用于晶圓的清洗等方面。

外媒稱，韓國化工企業(yè)“Soul Brain”新設和擴建了制造工廠，可將液體氟化氫的雜質(zhì)減少至“1萬億分之一”。這一純度可用于要求極高純度的半導體制造。?

韓國經(jīng)濟媒體認為，生產(chǎn)規(guī)模將能滿足韓國國內(nèi)70至80％左右的需求。

去年9月，外媒曾報道，三星電子開始在半導體生產(chǎn)線上試用韓國企業(yè)加工的氟化氫。

外媒當時表示，在高純度的氟化氫市場，日本廠商大約占據(jù)8至9成份額。三星電子對于是否全面采用日本造以外的氟化氫仍持謹慎態(tài)度。

Samsung因兩款旗艦機Galaxy S10、Note 10屏下指紋識別引發(fā)信息安全問題，主要系若在屏幕上貼上保護貼，只要有殘留保護貼上的指紋印，任何人按壓指紋都可解鎖，故傳聞Samsung將放棄手機屏下指紋識別，改采用「飛時測距模塊」(ToF)的3D人臉識別方案，但Samsung仍未下最后決定。

目前iPhone仍采用結(jié)構(gòu)光方案的3D人臉識別系統(tǒng)，但也有傳聞2020年iPhone將改回指紋識別。

屏下指紋識別相較3D人臉識別仍具方便、屏占比高及成本優(yōu)勢

目前屏下指紋識別有光學式及超聲波式兩種方案，Samsung本次出現(xiàn)問題的Galaxy S10、Note 10系采較高階的超聲波指紋識別，Samsung于中低階的A系列及其他陸系品牌也已導入光學式指紋識別，預期未來屏下指紋驗識將逐漸取代傳統(tǒng)電容式。

雖然信息安全問題導致傳聞Samsung將在2020下半年上市的Galaxy Note 11改采用TOF方案的3D人臉識別，但目前以Apple結(jié)構(gòu)光方案來說，仍有屏幕劉海、成本較高及反應速度較慢等問題，且部分重要專利在Apple手上，也使得Android手機陣營采用困難，而Android手機陣營想采用的TOF方案則受限識別率較差及體積過大問題仍待改善。

屏下指紋識別由于不需指紋感測按鍵，可提高屏幕占比方便使用，且較3D人臉識別具成本優(yōu)勢，預期仍是未來主流發(fā)展，只是本次事件影響可能使Samsung 2020下半年旗艦機種改采用光學式指紋識別，或同時結(jié)合光式指紋識別及3D人臉識別，不至于在旗艦機種完全拋棄屏下指紋識別。

光學式屏下指紋識別滲透率提升仍待LCD方案出臺

光學式屏下指紋識別于OLED機型滲透率逐漸提升，而LCD機型則受限技術限制無法量產(chǎn)。

OLED機型可采用光學式指紋識別系因OLED為自發(fā)光源，當光往上打到手指時，利用OLED可讓2～3%反射光穿透屏幕特性，再被屏下指紋傳感器接收進行解鎖功能；LCD機型則受限LCD屏幕與指紋傳感器間被背光模塊隔開，需要解決透光問題而無法使用，故原先預期光學式屏下指紋識別無法使用在LCD機型上。

然而坊間已傳出2019年華為開發(fā)者大會上由京東方制作的LCD屏下指紋工程機照片，而京東方于2019年10月29日在投資者關系互動平臺上也表示，該廠商LCD屏下指紋識別已有解決方案，產(chǎn)品化方案已與手機品牌廠商持續(xù)溝通中，更早之前也曾于6月的2019全球顯示菁英峰會上表示將于2019年底量產(chǎn)。

再加上匯頂科技于2019年第三季投資者交流會議上也表示針對LCD之光學屏下指紋識別方案將于2019年底推出，結(jié)合LCD領導廠商與指紋識別領導廠商說法，可預期LCD采用光學式指紋識別之技術已被克服。

只要LCD機型也能搭載光學式屏下指紋識別，將全面打開光學式屏下指紋識別市場，預期將加速取代電容式指紋識別，因此也預期2020～2021年光學式屏下指紋識別將持續(xù)呈現(xiàn)高成長態(tài)勢。

繼12月10日，西安三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資啟動后，西安和三星的深化合作再次邁上一個新臺階。

據(jù)西安日報報道，12月15日，三星（中國）半導體有限公司12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啟動。

據(jù)了解，三星電子一期投資108億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目。二期項目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，其中，第一階段投資約70億美元，明年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資80億美元，2021年下半年竣工。

項目一期于2014年5月竣工投產(chǎn)，項目二期于2018年3月正式開工建設，其中第一階段投資70億美元。三星（中國）半導體有限公司董事長任伯均表示，三星電子二期第一階段項目進展順利，明年三月將實現(xiàn)量產(chǎn)。

二期項目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，占三星電子全球產(chǎn)量的40%，新增產(chǎn)值300億元，成為全球規(guī)模最大的閃存芯片生產(chǎn)基地，并帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安形成較為完整的半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

據(jù)西安日報報道，自2012年落戶西安以來，三星電子建成了高端存儲芯片、封裝測試項目和電子研發(fā)中心，涉及金融、貿(mào)易、動力電池、建筑工程等多個領域，累計投資250億美元，是三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目。