三星 Galaxy S10 系列全球剛開賣，另一系列的 Galaxy Note 10 已有消息曝光。根據(jù)南韓媒體《ETNews》報(bào)導(dǎo)，三星 Galaxy Note 10 系列將搶在蘋果秋季發(fā)表會前的 8 月發(fā)表，且全機(jī)可能采用無物理按鍵設(shè)計(jì)。

報(bào)導(dǎo)指出，三星 Galaxy Note 10 將商用所謂的無按鍵技術(shù)，也就是這款手機(jī)預(yù)計(jì)取消電源和音量物理按鍵。為此三星開發(fā)了一種技術(shù)，無需觸摸按鈕就可開啟和關(guān)閉電源，以及增大或降低音量，Galaxy Note 10 或會成為三星首款無按鍵設(shè)計(jì)手機(jī)。

三星始終致力于此技術(shù)應(yīng)用到 Galaxy Note 系列智能手機(jī)，之前還向一家名為 NDT 的公司購買提供類似 3D Touch 壓力感測器的無按鍵模塊。未來三星不僅將無按鍵技術(shù)應(yīng)用于 Galaxy Note 系列手機(jī)，還可能將技術(shù)下放到 Galaxy A 系列等中階手機(jī)。

報(bào)導(dǎo)還指出，三星除了針對 Galaxy Note 10 研發(fā)無按鍵技術(shù)，還致力于消除前置鏡頭的開孔設(shè)計(jì)，也就是可望達(dá)成隱藏式屏幕下攝影鏡頭。如果三星 Galaxy Note 10 搭載該技術(shù)，這將使無按鍵手機(jī)時代正式來臨，未來甚至?xí)绊懙秸w供應(yīng)鏈。

近幾年隨著手機(jī)屏幕尺寸擴(kuò)大，三星 Galaxy S 系列和 Galaxy Note 系列定位變得模糊。部分市場人士認(rèn)為，Galaxy Note 系列已沒有存在的必要。如果不是還有 S Pen，Galaxy Note 系列和 Galaxy S 系列幾乎沒有太大差別。

不過，依照三星的定義，除了最初的大屏幕和商務(wù)手寫定位，Galaxy Note 系列還承擔(dān)三星新技術(shù)試水溫的角色。如三星 Galaxy Note 3 試用 USB 3.0 界面，Galaxy Note edge 試用單邊曲面屏幕，Galaxy Note 7 試用虹膜辨識。不過近兩年 Galaxy Note 系列手機(jī)因過于注重銷量穩(wěn)定，缺乏亮點(diǎn)。

如 Galaxy Note10 真采用全機(jī)無按鍵設(shè)計(jì)，相信會和 Galaxy S10 系列形成更明顯的定位差異，并吸引一批追求新技術(shù)的粉絲，也讓市場有所期待。

三星推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。該公司新的Flashbolt存儲器堆棧將性能提高了33%，并提供每個晶元雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM，這是一個合適的場合，因?yàn)镹VIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2內(nèi)存最大的用戶之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八個16-Gb存儲器晶元，這些晶元使用TSV（通過硅通孔）以8-Hi堆棧配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位總線，每個引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率為3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高達(dá)410GB/s的帶寬。

三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準(zhǔn)下一代數(shù)據(jù)中心，HPC，AI/ML和圖形應(yīng)用程序。通過使用具有4096位存儲器界面的處理器的四個Flashbolt堆棧，開發(fā)人員可以獲得具有1.64TB/s峰值帶寬的64GB內(nèi)存，這對于容量和帶寬需求大的晶元來說將是一個很大的優(yōu)勢。使用兩個KGSD，它們可獲得32GB的DRAM，峰值帶寬為820GB/s。

三星表示自己尚未開始批量生產(chǎn)Flashbolt HBM2E內(nèi)存，但是已完成該技術(shù)的開發(fā)。

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告統(tǒng)計(jì)，由于包含智能手機(jī)在內(nèi)的大部分終端市場出現(xiàn)需求疲乏的現(xiàn)象，導(dǎo)致先進(jìn)制程發(fā)展驅(qū)動力下滑，晶圓代工業(yè)者在2019年第一季就面臨著相當(dāng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)估第一季全球晶圓代工總產(chǎn)值將較2018年同期衰退約16%，達(dá)146.2億美元。其中市占率排名前三的分別為臺積電、三星與格羅方德。盡管臺積電市占率達(dá)48.1%，但第一季營收年成長率衰退近18%。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院還指出，2019年第一季晶圓代工業(yè)者排名與去年相比變化不大，僅力晶因12英寸代工需求下滑而面臨被高塔半導(dǎo)體反超的風(fēng)險(xiǎn)。

觀察前十大晶圓代工業(yè)者第一季的表現(xiàn)，包括臺積電(TSMC)、三星(Samsung LSI)、格芯 (GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電(UMC)、中芯(SMIC)、力晶(Powerchip)等業(yè)者，因12英寸晶圓代工市場需求疲軟，第一季營收表現(xiàn)較去年同期下滑幅度均來到兩位數(shù)。

反觀以8英寸晶圓代工為主要業(yè)務(wù)的高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)、世界先進(jìn)(Vanguard)、華虹半導(dǎo)體(Hua Hong)、東部高科(Dongbu HiTek)等業(yè)者，盡管8英寸晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的現(xiàn)象已漸舒緩，年成長率表現(xiàn)仍不如去年同期亮眼。但相較于以12英寸為主力的晶圓代工廠第一季兩位數(shù)的衰退幅度，可以說其在半導(dǎo)體市場相對不景氣的第一季中穩(wěn)住陣腳。

市占率第一的臺積電雖受到光阻液事件導(dǎo)致晶圓報(bào)廢，重要智能手機(jī)客戶銷售不如預(yù)期以及加密貨幣熱潮消退等影響，但在第一季依舊穩(wěn)居晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭寶座。

展望臺積電2019年市況，除原本應(yīng)于第一季出貨的訂單延后至第二季外，與海思(Hisilicon)、高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)、超微(AMD)等客戶間的合作也將陸續(xù)貢獻(xiàn)營收，因此營收有望從第一季的谷底逐季攀升。

三星于2017年上半年將晶圓代工業(yè)務(wù)切割獨(dú)立后，因?yàn)樽约襍ystem LSI的助力，市占率排名第二。據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估算，三星來自外部客戶的營收僅約四成左右。

三星近年力推多項(xiàng)目晶圓服務(wù)(Multi-Project Wafer，MPW)，除積極對外爭取先進(jìn)制程的服務(wù)外，位于韓國器興(Giheung)的8英寸產(chǎn)線也將逐步對三星的晶圓代工的營收做出貢獻(xiàn)。三星目標(biāo)在2023年前拿下25%的市場占有率。

展望2019年，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值將逼近七百億美元大關(guān)。然而，2019年第一季影響市場需求的雜音仍然不斷，除了受到傳統(tǒng)淡季影響，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟、庫存水位偏高、車市需求下滑、Intel CPU缺貨以及中國經(jīng)濟(jì)成長降速等等因素影響外，全球貿(mào)易不穩(wěn)定也讓市場充滿極大的不確定性。

若全球政經(jīng)形勢在上半年無法明顯好轉(zhuǎn)，拓墣產(chǎn)業(yè)研究院對于2019年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的看法將轉(zhuǎn)趨保守，甚至不排除總產(chǎn)值出現(xiàn)罕見的負(fù)成長。

在當(dāng)前智能型手機(jī) DRAM 存儲器容量需求越來越大的情況下，韓國存儲器大廠三星 14 日宣布，已開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)界首款 12G LPDDR4X 手機(jī)用行動式DRAM 存儲器。新的行動式DRAM存儲器具有比大多數(shù)超薄筆記型計(jì)算機(jī)更高的容量，可以讓使用者能夠充分利用下一代智能型手機(jī)的功能。

三星表示，隨著新 LPDDR4X DRAM 存儲器的大規(guī)模生產(chǎn)，三星現(xiàn)在提供全面的先進(jìn)存儲器產(chǎn)品陣容，為搭載 12GB 行動式DRAM 和 512GB eUFS 3.0 快閃存儲器的智能型手機(jī)提供更高性能。

而受惠于 12GB 行動式DRAM 存儲器的量產(chǎn)，智能型手機(jī)制造商可以最大限度的發(fā)揮 5 個以上攝影鏡頭，和不斷增加的熒幕尺寸，以及人工智能和 5G 功能的終端設(shè)備潛力。因此，對于智能型手機(jī)用戶而言，12GB DRAM 存儲器可以在超大型高分辨率屏幕上瀏覽應(yīng)用程序，以達(dá)到更流暢的多工處理和更快速的搜尋效能。

三星 12GB行動式DRAM 存儲器使用的是第 2 代 1y 納米的制程所打造，其模塊上共有 6 顆 LPDDR4X 芯片，組合而成總和 12GB 的容量。此外，透過使用三星的第 2 代 1y 納米制程，新的 12GB 行動型 DRAM 存儲器可提供每秒 34.1GB 的資料傳輸速率，同時最大限度地降低因 DRAM 容量增加，而導(dǎo)致的功耗增加，以提升手機(jī)電池的使用續(xù)航力。

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據(jù)韓國媒體報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器，能夠應(yīng)用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、消費(fèi)類電子、汽車等，提升數(shù)據(jù)保存的能力。

報(bào)道指出，三星MRAM方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以功耗也很優(yōu)秀。

另外，這一方案結(jié)構(gòu)簡單，可以通過在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計(jì)中添加最少的層數(shù)來實(shí)現(xiàn)，減輕了三星進(jìn)行新設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān)，并降低了生產(chǎn)成本。

隨著三星大規(guī)模量產(chǎn)首款商用MRAM產(chǎn)品，業(yè)界開始猜測，具有低成本、更優(yōu)速度和功率優(yōu)勢的MRAM是否會在未來取代DRAM與NAND，進(jìn)而改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局？

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)認(rèn)為，MRAM在電信特性上與現(xiàn)有的DRAM與NAND相似，但互有優(yōu)劣。使用MRAM，需要改變平臺的架構(gòu)，因此未來MRAM可能會取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態(tài)的存儲器解決方案，但不會完全取代DRAM/NAND。

此外，DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM與DRAM/NAND配合，可以取得省電以及性能的優(yōu)勢，另一方面，新的存儲器加入，也能夠避免原先存儲器解決方案若有大缺貨發(fā)生時的價格不穩(wěn)定狀況。