6月24日，上海萬業(yè)企業(yè)股份有限公司（以下簡稱“萬業(yè)企業(yè)”）發(fā)布公告稱，公司與中國科學(xué)院微電子研究所（以下簡稱“微電子所”）、芯鑫融資租賃有限責(zé)任公司（以下簡稱“芯鑫租賃”）在上海簽訂了《關(guān)于合資設(shè)立集成電路裝備集團(tuán)之合作備忘錄》。

根據(jù)公告，萬業(yè)企業(yè)與微電子所擬共同牽頭發(fā)起設(shè)立集成電路裝備集團(tuán)有限公司（以下簡稱“裝備集團(tuán)”），項目總投資15億元，其中，微電子所與萬業(yè)企業(yè)共同出資8億元，芯鑫租賃擬為裝備集團(tuán)提供意向性融資額度5億元。

合作備忘錄的主要內(nèi)容包括：

1、依托微電子所在集成電路領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)優(yōu)勢和所內(nèi)的研發(fā)資源，微電子所、芯鑫租賃、萬業(yè)企業(yè)就研發(fā)集成電路領(lǐng)域前沿技術(shù)、培養(yǎng)集成電路專業(yè)人才，以市場需求為牽引，拓寬與國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)客戶的合作渠道，展開合作。

2、微電子所、萬業(yè)企業(yè)擬共同牽頭發(fā)起設(shè)立集成電路裝備集團(tuán)有限公司（以下簡稱“裝備集團(tuán)”），項目總投資 15 億元，其中，微電子所與萬業(yè)企業(yè)共同出資 8 億元，其他發(fā)起方出資將不遲于籌備工作完成前確定，根據(jù)最終投資計劃與協(xié)議確定。裝備集團(tuán)主營業(yè)務(wù)領(lǐng)域為集成電路產(chǎn)業(yè)裝備、泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備研發(fā)、制造和銷售。微電子所、萬業(yè)企業(yè)擬以各自持有集成電路裝備類公司股權(quán)作價入股，股權(quán)估值參照國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（以下簡稱“大基金”）已經(jīng)投資的集成電路裝備類公司的估值方法，并聘請第三方機(jī)構(gòu)出具評估報告。最終股權(quán)作價以實際協(xié)議和評估為準(zhǔn)。微電子所參股的相關(guān)企業(yè)均為國內(nèi)集成電路裝備領(lǐng)域不同關(guān)鍵設(shè)備的領(lǐng)先公司，具備自主可控與技術(shù)創(chuàng)新競爭能力。

3、芯鑫租賃作為大基金發(fā)起設(shè)立的集成電路行業(yè)專業(yè)融資租賃公司，承擔(dān)了推動國產(chǎn)裝備應(yīng)用的戰(zhàn)略性使命，將發(fā)揮其在集成電路裝備融資租賃領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢和業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)，與裝備集團(tuán)形成戰(zhàn)略性合作伙伴關(guān)系，通過融資租賃、保理等多種模式，為裝備集團(tuán)提供意向性融資額度 5 億元，具體以決策審批結(jié)果為準(zhǔn)。同時，芯鑫租賃還將積極搭建裝備集團(tuán)和國內(nèi)集成電路企業(yè)用戶之間的橋梁，促進(jìn)國產(chǎn)裝備使用率的進(jìn)一步提升。

4、裝備集團(tuán)對微電子所已投項目在同等情況下享有優(yōu)先受讓權(quán)和增資權(quán)，對微電子所正在支持的項目享有優(yōu)先投資權(quán)。

5、萬業(yè)企業(yè)發(fā)揮其上市公司資本與戰(zhàn)略相結(jié)合的優(yōu)勢，持續(xù)抓住集成電路裝備與材料領(lǐng)域的國產(chǎn)化機(jī)會，通過“外延式并購+產(chǎn)業(yè)整合”的方式，加速裝備集團(tuán)及其子公司快速發(fā)展。萬業(yè)企業(yè)在同等情況下享有對裝備集團(tuán)及其子公司股權(quán)的優(yōu)先受讓權(quán)、增資權(quán)和收購權(quán)。

6、裝備集團(tuán)將以集成電路前道制造和后道封裝的關(guān)鍵裝備為核心，通過提供零部件制造、集成電路裝備設(shè)計與制造、集成電路制造關(guān)鍵工藝優(yōu)化的服務(wù)能力，為客戶提供成套裝備及工藝解決方案。集團(tuán)將結(jié)合股東的研發(fā)、金融、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢，完善品牌、技術(shù)、人才的積累，深挖銷售渠道，進(jìn)入快速發(fā)展軌道。裝備集團(tuán)成立后，將擇機(jī)控股旗下有發(fā)展?jié)摿Φ膮⒐晒尽?/p>

萬業(yè)企業(yè)表示，公司與微電子所擬合資成立裝備集團(tuán)，并由芯鑫租賃對裝備集團(tuán)提供意向性融資支持。三方的合作有利于匯集各自領(lǐng)域的專業(yè)優(yōu)勢，推動集成電路裝備產(chǎn)業(yè)“科研、金融、產(chǎn)業(yè)”的融合，促進(jìn)集成電路裝備的國產(chǎn)替代水平的提升。對于公司來說，此次與微電子所、芯鑫租賃的合作，符合公司既定戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型方向，利用微電子所在集成電路領(lǐng)域的研發(fā)資源和芯鑫租賃的產(chǎn)業(yè)及融資資源，對公司向集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型具有現(xiàn)實意義。

29日上午，中科院集成電路創(chuàng)新研究院青島研發(fā)基地簽約儀式在市政府辦公樓舉行，中科院微電子所、青島高新區(qū)、青島市科技局三方共同簽署協(xié)議。山東省青島市委副書記、市長孟凡利出席簽約儀式，并會見了中科院副院長相里斌一行。

孟凡利感謝中科院對青島發(fā)展給予的支持和幫助。他說，一直以來，青島市和中科院在很多領(lǐng)域有著深厚的合作基礎(chǔ)，取得了豐碩的成果。青島高度重視集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，將相關(guān)項目和人才的引進(jìn)作為雙招雙引的重點(diǎn)，加大投入，積極打造相關(guān)配套發(fā)展環(huán)境，支持、鼓勵駐青高校設(shè)置相關(guān)專業(yè)。希望通過此次簽約，雙方能夠進(jìn)一步對接優(yōu)勢資源，加快項目推進(jìn)，共同將相關(guān)產(chǎn)業(yè)做大做強(qiáng)。

相里斌表示，項目推進(jìn)過程中，青島市及各有關(guān)部門給予了大力支持，中科院將充分發(fā)揮在微電子技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和影響力，為地方經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展作出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。

中科院集成電路創(chuàng)新研究院青島研發(fā)基地將建設(shè)“一院、一企、一園、一基金、一中心”，打造我國北方地區(qū)集成電路及其應(yīng)用領(lǐng)域極具影響力的高端新型研發(fā)機(jī)構(gòu)及科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化示范基地，支撐青島并輻射膠東半島集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中科院微電子所還與中科院海洋所簽訂有關(guān)合作協(xié)議。

4月26日，武漢市第二批科技成果轉(zhuǎn)化·中科院集成電路光谷專場活動在東湖高新區(qū)成功舉辦，中科院相關(guān)院所的14個集成電路成果項目簽約，其中包括與長江存儲合作的新型存儲器研發(fā)項目。

活動現(xiàn)場，來自中科院微電子研究所、計算機(jī)所、電子學(xué)所、深圳先進(jìn)技術(shù)研究院等12家科研院所的30余位集成電路領(lǐng)域?qū)＜椰F(xiàn)場發(fā)布100余項技術(shù)成果，包括新型存儲器件及集成、人臉識別、精密加工、紅外探測等。

其中，三維新型存儲器、自主可控SSD控制器芯片設(shè)計等7個項目上臺路演，新型存儲器研發(fā)、非制冷紅外探測器晶圓級封裝技術(shù)研發(fā)、高硬度高熔點(diǎn)第三代半導(dǎo)體典型材料碳化硅晶圓超快激光多焦點(diǎn)隱切技術(shù)及裝備產(chǎn)業(yè)等14個項目現(xiàn)場簽約，簽約金額超過10億元。

據(jù)了解，武漢市科技成果轉(zhuǎn)化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關(guān)于推動中科院科技成果在漢轉(zhuǎn)化合作協(xié)議》，深入推動中科院科技創(chuàng)新資源與武漢高質(zhì)量發(fā)展的全面對接，此次集成電路專場正是落實協(xié)議的首場活動。

此次簽約金額最大的項目是由中科院院士劉明團(tuán)隊所主導(dǎo)的新型存儲器研發(fā)項目，簽約金額為2400萬元。資料顯示，劉明院士從事存儲研究多年，今年1月其領(lǐng)導(dǎo)的“新型存儲器件及集成研究集體”獲得了2018年度中國科學(xué)院杰出科技成就獎。

據(jù)介紹，這次劉明院士團(tuán)隊帶來的三維新型阻變存儲器項目，可在更小半導(dǎo)體器件尺寸條件下，探索多層堆疊的高密度存儲，把信息“堆”起來存?！叭绻f傳統(tǒng)存儲是大型室外停車場，那么3D存儲相當(dāng)于多高層停車城，把車疊起來停，可停車量級大幅躍升”。劉明院士團(tuán)隊成員現(xiàn)場解釋時打比方。

值得一提的是，該項目的簽約方分別為中科院微電子研究所和長江存儲科技有限公司。

眾所周知，長江存儲是我國三大存儲器基地之一，專注于3D NAND 閃存的設(shè)計與制造。2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠的基礎(chǔ)上，通過自主研發(fā)和國際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。

2018年8月，長江存儲宣布推出其突破性技術(shù)——XtackingTM，并成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。目前，長江存儲已量產(chǎn)32層3D NAND，按照規(guī)劃將于今年量產(chǎn)64層3D NAND。

長江日報等媒體報道稱，劉明院士的三維新型阻變存儲器項目，將助力國家存儲器基地對128層256Gb存儲器的研發(fā)。

南充日報消息，位于南充高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)的中科九微半導(dǎo)體智能制造項目建設(shè)基地施工現(xiàn)場繁忙，預(yù)計今年年底投用。

據(jù)介紹，中科九微科技有限公司成立于2018年9月7日，是由中國科學(xué)院微電子研究所、九川科技有限公司等聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體高端裝備智能制造企業(yè)，針對半導(dǎo)體裝備和核心部件的需求，打造一條集研發(fā)、設(shè)計、精密制造、營銷和服務(wù)一體化的產(chǎn)業(yè)鏈。

2018年9月，南充順慶政府與中科九微科技有限公司正式簽約。中科九微半導(dǎo)體設(shè)備智能制造項目總投資28億元，占地約290畝，將研發(fā)、生產(chǎn)半導(dǎo)體晶圓片生長設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備的核心部件和各種傳感器、控制電源等產(chǎn)品。

該項目于2018年11月正式開工奠基，施工負(fù)責(zé)人介紹稱，目前項目正在進(jìn)行地基強(qiáng)夯作業(yè)和土石方開挖，強(qiáng)夯施工預(yù)計在4月初全部完工。強(qiáng)夯完成后進(jìn)行廠區(qū)、廠房、辦公樓、科研樓、宿舍樓主體施工，預(yù)計8月完成主體結(jié)構(gòu)施工，整個項目預(yù)計2019年底竣工并投入使用。