集邦咨詢：日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此當(dāng)前確實(shí)有觀察到部分模組廠利用該原物料事件而開出上揚(yáng)的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。然而，目前現(xiàn)貨市場占整體DRAM市場僅不到10%水平，中長期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場為主。

從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機(jī)，或是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心建置，目前整體終端需求仍呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢。然而，反觀供給端目前DRAM供應(yīng)商的庫存水平仍普遍高于3個(gè)月，也導(dǎo)致PC、服務(wù)器內(nèi)存及行動(dòng)式內(nèi)存的合約價(jià)在第三季初仍舊持續(xù)走跌，暫時(shí)未看見反轉(zhuǎn)向上的跡象。集邦咨詢認(rèn)為，DRAM市況受此原物料事件而出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

NAND Flash市場行情則受到日本材料出口審查趨嚴(yán)，以及東芝停電事件的影響。由于Wafer市場報(bào)價(jià)已經(jīng)偏低，預(yù)計(jì)七月起各供應(yīng)商報(bào)價(jià)將浮現(xiàn)漲勢。然而，由于供應(yīng)商普遍備有2-3個(gè)月的庫存水位，多數(shù)模組廠不會(huì)第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續(xù)則需視市場及供應(yīng)端庫存狀況決定交易價(jià)是否上漲。至于對(duì)OEM的各類SSD、eMMC/UFS產(chǎn)品報(bào)價(jià)方面，目前雖有部分供應(yīng)商暫停出貨，但從供需狀況分析，并考量OEM端的庫存水位，集邦咨詢認(rèn)為，雖然NAND Flash價(jià)格短期將出現(xiàn)上揚(yáng)，但長期仍有跌價(jià)壓力。

時(shí)事通信社 20 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，從東芝（Toshiba）獨(dú)立出去、已于 2018 年 6 月賣給以美國私募基金貝恩資本（Bain Capital）主導(dǎo)的「日美韓聯(lián)盟」的全球第二大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商「東芝存儲(chǔ)器」（TMC）的 IPO（首次公開發(fā)行）計(jì)劃生變，將無法如原先預(yù)期在 2019 年 9 月進(jìn)行 IPO，主因?yàn)槿彰理n聯(lián)盟之間的協(xié)商不順；另外，關(guān)于變更公司名稱一事，目前是考慮不再使用「東芝」的名稱。

關(guān)系人士指出，TMC 原先表定會(huì)在 3 月內(nèi)公布將在 2019 年 9 月 IPO 的計(jì)劃，不過因日美韓聯(lián)盟間，部分認(rèn)為應(yīng)早期 IPO，籌措資金，以追趕海外競爭對(duì)手，不過另一方面也有認(rèn)為在存儲(chǔ)器市況低迷環(huán)境下，不宜在不利的條件下進(jìn)行 IPO。因此在上述意見紛歧情況下，TMC 已放棄 9 月 IPO 的計(jì)劃，相關(guān)計(jì)劃的發(fā)表時(shí)間也將順延至 4 月份以后。

路透社 20 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，關(guān)系人士指出，TMC IPO 時(shí)間將從原先計(jì)劃的 2019 年 9 月延后至 2019 年 11 月，且視市場環(huán)境而定、也有可能會(huì)進(jìn)一步延后至 2020 年夏天。

對(duì)此，TMC 發(fā)言人向路透社指出，「尚未決定上市時(shí)間」。

路透社 20 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，據(jù)多位關(guān)系人士透露，從東芝（Toshiba）獨(dú)立、2018 年 6 月賣給美國私募基金貝恩資本（Bain Capital）為主的「日美韓聯(lián)盟」的全球第二大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory）廠商「東芝存儲(chǔ)器」（TMC）已著手進(jìn)行準(zhǔn)備，計(jì)劃今年 9 月 IPO，預(yù)估 TMC 上市后市值將超過 2 兆日?qǐng)A。

關(guān)系人士指出，「日美韓聯(lián)盟」收購 TMC 后，原先計(jì)劃 3 年后才 IPO，之所以計(jì)劃大幅提前，目的除了讓「日美韓聯(lián)盟」早期回收收購 TMC 花費(fèi)的部分資金，也是藉由 IPO 籌措設(shè)備投資資金。

報(bào)導(dǎo)指出，因上市時(shí)有必要調(diào)整股東結(jié)構(gòu)，因此 TMC 也計(jì)劃買回蘋果（Apple）、Dell、金士頓（Kingston）和希捷（Seagate Technology）等 4 家美國企業(yè)持有的約 4,000 億日?qǐng)A優(yōu)先股并注銷，為了取得買回上述優(yōu)先股的資金，TMC 計(jì)劃將目前由三井住友銀行等主要往來銀行提供的 6,000 億日?qǐng)A融資轉(zhuǎn)換成最高 1 兆日?qǐng)A規(guī)模聯(lián)貸。

另外，TMC 也將向政府系基金 INCJ 及日本政策投資銀行（DBJ）尋求出資，規(guī)模 2,000 億日?qǐng)A，若 INCJ / DBJ 同意出資，TMC 向銀行調(diào)度的資金金額有可能減少。

東芝宣布其OEM客戶端NVMe SSD的第四次迭代，作為包含SSD控制器和NAND閃存的單個(gè)BGA芯片封裝提供。東芝BG4是對(duì)BG3的重大升級(jí)：東芝的新型96層3D TLC取代了他們的64層NAND，可實(shí)現(xiàn)更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代，為更高的順序I/O性能打開了大門。

BG4仍然是一款無DRAM的SSD，它依賴于NVMe主機(jī)內(nèi)存緩沖區(qū)（HMB）功能來緩解無刷驅(qū)動(dòng)器否則會(huì)遭受的性能損失。東芝增加了對(duì)HMB的使用，增加了SSD存儲(chǔ)在主機(jī)DRAM中的數(shù)據(jù)的奇偶校驗(yàn)，即使主機(jī)系統(tǒng)不使用ECC內(nèi)存，也能提供額外的數(shù)據(jù)保護(hù)層。

BG4的固件也經(jīng)過調(diào)整，擴(kuò)展了可以緩存在主機(jī)內(nèi)存緩沖區(qū)中的用戶數(shù)據(jù)映射信息范圍，從而提高了復(fù)制大文件等用例的性能。這些變化意味著BG4會(huì)要求使用更大的主機(jī)內(nèi)存來加速其操作，但所請(qǐng)求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重點(diǎn)是提高隨機(jī)I / O性能并減少后臺(tái)閃存管理對(duì)交互性能的影響。來自東芝的初步性能數(shù)據(jù)表明，隨機(jī)寫入性能幾乎翻了一番，隨機(jī)讀取性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過BG3的兩倍。

東芝BG4容量128 GB，256 GB，512 GB，1TB，外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230單面，接口NVMe PCIe 3.0 x4，順序讀取性能2250 MB/s，順序?qū)懭胄阅?700 MB/s，4KB隨機(jī)讀取380k IOPS，4KB隨機(jī)寫入190k IOPS。

更改為更寬的PCIe x4主機(jī)接口不需要BG4采用比其前輩更大的BGA封裝尺寸，切換到96L 3D TLC具有更高的每個(gè)芯片容量，允許一些驅(qū)動(dòng)器采用更薄的設(shè)計(jì)（對(duì)并且允許BG系列首次引入1TB容量。東芝是第一家推出采用96L NAND的SSD廠商，看起來BG4將成為第二款開始出貨的96L SSD。