DDR4-3800 CL14! 芝奇Trident Z Neo 焰光戟飆速規(guī)格再進(jìn)化

DDR4-3800 CL14! 芝奇Trident Z Neo 焰光戟飆速規(guī)格再進(jìn)化

由 中代科技評論關(guān)閉

2019年7月31日，世界知名超頻內(nèi)存及高端電競外圍領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際推出最新Trident Z Neo 焰光戟 DDR4-3800 CL14-16-16-36 RGB 內(nèi)存套裝，此套裝采用嚴(yán)選高效能三星B-Die顆粒，專為 AMD Ryzen 3000 系列處理器及 X570 主板打造，并提供 2x8GB及 4x8GB 兩種不同的容量選擇，是高端 AMD 用戶追求效能極限的絕佳內(nèi)存選擇。

高頻率與低延遲的極致組合

為了提供高端用戶更高效能的內(nèi)存產(chǎn)品，芝奇資深研發(fā)團(tuán)隊(duì)堅(jiān)持不懈的挑戰(zhàn)高頻率與低時(shí)序兼俱的最佳可能性，自7月初發(fā)表深受全球高端電腦族群廣大回響的DDR4-3600 CL14高速規(guī)格后，又再次突破提升，開創(chuàng)出的業(yè)界罕見的DDR4-3800 CL14-16-16-36 飆悍高規(guī)，下圖為此規(guī)格搭配 AMD Ryzen 9 3900X CPU 及 MSI MEG X570 GODLIKE主板 ，在Infinity Fabric 運(yùn)作頻率與內(nèi)存頻率為1:1的情況下，AIDA64 的測試中讀寫高達(dá)58114MB/s 及 56064 MB/s的驚人速度。

絕佳穩(wěn)定性

此 DDR4-3800 CL14-16-16-36 終極套裝已通過芝奇內(nèi)部嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試驗(yàn)證，確保絕佳穩(wěn)定性，以下兩圖分別為32GB套裝搭配 ASUS ROG CROSSHAIR VIII Formula 主板 & AMD Ryzen 5 3600X CPU及 16GB 套裝搭配 MSI MEG X570 GODLIKE 及 AMD Ryzen 9 3900X CPU 通過燒機(jī)測試截圖:

DDR4-3800 CL14-16-16-36 32GB(4x8GB)

DDR4-3800 CL14-16-16-36 16GB(2x8GB)

三星電子12Gb LPDDR5 DRAM量產(chǎn)

三星電子12Gb LPDDR5 DRAM量產(chǎn)

由 中代科技評論關(guān)閉

近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。

此外，三星還表示，在7月底即將大量生產(chǎn)12Gb的LPDDR5模組，每個(gè)模組都包含8個(gè)12Gb芯片，總計(jì)達(dá)到96Gb的容量，以滿足高端智能手機(jī)制造商對更高手機(jī)性能和容量的需求。

三星指出，采用第2代10納米等級制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達(dá)到5500Mbps，是現(xiàn)有LPDDR 4X速率（4266Mbps）的1.3倍。

三星指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生產(chǎn)之后，2020年將量產(chǎn)16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。因此，未來很有可能會(huì)出現(xiàn)16Gb LPDDR5規(guī)格的模組。

三星進(jìn)一步指出，憑藉在產(chǎn)業(yè)中領(lǐng)先的速度和能效，三星的新型行動(dòng)式DRAM可使下一代高端智能手機(jī)充分發(fā)揮5G和AI的功能，包括高畫質(zhì)影像的錄制和機(jī)器學(xué)習(xí)功能，同時(shí)極大化電池的續(xù)航力。

SK海力士發(fā)布Q2季度財(cái)報(bào)：盈利暴跌88%

SK海力士發(fā)布Q2季度財(cái)報(bào)：盈利暴跌88%

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內(nèi)存價(jià)格下滑已經(jīng)成為韓國兩大半導(dǎo)體巨頭三星、SK海力士的頭等大事，三星因此推遲了投資高達(dá)30萬億韓元的平澤P2工廠建設(shè)，SK海力士今天發(fā)布的Q2季度財(cái)報(bào)中也面臨業(yè)績暴跌的問題。

根據(jù)SK海力士發(fā)布的數(shù)據(jù)，Q2季度中營收6.45萬億韓元，同比下滑38%，運(yùn)營利潤只有6376億韓元，同比暴跌了89%，凈利潤僅為5370億韓元，約合4.6億美元，同比暴跌了88%，創(chuàng)下了三年來最低記錄。

SK海力士業(yè)績暴跌的主要原因還是跟內(nèi)存價(jià)格有關(guān)，該公司表示需求復(fù)蘇沒有達(dá)到預(yù)期，但價(jià)格下跌幅度超過了預(yù)期。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，SK海力士也宣布靈活調(diào)整生產(chǎn)和投資計(jì)劃，確定在Q4季度削減內(nèi)存產(chǎn)能。

除了內(nèi)存價(jià)格暴跌之外，韓國半導(dǎo)體行業(yè)還會(huì)緊急應(yīng)對日本的制裁，本月4日起日本對出口到韓國的三種重要原材料進(jìn)行管制，其中光刻膠、高純度氟化氫是芯片生產(chǎn)必不可少的，這方面三星、SK海力士基本上都要依賴日本公司供應(yīng)，一旦原材料跟不上，韓國公司的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)也會(huì)受到嚴(yán)重影響。

集邦咨詢：日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

集邦咨詢：日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

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集邦咨詢：日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長期須關(guān)注原廠庫存水位

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，也因此當(dāng)前確實(shí)有觀察到部分模組廠利用該原物料事件而開出上揚(yáng)的價(jià)格或表示將停止生產(chǎn)。然而，目前現(xiàn)貨市場占整體DRAM市場僅不到10%水平，中長期產(chǎn)業(yè)的供需態(tài)勢仍需關(guān)注占比超過9成的合約市場為主。

從需求面來看，不論零售端的PC、智能手機(jī)，或是企業(yè)用服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心建置，目前整體終端需求仍呈現(xiàn)十分疲弱的態(tài)勢。然而，反觀供給端目前DRAM供應(yīng)商的庫存水平仍普遍高于3個(gè)月，也導(dǎo)致PC、服務(wù)器內(nèi)存及行動(dòng)式內(nèi)存的合約價(jià)在第三季初仍舊持續(xù)走跌，暫時(shí)未看見反轉(zhuǎn)向上的跡象。集邦咨詢認(rèn)為，DRAM市況受此原物料事件而出現(xiàn)結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。

NAND Flash市場行情則受到日本材料出口審查趨嚴(yán)，以及東芝停電事件的影響。由于Wafer市場報(bào)價(jià)已經(jīng)偏低，預(yù)計(jì)七月起各供應(yīng)商報(bào)價(jià)將浮現(xiàn)漲勢。然而，由于供應(yīng)商普遍備有2-3個(gè)月的庫存水位，多數(shù)模組廠不會(huì)第一時(shí)間接受漲價(jià)，后續(xù)則需視市場及供應(yīng)端庫存狀況決定交易價(jià)是否上漲。至于對OEM的各類SSD、eMMC/UFS產(chǎn)品報(bào)價(jià)方面，目前雖有部分供應(yīng)商暫停出貨，但從供需狀況分析，并考量OEM端的庫存水位，集邦咨詢認(rèn)為，雖然NAND Flash價(jià)格短期將出現(xiàn)上揚(yáng)，但長期仍有跌價(jià)壓力。

DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲 后市還待觀察

DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲 后市還待觀察

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日韓貿(mào)易戰(zhàn)，引發(fā)存儲(chǔ)器喊漲效應(yīng)，存儲(chǔ)器景氣是否提早翻多，還待觀察。

日本對南韓實(shí)施限制三項(xiàng)電子關(guān)鍵材料出口，引起后續(xù)材料恐短缺疑慮，激勵(lì)DRAM與NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)應(yīng)聲上漲，帶動(dòng)南亞科、旺宏、華邦電等存儲(chǔ)器族群昨股價(jià)帶量上漲，這是存儲(chǔ)器史上第一次因貿(mào)易戰(zhàn)引發(fā)價(jià)格看漲，但存儲(chǔ)器景氣是否提早翻多還有待觀察。

存儲(chǔ)器模組大廠威剛董事長陳立白表示，日韓貿(mào)易戰(zhàn)牽動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，這種情況為史上第一次。1993年間，日本住友化學(xué)曾爆發(fā)環(huán)氧樹脂廠爆炸、造成封裝材料短缺，意外事件牽動(dòng)南韓、日本、美國與臺灣大廠DRAM價(jià)格大漲。

至于此次日本對南韓實(shí)施限制三項(xiàng)電子關(guān)鍵材料出口，業(yè)界傳出，龍頭大廠三星評估對上游材料料源還無法明確掌握，已對現(xiàn)貨市場停止出貨；美光近兩天也已停止報(bào)價(jià)。陳立白原預(yù)估今年第三季DRAM可望因旺季出現(xiàn)現(xiàn)貨價(jià)小漲，明年才可能大漲，但受到日韓貿(mào)易戰(zhàn)沖擊，他昨改口說，「7月提早起漲，8、9月也都看漲」。

業(yè)界看法分歧

但業(yè)界有的持保守看法。因存儲(chǔ)器市況供過于求，加上三星電子副會(huì)長李在镕親自赴日協(xié)商材料供貨也傳出有解，影響DRAM現(xiàn)貨價(jià)昨僅出現(xiàn)小漲，存儲(chǔ)器后續(xù)漲價(jià)效應(yīng)還有待觀察。

南亞科總經(jīng)理李培瑛日前也指出，DRAM三大供應(yīng)商庫存仍偏高，預(yù)估第三季逢旺季到來，整體需求會(huì)增加，但因消化庫存，合約價(jià)格將續(xù)跌，不過跌勢會(huì)縮小。對于日韓貿(mào)易戰(zhàn)，李培瑛說，到底會(huì)是短期或可能長期紛爭還需觀察，未來幾周是關(guān)鍵。一位供應(yīng)鏈業(yè)者表示，上半年因美中貿(mào)易大戰(zhàn)，存儲(chǔ)器價(jià)格大跌，最近只能說止跌，回升還要看后續(xù)發(fā)展而定。

旺宏預(yù)計(jì)7月25日舉行法說會(huì)，公布第二季財(cái)報(bào)與第三季展望。

三星中國將再調(diào)組織架構(gòu)

三星中國將再調(diào)組織架構(gòu)

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裁撤七大支社、調(diào)整區(qū)域辦事處之后，中國三星電子再調(diào)組織架構(gòu)。近日，有媒體從三星內(nèi)部拿到的一份文件顯示，6月初，三星電子已調(diào)整此前的23個(gè)分公司架構(gòu)，改為11個(gè)分公司28個(gè)大區(qū)。

據(jù)悉，原有的23個(gè)分公司中，部分分公司被合并，包括遼寧、黑龍江、吉林三個(gè)分公司合并為沈陽分公司，上海、江蘇合并為上海分公司等。也有部分分公司保持原來編制，比如四川分公司，其負(fù)責(zé)人鄭永煥也未變動(dòng)；此外，山東分公司雖未與其他分公司合并，但其負(fù)責(zé)人換成了由安徽分公司調(diào)過來的周本武。

7月3日，多位分析師預(yù)計(jì)，三星第二季度營業(yè)利潤將達(dá)到6萬億韓元（約合51.4億美元），較上年同期的14.9萬億韓元下降60%。

前不久，韓國三星電子公司發(fā)布了2019年第二季度業(yè)績展望，三星表示由于內(nèi)存芯片的價(jià)格和需求持續(xù)疲軟，預(yù)計(jì)第二季度營業(yè)利潤為6.5萬億韓元（55億美元），略高于業(yè)界預(yù)計(jì)的6萬億韓元，但較上年同期下降約56%。

三星表示，第二季度的最終數(shù)據(jù)將于本月晚些時(shí)候公布。如果這些數(shù)據(jù)與業(yè)績展望相符，這將是連續(xù)第二個(gè)季度三星的營業(yè)利潤比去年同期減少一半以上。

三星第二季度利潤同比下滑56%，內(nèi)存下半年漲價(jià)壓力增加

三星第二季度利潤同比下滑56%，內(nèi)存下半年漲價(jià)壓力增加

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三星近日公布了2019年第二季度的盈利情況，去年三星由于內(nèi)存和閃存漲價(jià)的關(guān)系賺到盤滿缽滿，然而隨著內(nèi)存和閃存價(jià)格的崩盤，三星的收益也隨之大幅下降，而且三星的新旗艦手機(jī)Galaxy S10系列銷售疲軟導(dǎo)致智能手機(jī)方面收入也有所減少，三星本季度的利潤同比下降高達(dá)56%。

根據(jù)三星公布的初步數(shù)據(jù)本季度銷售額大概在55~57萬億韓元之間，利潤大概在6.4~6.6萬億韓元，而去年同期的銷售額為58.48萬億韓元，營業(yè)利潤為14.87萬億韓元，銷售額只下降了4%，但是利潤跌幅高達(dá)56%，這絕對和市場需求的疲軟導(dǎo)致內(nèi)存與閃存的大幅降價(jià)有關(guān)。

此外本月開始日本開始對韓國實(shí)施制裁，聚酰亞胺、半導(dǎo)體制作中的核心材料光刻膠和高純度氟化氫這三種材料是重要管控對象，這對位于韓國的SK海力士和三星這兩個(gè)半導(dǎo)體巨頭是沉重的打擊，他們兩家占據(jù)了全球70%的內(nèi)存市場和50%的閃存市場，這并不是什么好兆頭。

現(xiàn)在已經(jīng)有風(fēng)聲說今年下半年開始內(nèi)存和SSD都會(huì)準(zhǔn)備漲價(jià)了，雖然現(xiàn)在看起來價(jià)格還在跌，但是北美的服務(wù)器需求量正在回升，Intel的產(chǎn)能也在逐步恢復(fù)正常，PC市場的供貨也將逐漸增長，內(nèi)存的漲價(jià)壓力還是不少的，閃存方面隨著QLC閃存的大幅涌入，每GB的價(jià)格可能還會(huì)繼續(xù)降。

華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接任新唐科技董事長

華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接任新唐科技董事長

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華邦集團(tuán)旗下的微控制器大廠新唐科技 24 日公告指出，將由華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接替任期已滿的華邦電董事長暨執(zhí)行長焦佑鈞，擔(dān)任新唐科技的董事長。

根據(jù)華邦電的官網(wǎng)顯示，畢業(yè)于成功大學(xué)電機(jī)系，并且取得美國底特律大學(xué)電機(jī)工程碩士學(xué)位的陳沛銘，曾經(jīng)經(jīng)歷華邦電產(chǎn)品中心二協(xié)理，以及銷售中心副總經(jīng)理，目前擔(dān)任 DRAM 產(chǎn)品事業(yè)群副總經(jīng)理的職務(wù)。

另外，本屆新唐科技新任董事當(dāng)選名單，包括焦佑鈞、陳沛銘、盧克修、魏啟林、靳蓉等 5 位董事，及徐善可、杜書全、洪裕鈞、許介立等 4 位獨(dú)立董事。

研究人員開發(fā)出低能耗通用型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備

研究人員開發(fā)出低能耗通用型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備

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英國蘭開斯特大學(xué)研究人員最近宣布，他們和西班牙同行合作開發(fā)出一種新型數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，兼具當(dāng)前內(nèi)存和閃存兩類設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)，并且能耗超低。

這所大學(xué)發(fā)布新聞公報(bào)說，新設(shè)備屬于通用型存儲(chǔ)器，既可充當(dāng)供隨時(shí)讀寫的活動(dòng)內(nèi)存，也能穩(wěn)定長期保存數(shù)據(jù)。它有助節(jié)約能源，緩解“數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)”，還可改善電子設(shè)備使用體驗(yàn)，比如電腦可以幾秒鐘內(nèi)完成啟動(dòng)。

當(dāng)前用作內(nèi)存的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）讀寫速度快，但有易失性，即突然斷電后內(nèi)容就會(huì)消失，即使不斷電也必須每隔幾十毫秒就刷新一次，總能耗非常高。閃存里的數(shù)據(jù)可以長期保存，代價(jià)是寫入和擦除需要較高電壓，能耗高、速度慢，且容易損壞。兼具非易失性、低能耗和高速度的新型存儲(chǔ)器，是當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。

研究人員在新一期英國《科學(xué)報(bào)告》雜志上發(fā)表論文說，新設(shè)備采用與閃存類似的浮柵構(gòu)造，但不像閃存那樣使用金屬氧化物半導(dǎo)體，而是由砷化銦、銻化鋁和銻化鎵三種材料組成。其底部是630納米厚的銻化鎵，上面是多個(gè)交錯(cuò)的銻化鋁和砷化銦薄層，厚度從幾納米到幾十納米不等，呈現(xiàn)“千層餅”一樣的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，由于這三種半導(dǎo)體材料的量子力學(xué)特性，新設(shè)備能在低電壓下運(yùn)作，同時(shí)實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)。由于電壓和電容需求都很低，該設(shè)備的單位面積能耗分別是DRAM和閃存的百分之一和千分之一。此外，它需要進(jìn)行刷新的時(shí)間間隔至少比DRAM長100萬倍，數(shù)據(jù)保存期限理論上比宇宙的年齡還長。

隨著信息技術(shù)發(fā)展，電腦和其他電子設(shè)備需要處理的數(shù)據(jù)越來越多，存儲(chǔ)容量飛速增長，存儲(chǔ)器能耗問題卻對運(yùn)行效率和使用體驗(yàn)構(gòu)成嚴(yán)重制約。研究人員說，作為一種新型存儲(chǔ)設(shè)備，該技術(shù)有很大潛力。

芝奇突破內(nèi)存頻率世界紀(jì)錄DDR4-5886頻率及23項(xiàng)新超頻紀(jì)錄

芝奇突破內(nèi)存頻率世界紀(jì)錄DDR4-5886頻率及23項(xiàng)新超頻紀(jì)錄

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世界知名超頻內(nèi)存及高端電競外設(shè)領(lǐng)導(dǎo)品牌，芝奇國際宣布于“2019臺北國際電腦展”(Computex 2019) 展覽前后期間，完美突破共達(dá)23項(xiàng)超頻紀(jì)錄，其中包含全球最快內(nèi)存頻率世界紀(jì)錄DDR4-5886頻率，所有紀(jì)錄皆由高質(zhì)量Samsung b-die IC顆粒所打造的芝奇高端DDR4內(nèi)存，并搭載最新型Intel Core 系列處理器及各大高性能主板所達(dá)成。

DDR4-5886頻率 – 芝奇再次創(chuàng)下超頻內(nèi)存最快速度紀(jì)錄

在今年臺北國際電腦展5月28日開展第一天，由來自MSI的超頻大神Toppc，使用由高質(zhì)量Samsung b-die IC顆粒打造的芝奇超頻內(nèi)存、Intel Core i9-9900K處理器以及MSI MPG Z390I GAMING EDGE AC主板，順利創(chuàng)下DDR4-5886頻率的驚人速度，芝奇也奪下世界第一超頻內(nèi)存速度的頭銜，而目前超頻內(nèi)存前2名的速度皆由芝奇內(nèi)存所占據(jù)。

一舉打破高達(dá)23個(gè)超頻世界紀(jì)錄

芝奇特別感謝Intel、ASUS、ASRock、 EVGA和MSI打造出的夢幻電腦硬件，以及由15名來自全球的傳奇超頻選手，以精湛的BIOS調(diào)教功力及近攝氏零下200度的液氮超頻技術(shù)，于Computex 2019展覽前后期間，成功突破了高達(dá)23項(xiàng)的世界超頻紀(jì)錄。其中知名顯示卡超頻傳奇K|ngp|n同時(shí)使用了4張EVGA GeForce GTX 1080 Ti K|ngp|n高端顯示卡以及 Intel Core i9-9980XE處理器，成功以38665的成績創(chuàng)下3DMark Time Spy新超頻紀(jì)錄。

來自意大利的rsannino在Geekbench3 – Multi Core的項(xiàng)目下，搭配ASUS ROG Dominus Extreme主板及28核心Intel Xeon W-3175X 處理器，以135527分刷新紀(jì)錄。而ASRock超頻團(tuán)隊(duì)更是在ASRock X299 OC Formula主板上創(chuàng)下多個(gè)如16核心i9-9960X及18核心i9-9980XE等高核心數(shù)處理器的超頻紀(jì)錄。詳細(xì)清單如下表，讓我們一同欣賞令人贊嘆不已的分?jǐn)?shù):