7月1日，西安高新區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工、竣工儀式舉行，據(jù)西安高新區(qū)消息，此次集中竣工投用儀式的項(xiàng)目共有25個(gè)，總投資560億元，包括三星12英寸閃存芯片二期一階段項(xiàng)目，西安高新區(qū)發(fā)文指出，這些項(xiàng)目的順利投產(chǎn)，將為高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入更強(qiáng)大的動(dòng)能，進(jìn)一步鞏固高新區(qū)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地的地位。

資料顯示，三星存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目2012年落戶西安高新區(qū)，一期項(xiàng)目于2014年5月竣工投產(chǎn)，總投資108億美元，建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目和封裝測(cè)試項(xiàng)目；二期項(xiàng)目總投資150億美元，主要制造閃存芯片，分兩個(gè)階段進(jìn)行，其中第一階段項(xiàng)目總投資70億美元；第二階段投資80億美元，已于去年年底啟動(dòng)建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2020年3月10日，三星（中國(guó)）半導(dǎo)體有限公司高端存儲(chǔ)芯片二期第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品正式下線上市。

據(jù)此前的消息指出，三星高端存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目建成后將新增產(chǎn)能每月13萬片，新增產(chǎn)值300億元，解決上千人就業(yè)，并帶動(dòng)一批配套電子信息企業(yè)落戶，使西安成為全球水平最高、規(guī)模最大的閃存芯片制造基地。

三星12英寸閃存芯片二期一階段項(xiàng)目竣工投用最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

3月10日，陜西省發(fā)改委正式發(fā)布2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃，確定實(shí)施600個(gè)省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，其中續(xù)建項(xiàng)目312個(gè)、新開工項(xiàng)目188個(gè)、前期項(xiàng)目100個(gè)，項(xiàng)目總投資3.4萬億元。

根據(jù)陜西省2020年省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目計(jì)劃名單，三星12英寸閃存芯片一階段（二期）、西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地（一期）、華天集成電路封裝及測(cè)試技術(shù)改造等入列續(xù)建項(xiàng)目，三星（西安）12英寸閃存芯片（二期）二階段入列新開工項(xiàng)目，咸陽(yáng)8-12吋晶圓生產(chǎn)線入列前期項(xiàng)目。

媒體報(bào)道稱，2012年三星落戶西安，一期項(xiàng)目已于2014年建成投產(chǎn)，二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段，其中第一階段于2018年新建，預(yù)計(jì)將在今年3月竣工投產(chǎn)，3月10日消息顯示第一階段項(xiàng)目產(chǎn)品下線上市；第二階段于2019年12月正式啟動(dòng)，預(yù)計(jì)將于2021年下半年竣工。

陜西發(fā)布省重點(diǎn)項(xiàng)目 三星、華天、奕斯偉等企業(yè)項(xiàng)目入列最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

新冠肺炎疫情擴(kuò)散帶動(dòng)各大資料中心擴(kuò)大建置規(guī)模，推升服務(wù)器存儲(chǔ)器需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，加上5G手機(jī)推陳出新，以及三星、SK海力士和美光等主要供應(yīng)商庫(kù)存下滑等因素催動(dòng)，第2季DRAM、NAND Flash、NOR Flash等三大存儲(chǔ)器行情看漲，助攻南亞科、華邦電、旺宏、威剛、群聯(lián)等廠商營(yíng)運(yùn)。

目前主要大廠正密集與系統(tǒng)/模組廠進(jìn)行第2季合約價(jià)議價(jià)。渠道商透露，包括三星等主要供應(yīng)商已通知調(diào)漲下季DRAM、儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）合約價(jià)，漲幅都達(dá)雙位數(shù)。

編碼型快閃存儲(chǔ)器（NOR Flash）方面，因中國(guó)大陸主要大廠復(fù)工、出貨不順，中國(guó)臺(tái)灣指標(biāo)廠旺宏已決定第2季調(diào)漲NOR Flash合約價(jià)，漲幅逾一成。

盡管市調(diào)機(jī)構(gòu)及法人擔(dān)心新冠肺炎疫情沖擊全球經(jīng)濟(jì)，導(dǎo)致終端消費(fèi)需求減弱，不過存儲(chǔ)器市場(chǎng)受惠于疫情帶動(dòng)宅經(jīng)濟(jì)大好，網(wǎng)購(gòu)、電商、線上游戲、電競(jìng)游戲逆勢(shì)成長(zhǎng)，首季三大存儲(chǔ)器需求仍強(qiáng)，其中，因資料中心擴(kuò)大服務(wù)器建置，推升服務(wù)器用的DRAM和NAND Flash需求更為強(qiáng)勁。

存儲(chǔ)器模組廠宇瞻總經(jīng)理張家鯤透露，很多系統(tǒng)廠受到返工率緩慢，以及供應(yīng)斷鏈影響，工廠停工甚至整機(jī)出不了貨，但來自資料中心、電競(jìng)和電商等宅經(jīng)濟(jì)的拉貨力道強(qiáng)勁，兩項(xiàng)因素相抵，主要存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商仍不愿降價(jià)，宇瞻等主要買家想補(bǔ)貨，也不易拿到低價(jià)。

另外，本季因服務(wù)器市場(chǎng)拉貨，包括三星、SK海力士和美光等三大DRAM廠庫(kù)存水位降到四至六周，加上5G新手機(jī)搭載DRAM位元數(shù)量大增，預(yù)估下半年DRAM市場(chǎng)供給將短缺，推升價(jià)格上漲；NAND Flash下半年供應(yīng)會(huì)更緊張。

存儲(chǔ)器業(yè)者表示，首季DRAM、NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)因備貨需求增加，漲幅遠(yuǎn)大于合約價(jià)，預(yù)期第2季在中國(guó)大陸系統(tǒng)廠復(fù)工率逐步提升下，合約價(jià)也將跟上漲幅，與現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)差將縮小。

系統(tǒng)廠也證實(shí)，旺宏下季將調(diào)漲NOR Flash和SLC NAND Flash合約價(jià)，漲幅逾一成。主因大陸相關(guān)芯片生產(chǎn)重鎮(zhèn)武漢封城，以及多個(gè)省市進(jìn)行封閉式管理，導(dǎo)致產(chǎn)品出貨延誤，在考量風(fēng)險(xiǎn)下，備貨采購(gòu)訂單已大幅提高臺(tái)廠備貨比重。

三大存儲(chǔ)器Q2合約價(jià)喊漲最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

先進(jìn)的封裝技術(shù)簡(jiǎn)化了高復(fù)雜度多芯SoC生產(chǎn)，提高了其性能，因此，半導(dǎo)體行業(yè)正將芯片組SoC視為大型芯片的替代方法，從而避免開發(fā)時(shí)間較長(zhǎng)，制造成本昂貴等缺點(diǎn)。但設(shè)計(jì)2.5D多芯片有其自身的特點(diǎn)，這就是為什么三星晶圓廠及其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為其客戶提供了一個(gè)特殊的2.5D-IC多芯集成（MDI）設(shè)計(jì)流程，該流程結(jié)合了對(duì)早期系統(tǒng)級(jí)尋路的分析和實(shí)現(xiàn)，以幫助克服潛在問題。本月，Synopsys的芯片開發(fā)軟件支持了三星2.5D-IC MDI流程，以簡(jiǎn)化工程師開發(fā)過程。

三星晶圓廠目前使用7LPP（7nm帶有多個(gè)EUV層）制造工藝和SUB20LPIN硅中介層生產(chǎn)芯片，并且為這些芯片提供2.5D-IC MDI流程。該公司表示，其2.5D-IC MDI流程可幫助客戶在設(shè)計(jì)的早期階段解決多芯片與封裝之間的耦合噪聲等問題，從而減少解決問題所花費(fèi)的時(shí)間，最終意味著降低開發(fā)成本，克服性能問題，并加快產(chǎn)品上市時(shí)間?，F(xiàn)在，用于開發(fā)SoC的Synopsys Fusion Design Platform和Custom Design Platform軟件包都支持三星2.5D-IC MDI流程。?

這些程序特點(diǎn)是硅中介層的自動(dòng)創(chuàng)建和布線；微泵、TSV和C4緩沖器之間的布線；電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)；多芯片和中介層的EM/IR分析；HBM和高速接口的信號(hào)完整性分析等等。 Synopsys的設(shè)計(jì)解決方案使多芯片集成設(shè)計(jì)環(huán)境更容易，更高效，并幫助三星晶圓廠客戶提供更快，性能更高的2.5D-IC產(chǎn)品。

新軟件簡(jiǎn)化了三星晶圓廠2.5D 7nm多芯SoC設(shè)計(jì)開發(fā)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

全球最大的晶圓代工廠臺(tái)積電在7納米產(chǎn)能熱銷之后，現(xiàn)在又專心在5納米及3納米開發(fā)，并且還將眼光放在更先進(jìn)的2納米研發(fā)，這些進(jìn)展看在韓國(guó)媒體眼里也不得不承認(rèn)，相較于三星正苦于不確定性增加，兩家公司的差距未來將會(huì)越來越大。

根據(jù)韓國(guó)媒體《Business Korea》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電計(jì)劃在2019年或2020年第1季時(shí)啟動(dòng)5納米制程，并且在2021或2022年啟動(dòng)3納米制程。一旦順利量產(chǎn)，藉由3納米制程生產(chǎn)的芯片，性能有望較5納米制程產(chǎn)品提升35%，效率提高50%，與最先進(jìn)的7納米制程芯片相較，7納米制程產(chǎn)品將被遠(yuǎn)遠(yuǎn)拋在后面。

臺(tái)積電曾表示，相信摩爾定律依然有效。依據(jù)摩爾定律，半導(dǎo)體的電晶體數(shù)目每隔18個(gè)月會(huì)增加1倍，性能也提升1倍，盡管有人仍會(huì)提及物理限制，臺(tái)積電仍強(qiáng)調(diào)，摩爾定律的基礎(chǔ)將會(huì)延伸到1納米制程之后。

臺(tái)積電補(bǔ)充，有能力達(dá)到1納米制程，目前預(yù)計(jì)將在2納米制程技術(shù)投資65億美元，并在2024年開始制造基于該技術(shù)的產(chǎn)品。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，對(duì)臺(tái)積電循序漸進(jìn)、且越來越精密的制程發(fā)展計(jì)劃，對(duì)三星來說是沉重的負(fù)擔(dān)。三星原本目標(biāo)是在2030年前在全球晶圓代工市場(chǎng)占最大市占率，但許多因素讓這目標(biāo)不再樂觀，包括之前日本對(duì)光阻等半導(dǎo)體生產(chǎn)原料出口限制，導(dǎo)致三星的不確定性不斷增加等。

一位韓國(guó)業(yè)內(nèi)人士指出，目前三星已完成3納米技術(shù)研發(fā)，現(xiàn)正招聘許多具極紫外線（EUV）制程的相關(guān)設(shè)備技術(shù)人員，加速采用EUV技術(shù)的制程研發(fā)。該人士也表示，在外部不確定因素增加情況下，投資和相關(guān)規(guī)劃仍必須在不確定性問題解決后，才可能有進(jìn)展。

臺(tái)積電先進(jìn)制程持續(xù)不斷 韓媒擔(dān)憂三星最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

不讓Sony專美于前，近年三星在圖像傳感器市場(chǎng)動(dòng)作同樣頻頻，繼先前推出全球首個(gè)超過1億像素的圖像傳感器ISOCELL Bright HMX，24日再發(fā)表全球單位像素最小的圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，單位像素縮小到0.7μm(微米)，主攻強(qiáng)調(diào)輕薄的無邊框手機(jī)市場(chǎng)。

24日三星發(fā)表0.7μm圖像傳感器ISOCELL Slim GH1，解析度達(dá)4370萬像素（43.7Mp），這是三星繼2015年推出首個(gè)1μm圖像傳感器、在64MP和108MP像素發(fā)展到使用0.8μm后的再一新突破，也刷新了業(yè)界最小單位像素尺寸圖像傳感器紀(jì)錄。

三星指出，透過自家的最新像素隔離技術(shù)ISOCELL Plus，可最大程度減少色彩串?dāng)_（cross-talk）與光學(xué)損失（optical loss），讓0.7μm像素傳感器也能吸收足夠的光源，保持成像色彩鮮明和鮮艷，而在低光源環(huán)境下支援Tetracell技術(shù)，會(huì)將像素進(jìn)行合成，可表現(xiàn)相當(dāng)于1.4μm圖像傳感器甚至更高的光敏感度，GH1也支持4K影像錄影。

GH1為三星圖像傳感器品牌ISOCELL中的ISOCELL Slim產(chǎn)品線，主要主打輕薄、面向智能手機(jī)市場(chǎng)，GH1的推出，主要鎖定目前無邊框、全面屏的手機(jī)市場(chǎng)。ISOCELL Slim GH1預(yù)計(jì)將于今年底進(jìn)行量產(chǎn)。

目前圖像傳感器市場(chǎng)仍由Sony獨(dú)大，三星在2017年為自家圖像傳感器ISOCELL分設(shè)了四個(gè)產(chǎn)品線，除了Slim還包含Bright、Fast、Dual，分別主打色彩還原、快速自動(dòng)對(duì)焦、雙鏡頭系統(tǒng)不同功能與應(yīng)用市場(chǎng)，并增加了新的Auto產(chǎn)品線搶攻車用圖像傳感器，企圖用明確的應(yīng)用市場(chǎng)搶食Sony的這塊市場(chǎng)大餅。

三星狂追Sony！再推首個(gè)0.7μm圖像傳感器最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開發(fā)了。

三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)。

在3nm節(jié)點(diǎn)，三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據(jù)官方所說，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開發(fā)及生產(chǎn)。

在這次的日本SFF會(huì)議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標(biāo)，與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

在工藝進(jìn)度上，三星今年4月份已經(jīng)在韓國(guó)華城的S3 Line工廠生產(chǎn)7nm芯片，今年內(nèi)完成4nm工藝開發(fā)，2020年完成3nm工藝開發(fā)。

三星明年完成3nm GAA工藝開發(fā) 性能大漲35%最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

各大晶圓代工廠商密集召開2019年第二季法人說明會(huì)，相較于第一季的慘淡，各廠商第二季營(yíng)收已有稍稍回神跡象，尤其是臺(tái)積電、Samsung兩大廠商，預(yù)計(jì)2019下半年除可依賴先進(jìn)制程需求外，其他成熟節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)也會(huì)成為兩大廠商在不景氣的2019年中另一重要成長(zhǎng)動(dòng)能。

第一梯隊(duì)廠商侵入二、三梯隊(duì)市場(chǎng)

由于2019年全球政治局勢(shì)極度不穩(wěn)定，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自2018年底便已亮出紅燈警訊，業(yè)界傳出臺(tái)積電、Samsung皆于2019上半年積極在部分較成熟產(chǎn)品線中，爭(zhēng)取客戶訂單的市場(chǎng)訊息。

事實(shí)上，若細(xì)看在晶圓代工領(lǐng)域擁有絕對(duì)市占的臺(tái)積電，其過往毛利表現(xiàn)從2016年第二季51.5%，逐步下滑至2019年第二季40%出頭。

然其7nm營(yíng)收占比卻也與過往最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)營(yíng)收，同樣保持在20～30%間的比重，推估拉低臺(tái)積電毛利表現(xiàn)的主要原因并不是先進(jìn)制程推廣不佳所致，而是在2019年不景氣的市況氛圍下，臺(tái)積電為保持其營(yíng)收持續(xù)正成長(zhǎng)，朝向較成熟卻低毛利的市場(chǎng)入侵，進(jìn)而擠壓其他二、三線晶圓代工廠商空間。

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臺(tái)系廠商市場(chǎng)占比將再次攀升

2019年晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，大者恒大的趨勢(shì)更加明顯，臺(tái)積電、Samsung兩大廠商有望帶動(dòng)臺(tái)灣地區(qū)、韓國(guó)兩區(qū)域占比再次成長(zhǎng)。其中，臺(tái)灣地區(qū)因受到Samsung在2017年5月拆分晶圓代工事業(yè)部之影響，導(dǎo)致其區(qū)域占比自2016年67%快速下滑至2018年60%，此一現(xiàn)象將在2019年重新反轉(zhuǎn)，在臺(tái)積電引領(lǐng)下，2019年臺(tái)灣地區(qū)占比將成長(zhǎng)至62%。

為保持營(yíng)收正成長(zhǎng) 晶圓代工第一梯隊(duì)廠侵入二、三梯隊(duì)市場(chǎng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)加劇，日本管制關(guān)鍵高純度氟化氫等應(yīng)用在極紫外光（EUV）原料輸韓，直接打亂三星沖刺7納米以下先進(jìn)制程布局，預(yù)料受原料管制趨嚴(yán)下，三星要藉沖刺先制程搶食臺(tái)積電晶圓代工大餅的難度大增，并加速臺(tái)積電拉大和三星差距。

日本限制光阻劑、高純度氟化氫及聚醯亞胺等關(guān)鍵半導(dǎo)體原料輸韓，雖然南韓半導(dǎo)體廠仍可透過專案審查程序申請(qǐng)，但進(jìn)口時(shí)程將由過去簡(jiǎn)化程序拉長(zhǎng)至90天（專案審查期），包括三星和SK海力士除均對(duì)外收購(gòu)既有三項(xiàng)原料存貨外，也透過專案申請(qǐng)、加速他廠認(rèn)證雙管齊下，希望將沖擊降至最低。

半導(dǎo)體業(yè)者表示，由于目前三星和SK海力士存儲(chǔ)器庫(kù)存仍高，日本管制光阻劑等三項(xiàng)半導(dǎo)體原料輸韓，韓廠可將生產(chǎn)快閃存儲(chǔ)器（Flash）的原料轉(zhuǎn)去支援利潤(rùn)較高的DRAM，并趁機(jī)抬高價(jià)格、消化庫(kù)存，對(duì)三星和全球DRAM供給，短期還不會(huì)構(gòu)成太大影響。

不過，日本廠商生產(chǎn)用于先進(jìn)制程的高純度氟化氫，目前替代廠商占比極低，將直接沖擊三星在半導(dǎo)體先進(jìn)制程布局。

據(jù)了解，三星稍早也曾透過中國(guó)臺(tái)灣廠商轉(zhuǎn)手賣給三星，不過臺(tái)廠擔(dān)心臺(tái)韓出口高純度氟化氫，將遭日本原廠發(fā)現(xiàn)異常，拒絕這項(xiàng)交易，讓三星吃到閉門羹。

高純度氟化氫是在采用極紫外光（EUV）進(jìn)行光罩制程時(shí)，要讓積體電路精準(zhǔn)對(duì)位的蝕刻材料，而三星也靠著7納米制程導(dǎo)入EUV微影設(shè)備并成功搶下高通和輝達(dá)等前往下單的重要利器。

如今日本管制這項(xiàng)原料輸韓，雖然三星正自行生產(chǎn)這項(xiàng)關(guān)鍵化學(xué)品，但這又等于讓制程良率增添變數(shù)，而且三星也是領(lǐng)先全球把EUV設(shè)備導(dǎo)入生產(chǎn)更先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品的大廠。

半導(dǎo)體業(yè)者分析，三星發(fā)展7納米以下制程受阻，未來要追趕臺(tái)積電，得花費(fèi)更大的財(cái)力和物力 ，日韓貿(mào)易戰(zhàn)其實(shí)反而助攻臺(tái)積電拉大和三星差距。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)牽動(dòng)7納米競(jìng)爭(zhēng) 臺(tái)積電狠甩三星最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

在先進(jìn)制程的發(fā)展上，臺(tái)積電與三星一直有著激烈的競(jìng)爭(zhēng)。雖然，臺(tái)積電已經(jīng)宣布將在 2020 年正式量產(chǎn) 5 納米制程。不過，三星也不甘示弱，預(yù)計(jì)透過新技術(shù)的研發(fā)，在 2021 年推出 3 納米制程的產(chǎn)品。根據(jù)三星表示，其將推出的 3 納米制程產(chǎn)品將比當(dāng)前的 7 納米制程產(chǎn)品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面積也再減少 45%。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，三星 14 日于美國(guó)加州所舉辦的晶圓制造論壇 (Samsung Foundry Forum) 上宣布，目前三星正在開發(fā)一項(xiàng)名為 ?環(huán)繞柵極 (gate all around，GAA) ? 的技術(shù)，這個(gè)被稱為當(dāng)前 FinFET 技術(shù)進(jìn)化版的生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)π酒诵牡木w管進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改造，使其更小更快。三星指出，預(yù)計(jì) 2021 年透過這項(xiàng)技術(shù)所推出的 3 納米制程技術(shù)，將能使得三星在先進(jìn)制程方面與臺(tái)積電及英特爾進(jìn)行抗衡，甚至超越。而且，能夠解決芯片制造縮小過程中所帶來的工程難題，以延續(xù)摩爾定律的持續(xù)發(fā)展。

而根據(jù)國(guó)際商業(yè)戰(zhàn)略咨詢公司 (International Business Strategies) 執(zhí)行長(zhǎng) Handel Jones 表示，目前三星正透過強(qiáng)大的材料研究讓晶圓制造技術(shù)獲得發(fā)展。而在 GAA 的技術(shù)發(fā)展上，三星大約領(lǐng)先臺(tái)積電 1 年的時(shí)間，而英特爾封面則是落后三星 2 到 3 年。三星也強(qiáng)調(diào)，GAA 技術(shù)的發(fā)展能夠期待未來有更好的圖形技術(shù)，人工智能及其他運(yùn)算的進(jìn)步，以確保未來包括智能型手機(jī)、手表、汽車、以及智慧家庭產(chǎn)品都能夠有更好的效能。

事實(shí)上，之前三星就宣布將在未來 10 年內(nèi)投資1,160 億美元來發(fā)展非存儲(chǔ)器項(xiàng)目的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以成為未來全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)霸主。其中，透過 GAA 技術(shù)發(fā)展的 3 納米制程技術(shù)就是其中重要的關(guān)鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前臺(tái)積電客戶的青睞，以獲取更多晶圓生產(chǎn)上的商機(jī)。

三星計(jì)劃2021年推GAA技術(shù)3納米制程最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。