處理器龍頭英特爾(intel)于25日在韓國首爾舉行的全球意見領(lǐng)袖聚會上，介紹了一系列最新科技里程碑，并強(qiáng)調(diào)英特爾在以資料為中心的運(yùn)算時(shí)代中，將持續(xù)推動(dòng)存儲器和儲存發(fā)展的投資與承諾。包括提供客戶獨(dú)特的Intel Optane技術(shù)和Intel 3D NAND解決方案，以便開發(fā)云端、AI和網(wǎng)絡(luò)邊緣裝置。

英特爾資深副總裁暨非揮發(fā)性存儲器解決方案事業(yè)群總經(jīng)理Rob Crooke表示，這世界產(chǎn)生資料的速度越來越快，而企業(yè)對于如何有效地處理這些資料也顯得越來越無所適從。在眾多企業(yè)中，能勝出的主要區(qū)別就在于誰能夠從這些資料中獲取價(jià)值。這些任務(wù)將需要在存儲器和儲存層級結(jié)構(gòu)進(jìn)行先進(jìn)創(chuàng)新，而這正是英特爾目前所推動(dòng)的工作。

英特爾在此次活動(dòng)中提到以下最新科技里程碑，包括將在位于美國新墨西哥州Rio Ranch o的工廠拓展全新Intel Optane技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)線的計(jì)畫，以及宣布代號為“Barlow Pass”的第2代Intel Optane DC持續(xù)性存儲器(Persistent Memory)，將搭載新一代Intel Xeon可擴(kuò)充處理器，預(yù)計(jì)將于2020年推出。

同時(shí)，英特爾專為用于資料中心的SSD推出領(lǐng)先業(yè)界的144層4階儲存單元(Quad Level Cell，QLC)NAND快閃存儲器，也預(yù)計(jì)將在2020年推出。

英特爾進(jìn)一步指出，機(jī)器所產(chǎn)生的大量資料通常需透過即時(shí)分析后，才能賦予資料價(jià)值。此項(xiàng)需求突顯了存儲器儲存層級結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的缺口，即DRAM容量不足、SSD則不夠快。而這些缺口可透過Intel Optane DC持續(xù)性存儲器來填補(bǔ)，就連更大量的資料集(data set)也可透過儲存介面連接的Intel Optane技術(shù)來填補(bǔ)缺口。

此外，硬盤速度越來越不能滿足以資料為中心的運(yùn)算環(huán)境，因此Intel Optane技術(shù)與QLC NAND的組合可改善此狀況。整體而言，Intel Optane是材質(zhì)、架構(gòu)、與效能兼具的特殊組合，是現(xiàn)有的存儲器與儲存技術(shù)無法相比的。

最后，英特爾存儲器和儲存解決方案正在協(xié)助包括微軟在內(nèi)的眾多客戶。目前微軟正在對其客戶端作業(yè)系統(tǒng)進(jìn)行重大更新，以支援Intel Optane持續(xù)性存儲器所提供像是快速啟動(dòng)和游戲讀取等眾多新功能與特色。而英特爾同時(shí)也為重要企業(yè)客戶展示了新一代Intel Optane技術(shù)單連結(jié)埠固態(tài)硬盤，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2020年上市。