近期，全球存儲器產業(yè)似乎不平靜。2019年12月31日，韓國三星旗下位于華城園區(qū)內的相關產線發(fā)生短暫跳電事件，使得全球DRAM及NAND Flash供應鏈繃緊神經。
如今，又傳出原名為東芝存儲器的鎧俠(Kioxia)位于日本三重縣四日市的產線發(fā)生火警的狀況。
根據鎧俠對客戶所發(fā)布的通知顯示，2020年1月7日上午6點10分，位于日本三重縣四日市的Fab6工廠，內部設備發(fā)生了火警。目前火勢已撲滅，沒有造成任何人員傷亡。
至于相關的起火原因及工廠生產設備的損害狀況，目前仍在進行調查與統(tǒng)計中。在相關損害統(tǒng)計資料完成后，對于客戶的供貨造成影響，將會在第一時間內通知。
市場分析人士指出，雖然火勢很快被撲滅，但是因為火災發(fā)生在工廠的無塵室內，有可能造成該廠短期內無法正常運作，對市場沖擊恐大于先前三星跳電事件，加劇第一季合約價上漲走勢。
據悉，Fab 6由Kioxia與Western Digital共同投資，在2018年9月才正式開幕，主要生產當今供給主流的64層及96層3D NAND。
事實上，鎧俠位于日本三重縣四日市的工廠，也在2019年6月15日發(fā)生大約13分鐘的跳電情況。當時包含Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6在內的全體廠區(qū)皆受沖擊，使得整個NAND Flash的供應鏈供貨都受到了影響，而且時間長達一整季。
如今，在當前NAND Flash價格逐漸走出低檔回溫，韓國三星甚至宣布將在2020年進行擴產的情況下，再傳出鎧俠工廠的火災事件，預料將使得NAND Flash的價格有進一步上漲的空間。至于，相關事件的后續(xù)變化，也將會持續(xù)進行掌握。
]]>鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）近日宣布開發(fā)出創(chuàng)新的儲存單元結構“Twin BiCS FLASH”。該結構將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲單元的柵電極分割為半圓形來縮小單元尺寸以實現高集成化。新的單元的設計中采用浮柵電荷存儲層（Floating Gate）代替電荷陷阱型電荷存儲層（Charge Trap），尺寸也比傳統(tǒng)的圓形單元更小。
鎧俠已率先在此單元設計中實現了高寫入斜率和寬寫入/擦除窗口。同時，鎧俠也證明這種新的單元結構可應用于進一步提高容量的超多值存儲單元中。鎧俠于12月11日（當地時間）在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上發(fā)表了上述成果。
截至目前，諸如BiCS FLASH之類的3D閃存通過增加單元的堆棧層數以實現大容量。但是，隨著單元的堆棧層數超過100層，高縱寬比的加工越來越困難。為了解決這一問題，鎧俠在新的單元結構中將常規(guī)圓形單元的柵電極分割為半圓形以減小單元尺寸，并且可以通過較少的單元堆疊層數實現更高的位密度。
得益于曲率效應，與平面單元相比，圓形存儲單元可以確保寫入窗口并有效抑制寫入飽和。新的單元結構中采用了半圓形，可以繼續(xù)利用曲率效應。此外，新的單元在電荷存儲層中采用了高電荷捕獲率的導體材料，并且在阻斷膜（BLK Film）中采用了高介電常數的絕緣材料以減少漏電流（圖1）。
圖1.Fabricated semicircular FG cells (a) Cross-sectional view (b) Plane view
實驗表明，與圓形存儲單元相比，半圓形結構具有更小的單元尺寸，更高的寫入斜率和更寬的寫入/擦除窗口（圖2）。
圖2.Experimental program/erase characteristics comparing the semicircular FG cells with the circular CT cells
另外，仿真顯示，得益于特性的改善，尺寸更小的半圓形存儲單元預期可以取得與傳統(tǒng)圓形單元中4位/單元（Quadruple-Level Cell）相等同的Vt分布。同時，通過采用低陷阱硅通道，更可實現5位/單元（Penta-Level Cell）的Vt分布（圖3）。
圖3.Simulated Vt distributions after programming using calibrated parameters
上述結果顯示，半圓形存儲單元是實現大容量超多值單元的可行方案。
今后鎧俠將繼續(xù)為該技術的實用化進行研發(fā)。此外，鎧俠正在積極推進閃存技術的研發(fā)，在此次IEDM 2019，鎧俠還發(fā)表了其他6篇論文。
來源：鎧俠株式會社，截至2019年12月12日。
]]>據日本經濟新聞和共同通信報道，正進行營運重建的東芝（Toshiba）決定將旗下掛牌上市的 4 家子公司中的 3 家收編為完全子公司，分別為工程公司東芝工廠系統(tǒng)與服務株式會社（Toshiba Plant Systems & Services）、船舶電氣系統(tǒng)制造商西芝電機株式會社（Nishishiba Electric），以及半導體制造設備生產商NuFlare Technology。
消息指出，東芝將在要約收購中投入2000億日元，并通過股票公開買賣(TOB)的形式從其他股東手中收購這3家子公司的股票，同時將持股比重提高至100%，且預計3家子公司將會面臨退市。
報道指出，東芝已于13日舉行的董事會上決議進行上述TOB計劃，而對象包含生產發(fā)電設備的Toshiba Plant Systems & Services、生產半導體制造設備的NuFlare Technology以及生產船舶產業(yè)的電機系統(tǒng)的西芝電機。
目前，東芝在這3家子公司的持股比重達50.0%~54.9%，接下來東芝將會以一定水平的溢價價格對這3家子公司實施TOB計劃。
值得注意的是，東芝另一家上市子公司Toshiba TEC不在此次的TOB對象內。對此，東芝13日發(fā)布新聞稿表示，該公司目前正在召開董事會中，一旦做出相關決議將迅速對外公布。
]]>今年7月，東芝存儲器宣布將于2019年10月1日正式更名為Kioxia公司。全球所有東芝存儲器公司都會采用新的品牌名稱Kioxia，基本上同一天生效。
最新消息是，10月8日，東芝存儲官方微信發(fā)文稱，鎧俠股份有限公司（原東芝存儲）近日宣布將以新的公司名稱正式運營，即時生效。鎧俠也正式發(fā)布了新的企業(yè)標識和品牌名稱。鎧俠新標識的銀色將成為公司的鎧俠企業(yè)標識色。
同時，新公司標識和顏色現在在鎧俠的官方網站、產品標簽和其他渠道上顯示：www.kioxia.com. 不過，東芝指出，固態(tài)硬盤、SD存儲卡和USB閃存盤等消費級個人零售產品在2019年將繼續(xù)以東芝存儲品牌發(fā)布，從2020年起將以鎧俠品牌發(fā)布。
鎧俠控股公司執(zhí)行主席Stacy J. Smith表示，“作為全世界存儲設備解決方案的領先者，公司將繼續(xù)發(fā)展，不僅滿足未來對于存儲設備的需求，并且實現用存儲設備推動世界發(fā)展的使命?！?/p>
]]>9月25日，日本以經營基礎設施建設的東芝基礎設施三重工廠發(fā)生火警，火勢在一個小時內隨即撲滅，因為工廠內沒有員工在工作，因此沒有傳出任何的傷亡情況。
根據日本媒體報導，25日下午1時30分左右，位在日本三重縣朝日町的“東芝基礎設施系統(tǒng)三重工廠”發(fā)生火警，火勢大約在一個小時后就被撲滅。當地的警方表示，因為發(fā)生火警的工廠當時并沒有東芝基礎設施的員工在其中工作，因此這場火警并沒有傳出任何員工傷亡的消息。至于，相關的起火原因目前并不清楚，正由警方調查中。
有消息稱，這次發(fā)生火警的地點，正是在全球市場舉足輕重、以生產NAND Flash的東芝存儲器工廠。并且傳聞這是繼6月份東芝工廠發(fā)生斷電事件，進而造成3.2億美元損失之后的最大事件。
不過，根據《彭博社》的報導，對于這場火警在網絡上謠傳的消息，東芝方面已經出面正式否認。東芝的相關對外發(fā)言窗口指出，這次發(fā)生火警的“東芝基礎設施系統(tǒng)三重工廠”與東芝存儲器工廠無關，目前東芝存儲器工廠也都正常營運中。
]]>集邦咨詢：光寶科將出售東芝固態(tài)存儲事業(yè)，此合并案綜效可期
光寶科技(Lite-On)于2019年8月30日宣布將以股權出售方式將固態(tài)存儲事業(yè)部轉讓給東芝存儲器(TMCHD)，交易金額暫定為1.65億美元，TMCHD預計明年上半年完成購并。集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)認為，Lite-On旗下的固態(tài)存儲事業(yè)具效率與靈活度的優(yōu)勢，TMCHD將有機會借著此次購并產生質的飛躍。
集邦咨詢研究協(xié)理陳玠瑋認為，從雙方SSD產品線與市場地位來看，此次購并應有互補的效果。TMCHD在Enterprise SSD市場的經營上，以SAS和SATA界面產品為主要營收來源，但對于未來主流的PCIe界面還在追趕龍頭廠商的階段。至于Lite-On方面，其Enterprise SSD產品線目前主打的就是PCIe界面，且已有打入龍頭資料中心/服務器OEM的量產經驗。
在Client OEM和Client Retail SSD市場方面，TMCHD雖然都占有一席之地，但是市占率卻始終無法大幅提升，即便之前已合并渠道品牌廠OCZ，也未見明顯起色。相較之下，Lite-On雖不具備NAND Flash廠商所具備的Client SSD成本優(yōu)勢，但仍憑借著軟件研發(fā)實力與生產彈性，在Client OEM和Client Retail市場建立不錯的口碑。
集邦咨詢認為，未來雙方合并后，若銷售策略正確、分工明確，并結合雙方研發(fā)能量，憑著TMCHD原廠具備的深厚NAND Flash相關研發(fā)資源與OEM端的測試、認證的經驗，輔以Lite-On所擁有的研發(fā)能量、效率與靈活度，此次購并案應能發(fā)揮一加一大于二的綜效。
]]>光寶科8月30日召開重大訊息說明，表示公司董事會通過，擬依企業(yè)并購法第35條規(guī)定，將旗下固態(tài)儲存(SSD)事業(yè)部門分割讓予100%持股的子公司建興，然后再以股權出售方式，將固態(tài)儲存事業(yè)部轉讓予日本存儲器大廠東芝(TMC)。
而其中出售的內容包括存貨、機器設備、員工團隊、技術與知識產權、客戶供應商關系等營業(yè)與資產，交易對價金額暫定為現金1.65億美元，而整起股權出售案預計2020年4月1日完成。
光寶科表示，此次分割的凈資產帳面價值為新臺幣44.82億元。而分割后由既存子公司建興發(fā)行新股，計發(fā)行普通股約4.48億股，給光寶科作為移轉營業(yè)價值的對價，而該部分分割案預計2019年12月12日完成。
之后，光寶科再以股權出售方式，將固態(tài)儲存事業(yè)部轉讓予東芝存儲器，其中除了業(yè)務與資產讓予之外，其還包括約1,000名員工的團隊，再加上技術與知識產權、客戶供應商關系等，其對價金額暫定為1.65億美元，而整起股權出售案預計2020年4月1日完成。
對此，光寶集團副董事長暨總執(zhí)行長陳廣中表示，有鑒于全球市場數據儲存需求成長，透過此交易促成固態(tài)儲存事業(yè)垂直整合，不僅豐富產業(yè)上下游資源，亦可快速提升營運規(guī)模，達到固態(tài)儲存事業(yè)與東芝存儲器公司雙贏。
光寶儲存事業(yè)成立于1995年，該事業(yè)部于2008年設立個人電腦固態(tài)儲存事業(yè)部，并于2014年設置企業(yè)和云端計算資料中心固態(tài)儲存事業(yè)部。該事業(yè)部現為業(yè)界領先的固態(tài)硬碟開發(fā)與制造商，提供企業(yè)和個人電腦客戶高度定制化的解決方案，知名客戶遍及美洲、歐洲和亞洲。
光寶科表示，光寶集團積極朝云端運算、LED照明、汽車電子、智能制造、IoT等領域轉型；并持續(xù)專注核心技術和競爭力，優(yōu)化獲利能力與產品組合，進而提升股東、客戶與員工長期利益。此股權出售交割將視各地主管機關核準進度，預計得在2020年4月1日完成。該交易對光寶財務業(yè)務并無產生重大影響，將視實際交易完成時，依法令規(guī)定辦理相關公告與申報。
]]>根據Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
東芝已經開始計劃其BiCS閃存的第五代到第七代的研發(fā)。每一代新產品都將與新一代的PCIe標準相一致，BiCS 5將很快與PCIe 4.0同步上市，但該公司沒有提供具體的時間表。BiCS5將具有更高的帶寬1200 MT/s，而BiCS6將達到1600 MT/s， BiCS7將達到2000 MT/s。
該公司還開始研究5bit PLC的NAND閃存，新的閃存提供了更高的密度，每個單元可以存儲5位，而目前的QLC只能存儲4位。PLC將有更少的PE和更慢的性能，但新的NVMe協(xié)議特性以及Dram閃存和控制芯片會帶來一些性能提升。
]]>東芝停電產線恢復生產最先出現在北京中代科技有限公司。
]]>根據韓國媒體《KoreaBusiness》報導指出，之前因停電事件而造成東芝日本四日市NAND Flash快閃存儲器產線生產暫停的狀況，如今東芝已經排除，進一步加入量產的行列。不過，也因為東芝的重新恢復量產，讓市場人士對NAND Flash的供過于求情況再次產生疑慮。
報導指出，隨著日韓貿易戰(zhàn)的升溫，再加上自6月以來，東芝因為停電事件所造成全球NAND Flash產能約5%的缺口，使得過去一段時間以來，NAND Flash的市場價格由止跌回穩(wěn)的情況。
根據統(tǒng)計，2019年7月份以來，128GB的NAND Flash市場價格已經上揚了2.04%，減緩了過去供過于求而造成跌價的壓力，不過，這樣的情況隨著東芝產線的恢復生產，可能會有所改變。
東芝因為自6月中開始，因為停電的狀況造成位于日本四日市的5條NAND Flash產線中的2條停擺，而這些產線所生產出來的NAND Flash快閃存儲器不僅提供給東芝使用，也提供給西數（WD）來使用，停產的結果使得全球NAND Flash的供應量約產生了5%的缺口。
對于這樣的情況，市場分析師認為有助于緩減過去NAND Flash市場供應過剩，進而造成價格下跌的情況。如今，在東芝產線恢復生產之后，還一并恢復了在停電事件前減少的15%到20%的產能利用率，使得市場憂慮心理再起。
報導進一步指出，東芝積極恢復產能的原因，在于東芝準備進行IPO計劃。日前，東芝存儲器已經確認將自2019年的10月1日改名為Kioxia，開始為IPO的計劃進行布局。
不過，原定于2019年年底的IPO計劃，因美中與日韓貿易戰(zhàn)的升溫，為市場投下許多不確定因素的影響，目前已經確定將延后至2020年第1季進行。市場分析師認為，隨著之前其他NAND Flash的減產行動，讓整體NAND Flash市場開始有所回溫的情況，恐將因為東芝的恢復生產也重新打回原形。未來要如何解套，有待后續(xù)觀察。
東芝停電產線恢復生產最先出現在北京中代科技有限公司。
]]>東芝存儲器總部位于美國的子公司Toshiba Memory America，Inc.（TMA）今天宣布推出新的存儲器（SCM）解決方案：XL-FLASH 。
XL-FLASH是基于該公司創(chuàng)新的BiCS FLASH 3D閃存技術，每單元1比特SLC，將為數據中心和企業(yè)存儲帶來低延遲和高性能的解決方案。樣品將于9月開始出貨，預計將于2020年開始量產。
介于DRAM和NAND Flash之間，XL-FLASH的速度快，延遲低，并且有更高的存儲容量。和傳統(tǒng)DRAM相比它的成本也更低。一開始XL-FLASH是被布局在SSD產品上，但之后也會應用在DRAM的產品上，比如未來行業(yè)標準的非易失性雙列直插式內存模塊(NVDIMMs)。
主要特點
128Gb Die（2Die（32GB）、4Die（64GB）、8Die（128GB）封裝） ；
4KB Page大小，高效的操作系統(tǒng)的讀寫 ；
16-plane更高效的并行架構 ；
快速的讀取頁面和編程時間，XL-Flash提供小于5微秒的低讀取延遲，比現有TLC快10倍。
東芝存儲器子公司TMA存儲業(yè)務部高級副總裁兼總經理Scott Nelson表示，“借助XL-FLASH，我們?yōu)槌笠?guī)模制造商和企業(yè)服務器/存儲供應商提供了一種更具成本效益，更低延遲的存儲解決方案，彌補了DRAM與NAND性能之間的差距?！?/p>
注：本文根據東芝官網文章編譯，原文鏈接：https://business.toshiba-memory.com/en-us/company/tma/news/2019/08/memory-20190805-1.html
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