近期，全球存儲器產(chǎn)業(yè)似乎不平靜。2019年12月31日，韓國三星旗下位于華城園區(qū)內(nèi)的相關(guān)產(chǎn)線發(fā)生短暫跳電事件，使得全球DRAM及NAND Flash供應(yīng)鏈繃緊神經(jīng)。

如今，又傳出原名為東芝存儲器的鎧俠(Kioxia)位于日本三重縣四日市的產(chǎn)線發(fā)生火警的狀況。

根據(jù)鎧俠對客戶所發(fā)布的通知顯示，2020年1月7日上午6點10分，位于日本三重縣四日市的Fab6工廠，內(nèi)部設(shè)備發(fā)生了火警。目前火勢已撲滅，沒有造成任何人員傷亡。

至于相關(guān)的起火原因及工廠生產(chǎn)設(shè)備的損害狀況，目前仍在進行調(diào)查與統(tǒng)計中。在相關(guān)損害統(tǒng)計資料完成后，對于客戶的供貨造成影響，將會在第一時間內(nèi)通知。

市場分析人士指出，雖然火勢很快被撲滅，但是因為火災(zāi)發(fā)生在工廠的無塵室內(nèi)，有可能造成該廠短期內(nèi)無法正常運作，對市場沖擊恐大于先前三星跳電事件，加劇第一季合約價上漲走勢。

據(jù)悉，F(xiàn)ab 6由Kioxia與Western Digital共同投資，在2018年9月才正式開幕，主要生產(chǎn)當(dāng)今供給主流的64層及96層3D NAND。

事實上，鎧俠位于日本三重縣四日市的工廠，也在2019年6月15日發(fā)生大約13分鐘的跳電情況。當(dāng)時包含F(xiàn)ab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6在內(nèi)的全體廠區(qū)皆受沖擊，使得整個NAND Flash的供應(yīng)鏈供貨都受到了影響，而且時間長達一整季。

如今，在當(dāng)前NAND Flash價格逐漸走出低檔回溫，韓國三星甚至宣布將在2020年進行擴產(chǎn)的情況下，再傳出鎧俠工廠的火災(zāi)事件，預(yù)料將使得NAND Flash的價格有進一步上漲的空間。至于，相關(guān)事件的后續(xù)變化，也將會持續(xù)進行掌握。

鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）近日宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現(xiàn)高集成化。新的單元的設(shè)計中采用浮柵電荷存儲層（Floating Gate）代替電荷陷阱型電荷存儲層（Charge Trap），尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。

鎧俠已率先在此單元設(shè)計中實現(xiàn)了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時，鎧俠也證明這種新的單元結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于進一步提高容量的超多值存儲單元中。鎧俠于12月11日（當(dāng)?shù)貢r間）在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表了上述成果。

截至目前，諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過增加單元的堆棧層數(shù)以實現(xiàn)大容量。但是，隨著單元的堆棧層數(shù)超過100層，高縱寬比的加工越來越困難。為了解決這一問題，鎧俠在新的單元結(jié)構(gòu)中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸，并且可以通過較少的單元堆疊層數(shù)實現(xiàn)更高的位密度。

得益于曲率效應(yīng)，與平面單元相比，圓形存儲單元可以確保寫入窗口并有效抑制寫入飽和。新的單元結(jié)構(gòu)中采用了半圓形，可以繼續(xù)利用曲率效應(yīng)。此外，新的單元在電荷存儲層中采用了高電荷捕獲率的導(dǎo)體材料，并且在阻斷膜（BLK Film）中采用了高介電常數(shù)的絕緣材料以減少漏電流（圖1）。

圖1.Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view

實驗表明，與圓形存儲單元相比，半圓形結(jié)構(gòu)具有更小的單元尺寸，更高的寫入斜率和更寬的寫入/擦除窗口（圖2）。

圖2.Experimental program/erase characteristics comparing the semicircular FG cells with the circular CT cells

另外，仿真顯示，得益于特性的改善，尺寸更小的半圓形存儲單元預(yù)期可以取得與傳統(tǒng)圓形單元中4位/單元（Quadruple-Level Cell）相等同的Vt分布。同時，通過采用低陷阱硅通道，更可實現(xiàn)5位/單元（Penta-Level Cell）的Vt分布（圖3）。

圖3.Simulated Vt distributions after programming using calibrated parameters

上述結(jié)果顯示，半圓形存儲單元是實現(xiàn)大容量超多值單元的可行方案。

今后鎧俠將繼續(xù)為該技術(shù)的實用化進行研發(fā)。此外，鎧俠正在積極推進閃存技術(shù)的研發(fā)，在此次IEDM 2019，鎧俠還發(fā)表了其他6篇論文。

來源：鎧俠株式會社，截至2019年12月12日。

據(jù)日本經(jīng)濟新聞和共同通信報道，正進行營運重建的東芝（Toshiba）決定將旗下掛牌上市的 4 家子公司中的 3 家收編為完全子公司，分別為工程公司東芝工廠系統(tǒng)與服務(wù)株式會社（Toshiba Plant Systems & Services）、船舶電氣系統(tǒng)制造商西芝電機株式會社（Nishishiba Electric），以及半導(dǎo)體制造設(shè)備生產(chǎn)商NuFlare Technology。

消息指出，東芝將在要約收購中投入2000億日元，并通過股票公開買賣(TOB)的形式從其他股東手中收購這3家子公司的股票，同時將持股比重提高至100%，且預(yù)計3家子公司將會面臨退市。

報道指出，東芝已于13日舉行的董事會上決議進行上述TOB計劃，而對象包含生產(chǎn)發(fā)電設(shè)備的Toshiba Plant Systems & Services、生產(chǎn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的NuFlare Technology以及生產(chǎn)船舶產(chǎn)業(yè)的電機系統(tǒng)的西芝電機。

目前，東芝在這3家子公司的持股比重達50.0%~54.9%，接下來東芝將會以一定水平的溢價價格對這3家子公司實施TOB計劃。

值得注意的是，東芝另一家上市子公司Toshiba TEC不在此次的TOB對象內(nèi)。對此，東芝13日發(fā)布新聞稿表示，該公司目前正在召開董事會中，一旦做出相關(guān)決議將迅速對外公布。

9月25日，日本以經(jīng)營基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的東芝基礎(chǔ)設(shè)施三重工廠發(fā)生火警，火勢在一個小時內(nèi)隨即撲滅，因為工廠內(nèi)沒有員工在工作，因此沒有傳出任何的傷亡情況。

根據(jù)日本媒體報導(dǎo)，25日下午1時30分左右，位在日本三重縣朝日町的“東芝基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)三重工廠”發(fā)生火警，火勢大約在一個小時后就被撲滅。當(dāng)?shù)氐木奖硎荆驗榘l(fā)生火警的工廠當(dāng)時并沒有東芝基礎(chǔ)設(shè)施的員工在其中工作，因此這場火警并沒有傳出任何員工傷亡的消息。至于，相關(guān)的起火原因目前并不清楚，正由警方調(diào)查中。

有消息稱，這次發(fā)生火警的地點，正是在全球市場舉足輕重、以生產(chǎn)NAND Flash的東芝存儲器工廠。并且傳聞這是繼6月份東芝工廠發(fā)生斷電事件，進而造成3.2億美元損失之后的最大事件。

不過，根據(jù)《彭博社》的報導(dǎo)，對于這場火警在網(wǎng)絡(luò)上謠傳的消息，東芝方面已經(jīng)出面正式否認。東芝的相關(guān)對外發(fā)言窗口指出，這次發(fā)生火警的“東芝基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)三重工廠”與東芝存儲器工廠無關(guān)，目前東芝存儲器工廠也都正常營運中。

根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。

東芝已經(jīng)開始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新產(chǎn)品都將與新一代的PCIe標準相一致，BiCS 5將很快與PCIe 4.0同步上市，但該公司沒有提供具體的時間表。BiCS5將具有更高的帶寬1200 MT/s，而BiCS6將達到1600 MT/s， BiCS7將達到2000 MT/s。

該公司還開始研究5bit PLC的NAND閃存，新的閃存提供了更高的密度，每個單元可以存儲5位，而目前的QLC只能存儲4位。PLC將有更少的PE和更慢的性能，但新的NVMe協(xié)議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能提升。

根據(jù)韓國媒體《KoreaBusiness》報導(dǎo)指出，之前因停電事件而造成東芝日本四日市NAND Flash快閃存儲器產(chǎn)線生產(chǎn)暫停的狀況，如今東芝已經(jīng)排除，進一步加入量產(chǎn)的行列。不過，也因為東芝的重新恢復(fù)量產(chǎn)，讓市場人士對NAND Flash的供過于求情況再次產(chǎn)生疑慮。

報導(dǎo)指出，隨著日韓貿(mào)易戰(zhàn)的升溫，再加上自6月以來，東芝因為停電事件所造成全球NAND Flash產(chǎn)能約5%的缺口，使得過去一段時間以來，NAND Flash的市場價格由止跌回穩(wěn)的情況。

根據(jù)統(tǒng)計，2019年7月份以來，128GB的NAND Flash市場價格已經(jīng)上揚了2.04%，減緩了過去供過于求而造成跌價的壓力，不過，這樣的情況隨著東芝產(chǎn)線的恢復(fù)生產(chǎn)，可能會有所改變。

東芝因為自6月中開始，因為停電的狀況造成位于日本四日市的5條NAND Flash產(chǎn)線中的2條停擺，而這些產(chǎn)線所生產(chǎn)出來的NAND Flash快閃存儲器不僅提供給東芝使用，也提供給西數(shù)（WD）來使用，停產(chǎn)的結(jié)果使得全球NAND Flash的供應(yīng)量約產(chǎn)生了5%的缺口。

對于這樣的情況，市場分析師認為有助于緩減過去NAND Flash市場供應(yīng)過剩，進而造成價格下跌的情況。如今，在東芝產(chǎn)線恢復(fù)生產(chǎn)之后，還一并恢復(fù)了在停電事件前減少的15%到20%的產(chǎn)能利用率，使得市場憂慮心理再起。

報導(dǎo)進一步指出，東芝積極恢復(fù)產(chǎn)能的原因，在于東芝準備進行IPO計劃。日前，東芝存儲器已經(jīng)確認將自2019年的10月1日改名為Kioxia，開始為IPO的計劃進行布局。

不過，原定于2019年年底的IPO計劃，因美中與日韓貿(mào)易戰(zhàn)的升溫，為市場投下許多不確定因素的影響，目前已經(jīng)確定將延后至2020年第1季進行。市場分析師認為，隨著之前其他NAND Flash的減產(chǎn)行動，讓整體NAND Flash市場開始有所回溫的情況，恐將因為東芝的恢復(fù)生產(chǎn)也重新打回原形。未來要如何解套，有待后續(xù)觀察。

東芝存儲器總部位于美國的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存儲器（SCM）解決方案：XL-FLASH 。

XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，每單元1比特SLC，將為數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預(yù)計將于2020年開始量產(chǎn)。

介于DRAM和NAND Flash之間，XL-FLASH的速度快，延遲低，并且有更高的存儲容量。和傳統(tǒng)DRAM相比它的成本也更低。一開始XL-FLASH是被布局在SSD產(chǎn)品上，但之后也會應(yīng)用在DRAM的產(chǎn)品上，比如未來行業(yè)標準的非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMMs)。

主要特點

128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝） ；

4KB Page大小，高效的操作系統(tǒng)的讀寫 ；

16-plane更高效的并行架構(gòu) ；

快速的讀取頁面和編程時間，XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲，比現(xiàn)有TLC快10倍。

東芝存儲器子公司TMA存儲業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我們?yōu)槌笠?guī)模制造商和企業(yè)服務(wù)器/存儲供應(yīng)商提供了一種更具成本效益，更低延遲的存儲解決方案，彌補了DRAM與NAND性能之間的差距?！?/p>

注：本文根據(jù)東芝官網(wǎng)文章編譯，原文鏈接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html

商務(wù)合作請加微信：izziezeng

加入集邦半導(dǎo)體交流群，請加微信：DRAMeXchange2019