市場普遍認(rèn)為，MOSFET 在 2019 年價格預(yù)估有衰退可能，原因來自全球 MOSFET 需求吃緊狀況減緩，以及中國自有 12 吋廠功率半導(dǎo)體逐步放量。英飛凌（Infineon）2 月初公布財報，提及擴(kuò)大委外代工及新建 12 吋功率半導(dǎo)體廠計劃，或許就是英飛凌為因應(yīng)市場波動所提前制定的策略，一方面提高委外代工份額，加強(qiáng)合作關(guān)系鞏固主要營收市場；另一方面憑借 12 吋功率半導(dǎo)體廠轉(zhuǎn)型成功的優(yōu)勢，因應(yīng)市場供需與價格波動。

擴(kuò)大委外代工比重，鞏固主要營收市場

回顧 2018 年英飛凌營收區(qū)域分布，大中華區(qū)營收占 34%（含中國與臺灣），成為英飛凌最主要單一營收收入?yún)^(qū)域。面對同樣在中國 12 吋功率半導(dǎo)體廠可能帶來的 MOSFET 價格波動，或許讓英飛凌的擴(kuò)大委外代工策略，在合作伙伴分配的代工比例有調(diào)整。

▲ 英飛凌委外代工布局。（Source：英飛凌；拓墣展業(yè)研究所整理，2019.3）

英飛凌與相當(dāng)多中國晶圓代工廠合作，預(yù)計未來 5 年在功率半導(dǎo)體委外代工規(guī)模擴(kuò)大至 15%，并可能會將多數(shù)訂單給既有的中國合作廠商，例如 HHGrace & Hua Li、CSMC、ASMC、JSMC 等，就近供應(yīng)中國內(nèi)需市場以提升產(chǎn)品競爭力，應(yīng)付 MOSFET 市場的價格波動。對于臺灣廠商，由于英飛凌分配給世界先進(jìn)的代工份額與 HHGrace & Hua Li 接近，漢磊的代工份額屬小量，雖然技術(shù)層面較為成熟，但在產(chǎn)品生產(chǎn)成本競爭下，受惠程度將有些許影響。

附帶一提，CMOS 的委外代工量預(yù)計從 50% 提升至 70%，借重臺廠優(yōu)良技術(shù)期望繼續(xù)推升英飛凌在 MCU 市場居于落后地位，中國晶圓代工廠如中芯國際、SSMC、Founder Electronics 也同樣可望受惠，以因應(yīng)未來中國廣大的汽車內(nèi)需市場。

12 吋功率半導(dǎo)體持續(xù)布局，可望拉大與競爭對手的距離

▲ Infineon’s Major Manufacturing Fab Distribution。（Source：英飛凌；拓墣展業(yè)研究所整理，2019.3）

12 吋功率半導(dǎo)體廠或?qū)⒊蔀槲磥碲厔荩偌由霞扔械?8 吋廠產(chǎn)能，可提供市場足夠需求。但反過來說，2018 年因 8 吋廠 MOSFET 產(chǎn)能吃緊造成的價格上揚恐不易重現(xiàn)，可能致使 IDM 廠總營收下降；另外，對比產(chǎn)品制程生產(chǎn)線，雖有制造成本上的優(yōu)勢，但 12 吋廠在制程與原料控管也較 8 吋廠困難，尤其是對產(chǎn)品良率與容錯率的要求更加嚴(yán)格，一旦有晶圓報廢，其影響數(shù)量也會是過去 8 吋的兩倍以上。

英飛凌在功率半導(dǎo)體市占率居首位，首座專門生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的 12 吋廠，提升英飛凌成本控管的彈性。從英飛凌公布的 12 吋廠規(guī)劃來看，將持續(xù)加重功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)比例，減少高成本國家的生產(chǎn)支出，也顯示英飛凌在 12 吋功率半導(dǎo)體發(fā)展確實有獨到之處，克服制程生產(chǎn)線轉(zhuǎn)型困難，持續(xù)布局 12 吋功率半導(dǎo)體廠房，相信英飛凌能更穩(wěn)固在功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先地位，拉大與競爭對手的距離，拿下更多市占率。

市場上普遍認(rèn)為，MOSFET在2019年價格預(yù)估有開始衰退的可能，其原因來自全球MOSFET需求吃緊狀況減緩，以及中國自有12英寸廠功率半導(dǎo)體的逐步放量。

英飛凌在2019年2月初公布的財報，提及擴(kuò)大委外代工及新建12英寸功率半導(dǎo)體廠計劃，或許就是英飛凌為因應(yīng)市場波動所提前制定的策略，一方面提高委外代工份額，加強(qiáng)合作關(guān)系鞏固主要營收市場；另一方面憑借12英寸功率半導(dǎo)體廠轉(zhuǎn)型成功的優(yōu)勢，因應(yīng)市場供需與價格波動。

擴(kuò)大委外代工比重，鞏固主要營收市場

回顧2018年英飛凌營收區(qū)域分布，大中華區(qū)營收占34%(包含大陸地區(qū)與臺灣地區(qū))，成為英飛凌最主要單一營收收入?yún)^(qū)域。面對同樣在中國12英寸功率半導(dǎo)體廠可能帶來的MOSFET價格波動，或許讓英飛凌的擴(kuò)大委外代工策略，在合作伙伴分配的代工比例上有調(diào)整。

英飛凌與相當(dāng)多的大陸地區(qū)晶圓代工廠合作，預(yù)計未來5年在功率半導(dǎo)體委外代工規(guī)模擴(kuò)大至15%，并可能會將多數(shù)訂單給既有的大陸地區(qū)合作廠商，例如上海華虹宏力、上華、上海先進(jìn)、JSMC等，就近供應(yīng)大陸地區(qū)內(nèi)需市場以提升產(chǎn)品競爭力，以應(yīng)對MOSFET市場的價格波動。對于臺灣地區(qū)廠商，由于英飛凌分配給世界先進(jìn)的代工份額與上海華虹宏力接近，漢磊的代工份額屬小量，雖然技術(shù)層面較為成熟，但在產(chǎn)品生產(chǎn)成本競爭下，受惠程度將有些許影響。

附帶一提，CMOS的委外代工量預(yù)計從50%提升至70%，借重臺廠優(yōu)良技術(shù)期望繼續(xù)推升英飛凌在MCU市場居于落后地位，大陸地區(qū)晶圓代工廠如中芯國際、華潤上華、方正微電子也同樣可望受惠，以因應(yīng)未來中國廣大的汽車內(nèi)需市場。

12英寸功率半導(dǎo)體持續(xù)布局，可望拉大與競爭對手的距離

12英寸功率半導(dǎo)體廠或?qū)⒊蔀槲磥碲厔?，再加上既有?英寸廠產(chǎn)能，可提供市場足夠需求。但反過來說，2018年因8英寸廠MOSFET產(chǎn)能吃緊造成的價格上揚恐不易重現(xiàn)，可能致使IDM廠總營收下降。

另外，對比產(chǎn)品制程生產(chǎn)線，雖有制造成本上的優(yōu)勢，但12英寸廠在制程與原料控管上也較8英寸廠困難，尤其是對產(chǎn)品良率與容錯率的要求更加嚴(yán)格，一旦有晶圓報廢，其影響數(shù)量也會是過去8寸的兩倍以上。

英飛凌在功率半導(dǎo)體市場份額居于首位，其首座專門生產(chǎn)功率半導(dǎo)體的12英寸廠，提升英飛凌在成本控管上的彈性。從英飛凌公布的12英寸廠規(guī)劃來看，將持續(xù)加重在功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)比例，減少高成本國家的生產(chǎn)支出，也顯示英飛凌在12英寸功率半導(dǎo)體發(fā)展確實有其獨到之處，克服制程生產(chǎn)線轉(zhuǎn)型困難，持續(xù)布局12英寸功率半導(dǎo)體廠房，相信英飛凌能更穩(wěn)固其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)先地位，拉大與競爭對手的距離，拿下更多市場份額。

嘉興日報消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項目舉行啟動典禮。

據(jù)介紹，該項目由西安博瑞集信電子科技有限公司聯(lián)合上市公司華訊方舟股份有限公司、深圳方德信基金有限公司共同設(shè)立，其中西安博瑞集信電子科技有限公司是國內(nèi)領(lǐng)先的自主可控核心芯片和特種通信設(shè)備提供商，目前已成功研制出航空航天專用芯片、模塊、系統(tǒng)整機(jī)、無源元件四個系列40余種產(chǎn)品。

根據(jù)規(guī)劃，該項目將在浙江嘉興市秀洲區(qū)國家高新區(qū)投資建設(shè)規(guī)?；牡壓蜕榛壣漕l芯片與功率器件生產(chǎn)基地。項目用地112畝，計劃總投資25億元，預(yù)計達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能4000片氮化鎵和砷化鎵射頻晶圓、20000片功率晶圓，合計年產(chǎn)能20萬片以上（6寸線兼4寸）的規(guī)模。項目將于4月開工建設(shè)。

典禮現(xiàn)場，博方嘉芯與秀洲國家高新區(qū)、秀湖集團(tuán)三方進(jìn)行“雙保共建”協(xié)議簽約。通過設(shè)立項目“雙保共建”工作機(jī)制，“保質(zhì)量、保廉潔”推進(jìn)項目建設(shè)，共同建設(shè)新時代國家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)示范項目。

媒體報道稱，3月26日，家電企業(yè)美的集團(tuán)與三安光電全資子公司廈門市三安集成電路有限公司（以下簡稱“三安集成”）在廈門舉行了“第三代半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室”揭牌儀式。

據(jù)介紹，美的集團(tuán)與三安集成雙方將展開戰(zhàn)略合作，共同推動第三代半導(dǎo)體功率器件的創(chuàng)新發(fā)展，以加快國產(chǎn)芯片導(dǎo)入白色家電行業(yè)。具體而言，未來雙方合作方向?qū)⒕劢乖贕aN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）半導(dǎo)體功率器件芯片與IPM（智能功率模塊）的應(yīng)用電路相關(guān)研發(fā)，并逐步導(dǎo)入白色家電領(lǐng)域。

官方資料顯示，三安集成成立于2014年，項目總投資額30億元，是涵蓋微波射頻、高功率電力電子、光通訊等領(lǐng)域的化合物半導(dǎo)體制造平臺，具備襯底材料、外延生長、以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力，擁有大規(guī)模、先進(jìn)制程能力的MOCVD 外延生長制造線。

第三代半導(dǎo)體在白電市場潛力巨大，美的集團(tuán)作為國內(nèi)前列的家電企業(yè)，據(jù)稱一直在積極尋找第三代半導(dǎo)體在白家電領(lǐng)域替代方案的國內(nèi)供應(yīng)商，以及導(dǎo)入第三代半導(dǎo)體的新型應(yīng)用場景。媒體報道顯示，2017年9月，美的家用空調(diào)研發(fā)中心與華南理工大學(xué)、鎵能半導(dǎo)體（佛山）有限公司、廈門芯光潤澤科技有限公司四方共建第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)應(yīng)用聯(lián)合實驗室。

隨著這次美的集團(tuán)與三安集成戰(zhàn)略合作，將于有望進(jìn)一步加速第三代半導(dǎo)體在家電終端市場的應(yīng)用進(jìn)程。

3月13日，臺基股份發(fā)布公告稱，為了進(jìn)一步強(qiáng)化公司核心技術(shù)、產(chǎn)品和市場競爭力，引入關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略投資者，提升公司盈利能力和核心競爭力，公司正在籌劃非公開發(fā)行股票事項。

根據(jù)公告，這次臺基股份募集資金擬用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項目：（1）月產(chǎn)4 萬只IGBT模塊（兼容MOSFET等）封測線，兼容月產(chǎn)1.5萬只SiC等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封測；（2）月產(chǎn)6500只高功率半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)生產(chǎn)線；（3）晶圓線改擴(kuò)建項目；（4）新型高功率半導(dǎo)體研發(fā)中心、營銷中心。募集資金投向最終以經(jīng)公司董事會、股東大會批準(zhǔn)與中國證監(jiān)會核準(zhǔn)的方案為準(zhǔn)。

本次非公開發(fā)行的股票數(shù)量擬按照募集資金總額除以發(fā)行價格確定，發(fā)行股份數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司總股本的20%。根據(jù)測算，本次非公開發(fā)行不會導(dǎo)致公司控制權(quán)發(fā)生變化。

臺基股份表示，本次籌劃非公開發(fā)行股票并投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目，有利于公司擴(kuò)充資金實力， 引入新的戰(zhàn)略投資者，將進(jìn)一步增強(qiáng)公司競爭實力，有利于公司長遠(yuǎn)發(fā)展。不過，公告亦提示稱，目前本次非公開發(fā)行股票方案及募集資金使用項目尚在論證過程中，能否達(dá)成尚存在不確定性。

官方資料顯示，臺基股份專注于大功率晶閘管及模塊的研發(fā)、制造、銷售及相關(guān)服務(wù)，目前已形成年產(chǎn)280萬只大功率晶閘管及模塊的生產(chǎn)能力，是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域為數(shù)不多的掌握前道（擴(kuò)散）技術(shù)、中道（芯片制成）技術(shù)、后道（封裝測試）技術(shù)，并掌握大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造核心技術(shù)并形成規(guī)模化生產(chǎn)的企業(yè)。

2018年，富士康高調(diào)宣布進(jìn)軍半導(dǎo)體領(lǐng)域，在業(yè)界不斷傳來各種議論聲中，富士康除了表決心外鮮少作其他回應(yīng)，但其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局正在一步步展開。

將建設(shè)功率芯片工廠

日前，濟(jì)南市政府正式發(fā)布該市2019年市級重點項目安排。2019年濟(jì)南市共安排270個重點建設(shè)項目，總投資11602.7億元，年計劃投資3000.3億元；同時安排重點預(yù)備項目100個，總投資3568.8億元。

在這些重點項目及預(yù)備項目中，我們可發(fā)現(xiàn)不少半導(dǎo)體相關(guān)項目，包括“天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”、“天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”、“長江云控云芯邏輯集成電路制造項目”、“濟(jì)南寬禁帶產(chǎn)業(yè)園起步區(qū)建設(shè)項目”等。

值得注意的是，濟(jì)南市2019年重點項目中還出現(xiàn)了“富士康功率芯片工廠建設(shè)項目”。眾所周知，2018年富士康已高調(diào)宣布進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并開始在多地撒網(wǎng)布局，濟(jì)南市便是其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重點區(qū)域。

2018年9月，富士康與濟(jì)南市簽約共同籌建濟(jì)南富杰產(chǎn)業(yè)基金項目，該產(chǎn)業(yè)基金項目規(guī)模37.5億元，將以產(chǎn)業(yè)基金形式服務(wù)于濟(jì)南市集成電路發(fā)展，主要投資于富士康集團(tuán)現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目。根據(jù)雙方簽約內(nèi)容，富士康先期將促成1家高功率芯片公司和5家集成電路設(shè)計公司落地濟(jì)南。

如今看來，“富士康功率芯片工廠建設(shè)項目”或?qū)儆谏鲜龊灱s內(nèi)容中的項目之一，不過目前尚未知曉該項目的具體情況。若按照協(xié)議，接下來富士康還將在濟(jì)南市促成5家集成電路設(shè)計公司落地，在濟(jì)南市政府相關(guān)部門的新聞稿中亦有“富士康芯片設(shè)計及生產(chǎn)一攬子項目”一稱。

半導(dǎo)體版圖漸顯

除了濟(jì)南市外，富士康還在煙臺、珠海、南京等地作了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

2018年6月，山東省發(fā)布省新舊動能轉(zhuǎn)換重大項目名單，富士康電子信息產(chǎn)業(yè)園入榜。據(jù)悉，該產(chǎn)業(yè)園包括智能工廠、芯片研發(fā)、夏普8英寸晶圓、多元影像封裝等，總投資144億元。2019年1月，煙臺市2019年政府工作報告中亦提到要“重點推進(jìn)富士康半導(dǎo)體等項目?！?/p>

2018年8月，富士康與珠海市政府簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將在半導(dǎo)體設(shè)計服務(wù)、半導(dǎo)體設(shè)備及芯片設(shè)計等方面開展合作。簽約后，業(yè)界多次傳出富士康將在珠海建設(shè)一座晶圓制造工廠，投資規(guī)模將達(dá)600億元。

2018年11月，富士康旗下京鼎精密的南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地暨半導(dǎo)體設(shè)備制造項目正式簽約。該項目總投資額20億元，一期項目計劃于2019年3月開始動工，預(yù)計于2019年年底前竣工投產(chǎn)。

從地理版圖上看，富士康的半導(dǎo)體布局已覆蓋南、中、北地區(qū)；從產(chǎn)業(yè)版圖上看，富士康通過投資等方式已涉足IC設(shè)計、制造、封測、設(shè)備等環(huán)節(jié)。目前，富士康在晶圓制造方面有夏普，IC封測方面有訊芯科技，IC設(shè)計與服務(wù)方面有虹晶科技、天鈺科技，設(shè)備方面有京鼎精密、帆宣等。

據(jù)悉，富士康母公司鴻海已設(shè)立“半導(dǎo)體子集團(tuán)”——S次集團(tuán)，主要是由鴻海、夏普及群創(chuàng)的集團(tuán)半導(dǎo)體八勇士構(gòu)組，由總經(jīng)理劉揚偉負(fù)責(zé)。此外，富士康旗下夏普已宣布將分拆其電子設(shè)備事業(yè)部（包含半導(dǎo)體業(yè)務(wù)）和激光事業(yè)部以子公司的形式獨立運營，業(yè)界認(rèn)為此舉將配合富士康的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局。

如今，富士康進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意圖已非常明顯、決心也十分堅定，隨著不斷挺進(jìn)的步伐，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖開始逐漸清晰，未來或?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)大。

前不久，臺基股份旗下臺基海德基金與天津銳芯簽署IGBT模塊項目合作協(xié)議，日前該合作事項有了新進(jìn)展：臺基海德基金攜手天津銳芯拿下了浦巒半導(dǎo)體100%股權(quán)。

12月24日，臺基股份發(fā)布《關(guān)于參與設(shè)立的產(chǎn)業(yè)基金對外投資暨關(guān)聯(lián)交易的進(jìn)展公告》。公告稱，公司參與投資設(shè)立的臺基海德基金已于2018年7月完成工商注冊登記手續(xù)。資料顯示，臺基股份為臺基海德基金的大股東，持股比例99%，另一股東亦為臺基股份關(guān)聯(lián)方。

9月19日，臺基海德基金與天津銳芯企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）（以下簡稱“天津銳芯”） 簽署了《關(guān)于IGBT模塊項目合作協(xié)議》，擬合作設(shè)立IGBT項目公司。合資公司注冊資本注冊資本3000萬元，其中臺基海德基金出資1200萬元，股權(quán)占比40%。

公告表示，自合作協(xié)議簽訂后，臺基海德基金和天津銳芯開始了合資公司的籌備工作。根據(jù)合作協(xié)議，合資公司的設(shè)立可采取臺基海德基金及天津銳芯雙方新設(shè)公司，或雙方受讓存續(xù)公司老股的形式。

近日，臺基海德基金與浦巒半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“浦巒半導(dǎo)體”）原股東周會敏、天津銳芯與浦巒半導(dǎo)體原股東張俊鋒分別簽署了《股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。

其中，周會敏將所持有的浦巒半導(dǎo)體40%股權(quán)，共計800萬元人民幣認(rèn)繳出資額轉(zhuǎn)讓給臺基海德基金，張俊鋒將所持有的浦巒半導(dǎo)體60%股權(quán)，共計1200萬元人民幣出資額轉(zhuǎn)讓給天津銳芯。由于浦巒半導(dǎo)體原股東尚未實繳出資，因此本次兩筆股權(quán)轉(zhuǎn)讓均按0元對價進(jìn)行轉(zhuǎn)讓。

上述股權(quán)轉(zhuǎn)讓的工商變更手續(xù)已完成，浦巒半導(dǎo)體成為臺基海德基金與天津銳芯的合資公司，將建設(shè)IGBT項目。工商登記變更完成后，臺基海德基金持有浦巒半導(dǎo)體40%股權(quán)，天津銳芯持有浦巒半導(dǎo)體60%股權(quán)。

臺基股份稱，IGBT是公司除晶閘管以外的重點產(chǎn)品之一，發(fā)展壯大IGBT業(yè)務(wù)符合公司的長期戰(zhàn)略。IGBT作為工業(yè)控制、新能源汽車、軌道交通等領(lǐng)域的重要零部件，市場空間廣闊，國產(chǎn)替代空間大。隨著新能源汽車等下游領(lǐng)域的爆發(fā)，IGBT市場將迎來巨大的發(fā)展機(jī)遇。因此，大力發(fā)展IGBT 業(yè)務(wù)，既符合我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，也將給公司帶來較大的經(jīng)濟(jì)效益。

此外，臺基股份還表示，浦巒半導(dǎo)體團(tuán)隊在IGBT生產(chǎn)和工藝領(lǐng)域經(jīng)驗豐富、產(chǎn)業(yè)鏈資源完善、原有產(chǎn)品已得到市場和客戶驗證。本次浦巒半導(dǎo)體的投資及啟動運營，將成為公司原有 IGBT業(yè)務(wù)的有力補(bǔ)充，有利于延伸與完善公司產(chǎn)品布局，對提高公司的競爭力有積極作用。

日前，新三板企業(yè)無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“新潔能”）發(fā)布首次公開發(fā)行股票招股說明書，擬在上交所上市。

根據(jù)招股書，新潔能本次擬公開發(fā)行股票不超過2530萬股，不低于發(fā)行后總股本的25%，擬募資10.21億元用于超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化等項目。

資料顯示，新潔能為國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件設(shè)計企業(yè)之一，采用Fabless模式并向封裝測試環(huán)節(jié)延伸產(chǎn)業(yè)鏈，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售，產(chǎn)品包括芯片及封測成品，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。

在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的2016年及2017年中國半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中，新潔能均名列“中國半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。

具體而言，新潔能主要產(chǎn)品包括溝槽型功率 MOSFET、超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和IGBT等半導(dǎo)體功率器件，已擁有覆蓋12V~1350V電壓范圍、0.3A~300A電流范圍的多系列細(xì)分型號產(chǎn)品，截至目前已擁有近1000種細(xì)分型號產(chǎn)品，并形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。

此外，其600V和1200V的溝槽型場截止IGBT（Trench FS IGBT）、500V-900V的第三代超結(jié)功率MOSFET（Super Junction MOSFET）、30V-300V 的屏蔽柵功率MOSFET（SGT MOSFET）、12V-250V 的溝槽型功率MOSFET（Trench MOSFET）均已實現(xiàn)量產(chǎn)及系列化。

新潔能于2016年9月正式于新三板掛牌上市，持有5%以上股份的股東為朱袁正、達(dá)晨創(chuàng)投、上海貝嶺、國聯(lián)創(chuàng)投、金浦新投，其中朱袁正為公司控股股東及實際控制人。目前新潔能擁有新潔能香港、電芯聯(lián)智控、電基集成3家全資子公司以及新潔能深圳分公司1家分公司，無參股子公司。

業(yè)績方面，2015年至2018年1-6月，新潔能分別實現(xiàn)營業(yè)收入3.06億元、4.22億元、5.04億元、3.61億元，凈利潤分別為1507.89萬元、3619.75萬元、5228.00萬元、8193.63 萬元，主營業(yè)務(wù)收入占比為99%以上。

據(jù)招股書所稱，新潔能是國內(nèi)8英寸工藝平臺芯片投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計公司之
一。其芯片代工供應(yīng)商包括華虹宏力、華潤上華、中芯集成和臺灣茂矽以及其他境內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)，封裝測試供應(yīng)商包括長電科技、安靠、通富微電、上海捷敏等企業(yè)。

這次新潔能擬登陸上交所，申請公開發(fā)行人民幣普通股A股，發(fā)行數(shù)量為不超過2530.00萬股，募集資金總額將根據(jù)市場情況和向詢價對象的詢價情況確定。募集資金將用于“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化項目”、“半導(dǎo)體功率器件封裝測試生產(chǎn)線建設(shè)項目”、“碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”、“研發(fā)中心建設(shè)項目”和“補(bǔ)充流動資金項目”共計五個募投項目。

上述五個募投項目合計投資總額約10.21億元，募集資金使用金額約10.21億元。新潔能董事會稱，截至2018年6月30日公司資產(chǎn)總額5.43億元，具有管理大規(guī)模資產(chǎn)及投資項目的經(jīng)驗和能力，本次募集資金投資項目建成后，公司將進(jìn)一步豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu)并提升技術(shù)開發(fā)、工藝改進(jìn)能力，提高公司競爭力。

新潔能表示，未來將進(jìn)一步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT 的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，并投入對SiC 寬禁帶半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，提升公司核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。