近日，上交所科創(chuàng)板上市委公告2019年底38次審議會議情況，審議結果顯示，同意華潤微電子有限公司首發(fā)上市，這是其繼2011年港交所退市8年后再次上市。

今年6月，華潤微電子申請科創(chuàng)板上市，根據(jù)其招股說明書顯示，華潤微電子擬募集資金30億元，主要用于8英寸高端傳感器和功率半導體建設項目、前瞻性技術和產(chǎn)品升級研發(fā)項目、產(chǎn)業(yè)并購及整合項目、以及補充營運資金。

來源：華潤微電子招股書

資料顯示，華潤微電子是華潤集團半導體投資運營平臺，擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的半導體企業(yè)，產(chǎn)品聚焦于功率半導體、智能傳感器與智能控制領域，公司客戶資源覆蓋工業(yè)、汽車、消費電子、通信等多個終端行業(yè)。

值得一提的是，華潤微電子曾參與建成并運營中國第一條4英寸晶圓生產(chǎn)線、第一條6英寸晶圓生產(chǎn)線。華潤微電子表示，公司在無錫擁有1條8英寸和3條6英寸半導體圓制造生產(chǎn)線。

其中，8英寸晶圓生產(chǎn)線年產(chǎn)能約為73萬片，6英寸晶圓生產(chǎn)線年產(chǎn)能約為247萬片；在重慶擁有1條8英寸半導體晶圓制造生產(chǎn)線，年產(chǎn)能約為60萬片；在無錫和深圳擁有半導體封裝測試生產(chǎn)線，年封裝能力約為62億顆。

來源：華潤微電子招股書

2016至2019上半年，華潤微電子的營收分別為43.97億元、58.76億元、62.71億元、26.40億元，歸屬于母公司的凈利潤分別為-3.02億元、7028萬元、4.29億元、1.64億元。本次發(fā)行前，華潤微電子的唯一股東為CRH（Micro），持有華潤微電子100%股份，而華潤微電子的實際控制人為中國華潤，國務院國資委持有中國華潤100%的股權。

招股書顯示，華潤微電子為《國務院辦公廳轉發(fā)證監(jiān)會關于開展創(chuàng)新企業(yè)境內(nèi)發(fā)行股票或存托憑證試點若干意見的通知》（國辦發(fā)〔2018〕21號）所規(guī)定的尚未在境外上市的紅籌企業(yè)，此次選擇的具體上市標準為，“預計市值不低于人民幣50億元，且最近一年收入不低于5億元”。

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根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，伴隨車廠推出的各類電動汽車款增加，2020年電動汽車(純電、插電混合式、油電混合式)有望攀上600萬輛大關，目前以油電混合的成長速度較快，但就長遠來看，純電動汽車仍持續(xù)占有重要份額，為提升消費者接受度，高端電動汽車在性能與行駛距離的技術上還有進步空間。

其中，關鍵的功率半導體元件如SiC晶圓與SiC Diode、SiC MOSFET等，在技術與需求上需要時間提前布局，因此也看到越來越多相關廠商在此領域的積極動作。

高端電動汽車技術發(fā)展日益重要，推升未來SiC晶圓與元件需求將持續(xù)增加

現(xiàn)行電動汽車大多還是以硅基材的IGBT做為逆變器的芯片模塊，是功率半導體在電動汽車領域的技術主流。SiC MOSFET雖具有較好的性能與散熱表現(xiàn)，但礙于成本過高及SiC晶圓制造技術復雜，良率表現(xiàn)沒有硅晶圓好，因此目前SiC在電動汽車使用的滲透率仍不高。

然而，自電動汽車龍頭廠商Tesla推出Model 3后，高階電動汽車市場氛圍可能有些許改變。相較市面上其他電動汽車廠商使用硅基底芯片(IGBT、MOSFET等)制作PEM(Power Electronics Module，用以做為AC/DC間的電流轉換)，Tesla Model 3完全使用SiC MOSFET來做PEM，也讓SiC MOSFET在電動汽車領域引起討論。

根據(jù)廠商說法，Tesla Model 3因使用SiC MOSFET模塊，因此AC/DC的電流轉換效率在長距離電動汽車市場上排名第一(若不論行駛距離，Hyundai推出的電動汽車Ionic Electric在電流轉換效率方面較Model 3好，但電池功率僅有27KWh，行駛距離只有Model 3一半)，讓以Tesla為主要競爭對手的高端汽車廠商評估使用SiC MOSFET的效益。

值得一提的是，車用Tier 1大廠Delphi在2019年9月發(fā)表其最新使用SiC模塊的800V Inverter(目前電動汽車主要使用400V系統(tǒng))，能延長電動汽車行駛距離并縮短電動汽車充電時間。此項技術也為Delphi贏得一家主要客戶為期8年，總值達27億美元訂單，預計自2022年開始供貨給使用800V系統(tǒng)的高端車款，為SiC未來需求加添信心。

此外，SiC MOSFET Module在快速充電樁的使用上也正迅速擴展。豪華車品牌Porsche在2018年10月即發(fā)表以SiC MOSFET模塊建置可適合各種電動汽車使用的快速充電樁，除是為自家Taycan拉抬聲勢，也顯示快速充電樁在高階電動汽車市場的必要性。

由此看來，盡管目前電動汽車型以HEV居多，且現(xiàn)行多數(shù)電動汽車采用的功率元件仍以IGBT為主，但基礎設施的建置與消費者的購買意愿仍需要時間布局，從長遠規(guī)劃來看，市場端的需求后勢相當可期，也將持續(xù)助長SiC話題性。

SiC相關廠商布局積極，營運策略與產(chǎn)業(yè)類別多元

從車用SiC產(chǎn)業(yè)供應鏈分析，可看到不僅廠商多元，布局腳步也相當積極，首先在SiC晶圓部份，市場上占比最高的廠商是美國Cree，在晶圓制作技術與良率方面皆有良好表現(xiàn)，市占約6成。

看好未來需求，Cree擴產(chǎn)規(guī)劃相當積極，2019年5月宣布為期5年的擴產(chǎn)計劃，總投資為10億美元，估計屆時在SiC晶圓產(chǎn)能與SiC晶圓制作材料上將提升30倍之多。

有了充足的晶圓產(chǎn)能，旗下Wolfspeed也是生產(chǎn)SiC Diode、SiC MOSFET的主要廠商，相輔相成下將持續(xù)拉抬在SiC產(chǎn)業(yè)供應鏈的占比，其余廠商還有美國II‐VI Incorporated、收購DuPont SiC晶圓事業(yè)的韓系硅晶圓廠商SK Siltron等。

在SiC芯片制造部分，主要功率半導體IDM廠商皆榜上有名，包括Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、ROHM、Mitsubishi Electrics等，是市場上提供SiC芯片與SiC Module的主要廠商。芯片商與模塊商在SiC材料上的布局也很積極，包括ROHM收購SiCrystal、STMicroelectronics收購Norstel、Infineon收購Siltectra借助冷切技術提升元件制作效率等。

另外，在車用Tier 1廠商與整車廠部份，例如日前Robert BOSCH即宣布，2020年將進軍以SiC碳化硅晶圓做基底生產(chǎn)車用微芯片，主要用在AC/DC轉換，全力助攻主要客戶搶占電動汽車市場，而日本廠商DENSO亦有自己生產(chǎn)相關芯片的能力。

在車廠方面，陸系車廠比亞迪(BYD)有自研SiC及擴大SiC功率元件的規(guī)劃，投入巨資布局SiC建立完整產(chǎn)業(yè)鏈，將整合材料(高純碳化硅粉)、單晶、外延片(Epitaxy)、芯片、模塊封裝等，致力于降低SiC元件的制作成本，加快其在電動汽車領域的應用。

而在臺系供應鏈方面，主要有硅晶圓廠環(huán)球晶與GTAT簽訂長約，以取得長期穩(wěn)定的SiC高質量碳化硅晶球供應，致力擴展SiC晶圓供應鏈占比；漢磊提供SiC Diode、SiC MOSFET代工服務；嘉晶提供SiC磊晶代工服務；升陽半導體提供晶圓薄化服務；瀚薪科技則聚焦SiC與GaN的元件開發(fā)，持續(xù)增加技術實力，逐漸讓自家產(chǎn)品能跟國際大廠相抗衡。

然較可惜的是，由于臺灣地區(qū)缺乏本土汽車產(chǎn)業(yè)的助益，車用芯片滲透率并不高，加上主要汽車廠商多半以長期合作的Tier 1或芯片商合作，臺系廠商要切入汽車供應鏈仍有些許困難待克服，包括長期的車規(guī)認證及建立客戶采買意愿等，目前較有獲利效益的應用仍以工業(yè)電源管理與通訊方面為主，在車用SiC產(chǎn)業(yè)供應鏈要能有一定程度的占比尚需持續(xù)努力。

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10月27日，中烏第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院成立并落戶如皋。

據(jù)南通廣播電視臺報道，中烏第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院由烏克蘭國家科學院（單晶研究院）、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠半導體發(fā)起成立，研究院將聯(lián)合中國、烏克蘭、德國等產(chǎn)業(yè)專家，共同開展第三代半導體晶體制造智能裝備、大功率用晶圓、功率芯片及器件、光電材料、激光晶體材料及其他功能性晶體材料和設備等關鍵技術研究。

半導體晶體與現(xiàn)代人類日常生活息息相關。“如皋抓住了未來‘智造業(yè)’的核心！”據(jù)中國工程院院士王子才介紹，智能制造發(fā)展的關鍵在于核心材料。以碳化硅為代表的第三代半導體是當前制作高溫、高頻、大功率、高壓芯片最為理想材料之一，未來將廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)等智能制造領域，市場潛力巨大。

第三代半導體及激光設備制造產(chǎn)業(yè)集群在如皋初具規(guī)模。如皋市委書記張建華表示者，近年來，該市堅持把第三代半導體及智能制造產(chǎn)業(yè)作為重要戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)加速布局，先后落戶迅鐳激光設備制造產(chǎn)業(yè)園、總投資300億元的正威5G 新材料產(chǎn)業(yè)園，集聚了卓遠半導體、海迪科光電科技、中科新源等一批優(yōu)質企業(yè)，吸引了孫智江、張新峰等一批行業(yè)領軍人才，建成第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院、第三代功率器件測試實驗室、芯片級封裝實驗室、納米壓印實驗室等一批高端研發(fā)平臺。

如皋高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)是如皋發(fā)展高新技術產(chǎn)業(yè)的前沿陣地。如皋高新區(qū)管委會主任孫得利告訴交匯點記者，該區(qū)現(xiàn)擁有如皋第三代半導體產(chǎn)業(yè)研究院、中科大控溫聯(lián)合創(chuàng)新實驗室、中烏第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術研究院等平臺，集聚蘇州迅鐳激光、北京浦丹光電等30余家光電顯示、功率器件、第三代半導體設備等領域領軍企業(yè)，規(guī)劃了2平方公里的光電科技產(chǎn)業(yè)園、2平方公里的激光和智能制造產(chǎn)業(yè)園。

在當前復雜的國際形勢下，工業(yè)半導體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉化及產(chǎn)業(yè)轉型，進而影響國家經(jīng)濟發(fā)展。

10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)布《關于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復的函》，在答復函中，工信部就加快支持工業(yè)半導體芯片技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的政策扶持、開放合作、關鍵技術突破、以及人才培養(yǎng)等四個方面做出了答復。

具體答復如下：

一、關于制定工業(yè)半導體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺扶持技術攻關及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

為推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關部門，積極研究出臺政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

一是2014年國務院發(fā)布的《推進綱要》中，已經(jīng)將工業(yè)半導體芯片相關產(chǎn)品作為發(fā)展重點，通過資金、應用、人才等方面政策推動產(chǎn)業(yè)進步。

二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關布局規(guī)劃，推動包括工業(yè)半導體材料、芯片等產(chǎn)業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。

三是按照國發(fā)〔2011〕4號文件的有關要求，對符合條件的工業(yè)半導體芯片設計、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進口關稅等方面出臺了多項稅收優(yōu)惠政策，對相關領域給予重點扶持。

四是圍繞能源、交通等國家重點工業(yè)領域，充分發(fā)揮相關行業(yè)組織作用，通過舉辦產(chǎn)用交流對接會、新產(chǎn)品推介會、發(fā)布典型應用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導體芯片企業(yè)和整機企業(yè)搭建交流合作平臺。

下一步，我部及相關部門將持續(xù)推進工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實施細則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進產(chǎn)學研用協(xié)同，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術迭代和應用推廣。

二、關于開放合作，推動我國工業(yè)半導體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。我部與相關部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進發(fā)達國家加強交流合作。引進國外先進技術和研發(fā)團隊，推動包括工業(yè)半導體芯片、器件等領域國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導體芯片相關領域的研發(fā)能力和技術實力。

下一步，我部和相關部門將繼續(xù)加快推進開放發(fā)展。引導國內(nèi)企業(yè)、研究機構等加強與先進發(fā)達國家產(chǎn)學研機構的戰(zhàn)略合作，進一步鼓勵我國企業(yè)引進國外專家團隊，促進我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

三、關于步步為營分階段突破關鍵技術的建議

為解決工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，我部等相關部門積極支持工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。

一是2017年我部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二是指導湖南省建立功率半導體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。

三是指導中國寬禁帶半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業(yè)技術升級，推動相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導體領域成熟技術發(fā)展，推動我國芯片制造領域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

四、關于高度重視人才隊伍的培養(yǎng)，出臺政策和措施建立這一領域長期有效的人才培養(yǎng)計劃的建議

當前，人才問題特別是高端人才團隊短缺成為制約我國工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關鍵因素，為此我部及相關部門積極推動我國相關產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

一是我部、教育部共同推動籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進產(chǎn)業(yè)界和學術界的資源整合，推動培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。

二是同時以集成電路為試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學和國內(nèi)骨干企業(yè)，針對性地培養(yǎng)一批高端博士人才。

三是教育部、我部等相關部門印發(fā)了《關于支持有關高校建設示范性微電子學院的通知》，支持26所高校建設或籌建示范性微電子學院，推動高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領域骨干企業(yè)、國家公共服務平臺、科技創(chuàng)新平臺、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強合作。

下一步，我部與教育部等部門將進一步加強人才隊伍建設。推進設立集成電路一級學科，進一步做實做強示范性微電子學院，加快建設集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺，保障我國在工業(yè)半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。

一切從零開始，1972年創(chuàng)辦泉州半導體器件廠（簡稱“半導體廠”），1975年撒下微波射頻“種子”，之后微波通信民營遍地開花，上世紀90年代初期全國一半以上的對講機產(chǎn)自泉州，被稱為“泉州現(xiàn)象”。在1980年5月18日，半導體廠為向太平洋海域發(fā)射運載火箭提供微波混合集成功能組件，受到中共中央、國務院、中央軍委表彰。之后該廠多次成功為神舟飛船載人航天試驗提供配件。記者近日來到位于市區(qū)鎮(zhèn)撫巷55號的這家半導體廠，探訪該廠兩位元老。

多方求才曲折辦廠 點燃微波行業(yè)星火

泉州中僑（集團）半導體器件廠是國內(nèi)最早生產(chǎn)微波混合集成電路的專業(yè)化生產(chǎn)廠家之一，是一家技術密集型企業(yè)，是福建省首批高新技術企業(yè)，成立至今已有40多年歷史。

張煉成，今年82歲，1961年畢業(yè)于浙江大學，在半導體廠創(chuàng)建初期擔任技術股長，負責技術協(xié)議商討認定?！爱敃r泉州并沒有微波產(chǎn)業(yè)，一切從零開始?！彼貞浾f，1972年，為了響應國家發(fā)展電子行業(yè)的號召，來自不同專業(yè)領域的一群年輕人開始學習相關知識技術，而后聚集起來，由此奠定了泉州半導體器件廠初創(chuàng)時的人才基礎，“從各個單位抽調(diào)人才，尤其是高校，我就是其中一人”。

有了專業(yè)人才，還得對口培訓，“派到上海、南京等地學習經(jīng)驗，終于把廠子辦了起來，創(chuàng)辦初期產(chǎn)品主要是二極管、三極管?！睆垷挸烧f，同期創(chuàng)辦的還有泉州無線電元件廠（位于市區(qū)城西路）、泉州電子儀器廠（位于市區(qū)通政巷1號），“幾十年過去，如今半導體廠仍然在堅持生產(chǎn)微波產(chǎn)品，繼續(xù)為國防建設作貢獻”。

厚積薄發(fā)輝煌發(fā)展 產(chǎn)值8年里翻20倍

陳澤良，今年79歲，1965年畢業(yè)于廈門大學，從1985年開始擔任半導體廠書記，一直到2001年退休。堅持每天寫日記的他，對半導體廠的發(fā)展點滴了如指掌。

“1975年至1991年這十幾年，是工廠發(fā)展輝煌時期。”老陳回憶說，當年在南京工學院（東南大學）任教的泉州人莊昆杰為半導體廠帶來了技術和生產(chǎn)工藝，其他地區(qū)研究所和設計院的人才也被調(diào)入泉州，“我們廠成為國內(nèi)起步較早的微波電路專業(yè)化工廠，從前期研發(fā)到后期自主生產(chǎn)，真正實現(xiàn)一條龍。”在此基礎上，該廠規(guī)模逐漸擴大，而且專業(yè)技術人員約占全廠職員的1/3。

1975年后，該廠微波電路已達到較大的生產(chǎn)規(guī)模，能生產(chǎn)17個系列、200多種產(chǎn)品，其中的微波組件等產(chǎn)品還被作為零部件供給了國家信息部、機械工業(yè)部、核工業(yè)部、郵電部、電子工業(yè)部、水利電力部、航天部、總參通信兵部等。當時泉州微波通信工業(yè)全省著名，“1991年，半導體廠發(fā)展達到最高峰，年產(chǎn)值達到619.68萬元，在全省同行中排第一”。資料顯示，泉州半導體廠產(chǎn)值從1983年的30多萬元，至1991年達到600多萬元，“這短短8年時間，整整翻20倍，令人振奮！”

為運載火箭提供組件 國務院中央軍委表彰

上世紀70年代，泉州半導體器件廠集聚了一大批來自部隊研究所的技術人員，帶來了當時在全國最先進的技術與設備。這家國內(nèi)最早生產(chǎn)微波射頻功能組件并經(jīng)總參通信部認可的軍工部件定點廠，撒下了泉州微波通信產(chǎn)業(yè)的種子。

“接到這張?zhí)厥獾挠唵?，全廠高度重視，從技術人員到一線生產(chǎn)工人，全方位調(diào)動起來?！睆垷挸苫貞浀溃敃r對于產(chǎn)品的定型，還特別邀請了全國各地專家來泉州一起協(xié)商討論。1980年5月18日，泉州半導體器件廠為向太平洋海域發(fā)射運載火箭提供微波混合集成功能組件，受到中共中央、國務院、中央軍委表彰。

有了這次良好的開端，各種訂單紛至沓來。1991年5月，該廠生產(chǎn)的多路定向耦合器應用于北京正負離子對撞機，獲國家科技進步特等獎；1999年，該廠生產(chǎn)的28V/20W加熱片，為神舟一號航天試驗飛船成功配套；2004年4月，該廠生產(chǎn)和負責維修的器件在神舟飛船載人航天飛行中呈現(xiàn)良好性能……

張老說，各種表彰既是對半導體廠產(chǎn)品質量的肯定，也是對泉州微波行業(yè)的認可。

“微波城”美譽傳全國 過半對講機產(chǎn)自泉州

上世紀90年代，泉州這家半導體廠的“星星之火”，開始呈現(xiàn)“燎原之勢”，推動了泉州民間資本創(chuàng)建的電子工業(yè)企業(yè)的高速發(fā)展。

“1991年后企業(yè)改制，許多廠里的技術骨干紛紛下海創(chuàng)業(yè)?！睆垷挸烧f，人們意識到，微波通信產(chǎn)業(yè)蘊藏著巨大商機，泉州擁有成熟技術，善于學習和敢拼的泉州人很快將這一高科技推廣。一時間，生產(chǎn)微波通信產(chǎn)品的民營企業(yè)在泉州紛紛涌現(xiàn)，泉州微波通信產(chǎn)業(yè)迅速步入發(fā)展黃金期。

當時，全國一半以上的對講機產(chǎn)自泉州，被稱為“泉州現(xiàn)象”。泉州市從此有了“微波城”的美譽，與成都、南京同為我國微波通信混合集成組件及微波通信整機開發(fā)與生產(chǎn)的三大基地。

2009年，泉州微波通信產(chǎn)業(yè)集群成為科技型中小企業(yè)技術創(chuàng)新基金全國首家創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)集群試點。從20多年前的民營小廠、家庭小作坊云集，到2010年20多家龍頭企業(yè)合作成立泉州數(shù)字微波通信產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟，點點滴滴都記載了泉州微波通信產(chǎn)業(yè)從簡單復制到技術創(chuàng)新，從單打獨斗到通力合作的歷史。