東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

東芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

由 中代科技評論關(guān)閉

東芝宣布其OEM客戶端NVMe SSD的第四次迭代，作為包含SSD控制器和NAND閃存的單個BGA芯片封裝提供。東芝BG4是對BG3的重大升級：東芝的新型96層3D TLC取代了他們的64層NAND，可實(shí)現(xiàn)更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代，為更高的順序I/O性能打開了大門。

BG4仍然是一款無DRAM的SSD，它依賴于NVMe主機(jī)內(nèi)存緩沖區(qū)（HMB）功能來緩解無刷驅(qū)動器否則會遭受的性能損失。東芝增加了對HMB的使用，增加了SSD存儲在主機(jī)DRAM中的數(shù)據(jù)的奇偶校驗(yàn)，即使主機(jī)系統(tǒng)不使用ECC內(nèi)存，也能提供額外的數(shù)據(jù)保護(hù)層。

BG4的固件也經(jīng)過調(diào)整，擴(kuò)展了可以緩存在主機(jī)內(nèi)存緩沖區(qū)中的用戶數(shù)據(jù)映射信息范圍，從而提高了復(fù)制大文件等用例的性能。這些變化意味著BG4會要求使用更大的主機(jī)內(nèi)存來加速其操作，但所請求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重點(diǎn)是提高隨機(jī)I / O性能并減少后臺閃存管理對交互性能的影響。來自東芝的初步性能數(shù)據(jù)表明，隨機(jī)寫入性能幾乎翻了一番，隨機(jī)讀取性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過BG3的兩倍。

東芝BG4容量128 GB，256 GB，512 GB，1TB，外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230單面，接口NVMe PCIe 3.0 x4，順序讀取性能2250 MB/s，順序?qū)懭胄阅?700 MB/s，4KB隨機(jī)讀取380k IOPS，4KB隨機(jī)寫入190k IOPS。

更改為更寬的PCIe x4主機(jī)接口不需要BG4采用比其前輩更大的BGA封裝尺寸，切換到96L 3D TLC具有更高的每個芯片容量，允許一些驅(qū)動器采用更薄的設(shè)計(jì)（對并且允許BG系列首次引入1TB容量。東芝是第一家推出采用96L NAND的SSD廠商，看起來BG4將成為第二款開始出貨的96L SSD。

兩年來首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超級周期告終

兩年來首次盈利下滑 三星「爆雷」宣告芯片超級周期告終

由 中代科技評論關(guān)閉

三星電子兩年來首次季度盈利下滑某種程度上正式宣告了為期兩年的芯片超級周期的結(jié)束。

全球最大的芯片和智能型手機(jī)制造商三星電子周二稱，公司 2018 年最后三個月的營業(yè)利潤為 10.8 兆韓元 (合 96.5 億美元)，年增率下降 28.7%，較第第三季 17.5 兆韓元的創(chuàng)紀(jì)錄高點(diǎn)下降 38.5%。第第四季銷售額估計(jì)為 59 兆韓元，年增率下降 10.6%。這是公司 2 年來首次季度盈利下滑。

三星不是唯一一家因芯片超級周期結(jié)束而盈利受損的公司。此前，儲存芯片巨頭鎂光季度銷售及利潤皆大幅低于市場預(yù)期，公司稱整個儲存芯片行業(yè)產(chǎn)出（包括三星 SK 海力士）大大超出市場需求，其將采取果斷行動，減產(chǎn)穩(wěn)價格。 而三星更是發(fā)出警告，稱持續(xù)兩年的行業(yè)景氣周期已經(jīng)到頭。

儲存芯片此前經(jīng)歷了 2 年的景氣行業(yè)。從 2016 年下半年開始，全球儲存芯片進(jìn)入了新一輪的旺季，DRAM、NAND 價格從那時候起大幅上漲，一直持續(xù)到 2018 年。

這其中，智能型手機(jī)儲存容量增大（內(nèi)存軍備競賽）、AI 人工智能、無人車、機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)對于儲存芯片的額外需求預(yù)期（AI 訓(xùn)練對內(nèi)存、閃存的需求量都會大幅增加）是本輪上行周期背后的重要推手。

從芯片周期角度而言，上次行業(yè)經(jīng)歷如此程度的暴跌還要追溯到 2015 年。但本輪下跌與 2015 年又有所不同。

在 2015 年，對于需求端疲弱的擔(dān)憂主導(dǎo)了上輪儲存芯片的大幅回調(diào)。2015 年是智能型手機(jī)高增長期的分水嶺——自 2010 年開啟的智能型手機(jī)高增長期基本結(jié)束。而當(dāng)年蘋果 iPhone 也處于周期的低點(diǎn)，銷量放緩加劇市場的恐慌情緒。

而本輪下跌則是需求不振疊加產(chǎn)量過剩。貿(mào)易沖突則加劇了市場的恐慌情緒。

在需求端方面，新的智能型手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求（以蘋果為代表）、消費(fèi)級的 PC 市場由于 Intel CPU 的供貨不足出貨不振。而諸如 AI、無人車等新興技術(shù)則由于技術(shù)限制，大規(guī)模場景應(yīng)用還需時日，市場期望需求放緩。

而在供應(yīng)端方面，新技術(shù)的良品率提高及產(chǎn)能的擴(kuò)充使得市場供大于求：64/72 層 3D NAND 的良品率和產(chǎn)能增長使得供應(yīng)大幅攀升，野村證券預(yù)測閃存芯片供應(yīng)將增長 40% 到 50%；DRAM 1X/1Y 制程的比重持續(xù)增加和良品率的穩(wěn)定提升使得 DRAM 整體供應(yīng)有望增長 22%。

摩根士丹利研究認(rèn)為，從半導(dǎo)體周期歷史角度，市場通常經(jīng)歷 4-8 個季度下行周期，然后再經(jīng)歷 4-9 個的上行周期。

鑒于 DRAM 合約價格已經(jīng)在 2017 年 9 月見頂，摩根士丹利認(rèn)為本輪下行周期已經(jīng)進(jìn)行了一半。整體下行趨勢在未來的 2-3 個季度里還將繼續(xù)持續(xù)。這將導(dǎo)致相關(guān)公司的營收繼續(xù)下滑。

這意味著至少要到 2019 年年中才能有望看到復(fù)甦的跡象。而隨著未來經(jīng)濟(jì)增長的放緩，去兩年推動該行業(yè)發(fā)展的超常增長因素在下一個上升周期可能不會那么強(qiáng)勁。

威剛看好第2季起DRAM需求好轉(zhuǎn)

威剛看好第2季起DRAM需求好轉(zhuǎn)

由 中代科技評論關(guān)閉

存儲器模組大廠威剛公布去年全年?duì)I收中，DRAM產(chǎn)品營收較前一年成長達(dá)11.67%，也是近8年新高，雖然去年下半年以來，市場研究機(jī)構(gòu)多對今年存儲器市場持保守看法；不過，威剛預(yù)期，今年第2季開始DRAM需求將好轉(zhuǎn)，昨日存儲器個股，包括威剛、南亞科、旺宏及華邦電也呈現(xiàn)齊漲表現(xiàn)。

威剛?cè)ツ耆旰喜I收達(dá)314.48億元（新臺幣，下同），受惠去年DRAM產(chǎn)業(yè)供需健康，價格走勢相對穩(wěn)定，全年DRAM產(chǎn)品營收較前一年成長11.67%、達(dá)194.27億元，為近八年來新高。

威剛表示，去年DRAM產(chǎn)品對公司整體營收貢獻(xiàn)比重也較前一年成長近8個百分點(diǎn)達(dá)61.78%；非DRAM產(chǎn)品對整體營收貢獻(xiàn)比重為38.22%。

受國際客戶與通路的圣誕假期與年底結(jié)帳影響，威剛?cè)ツ?2月合并營收20.84億元，較前一個月下滑10.53%。累計(jì)去年第4季合并營收為68.09億元，單季DRAM產(chǎn)品營收貢獻(xiàn)比重54.75%，非DRAM產(chǎn)品營收貢獻(xiàn)比重45.25%。

展望2019年存儲器市況，威剛表示，第1季因CPU缺貨影響，DRAM需求轉(zhuǎn)淡，但隨著缺貨情勢逐步緩解，自第2季開始DRAM需求可望好轉(zhuǎn)。公司也持續(xù)看好NAND Flash價格修正后，可刺激終端產(chǎn)品搭載容量成長及提升SSD市場滲透率。

南亞科12月營收雙降，2018年全年?duì)I收年成長54.27%

南亞科12月營收雙降，2018年全年?duì)I收年成長54.27%

由 中代科技評論關(guān)閉

存儲器大廠南亞科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自結(jié)財(cái)報(bào)，根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，南亞科 2018 年 12 月營收為 48.29 億元（新臺幣，下同），較 11 月減少 10.62%，也較 2017 年同期減少 18.87%，創(chuàng)下 15 個月來的新低紀(jì)錄。而且，2018 年第 4 季營收連 3 個月下滑，累計(jì)營收為 169.58 億元，較第 3 季的 243.75 億元大幅下滑超過 3 成，與 2017 年第 4 季的 167.83 億元約略持平。

事實(shí)上，南亞科在上一季法人說明會時，總經(jīng)理李培瑛就表示，整體來說，在中美貿(mào)易摩擦等不確定因素增加的情況下，對于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相對較上半年保守。而且，在影響因素未確定的情況下，對 DRAM 的長期走勢還需要做密切的觀察，這使得 2018 年第 4 季營收較之前有衰退，不過，南亞科仍舊在 2018 年前 3 季營收表現(xiàn)突出的情況下，使得累計(jì) 2018 年的全年?duì)I收，仍較 2017 年亮眼，總營收金額為 847.22 億元，較 2017 年度增加 54.27%。

根據(jù)李培瑛之前的說法，就目前情況來看，中美貿(mào)易摩擦的影響仍是市場最大的變量。這樣的情況會造成需求端的趨向保守，供給端的投片量減少。所以，日前國際大廠宣布降低 2019 年的相關(guān)資本支出，主要也可能是受到這樣情況的影響。

而南亞科本身也為了因應(yīng)這樣的情況，2018 年也已經(jīng)下調(diào)相關(guān)的資本支出，從新臺幣 240 億元下調(diào)到 210 億元。也因?yàn)闇p少的資本支出是在于機(jī)器設(shè)備的增加上，這將使得原本預(yù)計(jì) 2019 年 20 奈米 4.7 萬片的月產(chǎn)能，也將會有些許調(diào)降的情況。

不過，雖然在 DRAM 供應(yīng)面有下調(diào)資本支出、減少投片量的情況，而且需求面也有較為保守的趨勢產(chǎn)生，但是就整體市場的情況來分析，卻不會太過悲觀。

李培瑛預(yù)估，2019 年整體的價格不會有過去呈現(xiàn) 2 位數(shù)百分比的暴跌情況產(chǎn)生，而是呈現(xiàn)逐季緩步走跌的情況，時間大約在 1 到 2 季之間。李培瑛還進(jìn)一步分析 DRAM 價格不會暴跌的主因，是來自于目前市場上包括手機(jī)、服務(wù)器、消費(fèi)性電子產(chǎn)品都還供需健康的狀況，僅在個人計(jì)算機(jī)方面，受到貿(mào)易摩擦及處理器缺貨的因素所影響，會有短期市場跌價的壓力。

DRAM廠放緩擴(kuò)產(chǎn) 集邦估資本支出減1成

DRAM廠放緩擴(kuò)產(chǎn) 集邦估資本支出減1成

由 中代科技評論關(guān)閉

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)廠紛紛放緩擴(kuò)產(chǎn)腳步，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)估，2019年DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出金額約180億美元，將減少1成左右。

集邦科技表示，韓國兩大DRAM廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)較早宣布放緩2019年投資計(jì)劃，三星2019年DRAM投資金額約80億美元，主要用在轉(zhuǎn)換1y納米制程及新產(chǎn)品開發(fā)。

隨著平澤廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃終止，集邦科技預(yù)估，三星2019年位元成長率將約20%，將創(chuàng)下歷年新低紀(jì)錄。

SK海力士2019年DRAM投資金額也將降至55億美元左右，將用以推進(jìn)制程技術(shù)及提升良率，集邦科技預(yù)期，SK海力士因中國無錫新廠落成，2019年位元成長率將約21%。

美光(Micron)2019年資本支出將降至30億美元左右，位元成長率也將降至15%。

集邦科技指出，2018年第4季DRAM合約價下跌約10%，預(yù)期受淡季效應(yīng)影響，2019年第1季價格將再跌15%，第2季價格跌幅可能收斂至10%以內(nèi)。

三星Q4利潤下滑 全年利潤達(dá)3844億元

三星Q4利潤下滑 全年利潤達(dá)3844億元

由 中代科技評論關(guān)閉

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對即將到來的降價周期，這三家公司已經(jīng)確定會削減明年的資本支出，不再大幅增加內(nèi)存產(chǎn)能以減緩內(nèi)存降價趨勢。

三星Q4季度的內(nèi)存降價，再加上今年一直在跌價的NAND閃存，預(yù)計(jì)三星本季度盈利會下滑7.6%，但是全年積累之下，三星今年的利潤依然會達(dá)到62.6萬億韓元，創(chuàng)造歷史最好記錄。

三星即將在明年1月份發(fā)布2018年Q4季度財(cái)報(bào)，在此之前市場已經(jīng)在打預(yù)防針了，因?yàn)楸炯径戎袃?nèi)存芯片也開始跌價了，勢必會影響三星的賺錢能力。來自韓國分析師的分析認(rèn)為三星今年Q4季度的營收為63.8萬億韓元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是內(nèi)存以及NAND芯片跌價，其他風(fēng)險(xiǎn)還有中美貿(mào)易戰(zhàn)等等，不過這些因素都沒有存儲芯片跌價影響大。

與營收微幅下滑不同，三星Q4季度的運(yùn)營利潤下滑更多，預(yù)期本季運(yùn)營利潤只有13.9萬億韓元，約合123億美元，與去年同期的15.1萬億韓元相比會下滑7.6%。

盡管Q4季度會因?yàn)榇鎯π酒鴥r而導(dǎo)致利潤下滑，但是放眼全年的話，由于前三季度DRAM內(nèi)存芯片價格一直維持強(qiáng)勢，三星此前在DRAM芯片上維持了70%以上的毛利率，所以折抵下來全年盈利依然會創(chuàng)新高，預(yù)計(jì)今年運(yùn)營利潤高達(dá)62.6萬億韓元，約合557.3億美元或者3844億人民幣，而去年全年的運(yùn)營利潤也不過53.6萬億韓元，約合3291億人民幣，相比之下，今年的盈利依然會大漲16.8%。

內(nèi)存、閃存降價太狠，美光削減12.5億美元支出以減少供應(yīng)

內(nèi)存、閃存降價太狠，美光削減12.5億美元支出以減少供應(yīng)

由 中代科技評論關(guān)閉

美光公司昨天發(fā)布了2019財(cái)年Q1季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營收79.1億美元，同比增長16%，毛利率達(dá)到了58%，凈利潤32.9億美元，同比增長23%。雖然整體業(yè)績還是在增長的，但是相比上個季度已經(jīng)放緩了，主要原因就是NAND閃存大幅降價，DRAM內(nèi)存芯片也由漲轉(zhuǎn)跌，影響了公司的毛利率。2019年內(nèi)存、閃存芯片的價格還會繼續(xù)降低，大趨勢不可避免，為此美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出，減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量。

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會議上表示，為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預(yù)測的20%增長，而NAND閃存預(yù)計(jì)增長35%，也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長率。

美光明年的資本支出大概是95億美元，削減了12.5億美元，主要減少的是汽車、智能手機(jī)以及數(shù)據(jù)中心等市場上的存儲芯片產(chǎn)能，在這些領(lǐng)域美光認(rèn)為需求量低于預(yù)期。

對于明年存儲市場的情況，普遍的預(yù)期是2019年上半年會繼續(xù)跌，花旗集團(tuán)分析師Peter Lee預(yù)計(jì)明年的內(nèi)存及閃存芯片都會大降價，其中NAND價格會跌45%，DRAM價格會下跌30%，而且明年Q2季度之前是看不到價格底線的，也就是說明年的存儲芯片降價至少會持續(xù)到Q2季度。

美光CEO Sanjay Mehrotra也認(rèn)為智能手機(jī)市場的需求疲軟是暫時的，預(yù)計(jì)2019年下半年市場需求就會升溫。

在美光之前，三星、SK Hynix等公司也計(jì)劃削減明年的資本支出以減少NAND閃存、DRAM內(nèi)存產(chǎn)能，三星還計(jì)劃增加在晶圓代工市場上的份額以彌補(bǔ)存儲芯片降價導(dǎo)致的損失。

異構(gòu)戰(zhàn)略日漸盛行

異構(gòu)戰(zhàn)略日漸盛行

由 中代科技評論關(guān)閉

隨著傳統(tǒng)市場走向下坡路和摩爾定律的逐漸失效，半導(dǎo)體行業(yè)正在不斷革新，力求了解人工智能、自動駕駛汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新市場的需求。

而其中最奇特的也許當(dāng)屬人工智能，因?yàn)樗挠?jì)算范式與傳統(tǒng)的“處理器-內(nèi)存”方法有著明顯差異。在近期于舊金山舉辦的國際電子器件大會上，法國研究員Damien Querlioz在談及“神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的新型器件技術(shù)”時說道，“長期以來，模式識別和認(rèn)知任務(wù)都是計(jì)算機(jī)的弱點(diǎn)，比如識別和解讀圖像、理解口語、自動翻譯等?！?/p>

大約從2012年起，訓(xùn)練和推理階段的人工智能技術(shù)開始加速發(fā)展，但當(dāng)使用傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)時，功耗仍是一個巨大挑戰(zhàn)。

Querlioz是法國國家實(shí)驗(yàn)室CNRS的一名研究員，他舉了一個活生生的例子：2016年Google的AlphaGo與圍棋世界冠軍李世石之間的著名圍棋大戰(zhàn)。李世石的大腦在比賽中消耗了大約20瓦，而AlphaGo估計(jì)需要超過250,000瓦才能使其CPU和GPU保持運(yùn)轉(zhuǎn)。

雖然從那以后Google和其他公司均在功耗方面做出了改進(jìn)，但越來越多的工作開始側(cè)重于為神經(jīng)形態(tài)計(jì)算技術(shù)設(shè)計(jì)耗電更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高級戰(zhàn)略營銷人員，他表示，回想人工智能的各個階段，從改進(jìn)傳統(tǒng)計(jì)算技術(shù)，到設(shè)計(jì)耗電更少的全新器件和架構(gòu)，在整個過程中，先進(jìn)高效的封裝將發(fā)揮關(guān)鍵作用。

Letavic稱，“人工智能時代正在逐步到來，我們可以利用現(xiàn)有的技術(shù)，再加上衍生技術(shù)，通過DTCO（設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化）進(jìn)行全面優(yōu)化，一直深入到位單元設(shè)計(jì)層面?！?/p>

格芯的技術(shù)人員正在努力降低14/12 nm FinFET平臺的功耗并提升其性能，所采用的辦法包括雙功函數(shù)SRAM、更快且功耗更低的累加運(yùn)算(MAC)元件、對SRAM的更高帶寬訪問等?；贔D-SOI的FDX處理器的功耗也將降低，尤其是在部署背柵偏置技術(shù)時。Letavic表示，設(shè)計(jì)師掌握了這些技術(shù)后，客戶便可以“重新設(shè)計(jì)功耗包絡(luò)更低的人工智能固有元件，甚至達(dá)到7 nm?！?/p>

除了這些DTCO改進(jìn)以外，全球各地也在開展其他研發(fā)工作，希望實(shí)現(xiàn)基于相變存儲器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自選扭矩轉(zhuǎn)換磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式內(nèi)存與內(nèi)存中計(jì)算解決方案。

Querlioz在IEDM專題會議上提到，在IBM Almaden研究中心，由Jeff Welser領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)的基于PCM的芯片已取得顯著進(jìn)展，而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能處理器也前景光明。Querlioz表示，“現(xiàn)在，我們極有可能成功為認(rèn)知類型的任務(wù)和模式識別重新發(fā)明電子器件?！?/p>

Letavic稱，降低功耗的道路還很長，對于推理處理而言尤其如此，而這正促使眾多初創(chuàng)公司開發(fā)新的人工智能解決方案，格芯也與其中部分公司及長期合作伙伴AMD和IBM保持著密切合作關(guān)系。

Letavic認(rèn)為，憑借對馮諾依曼計(jì)算模式的DTCO改進(jìn)，我們只能發(fā)展到這一步。除了分類邏輯和內(nèi)存，下一步是發(fā)展內(nèi)存中計(jì)算和基于模擬的計(jì)算。此外，為計(jì)算行業(yè)服務(wù)了35年的指令集架構(gòu)(ISA)將需要被新的軟件堆棧和算法取代。他說道：“對于特定領(lǐng)域的計(jì)算，必須重新發(fā)明軟件。IBM對軟件堆棧有著深刻的見解?！?/p>

“各方都必須一同轉(zhuǎn)向人工智能。格芯將與主要客戶緊密合作，我們不能將算法與技術(shù)分開，”Letavic在談及該系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(STCO)方面的緊密合作時說道，“隨著我們邁入計(jì)算發(fā)展的第四個時代，STCO將是DTCO的自然延伸。我們將朝著特定領(lǐng)域的計(jì)算發(fā)展，共同迎接這一轉(zhuǎn)變?！?/p>

紫光國微：DDR4存儲芯片開發(fā)工作基本完成 產(chǎn)能難保證

紫光國微：DDR4存儲芯片開發(fā)工作基本完成 產(chǎn)能難保證

由 中代科技評論關(guān)閉

此前，紫光國微曾表示，公司已具備世界主流水平的DRAM內(nèi)存設(shè)計(jì)能力，預(yù)計(jì)今年底可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。

如今，2018年即將過去，業(yè)內(nèi)人士對于紫光國微DDR4存儲器芯片的開發(fā)進(jìn)展也格外關(guān)注。近日，紫光國微在互動平臺上也做出了明確地回答。

紫光國微表示，公司DDR4存儲器芯片的開發(fā)工作已經(jīng)基本完成，正在進(jìn)行后續(xù)改進(jìn)、完善及市場推廣工作。下游制造代工的情況目前沒有明顯改善，產(chǎn)能仍然很難保證。國資管理部門的評估備案工作還在積極推進(jìn)中，年內(nèi)是否可以完成不確定。

資料顯示，紫光國微是紫光集團(tuán)有限公司旗下的半導(dǎo)體行業(yè)上市公司，專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，業(yè)務(wù)涵蓋智能安全芯片、高穩(wěn)定存儲器芯片、自主可控FPGA、半導(dǎo)體功率器件及超穩(wěn)晶體頻率器件等方面，已形成領(lǐng)先的競爭態(tài)勢和市場地位。

2018年第三季度，紫光國微實(shí)現(xiàn)營收6.58億元，同比增長29.71%，歸屬于上市公司股東的凈利潤1.68億元，同比大幅增長87.60%。

此外，鑒于公司集成電路設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)規(guī)?？焖僭鲩L，經(jīng)營業(yè)績穩(wěn)步提升，同時子公司增資、股權(quán)轉(zhuǎn)讓導(dǎo)致合并報(bào)表范圍變更等事項(xiàng)，將增加公司投資收益等原因，紫光國微預(yù)計(jì)2018年度歸屬于上市公司股東的凈利潤也將得到大幅增長。

具體而言，子公司增資方面，今年8月，紫光國微完成了對公司間接控股子公司紫光同創(chuàng)的增資事項(xiàng)，將紫光同創(chuàng)注冊資本由1.5億元增加至3.0億元。

股權(quán)轉(zhuǎn)讓方面，10月25日，紫光國微實(shí)際控制人清華控股與深投控及紫光集團(tuán)共同簽署了《合作框架協(xié)議》，擬向深投控轉(zhuǎn)讓紫光集團(tuán)36%股權(quán)。

此外，紫光國微還計(jì)劃將公司全資子公司西安紫光國芯100%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給間接控股股東紫光集團(tuán)下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司，轉(zhuǎn)讓價格經(jīng)交易雙方協(xié)商確定為2.2億元人民幣，該事項(xiàng)已獲得公司董事會審議通過。