Intel發(fā)布Optane Memory H10規(guī)格 即將向OEM市場出貨

Intel發(fā)布Optane Memory H10規(guī)格 即將向OEM市場出貨

英特爾的Optane Memory H10固態(tài)硬盤將很快出現(xiàn)在主要OEM計算機(jī)廠商產(chǎn)品當(dāng)中。Optane Memory H10與現(xiàn)有的Optane Memory系列產(chǎn)品相比發(fā)生了重大變化,是一款獨特的二合一SSD,在單個M.2模塊上結(jié)合了3D Xpoint內(nèi)存和QLC NAND快閃存儲器。

H10基本上是將現(xiàn)有的Optane Memory M10模塊和Intel 660p QLC SSD整合到單個驅(qū)動器上。Optane部分用作QLC部分的緩存,使用英特爾先前推薦用于獨立Optane內(nèi)存M.2模塊和機(jī)械硬盤的Windows optane內(nèi)存緩存驅(qū)動程序。到目前為止,Optane產(chǎn)品很難適應(yīng)超級本,在其中安裝兩個M.2插槽可能具有挑戰(zhàn)性。

Optane Memory H10有三種類型,QLC NAND容量從256GB到1TB不等。 256GB型號將擁有16GB的Optane存儲容量,而512GB和1TB將擁有32GB的Optane存儲容量。所有三個容量均作為單側(cè)M.2模塊實現(xiàn),其中約一半卡專用于Optane控制器、媒體和PMIC,另一半卡包含Silicon Motion SM2263控制器、DRAM和QLC NAND。

這張卡整體上有一個PCIe3.0x4界面,但是兩個SSD控制器中的每一個都只有兩個PCIe通道。英特爾的緩存軟件將同時支持從Optane和QLC讀取和寫入數(shù)據(jù),因此他們將H10評級為高達(dá)2.4GB/s的順序讀取,即使其中兩者單獨順序讀寫速度都不能超過2GB/s。4KB隨機(jī)讀取QD1 32k IOPS,QD2 55k IOPS,4kB隨機(jī)寫入QD1 30k IOPS,QD2 55k IOPS。寫耐力300 TB。空閑功率總計低于15mW,保修5年。

英特爾要求H10與300系列PCH和第8代核心U系列移動處理器一起使用,英特爾尚未承諾將H10用于零售市場以用于桌面系統(tǒng),但許多300系列主板都有固件更新,可以從H10啟動。

存儲器價格下跌情況持續(xù),南亞科第1季營收創(chuàng)10季新低

存儲器價格下跌情況持續(xù),南亞科第1季營收創(chuàng)10季新低

在半導(dǎo)體景氣不佳的情況下,臺系存儲器大廠南亞科 3 日公布 3 月份及 2019 年第 1 季營收狀況。根據(jù)資料顯示,3 月份營收為新臺幣 37.19 億元,較 2 月份提升達(dá) 9.54%,但是較 2018 年同期則是大跌了 44.68%。累計,2019 年第 1 季營收來到 113.72 億元,較 2018 年第 4 季下滑 33%,也較 2018 年同期減少 39.5%,創(chuàng)下 10 季以來新低紀(jì)錄。

而在存儲器市場價格持續(xù)下跌的情況之下,除了南韓三星針對 2019 年第 1 季的獲利發(fā)出警訊,表示第 1 季因為存儲器價格的下跌沖擊營運(yùn),使得獲利將不如預(yù)期之外。美系存儲器廠美光也在日前宣布,因應(yīng)存儲器價格下跌的沖擊,2019 年將減少投片量 5%,以降低供過于求的影響。

面對此番產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)的環(huán)境,南亞科總經(jīng)理李培瑛日前指出,受到全球經(jīng)濟(jì)放緩、美中貿(mào)易紛爭、關(guān)稅提供所造成的影響,造成供應(yīng)鏈調(diào)整及處理器短缺的問題,因此預(yù)期 DRAM 市場在 2019 年的市況保守。而整體市場在 CPU 缺貨問題逐漸緩和,以及大廠建產(chǎn)效應(yīng)浮現(xiàn)的情況下,預(yù)計 2019 年下半年將較上半年來得樂觀。

SK海力士無錫新廠將于本月全面投入運(yùn)營

SK海力士無錫新廠將于本月全面投入運(yùn)營

根據(jù)外媒BusinessKorea最新消息,SK海力士位于中國無錫的擴(kuò)建晶圓廠 (二廠) 將于本月全面投入運(yùn)營。一旦這個耗資95億韓元的擴(kuò)建項目完工,海力士無錫工廠的產(chǎn)能將增加至每月180,000片晶圓。

然而,SK海力士表示,公司擴(kuò)大生產(chǎn)線目的單純是為了引入DRAM的微制造,而不是增加其產(chǎn)能。這意味著海力士將繼續(xù)控制芯片供應(yīng)量,來緩解市場供給過剩的現(xiàn)狀。
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SK海力士一位內(nèi)部人士表示,“初次生產(chǎn)的晶圓片在今年初就已進(jìn)入工廠,而這次,產(chǎn)量已達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)。” 等未來設(shè)備全部安裝完善時,SK海力士無錫工廠將擁有每月180,000片的10納米級DRAM晶圓的產(chǎn)能。
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在無錫工廠的擴(kuò)建上,SK海力士已經(jīng)獲得資金支持。今年3月25日,SK海力士與中國開發(fā)銀行牽頭組建了一批中資銀行的銀團(tuán)貸款舉行了簽字儀式。貸款金額估計高達(dá)35億美元,是江蘇省外幣貸款歷史上最大的一筆。
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在無錫擴(kuò)建工廠全面投入運(yùn)營之前,SK海力士副董事長樸成旭于3月29日訪問了無錫,并會見了無錫市委書記李小敏。 “隨著第二工廠項目的完成,SK海力士已經(jīng)在無錫工廠投資了140億美元,”樸成旭在會上提到?!敖?jīng)過14年的合作,海力士與無錫的關(guān)系與橡樹一樣強(qiáng)勁?!?br /> ?
行業(yè)觀察人士也正密切關(guān)注著無錫擴(kuò)建工廠將給DRAM的供給和價格帶來什么影響。
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根據(jù)DRAMexchange (集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心) 最新數(shù)據(jù),3月份DDR4 8Gb DRAM的合約價較上月下降了 11.1% 至 4.56 美元。

這與2016年12月的4.19美元的價格接近,當(dāng)時正是存儲器行業(yè)剛開始蓬勃發(fā)展的時期。相應(yīng)地,美光也宣布將分別削減DRAM和NAND閃存產(chǎn)量的5%。

DRAM行情 各家看法不一

DRAM行情 各家看法不一

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格自去年第四季反轉(zhuǎn),今年第一季跌勢擴(kuò)大。目前市場供過于求,第二季仍難止跌。展望下半年,隨著旺季到來,預(yù)期需求增加有助于價格跌勢趨緩并進(jìn)而止跌。

由于供需失衡,產(chǎn)業(yè)能見度仍低、美國存儲器大廠美光(Micron)先前表示,該公司DRAM投片量將減5%,使美光在2019年的位元供應(yīng)增加貼近需求。美光已削減2019會計年度資本支出預(yù)算、目前正對2020年度資本支出進(jìn)行評估,將采取審慎行動因應(yīng)當(dāng)前的市況。

產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子也預(yù)警,第一季獲利可能低于市場預(yù)期,主因存儲器價格跌不停、面板需求疲弱。目前DRAM市場供過于求,供應(yīng)鏈持續(xù)去化庫存,隨著庫存調(diào)整告一段落,業(yè)者預(yù)期第三季可望止跌,研調(diào)機(jī)構(gòu)雖預(yù)期跌勢恐延續(xù)至第三季,但也預(yù)估跌幅將收斂為一成以內(nèi)。

針對美光決定減產(chǎn)5%,臺灣DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,這對產(chǎn)業(yè)具正面意義,預(yù)期產(chǎn)品價格跌幅可望逐步縮小。

展望后市,李培瑛表示,第二季DRAM價格跌幅可望逐步縮小,第三季將步入市場傳統(tǒng)旺季,包括行動存儲器及消費(fèi)型存儲器需求可望升溫,以及服務(wù)器市況將好轉(zhuǎn),預(yù)計下半年優(yōu)于上半年,仍需觀察中美貿(mào)易摩擦的協(xié)調(diào)結(jié)果,以及客戶的庫存調(diào)整狀況。

針對存儲器走勢,下游模塊廠十銓總經(jīng)理陳慶文表示,去年上游廠的量跟價都高,因而抑制需求。今年上半年市場在去化庫存,第一季DRAM價格下跌,預(yù)計第二季續(xù)跌;待第三季庫存去化完成,預(yù)估DRAM、NAND Flash同步于第三季價格回穩(wěn)。

威剛表示,NAND Flash及DRAM供不應(yīng)求的景氣循環(huán)分別自2018年第一季及第四季開始反轉(zhuǎn)向下,短期內(nèi)存儲器價格仍偏弱,但今年下半年整體市況可望回溫好轉(zhuǎn),且公司已做好多項新興事業(yè)的布局準(zhǔn)備。

另一家存儲器模塊廠宇瞻看DRAM市場買賣方仍在拔河,目前在供過于求的情況下,價格續(xù)看跌造成下游不愿備貨。宇瞻總經(jīng)理張家騉表示,第二季價格續(xù)跌已是市場共識,在3月DRAM落刀式下跌后,預(yù)估4月、5月DRAM可能逐月下跌15%,6月有機(jī)會落底。

存儲器制造廠旺宏董事長吳敏求預(yù)期,美中貿(mào)易談判可望于6月達(dá)成協(xié)議,待不確定因素消除后,下半年市場需求應(yīng)可好轉(zhuǎn)。

就供需的預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。DRAMeXchange預(yù)估,第三季DRAM均價跌幅約在10%。

DRAMeXchange預(yù)估DRAM均價在第二季將持續(xù)下跌近兩成,至于今年下半年跌幅是否有效收斂,取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成效。

科賦CRASX RGB內(nèi)存條榮獲2019紅點產(chǎn)品設(shè)計大獎

科賦CRASX RGB內(nèi)存條榮獲2019紅點產(chǎn)品設(shè)計大獎

KLEVV科賦CRAS卓越的產(chǎn)品品質(zhì)和無限的品牌創(chuàng)造力打造一代又一代的優(yōu)秀存儲產(chǎn)品,其中不乏標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存條、電競內(nèi)存條、U盤、固態(tài)硬盤、SD卡等。繼2015年CRAS一代榮獲德國紅點設(shè)計大獎后,遵循CRAS系列設(shè)計的KLEVV 科賦CRAS X RGB榮獲2019年紅點獎“產(chǎn)品設(shè)計”獎!

全新上市的CRAS X RGB擁有差異化且獨特的藝術(shù)感外型設(shè)計,不規(guī)則設(shè)計的水晶寶石造型導(dǎo)光條,讓RGB光線能從不同角度多元散射,更顯出彩吸睛。科賦CRAS X RGB DDR4高度兼容各大平臺(華碩、技嘉、微星、華擎等)的RGB燈光控制軟件,3200/3466MHz高頻率選擇,專為游戲玩家、科技狂熱者和超頻高手所打造的專屬電競內(nèi)存!

關(guān)于紅點產(chǎn)品設(shè)計大獎:

紅點產(chǎn)品設(shè)計大獎創(chuàng)辦于 1955 年,致力于選拔每年度最優(yōu)異之產(chǎn)品。紅點產(chǎn)品設(shè)計大獎接受來自全球各地的制造商及設(shè)計師報名參加,在 48 個參賽組別中送交作品參加評選。為致力提拔新銳設(shè)計師,特別設(shè)立新秀計劃報名日,只要是畢業(yè)未滿五年之年輕設(shè)計師,皆有機(jī)會參加 50 名新秀免費(fèi)報名名額之抽獎。評選方式忠實遵循「尋找優(yōu)良設(shè)計與創(chuàng)新(In search of good design and innovation)」之理念,由紅點評審團(tuán)對所有參賽作品進(jìn)行審查,只有設(shè)計質(zhì)量優(yōu)良的產(chǎn)品,才能獲得評審的肯定,頒予紅點獎。

庫存尚未去化完成  DRAM跌勢恐持續(xù)至第3季

庫存尚未去化完成 DRAM跌勢恐持續(xù)至第3季

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,受庫存過高影響,DRAM第1季合約價跌幅持續(xù)擴(kuò)大,整體均價已下跌逾20%。但在價格加速下跌的狀態(tài)下,并未刺激需求回溫,交易仍顯清淡,預(yù)期DRAM均價在庫存尚未去化完成影響下,跌勢恐將持續(xù)至第3季。

根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查,累積在DRAM供應(yīng)商的庫存水位在第1季底普遍已經(jīng)超過6周 (含wafer bank),買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減,但平均至少達(dá)5周,在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過7周的水位。

進(jìn)入第2季,受惠于1Ynm制程貢獻(xiàn),供給位元仍持續(xù)成長,在極力消化庫存的考量下,DRAM供應(yīng)商普遍采取持續(xù)大幅降價的策略以刺激銷售;與第1季相似,跌幅最大的產(chǎn)品別為PC與服務(wù)器存儲器,跌幅約兩成,行動式存儲器受惠于新機(jī)潮的拉貨動能得以跌幅較小,約10~15%,預(yù)估DRAM均價在第2季將持續(xù)下跌近兩成水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂,則取決于需求端的回溫以及第2季底庫存去化的成效。DRAMeXchange分析,今年各產(chǎn)品的DRAM平均搭載容量成長表現(xiàn)將不若去年,因此,終端需求的回溫扮演著DRAM景氣是否落底的關(guān)鍵因素。單純就供需的預(yù)測來看,上半年供過于求的狀況遠(yuǎn)高過下半年,預(yù)期價格跌幅在今年第3季與第4季可望逐漸收斂。

觀察DRAM各應(yīng)用別今年的價格走勢,由于庫存水位較高的關(guān)系,自去年第4季以來,以標(biāo)準(zhǔn)型存儲器與服務(wù)器存儲器的跌幅最為明顯。以PC需求面來說,今年缺乏刺激出貨量成長的因素,再加上intel CPU缺貨狀況在中低階機(jī)種仍未緩解,出貨不振的狀況在上半年特別顯著。

以主流標(biāo)準(zhǔn)型存儲器模塊8GB解決方案來看,第1季度的價格已經(jīng)下滑近3成,最低價已落在近40美元,展望第2季,均價持續(xù)下探35美元,年底恐怕要挑戰(zhàn)30美元關(guān)卡。

服務(wù)器經(jīng)歷連續(xù)兩年的需求高峰后,第1季由于庫存偏高,加上進(jìn)入傳統(tǒng)OEM的淡季,備貨動能見到顯著衰退,雖然3月開始,部分北美資料中心業(yè)者開始陸續(xù)洽單,但整體采購力道仍未明顯復(fù)甦。

現(xiàn)階段供需雙方普遍庫存偏高,在既有庫存去化與需求動能恢復(fù)前,預(yù)估服務(wù)器存儲器價格將持續(xù)走跌,DRAMeXchange預(yù)估,第2季仍將有兩成左右的跌幅,第3與第4季也會維持接近1成左右的降價空間。

在行動存儲器方面,第1季受到智能型手機(jī)市場需求不旺,生產(chǎn)總量較去年同期衰退逾10%的影響,行動存儲器供應(yīng)商庫存無法有效去化,導(dǎo)致價格持續(xù)下探,discrete及eMCP產(chǎn)品平均跌幅接近2成,市場報價混亂。

展望第2季以及第3季,除受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機(jī)備料帶動單機(jī)搭載容量提升外,也同時受惠傳統(tǒng)市場旺季,整體需求將轉(zhuǎn)趨熱絡(luò),預(yù)估合約價跌幅將較第1季收斂,不過考量今年智能型手機(jī)總生產(chǎn)數(shù)量將呈現(xiàn)負(fù)成長,中、低階手機(jī)平均搭載容量成長有限,第2、3季的合約價格依舊難以止跌。

就利基型存儲器價格走勢來看,農(nóng)歷假期過后,中國有部分機(jī)上盒、網(wǎng)通標(biāo)案訂單出現(xiàn)帶動小量拉貨需求,但一次性標(biāo)案結(jié)束后,整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下,預(yù)期今年第2季與3季利基型存儲器價格仍將分別走跌15%與10%。

三星推出符合HBM2E規(guī)范的Flashbolt內(nèi)存  可用于GPU

三星推出符合HBM2E規(guī)范的Flashbolt內(nèi)存 可用于GPU

三星推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。該公司新的Flashbolt存儲器堆棧將性能提高了33%,并提供每個晶元雙倍容量以及每個封裝的雙倍容量。三星在GTC上推出了HBM2E DRAM,這是一個合適的場合,因為NVIDIA因其廣受歡迎的GV100處理器而成為HBM2內(nèi)存最大的用戶之一。

三星的Flashbolt KGSD基于八個16-Gb存儲器晶元,這些晶元使用TSV(通過硅通孔)以8-Hi堆棧配置互連。每個Flashbolt封裝都具有1024位總線,每個引腳的數(shù)據(jù)傳輸速率為3.2 Gbps,因此每KGSD可提供高達(dá)410GB/s的帶寬。

三星將其Flashbolt KGSD定位瞄準(zhǔn)下一代數(shù)據(jù)中心,HPC,AI/ML和圖形應(yīng)用程序。通過使用具有4096位存儲器界面的處理器的四個Flashbolt堆棧,開發(fā)人員可以獲得具有1.64TB/s峰值帶寬的64GB內(nèi)存,這對于容量和帶寬需求大的晶元來說將是一個很大的優(yōu)勢。使用兩個KGSD,它們可獲得32GB的DRAM,峰值帶寬為820GB/s。

三星表示自己尚未開始批量生產(chǎn)Flashbolt HBM2E內(nèi)存,但是已完成該技術(shù)的開發(fā)。

威剛董事會通過 每股擬配息0.2元

威剛董事會通過 每股擬配息0.2元

存儲器模組大廠威剛科技昨日召開董事會通過2018年財務(wù)報告,即使去年轉(zhuǎn)盈為虧,不過公司仍決議每股配發(fā)0.2元(新臺幣,下同)現(xiàn)金股利。
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受DRAM及NAND Flash雙雙進(jìn)入價格修正期,提前反應(yīng)庫存跌價損失影響,威剛?cè)ツ耆甓惡筇潛p2.3億元;屬母公司業(yè)主虧損1.79億元,以加權(quán)平均股數(shù)2.18億股計算,每股虧損0.82元。
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威剛董事長陳立白指出,短期內(nèi)存儲器價格仍相對偏弱,但今年下半年整體市況可望回溫好轉(zhuǎn),且公司已做好多項新興事業(yè)的布局準(zhǔn)備,包括電競、工控、電動車馬達(dá)與車載應(yīng)用等,都具備堅強(qiáng)的技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊為后盾,在品牌及全球通路布局相輔相成下,預(yù)期高毛利的新事業(yè)成績將于今年下半年起陸續(xù)顯現(xiàn),未來1~2年內(nèi)營運(yùn)比重也將逐步提升,成為帶動公司整體表現(xiàn)的重要角色。
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威剛表示,NAND Flash及DRAM供不應(yīng)求的景氣循環(huán)分別自2018年第1季及第4季開始反轉(zhuǎn)向下,跌幅相對較大,因此公司去年大舉降低存儲器庫存水位。截至2018年底,公司存貨金額已下降至29.17億元,相較于2017年年底大減逾5成,為近9年來年底庫存低點。
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威剛樂觀預(yù)期,在庫存壓力提前解除之下,今年上半年開始公司營運(yùn)可望有正面發(fā)展。威剛2018年第4季單季合并營收68.23億元,季減22.05%,稅后凈損4.14億元,母公司業(yè)主凈損3.96億元。

因應(yīng)手機(jī)存儲器容量擴(kuò)增需求,三星量產(chǎn) 12G LPDDR4X

因應(yīng)手機(jī)存儲器容量擴(kuò)增需求,三星量產(chǎn) 12G LPDDR4X

在當(dāng)前智能型手機(jī) DRAM 存儲器容量需求越來越大的情況下,韓國存儲器大廠三星 14 日宣布,已開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)界首款 12G LPDDR4X 手機(jī)用行動式DRAM 存儲器。新的行動式DRAM存儲器具有比大多數(shù)超薄筆記型計算機(jī)更高的容量,可以讓使用者能夠充分利用下一代智能型手機(jī)的功能。

三星表示,隨著新 LPDDR4X DRAM 存儲器的大規(guī)模生產(chǎn),三星現(xiàn)在提供全面的先進(jìn)存儲器產(chǎn)品陣容,為搭載 12GB 行動式DRAM 和 512GB eUFS 3.0 快閃存儲器的智能型手機(jī)提供更高性能。

而受惠于 12GB 行動式DRAM 存儲器的量產(chǎn),智能型手機(jī)制造商可以最大限度的發(fā)揮 5 個以上攝影鏡頭,和不斷增加的熒幕尺寸,以及人工智能和 5G 功能的終端設(shè)備潛力。因此,對于智能型手機(jī)用戶而言,12GB DRAM 存儲器可以在超大型高分辨率屏幕上瀏覽應(yīng)用程序,以達(dá)到更流暢的多工處理和更快速的搜尋效能。

三星 12GB行動式DRAM 存儲器使用的是第 2 代 1y 納米的制程所打造,其模塊上共有 6 顆 LPDDR4X 芯片,組合而成總和 12GB 的容量。此外,透過使用三星的第 2 代 1y 納米制程,新的 12GB 行動型 DRAM 存儲器可提供每秒 34.1GB 的資料傳輸速率,同時最大限度地降低因 DRAM 容量增加,而導(dǎo)致的功耗增加,以提升手機(jī)電池的使用續(xù)航力。

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三星大規(guī)模生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有何影響?

三星大規(guī)模生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片MRAM,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有何影響?

據(jù)韓國媒體報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器,能夠應(yīng)用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、消費(fèi)類電子、汽車等,提升數(shù)據(jù)保存的能力。

報道指出,三星MRAM方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù),并實現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示,由于它在斷電時保存了存儲的數(shù)據(jù),并且不使用額外的備用電源,所以功耗也很優(yōu)秀。

另外,這一方案結(jié)構(gòu)簡單,可以通過在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計中添加最少的層數(shù)來實現(xiàn),減輕了三星進(jìn)行新設(shè)計的負(fù)擔(dān),并降低了生產(chǎn)成本。

隨著三星大規(guī)模量產(chǎn)首款商用MRAM產(chǎn)品,業(yè)界開始猜測,具有低成本、更優(yōu)速度和功率優(yōu)勢的MRAM是否會在未來取代DRAM與NAND,進(jìn)而改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局?

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)認(rèn)為,MRAM在電信特性上與現(xiàn)有的DRAM與NAND相似,但互有優(yōu)劣。使用MRAM,需要改變平臺的架構(gòu),因此未來MRAM可能會取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態(tài)的存儲器解決方案,但不會完全取代DRAM/NAND。

此外,DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面,MRAM與DRAM/NAND配合,可以取得省電以及性能的優(yōu)勢,另一方面,新的存儲器加入,也能夠避免原先存儲器解決方案若有大缺貨發(fā)生時的價格不穩(wěn)定狀況。