從“尚未決定”到“最終落戶”,三星電子第二階段二期投資終于落戶西安。據(jù)最新消息,三星電子在西安的閃存芯片項(xiàng)目二期投資80億美元落地。在今年5月份,三星電子曾表示,尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產(chǎn)線進(jìn)行額外投資的計劃,具體情況將取決于市場狀況。
第二階段80億美元投資正式啟動
12月10日,三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段80億美元投資正式啟動。據(jù)了解,這是三星電子在西安閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段投資。
2012年,西安高新區(qū)成功引進(jìn)三星電子存儲芯片項(xiàng)目,成為了三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項(xiàng)目,一期投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項(xiàng)目和封裝測試項(xiàng)目,于2014年5月竣工投產(chǎn)。
二期項(xiàng)目總投資150億美元,2018年3月正式開工建設(shè),主要制造閃存芯片。其中,第一階段投資約70億美元,明年3月竣工投產(chǎn);第二階段投資80億美元,2021年下半年竣工。據(jù)了解,三星電子閃存芯片二期項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片,新增產(chǎn)值300億元,帶動一批配套電子信息企業(yè)落戶。
早在2019年5月,“三星電子二期投資即將落地”的傳言在業(yè)內(nèi)散開,隨后,三星電子公司公開表示,尚未決定對中國西安的第二條閃存芯片生產(chǎn)線進(jìn)行額外投資的計劃,否認(rèn)了中國國內(nèi)媒體的報道。并表示第二期投資情況將取決于存儲市場的走勢。
“鎧俠的跳電事件導(dǎo)致產(chǎn)能下降,加上各廠商的減產(chǎn)等因素,NAND Flash的單價有所回升。”分析師楊俊剛對《中國電子報》記者說。
存儲芯片回暖,三星二階段提前落地
2019年年初,閃存芯片價格大幅下跌,全球許多知名閃存制造商,選擇放緩擴(kuò)張計劃,并宣布減產(chǎn)。經(jīng)過了一年的價位下滑,年底存儲市場或?qū)⒂瓉碇沟磸棥?jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新預(yù)測,2019年第三季度,NAND Flash廠商營收季增10%,約達(dá)到119億美元。
“明年閃存市場回暖,需求量增加,三星在此時加快擴(kuò)產(chǎn)在情理之中?!笔袌龇治鰩燑S陽棋對記者說。
11月25日,據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布最新預(yù)測報告,稱三星電子在新產(chǎn)能方面,西安二期仍依規(guī)劃于2020年上半年投產(chǎn)。十五天后,三星電子二期第二階段的投資落地,比分析機(jī)構(gòu)預(yù)測的提前。
楊俊剛表示,提前決定二廠的投資,將會引進(jìn)新設(shè)備,快速的擴(kuò)充產(chǎn)能,應(yīng)對市場的需求。三星這個投資將會增加新制程產(chǎn)能,繼續(xù)鞏固三星存儲器龍頭的地位,繼續(xù)加大中國存儲器市場份額。
“由于三星在韓國的12廠和16廠,設(shè)備比較陳舊,未來應(yīng)對新的市場機(jī)遇將會減產(chǎn),提升新制程,將產(chǎn)能往西安和平澤轉(zhuǎn)移,屆時西安廠將會持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能,預(yù)計達(dá)到18萬片/月。”楊俊剛說。
“西安將成為三星的主要NAND生產(chǎn)基地,三星的擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步加大三星在NAND領(lǐng)域的市場份額,擴(kuò)大優(yōu)勢地位。三星西安工廠的擴(kuò)產(chǎn)將帶動國內(nèi)下游的存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展?!秉S陽棋說。