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國內(nèi)光刻機(jī)設(shè)備現(xiàn)狀

中代科技 — Tue, 16 Jun 2020 06:00:54 +0000

近期，光刻機(jī)的相關(guān)消息鋪天蓋地，在國際貿(mào)易摩擦反復(fù)無常的環(huán)境背景下，業(yè)界對于仍處處受制于他國的光刻機(jī)設(shè)備格外關(guān)注。

據(jù)了解，光刻機(jī)是通過光學(xué)系統(tǒng)將光掩模版上設(shè)計(jì)好的集成電路圖形印制到硅襯底的感光材料上，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，根據(jù)應(yīng)用工序不同，光刻機(jī)可以用于集成電路的制造環(huán)節(jié)和封裝環(huán)節(jié)，其中用于封裝環(huán)節(jié)的光刻機(jī)在技術(shù)門檻上低于用于制造環(huán)節(jié)的光刻機(jī)。

在制造環(huán)節(jié)中，光刻工藝流程決定了芯片的工藝精度及性能水平，對光刻機(jī)的技術(shù)要求十分苛刻，因此光刻機(jī)也是集成電路制造中技術(shù)門檻最高、價(jià)格最昂貴的核心設(shè)備，被譽(yù)為集成電路產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。

美日荷光刻機(jī)競逐賽

在過去數(shù)十年間，光刻機(jī)不斷發(fā)展演進(jìn)同時(shí)推動(dòng)了集成電路制造工藝不斷發(fā)展演進(jìn)，集成電路的飛速發(fā)展，光刻技術(shù)起到了極為關(guān)鍵的作用，兩者相輔相成，因而自1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明點(diǎn)觸式晶體管，光刻機(jī)技術(shù)亦已具備發(fā)展土壤。

光刻機(jī)最初從美國發(fā)展起來。1959年，仙童半導(dǎo)體研制出全球首臺(tái)“步進(jìn)重復(fù)”相機(jī)，使用光刻技術(shù)在單個(gè)晶圓片上制造了許多相同的硅晶體管。20世紀(jì)60年代末，日本企業(yè)尼康和佳能開始進(jìn)入光刻機(jī)領(lǐng)域并逐步崛起，但70年代主要是美國公司的競逐賽。

70年代初，美國Kasper公司推出接觸式光刻設(shè)備；1973年，Perkin Elmer公司推出了投影式光刻系統(tǒng)并迅速占領(lǐng)市場，在一段時(shí)間里處于主導(dǎo)地位；1978年，GCA公司推出了真正現(xiàn)代意義的自動(dòng)化步進(jìn)式光刻機(jī)（Stepper），但產(chǎn)量效率相對較低。

80年代日本企業(yè)開始發(fā)力，尼康推出首臺(tái)商用Stepper NSR-1010G，隨后尼康一度占據(jù)光刻機(jī)過半市場份額，佳能亦在市場上占有一席之地。值得一提的是，1984年4月，飛利浦與荷蘭公司ASMI正式合資成立ASML，ASML脫胎于飛利浦光刻設(shè)備研發(fā)小組，該小組于1973年已推出其新型光刻設(shè)備。

80年代末到90年代，美國初代光刻機(jī)公司走向衰落，GCA被收購后關(guān)閉、Perkin Elmer光刻部也被出售，日企尼康處于市場主導(dǎo)地位。同時(shí)，ASML亦在逐步發(fā)展，1991年推出了PAS 5000光刻機(jī)；1995年，ASML在阿姆斯特丹和納斯達(dá)克交易所上市。

進(jìn)入21世紀(jì)，ASML強(qiáng)勢崛起。2000年，ASML推出其首臺(tái)Twinscan系統(tǒng)光刻機(jī)；隨后，ASML相繼發(fā)布首臺(tái)量產(chǎn)浸入式設(shè)備TWINSCAN XT:1700i、首臺(tái)193nm浸入式設(shè)備TWINSCAN XT:1900i，一舉力壓尼康、佳能成為全球光刻機(jī)市場新霸主。

如今，ASML已成為全球光刻機(jī)領(lǐng)域的絕對龍頭企業(yè)，壟斷高端EUV（極紫外）光刻機(jī)市場，是全球唯一一家可提供EUV光刻機(jī)的企業(yè)。

國產(chǎn)光刻機(jī)攻關(guān)歷程

在歐美日光刻機(jī)市場風(fēng)云變幻的數(shù)十年間，我國也在通過各種努力研制國產(chǎn)光刻機(jī)設(shè)備。據(jù)了解，20世紀(jì)70年代我國就開始有清華大學(xué)精密儀器系、中科院光電技術(shù)研究所、中電科四十五所等機(jī)構(gòu)投入光刻機(jī)設(shè)備研制。

除了上述提及的高校/科研單位，國內(nèi)從事光刻機(jī)及相關(guān)研究生產(chǎn)的企業(yè)/單位還有上海微電子裝備、中科院長春光機(jī)所、合肥芯碩半導(dǎo)體、江蘇影速集成電路裝備，以及光刻機(jī)雙工件臺(tái)系統(tǒng)企業(yè)北京華卓精科等。

2001年，國務(wù)院正式批準(zhǔn)在“十五”期間繼續(xù)實(shí)施國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃（863計(jì)劃），國家科技部和上海市于2002年共同推動(dòng)成立上海微電子裝備公司，承擔(dān)國家“863計(jì)劃”項(xiàng)目研發(fā)100nm高端光刻機(jī)。據(jù)悉，中電科四十五所當(dāng)時(shí)將其從事分步投影光刻機(jī)團(tuán)隊(duì)整體遷至上海參與其中。

2006年，國務(wù)院發(fā)布《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》確定發(fā)展16個(gè)重大專項(xiàng)，其中包括“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項(xiàng)（02專項(xiàng)）。2008年，國務(wù)院批準(zhǔn)實(shí)施02專項(xiàng)，200多家企事業(yè)單位和2萬多名科研人員參與攻關(guān)，其中EUV光刻技術(shù)列被為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務(wù)。

當(dāng)時(shí)，中科院長春光機(jī)所作為牽頭單位，聯(lián)合中科院光電技術(shù)研究所、中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所、中科院微電子研究所、北京理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)，承擔(dān)“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目研究工作。

隨后，清華大學(xué)牽頭，聯(lián)合華中科技大學(xué)、上海微電子裝備和成都工具所承擔(dān)02專項(xiàng)“光刻機(jī)雙工件臺(tái)系統(tǒng)樣機(jī)研發(fā)”，以研制光刻機(jī)雙工件臺(tái)系統(tǒng)樣機(jī)為目標(biāo)，力爭為研發(fā)65-28nm雙工件臺(tái)干式及浸沒式光刻機(jī)提供具有自主知識產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品級技術(shù)。

可見，在國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)歷程上，國家在政策上予以支持，并動(dòng)員了高校、科研機(jī)構(gòu)、企業(yè)等科技力量共同進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。

階段性突破與差距

歷經(jīng)多年努力過，那么國產(chǎn)光刻機(jī)研發(fā)方面有何成果？與國際先進(jìn)水平還有多大差距？

2016年4月，清華大學(xué)牽頭的02專項(xiàng)“光刻機(jī)雙工件臺(tái)系統(tǒng)樣機(jī)研發(fā)”項(xiàng)目成功通過驗(yàn)收，標(biāo)志中國在雙工件臺(tái)系統(tǒng)上取得技術(shù)突破。

2017年6月，中科院長春光機(jī)所牽頭的02專項(xiàng)“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項(xiàng)目通過驗(yàn)收，該項(xiàng)目成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS的兩鏡EUV光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV投影光刻32 nm線寬的光刻膠曝光圖形。

2018年11月，中科院光電技術(shù)研究所承擔(dān)的“超分辨光刻裝備研制”項(xiàng)目通過驗(yàn)收，該裝備在365nm光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達(dá)到22nm，項(xiàng)目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發(fā)新路線……

然而，盡管多個(gè)光刻機(jī)項(xiàng)目取得成果并通過驗(yàn)收，這些技術(shù)在助力國產(chǎn)光刻機(jī)發(fā)展突破上也起到重要作用，但真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并應(yīng)用于生產(chǎn)線上卻又是另一回事，如上述超分辨光刻裝備要想應(yīng)用于芯片生產(chǎn)還需要攻克一系列技術(shù)難關(guān)，距離國際先進(jìn)水平還相當(dāng)遙遠(yuǎn)。目前，上海微電子裝備的90nm光刻機(jī)仍代表著國產(chǎn)光刻機(jī)最高水平。

據(jù)了解，隨著光源的改進(jìn)和工藝的創(chuàng)新，光刻機(jī)已經(jīng)歷了五代產(chǎn)品的更新替代。第一代為光源g-Line，波長436nm，最小工藝節(jié)點(diǎn)0.8-0.25微米；第二代為光源i-Line、波長365nm，最小工藝節(jié)點(diǎn)0.8-0.25微米；第三代為光源KrF、波長248nm，最小工藝節(jié)點(diǎn)180-130nm；第四代為光源ArF、波長193nm，最小工藝節(jié)點(diǎn)45-22nm；第五代為光源EUV、波長13.5nm，最小工藝節(jié)點(diǎn)22-7nm。

第五代EUV光刻機(jī)是目前全球光刻機(jī)最先進(jìn)水平，ASML是唯一一家可量產(chǎn)EUV光刻機(jī)的廠商。財(cái)報(bào)資料顯示，2019年ASML出售了26臺(tái)EUV光刻機(jī)，主要用于臺(tái)積電、三星的7nm及今年開始量產(chǎn)的5nm工藝。近期媒體報(bào)道稱，目前ASML正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，主要面向3nm制程，最快將于2021年問世。

日本企業(yè)尼康方面，官網(wǎng)顯示其最新的光刻機(jī)產(chǎn)品為ArF液浸式掃描光刻機(jī)NSR-S635E，搭載高性能對準(zhǔn)站inline Alignment Station（iAS），曝光光源ArF excimer laser、波長193nm，分辨率≦38nm，官方介紹稱這款光刻機(jī)“專為5nm工藝制程量產(chǎn)而開發(fā)”。

而上海微電子裝備方面，官網(wǎng)顯示其目前量產(chǎn)的光刻機(jī)包括200系列光刻機(jī)（TFT曝光）、300系列光刻機(jī)（LED、MEMS、Power Devices制造）、500系列光刻機(jī)（IC后道先進(jìn)封裝）、600系列光刻機(jī)（IC前道制造）。其中，用于IC前道制造用的600系列光刻機(jī)共有3款，性能最好的是SSA600/20，曝光光源ArF excimer laser、分辨率90nm。

相較于ASML的EUV光刻機(jī)，上海微電子裝備的90nm光刻機(jī)無疑落后了多個(gè)世代，與尼康相比亦有所落后；再者，目前國內(nèi)晶圓代工廠龍頭企業(yè)中芯國際已可量產(chǎn)14nm制程工藝，根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品的規(guī)律，90nm光刻機(jī)已遠(yuǎn)不能滿足國內(nèi)晶圓制造的需求。

不過值得一提的是，近期有媒體報(bào)道稱，上海微電子裝備披露將于年底量產(chǎn)28nm的immersion式光刻機(jī)，在2021年至2022年交付國產(chǎn)第一臺(tái)SSA/800-10W光刻機(jī)設(shè)備。雖然業(yè)界對此消息頗有爭議，但若該消息屬實(shí)，那對于國產(chǎn)光刻機(jī)而言不得不說是一重大突破。

迎來發(fā)展好時(shí)代？

由于技術(shù)嚴(yán)重落后于國際先進(jìn)水平，國內(nèi)光刻機(jī)市場長期被ASML、尼康、佳能等企業(yè)所占據(jù)，但隨著國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展，國產(chǎn)光刻機(jī)迎來發(fā)展機(jī)遇。

近年來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)能向國內(nèi)轉(zhuǎn)移，國內(nèi)晶圓生產(chǎn)線不斷擴(kuò)產(chǎn)或新增，成為全球新建晶圓廠最積極的地區(qū)，為國產(chǎn)設(shè)備提供了巨大的市場空間。根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)信息，長江存儲(chǔ)、華虹無錫等近年新建晶圓廠招標(biāo)設(shè)備國產(chǎn)化率已顯著提升，包括北方華創(chuàng)、中微公司、屹唐半導(dǎo)體等企業(yè)均有中標(biāo)。

再者，過去兩年國際貿(mào)易摩擦態(tài)勢反復(fù)，美國對國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)限制愈加嚴(yán)格。

在此環(huán)境背景下，半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代迫在眉睫，國家高度重視和大力支持行業(yè)發(fā)展，相繼出臺(tái)了多項(xiàng)政策，推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和加速國產(chǎn)化進(jìn)程，國產(chǎn)光刻機(jī)的發(fā)展情況更是受到了業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。國家的重視與支持以及產(chǎn)業(yè)與市場的迫切需求，將有望促使國產(chǎn)光刻機(jī)加快發(fā)展步伐。

還有一個(gè)較好的發(fā)展勢頭是在資金方面。半導(dǎo)體設(shè)備投資周期長、研發(fā)投入大，是典型的資本密集型行業(yè)，尤其是光刻機(jī)領(lǐng)域。此前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的主要資金來源于股東投入與政府支持，融資渠道單一，近年來國家大基金、地方性投資基金及民間資本以市場化的投資方式進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，豐富了半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的資金來源，不少企業(yè)也正在尋求上市。

目前，北方華創(chuàng)、晶盛機(jī)電、長川科技等企業(yè)早已登陸資本市場，中微公司、華峰測控、芯源微等半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)亦集中在去年以及今年于科創(chuàng)板上市。光刻機(jī)企業(yè)方面，上海微電子裝備于2017年12月已進(jìn)行輔導(dǎo)備案，光刻機(jī)雙工件臺(tái)企業(yè)華卓精科亦擬闖關(guān)科創(chuàng)板，近日江蘇影速亦宣布已進(jìn)入上市輔導(dǎo)階段。

此外，隨著市場資本進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，近兩年來亦新增了一些光刻機(jī)相關(guān)項(xiàng)目。如今年6月5日，上海博康光刻設(shè)備及光刻材料項(xiàng)目簽約落戶西安高陵，據(jù)西安晚報(bào)報(bào)道，該項(xiàng)目總占地200畝，總投資13億元；今年4月，埃眸科技納米光刻機(jī)項(xiàng)目落戶常熟高新區(qū)，計(jì)劃總投資10億元，主要方向?yàn)榧{米壓印光刻機(jī)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及運(yùn)營。

有人說，對于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)而言，這是最好的時(shí)代、也是最壞的時(shí)代。面對與國際先進(jìn)水平的差距以及技術(shù)封鎖，國產(chǎn)光刻機(jī)仍有很長的路要走。除去外部因素，自身人才匱乏、技術(shù)欠缺亦是發(fā)展難題，光刻機(jī)研制出來后產(chǎn)線驗(yàn)證難更是制約國產(chǎn)光刻機(jī)進(jìn)入生產(chǎn)線的主要瓶頸之一，種種問題亟待解決。

不過，國內(nèi)越來越多的新增晶圓生產(chǎn)線走向穩(wěn)定，將有望給予國產(chǎn)光刻機(jī)等更多“試錯(cuò)”機(jī)會(huì)。對于國產(chǎn)光刻機(jī)，我們需要承認(rèn)差距，亦要寄予希望，上海微電子裝備等已燃起了星星之火，我們期待其早日燎原。

國內(nèi)光刻機(jī)設(shè)備現(xiàn)狀最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

這家半導(dǎo)體設(shè)備廠商科創(chuàng)板獲受理

中代科技 — Fri, 15 May 2020 02:00:56 +0000

5月13日，上交所受理了芯碁微裝的科創(chuàng)板上市申請，并披露了該公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書（申報(bào)稿）。

據(jù)悉，芯碁微裝主要從事以微納直寫光刻為技術(shù)核心的直接成像設(shè)備及直寫光刻設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售以及相應(yīng)的維保服務(wù)，主要產(chǎn)品及服務(wù)包括PCB直接成像設(shè)備及自動(dòng)線系統(tǒng)、泛半導(dǎo)體直寫光刻設(shè)備及自動(dòng)線系統(tǒng)、其他激光直接成像設(shè)備以及上述產(chǎn)品的售后維保服務(wù)，產(chǎn)品功能涵蓋微米到納米的多領(lǐng)域光刻環(huán)節(jié)。

招股書披露，2017年度、2018年度和2019年度，公司營業(yè)收入分別為2,218.04萬元、8,729.53萬元和20,226.12萬元，凈利潤分別為-684.67萬元、1,729.27萬元和4,762.51萬元。報(bào)告期內(nèi)，搞公司業(yè)務(wù)規(guī)模逐年擴(kuò)大，凈利潤由負(fù)轉(zhuǎn)正，并呈現(xiàn)增長趨勢。

而近年來，芯碁微裝的研發(fā)資金投入也是逐年增加，2017-2019年，芯碁微裝投入的研發(fā)費(fèi)用分別為791.80萬元、1,698.10萬元和2,854.95萬元。

申報(bào)稿顯示，芯碁微裝本次擬募集資金不超過3,020.2448萬股，在扣除發(fā)行相關(guān)費(fèi)用后擬用于高端PCB激光直接成像（LDI）設(shè)備升級迭代項(xiàng)目、晶圓級封裝（WLP）直寫光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、平板顯示（FPD）光刻設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目和微納制造技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。

其中，高端PCB激光直接成像（LDI）設(shè)備升級迭代項(xiàng)目擬在合肥市高新區(qū)進(jìn)行高端PCB制造LDI設(shè)備的迭代升級項(xiàng)目的建設(shè)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將具有年產(chǎn)200臺(tái)LDI產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。通過本項(xiàng)目實(shí)施將進(jìn)一步拓展發(fā)行人LDI系列設(shè)備產(chǎn)品的市場空間，推動(dòng)發(fā)行人主營業(yè)務(wù)收入的持續(xù)增長。

晶圓級封裝（WLP）直寫光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬在合肥市高新區(qū)進(jìn)行晶圓級封裝（WLP）直寫光刻設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的建設(shè)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，芯碁微裝將具有年產(chǎn) 6 臺(tái) WLP 直寫光刻設(shè)備產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

平板顯示（FPD）光刻設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目擬在合肥市高新區(qū)進(jìn)行項(xiàng)目的建設(shè)。在現(xiàn)有OLED中低端產(chǎn)線直寫光刻設(shè)備的核心技術(shù)、產(chǎn)品開發(fā)積累的基礎(chǔ)上，對OLED高端產(chǎn)線直寫光刻設(shè)備進(jìn)行研發(fā)，為芯碁微裝將來發(fā)行OLED高端產(chǎn)線直寫光刻設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，同時(shí)也為未來主營業(yè)務(wù)在 FPD 領(lǐng)域的拓展奠定良好的基礎(chǔ)。

至于微納制造技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目，將建設(shè)微納制造技術(shù)研發(fā)中心，通過該項(xiàng)目的實(shí)施，能進(jìn)一步滿足下游不斷發(fā)展的光刻設(shè)備應(yīng)用需求，助力發(fā)行人未來收入規(guī)模持續(xù)增長與產(chǎn)品服務(wù)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級，為發(fā)行人未來的主營業(yè)務(wù)發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。

這家半導(dǎo)體設(shè)備廠商科創(chuàng)板獲受理最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

ASML與無錫高新區(qū)簽署合作協(xié)議升級光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)基地

中代科技 — Fri, 15 May 2020 02:00:38 +0000

5月14日，江蘇無錫高新區(qū)與ASML(阿斯麥)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，擴(kuò)建升級光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)（無錫）基地。

2006年，阿斯麥在無錫高新區(qū)設(shè)立分支機(jī)構(gòu)。隨著國內(nèi)半導(dǎo)體市場的快速擴(kuò)張，阿斯麥擬進(jìn)一步整合資源、擴(kuò)大業(yè)務(wù)規(guī)模和范圍，設(shè)立光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)基地。

Source：無錫發(fā)布

無錫日報(bào)指出，光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)（無錫）基地涵蓋兩大業(yè)務(wù)板塊：從事光刻機(jī)維護(hù)、升級等高技術(shù)、高增值服務(wù)的技術(shù)中心，以及為客戶提供高效供應(yīng)鏈服務(wù)，為設(shè)備安裝、升級及生產(chǎn)運(yùn)營等所需物料提供更高水準(zhǔn)物流支持的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈服務(wù)中心。項(xiàng)目建成后，將進(jìn)一步提高服務(wù)能力，更好滿足當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求，幫助客戶在持續(xù)提升芯片價(jià)值的同時(shí)降低制造成本。

據(jù)悉，阿斯麥公司是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一，以及全球最先進(jìn)的光刻設(shè)備制造商之一。近年來，隨著華虹基地、SK海力士二工廠等一批重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目建成投產(chǎn)以及一批集成電路企業(yè)的相繼入駐，無錫高新區(qū)也逐步成為了阿斯麥在中國規(guī)模最大的光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)基地之一。

無錫市副市長、高新區(qū)黨工委書記、新吳區(qū)委書記蔣敏表示，阿斯麥公司此次升級光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)基地，將有助于進(jìn)一步推動(dòng)該區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)鏈、補(bǔ)鏈和延鏈，提升業(yè)內(nèi)影響力。

ASML與無錫高新區(qū)簽署合作協(xié)議升級光刻設(shè)備技術(shù)服務(wù)基地最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

這家光刻機(jī)設(shè)備廠商擬科創(chuàng)板

中代科技 — Thu, 14 May 2020 12:00:33 +0000

5月13日，上交所受理了芯碁微裝的科創(chuàng)板上市申請，并披露了該公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市招股說明書（申報(bào)稿）。

而近年來，芯碁微裝的研發(fā)資金投入也是逐年增加，2017-2019年，芯碁微裝投入的研發(fā)費(fèi)用分別為791.80萬元、1,698.10萬元和2,854.95萬元。

這家光刻機(jī)設(shè)備廠商擬科創(chuàng)板最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

高景深步進(jìn)式光刻機(jī)等多個(gè)集成電路項(xiàng)目落地浙江海寧

中代科技 — Wed, 08 Jan 2020 04:00:50 +0000

1月6日，浙江海寧市舉行2020年1月“雙招雙引”項(xiàng)目集中簽約儀式，17個(gè)項(xiàng)目落戶海寧，總投資達(dá)24億元。

據(jù)海寧發(fā)布報(bào)道，參加本次集中簽約的項(xiàng)目中，共有工業(yè)項(xiàng)目14個(gè)，總投資23.25億元，服務(wù)業(yè)項(xiàng)目3個(gè)，總投資7400萬元。其中外資項(xiàng)目5個(gè)，總投資1.476億美元，內(nèi)資項(xiàng)目12個(gè)，總投資13.66億元；人才項(xiàng)目4個(gè)，總投資1.84億元。??

從具體項(xiàng)目來看，涵蓋了泛半導(dǎo)體、高端裝備制造、大健康、人工智能等領(lǐng)域，將分別落戶海寧經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)（海昌街道）、長安鎮(zhèn)（高新區(qū)）、尖山新區(qū)（黃灣鎮(zhèn)）、馬橋街道（經(jīng)編園區(qū)）、鵑湖國際科技城和鹽官鎮(zhèn)、斜橋鎮(zhèn)、袁花鎮(zhèn)等地。

其中，集成電路領(lǐng)域包括總投資1000萬美元高景深步進(jìn)式光刻機(jī)項(xiàng)目，總投資1000萬元的泛半導(dǎo)體超高純設(shè)備集成制造項(xiàng)目，總投資2億元的電子電器控制模塊研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目，總投資1.1億元的智造機(jī)械生產(chǎn)基地項(xiàng)目，總投資5億元中國海寧馬橋集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目，總投資6000萬元的汽車動(dòng)力總成芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，總投資5200萬元的LED智能照明系統(tǒng)項(xiàng)目。