GaAs與GaN在RF PA中的中國市場機會

GaAs與GaN在RF PA中的中國市場機會

功率放大器(PA)是射頻發(fā)射通路中的主要器件,其功能是將調(diào)制振蕩電路產(chǎn)生的射頻信號功率放大以饋送到天線上輻射出去。

在5G時代,由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等特點,RF CMOS已經(jīng)不能滿足要求,手機射頻PA將開啟GaAs制程為主導的時代;在基站端,GaN材料憑借高頻、高輸出功率的優(yōu)勢,也將逐步替代Si LDMOS而大幅運用于基站功放器件中。

隨著5G 發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)趨勢,2020年5G手機預估將開始放量,中小型基地臺等基礎(chǔ)建設步調(diào)也逐漸加快,將為廠商帶來新一波營運動能。本文將圍繞GaAs在手機PA中的中國市場及GaN在基站PA中的中國市場進行分析。

5G時代GaAs將主導智能手機PA市場

4G時代手機端PA的工藝以CMOS和GaAs為主、SOI和SiGe為輔, 5G時代更高的功率、頻率及效率要求,對PA的性能也提出新的要求,GaAs材料的電子遷移率是Si的6倍,具有直接帶隙,故其器件相對Si器件具有高頻、高速的性能,在5G智能手機PA中將大量使用。

我國預計2019年Q4推出5G商用服務,由于在5G時代單部手機中PA的數(shù)量和單價都比4G時代有大幅的提升,據(jù)集邦咨詢顧問預測,隨著5G智慧型手機滲透率逐漸提升,將帶動中國手機GaAs PA市場從2019年的18.76億美元增長到2023年的57.27億美元,年復合增長率達到19.17%。

圖: 中國智能手機GaAs PA市場規(guī)模預測(Source: 集邦咨詢)

5G通信基站需要更高性能的GaN射頻器件

目前基站用功率放大器主要為LDMOS技術(shù),但是LDMOS技術(shù)適用于低頻段,在高頻應用領(lǐng)域存在局限性,GaN帶寬更寬、功率密度更大、體積更小,能較好的適用于大規(guī)模MIMO,因此5G 基站GaN射頻PA將成為主流技術(shù),逐漸侵占LDMOS的市場。

4G時代,天線形態(tài)基本是4T4R或者8T8R,按照三個扇區(qū),對應的射頻PA需求量為12個或者24個;5G基站以64T64R大規(guī)模天線陣列為主,對應的PA需求量高達192個,PA數(shù)量將大幅增長。

根據(jù)集邦咨詢報告《中國5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場分析》中的研究數(shù)據(jù)表明,2018年由于5G通信試驗基站的建設,基站端GaN射頻器件達4.2億元;2019年為中國5G建設元年,基站端GaN放大器同比增長達71.4%;2020年為5G建設爆發(fā)年,基站端GaN放大器市場規(guī)模達32.7億元,同比增長340.8%;預計到2023年基站端GaN放大器市場規(guī)模達121.7億元,但2021-2023年同比增速逐漸下降。

圖: 中國5G基站GaN功放市場規(guī)模預測(Source: 集邦咨詢)

國內(nèi)GaAs與GaN PA市場巨大 但產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較為薄弱

全球GaAs射頻器件被國際巨頭壟斷,主要廠商有美國Skyworks、Qorvo、Broadcom,日本村田等,晶圓代工市場主要由臺灣廠商穩(wěn)懋、宏捷科技、環(huán)宇通訊等占有。

國內(nèi)GaAs PA技術(shù)薄弱,IDM中海威華芯的GaAs器件主要用于適用于20GHz以下通訊領(lǐng)域,F(xiàn)abless中漢天下、唯捷創(chuàng)芯、RDA、慧智微、國民飛驤涉足GaAs PA,但主要用于4G及白牌廠商的應用,晶圓代工企業(yè)三安集成有3G/4G/Wifi PA生產(chǎn)線。

全球基站GaN射頻器件主要由Sumitomo Electric(日本住友集團旗下)、Wolfspeed(Cree旗下)、Qorvo、MACOM等國外企業(yè)占有,國內(nèi)發(fā)展 GaN 射頻技術(shù)較晚,做相關(guān)器件的廠商也不多,國內(nèi)GaN器件IDM企業(yè)有蘇州能訊、英諾賽科,代工企業(yè)有海威華芯和三安集成,中電科13所、55所主要是軍品產(chǎn)品線。

表: 中國主要GaAs/GaN PA相關(guān)企業(yè)

整體來看,國內(nèi)具備的GaAs和GaN產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較為薄弱,制造生產(chǎn)線缺乏,但伴隨著5G的到來,相關(guān)廠商持續(xù)投入及國產(chǎn)化替代的意愿加強,中國廠商將有望逐步縮小與國際大廠的技術(shù)差距,但要達到國際大廠的水平短期內(nèi)恐難實現(xiàn)。

商務合作請加微信:izziezeng

加入集邦半導體交流群,請加微信:DRAMeXchange2019

回復上交所首輪問詢 華潤微電子功率半導體國產(chǎn)替代空間廣闊

回復上交所首輪問詢 華潤微電子功率半導體國產(chǎn)替代空間廣闊

近日,華潤微電子回復了上交所科創(chuàng)板上市的首輪問詢,對股權(quán)結(jié)構(gòu)等52個問題進行了詳細說明。6月26日,公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請獲上交所受理。公司擬募集30億元用于8英寸高端傳感器和功率半導體建設項目,鞏固公司在功率半導體的行業(yè)地位。

鞏固功率半導體地位

華潤微電子成立于1999年,2004年在香港聯(lián)交所上市,2011年退市私有化,2019年6月26日公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請獲上交所受理。本次發(fā)行的股票數(shù)量不超過2.93億股,擬募集資金金額約30億元。其中,8英寸高端傳感器和功率半導體建設項目約15億元,前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品升級研發(fā)項目約6億元,產(chǎn)業(yè)并購及整合項目約3億元,補充營運資金約6億元。

招股說明書顯示,公司是中國領(lǐng)先的擁有芯片設計、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的半導體企業(yè),目前聚焦于功率半導體、智能傳感器領(lǐng)域,為客戶提供系列化的半導體產(chǎn)品與服務。未來公司將圍繞自身的核心優(yōu)勢、提升核心技術(shù)及結(jié)合內(nèi)外部資源,不斷推動企業(yè)發(fā)展,進一步向綜合一體化的產(chǎn)品公司轉(zhuǎn)型。

公司是一家根據(jù)開曼群島法律設立的公司,屬于《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》規(guī)定的紅籌企業(yè)。開曼群島法律在多個方面與中國的可比法律、法規(guī)和規(guī)范性文件有所不同,因此本公司目前的公司治理結(jié)構(gòu)與境內(nèi)上市公司存在差異,主要包括監(jiān)事會的設置、股利分配政策、公司清算、解散、公司合并及收購、查閱公司賬目和記錄等。

在回復問詢時,公司表示,作為一家控股公司,本公司運營實體主要位于境內(nèi),并依賴于境內(nèi)運營子公司的股利分配以滿足本公司的資金需求,包括向本公司股東支付股利及其他現(xiàn)金分配、支付本公司在中國境外可能發(fā)生的任何債務本息,以及支付本公司的相關(guān)運營成本與費用。

2016年-2018年,公司營業(yè)收入分別為43.97億元、58.76億元和62.71億元;歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-3.03億元、7028.29萬元和4.29億元。研發(fā)投入方面,2016年-2018年,公司研發(fā)投入分別為3.46億元、4.47億元和4.5億元,占營業(yè)收入的比例分別為7.86%、7.61%和7.17%。

國盛證券研報顯示,公司實際控制人為中國華潤,國務院國資委對中國華潤持有100%股權(quán),公司背景強大。公司業(yè)務涉及面廣泛,產(chǎn)品涵蓋功率半導體、智能傳感器與智能控制等領(lǐng)域,并提供晶圓半導體開放式晶圓制造、封裝測試等服務。在產(chǎn)品端,公司是目前國內(nèi)產(chǎn)品線最為全面的功率器件廠商;在制造端,擁有中國領(lǐng)先的晶圓制造服務能力,為國內(nèi)主要的半導體特種工藝平臺之一,是國內(nèi)前三的本土晶圓制造企業(yè)。?

國產(chǎn)替代空間廣闊

招股說明書顯示,公司的主營業(yè)務包括功率半導體、智能傳感器及智能控制產(chǎn)品的設計、生產(chǎn)及銷售,以及提供開放式晶圓制造、封裝測試等制造服務,屬于半導體行業(yè)。半導體位于電子行業(yè)的中游,上游是電子材料和設備。半導體和被動元件以及模組器件通過集成電路板連接,構(gòu)成了智能手機、電腦等電子產(chǎn)品的核心部件,承擔信息的載體和傳輸功能是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心,是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導性產(chǎn)業(yè)。

根據(jù)全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織,全球半導體行業(yè)2018年市場規(guī)模達到4688億美元,較2017年增長約13.7%。過去五年,隨著智能手機、平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發(fā)展,以及汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興起,強力帶動了整個半導體行業(yè)規(guī)模迅速增長。

據(jù)公司介紹,半導體行業(yè)具有較強的周期性特征,與宏觀經(jīng)濟整體發(fā)展亦密切相關(guān)。最近幾年,全球半導體市場保持穩(wěn)步增長,亞洲地區(qū)特別是中國市場發(fā)展迅速。2018年美國半導體行業(yè)市場規(guī)模約為1030億美元,占全球市場的21.97%;歐洲半導體行業(yè)市場規(guī)模約為430億美元,約占全球市場的9.16%。亞太地區(qū)半導體行業(yè)近年來發(fā)展迅速,已成為全球最大的半導體市場。亞太地區(qū)(除日本外)市場規(guī)模達2829億美元,已占據(jù)全球市場60.34%的市場份額,中國已成為近年來全球半導體市場增速最快的地區(qū)之一。

興業(yè)證券研報顯示,中國功率半導體需求快速增長,國產(chǎn)替代空間廣闊。近5年中國半導體市場復合增長率達21.25%,高于全球半導體市場增速。同時,中國已成為全球功率半導體消費第一大國,MOSFET和IGBT將成為需求增長最快的領(lǐng)域,功率半導體用途廣泛,可應用于消費電子、通信、汽車、家電、工控等下游行業(yè)。同時MEMS傳感器和MCU等產(chǎn)品國產(chǎn)替代空間廣闊。

士蘭微聚焦特色工藝優(yōu)勢 發(fā)力高端產(chǎn)品

士蘭微聚焦特色工藝優(yōu)勢 發(fā)力高端產(chǎn)品

作為國內(nèi)目前為數(shù)不多的以IDM為發(fā)展模式的綜合型半導體產(chǎn)品公司,士蘭微近年來一直聚焦特色工藝,以高強度的研發(fā)投入,在特色工藝平臺建設、新產(chǎn)品開發(fā)、戰(zhàn)略級大客戶合作等方面持續(xù)取得突破,產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的步伐明顯加快。

2019上半年,士蘭微實現(xiàn)營業(yè)總收入14.4億元,同比增長0.22%;在公司三大主要產(chǎn)品中,集成電路產(chǎn)品營業(yè)收入4.91億元,同比增長1.7%;分立器件產(chǎn)品營業(yè)收入6.79億元,同比增長3.36%;發(fā)光二極管(LED)產(chǎn)品營業(yè)收入2.08億元,同比下降20.83%。

半導體行業(yè)受到宏觀經(jīng)濟波動的影響較大。2018年至2019上半年,全球半導體行業(yè)處于下滑期,不僅受到技術(shù)創(chuàng)新速度變慢、手機換機周期延長、新能源汽車銷量增幅縮窄等需求端走弱的影響,同時還受到貿(mào)易摩擦、日本對韓國斷供半導體關(guān)鍵材料等非市場因素的影響,行業(yè)景氣程度被嚴重削弱。

美國半導體協(xié)會數(shù)據(jù)顯示,2019上半年,全球半導體銷售額同比下滑14.5%,其中中國大陸下降13.9%。工信部電子信息制造業(yè)數(shù)據(jù)也顯示,2019年上半年,電子器件制造業(yè)營業(yè)收入同比增長10.7%,利潤同比下降17.6%,其中集成電路產(chǎn)量同比下降2.5%;電子元件產(chǎn)量同比下降24.9%。

面對全球半導體市場萎縮,以及低端器件市場競爭的加劇,士蘭微近年來積極進行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整,逐步向高端領(lǐng)域發(fā)起沖擊,但也不可避免地承受轉(zhuǎn)型沖擊。公司8吋線尚處于特色工藝平臺建設階段,公司在加大高端功率器件研發(fā)投入的同時,減少低附加值產(chǎn)品;疊加了產(chǎn)能利用率下降、硅片等原材料成本處于歷史高位、LED行業(yè)庫存高升導致價格沖擊等因素,導致公司2019上半年經(jīng)營利潤同比下滑。

陸續(xù)開拓高端市場

目前國內(nèi)半導體產(chǎn)品市場中,低端器件市場競爭較為激烈,利潤有限;在5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等技術(shù)的引領(lǐng)下,在國產(chǎn)替代自主可控的政策推動下,高端器件方興未艾。目前,公司圍繞電源管理電路、高端功率器件和功率模塊、MCU、MEMS等產(chǎn)品進行布局,并取得一系列階段成果。

2019年上半年,公司集成電路營業(yè)收入為4.91億元,較去年同期增長1.7%,公司表示,各類電路新產(chǎn)品的出貨量明顯加快;預計下半年公司集成電路的營業(yè)收入增速還將進一步提高。

針對白色家電智能、綠色的發(fā)展需求,公司的IPM功率模塊產(chǎn)品在國內(nèi)白色家電(主要是空調(diào)、冰箱、洗衣機)、工業(yè)變頻器等市場繼續(xù)發(fā)力。2019年上半年,國內(nèi)多家主流的白電整機廠商在變頻空調(diào)等白電整機上使用了超過300萬顆士蘭IPM模塊,預計今后幾年將會繼續(xù)快速成長。公司語音識別芯片和應用方案已經(jīng)在國內(nèi)主流白電廠家的智能家電系統(tǒng)中得到較為廣泛的應用。基于公司自主研發(fā)的芯片、算法及系統(tǒng),公司空調(diào)變頻電控系統(tǒng)在國內(nèi)空調(diào)廠家完成了幾千臺變頻空調(diào)的上量試產(chǎn),性能優(yōu)異、質(zhì)量穩(wěn)定。

在智能手機及智能外設領(lǐng)域,公司MEMS傳感器產(chǎn)品營業(yè)收入較去年同期增加120%以上,國內(nèi)手機品牌廠商已經(jīng)在認證公司MEMS傳感器。加速度傳感器、硅麥克風等產(chǎn)品的參數(shù)優(yōu)化工作取得突破性進展,預計下半年,公司MEMS傳感器產(chǎn)品的出貨量將進一步增長。公司開發(fā)的針對智能手機的快充芯片組、以及針對旅充、移動電源和車充的多協(xié)議快充解決方案的系列產(chǎn)品,已經(jīng)開始在國內(nèi)手機品牌廠商進行產(chǎn)品導入。

在電力電子領(lǐng)域,公司全部芯片自主研發(fā)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊完成研發(fā),參數(shù)性能指標先進,已交客戶測試。公司電控類MCU產(chǎn)品在工業(yè)變頻器、工業(yè)UPS、光伏逆變、紡織機械類伺服產(chǎn)品,各類變頻風扇類應用以及電動自行車等眾多領(lǐng)域得到了廣泛的應用。此外,公司LED照明驅(qū)動電路的出貨量已經(jīng)恢復增長。

2019年上半年,公司分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入為6.79億元,較去年同期增長3.36%;其中低壓MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT、IGBT大功率模塊(PIM)、肖特基管等產(chǎn)品的增長較快。公司研發(fā)的“600V以上用于變頻驅(qū)動的多芯片高壓IGBT智能功率模塊”榮獲集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟“第二屆集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新獎”。

2019年上半年,公司LED產(chǎn)品的營業(yè)收入為2.08億元,較去年同期減少20.83%。公司正在積極調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu),加快進入中高端LED照明芯片市場,加快高亮度白光芯片的開發(fā)。在高端LED彩屏市場,美卡樂公司實現(xiàn)營業(yè)收入約5.5%的成長,品牌形象得以進一步提升。

5G拉動半導體市場復蘇 公司將充分受益

2019年6月6日,工信部正式發(fā)放5G牌照,我國進入5G商用元年,將開啟全球半導體行業(yè)的新發(fā)展。5G作為新一代信息技術(shù)的發(fā)展方向和數(shù)字經(jīng)濟的重要基礎(chǔ),智能手機、云計算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等市場均會廣泛受益。5G三大應用場景增強移動寬帶、超高可靠低延時以及海量機器通信,對終端設備提出了不同的功能和性能要求,對半導體相關(guān)產(chǎn)品的需求會更加多樣化,在拉動上游半導體出貨的同時,為市場帶來更多的創(chuàng)新方向和機會。

在產(chǎn)業(yè)環(huán)境上,根據(jù)工信部數(shù)據(jù),全國2018年電子信息制造業(yè)產(chǎn)值超過14萬億元,上游集成電路行業(yè)銷售額僅6000億元,且包含產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)重復計算,國產(chǎn)化比例低。多家機構(gòu)認為,受華為及日韓事件影響,國內(nèi)大廠有主動降低供應鏈安全風險的動力,其供應鏈向國內(nèi)傾斜給了國內(nèi)上游芯片設計、制造企業(yè)更多的機會,也能夠幫助上游芯片設計、制造企業(yè)提高產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)能力。因此,國產(chǎn)化替代有望加速,且有較長的持續(xù)性。

2019年下半年的半導體市場行情,已經(jīng)較上半年有所好轉(zhuǎn),按月度呈現(xiàn)邊際改善。據(jù)美國半導體協(xié)會數(shù)據(jù),2019年7月全球半導體銷售額為333.7億美元,同比下滑15.5%;跌幅較上個月收窄1.3個百分點且環(huán)比回升。國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)于2019年8月更新全球半導體資本開支預測,預計到2020年總額達588億美元,同比增長11.58%。

在此背景下,士蘭微所布局的功率半導體、MEMS傳感器及MCU,均受惠于5G技術(shù)拉動的各類細分市場。

其中,功率半導體作為電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,幾乎用于所有電子制造業(yè),應用范圍從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和3C(計算機、通信、消費電子)擴展到新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等新領(lǐng)域。目前,國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品國產(chǎn)化率約為5%,替代空間巨大,而5G技術(shù)賦能的智能網(wǎng)聯(lián)汽車,有望成為國產(chǎn)功率半導體行業(yè)的突破口之一。

據(jù)集邦咨詢研究報告,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導體市場規(guī)模達到2591億元;其中功率分立器件市場規(guī)模為1874億元,電源管理IC市場規(guī)模為717億元。集邦咨詢預估,2019年中國功率半導體市場規(guī)模將達到2907億元,較2018年成長12.17%,維持雙位數(shù)的成長表現(xiàn)。

MEMS傳感器則適應了物聯(lián)網(wǎng)時代,傳感器必須具備低功耗、微型化、智能化、多功能復合等特性,廣泛用于汽車、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天、通信等領(lǐng)域。根據(jù)賽迪顧問統(tǒng)計,2018年,我國MEMS傳感器行業(yè)規(guī)模523億元,同比增長19.5%,預計2018~2022年化增速為17.41%。

MCU相當于芯片上的計算機,為不同的應用場合做不同的組合控制。物聯(lián)網(wǎng)時代,由于設備要進行實時性高效智能的信息處理需求,同時需要與其他設備進行信息交互,這些需求都是通過MCU滿足。IC Insights預計,2018~2022年行業(yè)銷售復合增長率為6.42%,2022年全球MCU市場規(guī)模有望接近240億美元。

聚焦特色工藝 IDM優(yōu)勢明顯

對于功率半導體廠商來說,強大的IDM(設計制造一體化)能力是構(gòu)建競爭壁壘和保持毛利的關(guān)鍵。目前全球功率半導體廠商基本都采用IDM模式。與追求低功耗高運算速度的數(shù)字芯片相比,功率半導體更看重可靠性、一致性與耐功率特性,產(chǎn)品與應用場景密切相關(guān),例如耐大功率、大電流的功率器件反而要大線寬,因此功率半導體產(chǎn)品并不嚴格遵循摩爾定律,從而導致工藝平臺繁多、產(chǎn)品種類龐雜,多種工藝平臺并存,這就需要通過IDM模式實現(xiàn)從設計到制造的產(chǎn)業(yè)鏈整合。

士蘭微從集成電路設計業(yè)務開始,逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺,并已將技術(shù)和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域,建立了較為完善的IDM經(jīng)營模式。IDM模式可以有效進行產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)部整合,公司設計研發(fā)和工藝制造平臺同時發(fā)展,形成了特色工藝技術(shù)與產(chǎn)品研發(fā)的緊密互動,以及器件、集成電路和模塊產(chǎn)品的協(xié)同發(fā)展。公司依托IDM模式形成的設計與工藝相結(jié)合的綜合實力,提升產(chǎn)品品質(zhì),加強控制成本,向客戶提供差異化的產(chǎn)品與服務,提高了其向大型廠商配套體系滲透的能力。

公司已經(jīng)建立了可持續(xù)發(fā)展的產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)體系。在芯片設計研發(fā)方面,目前主要分為電源與功率驅(qū)動產(chǎn)品線、MCU產(chǎn)品線、數(shù)字音視頻產(chǎn)品線、射頻與混合信號產(chǎn)品線、分立器件產(chǎn)品線等。在工藝技術(shù)平臺研發(fā)方面,公司陸續(xù)完成了國內(nèi)領(lǐng)先高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓 MOSFET、高密度溝槽柵MOSFET、快恢復二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā),形成了比較完整的特色工藝的制造平臺。這一方面保證了公司產(chǎn)品種類的多樣性,另一方面也支撐了公司電源管理電路、功率模塊、功率器件、MEMS傳感器等各系列產(chǎn)品的研發(fā)。

在特色工藝平臺和在半導體大框架下,形成了多個技術(shù)門類的半導體產(chǎn)品,比如帶電機變頻算法的控制芯片、功率半導體芯片和智能功率模塊、各類MEMS傳感器等。這些產(chǎn)品已經(jīng)可以協(xié)同、成套進入整機應用系統(tǒng),市場前景非常廣闊。產(chǎn)品已經(jīng)得到了華為、歐司朗、三星、索尼、戴爾、臺達、達科、海信、海爾、美的、格力等全球品牌客戶的認可。

擴建8吋片產(chǎn)能 12吋片蓄勢待發(fā)

2019年8月底,士蘭微公告將與國家大基金共同投資士蘭集昕二期項目,新建年產(chǎn)43.2萬片8英寸芯片制造能力。士蘭集昕現(xiàn)有8吋線于2017年6月底正式投產(chǎn),2018年總計產(chǎn)出芯片29.86萬片,2019年上半年總計產(chǎn)出17.6萬片,同比增加74.25%;目前已有高壓集成電路、高壓MOS管、低壓MOS管、肖特基管、IGBT等多個產(chǎn)品導入量產(chǎn)。8吋線持續(xù)上量對公司的整體營收增長起了積極推動作用。

士蘭集昕二期項目將利用現(xiàn)有的公用設施,在現(xiàn)有生產(chǎn)線的基礎(chǔ)上,通過增加生產(chǎn)設備及配套設備實施;項目總投資15億元,建設周期分5年,分兩期進行。其中,一期計劃投資6億元,形成年產(chǎn)18萬片8英寸芯片的產(chǎn)能,二期計劃投資9億元,形成年產(chǎn)25.2萬片8英寸芯片的產(chǎn)能。在出資安排上,公司及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)分別出資3.15億元及5億元。士蘭集昕一期項目先前已經(jīng)得到大基金5億元投資,國家大基金再次投資士蘭集昕項目,顯示了其對士蘭微發(fā)展功率半導體芯片的持續(xù)看好。

資料顯示,8英寸芯片目前主要應用于功率半導體、模擬芯片、MEMS傳感器、MCU等產(chǎn)品。近年來,隨著移動通信、汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,帶動了市場對8英寸產(chǎn)能的需求。SEMI表示,2019~2020年期間全球8英寸產(chǎn)能將增加14%,達到每月650萬片/月。IDM大廠如英飛凌、ST,以及Foundry大廠臺積電、世界先進等,先后在2018年末宣布快速推進8吋特色工藝產(chǎn)能。考慮到目前8吋線產(chǎn)能建設主要依靠購買二手設備,而8吋線不少關(guān)鍵設備已經(jīng)停產(chǎn),二手設備供應有限,整合成套可用的新生產(chǎn)線并非易事,因此8吋線產(chǎn)能仍將持續(xù)景氣。

此外,公司化合物半導體器件生產(chǎn)線項目和12吋芯片特色工藝芯片生產(chǎn)線項目,進展順利。2019年上半年,廈門士蘭明鎵已經(jīng)完成生產(chǎn)廠房凈化裝修和動力設備安裝,現(xiàn)正在工藝設備安裝和調(diào)試,預計2019年四季度將將進行試生產(chǎn);廈門士蘭集科已經(jīng)完成建筑工程招投標工作,廠房建設現(xiàn)在已經(jīng)正式開工,下半年將積極推進廠房建設,爭取在2020年3月份進入工藝設備安裝階段。

三菱電機征戰(zhàn)5G  重點布局光器件市場

三菱電機征戰(zhàn)5G 重點布局光器件市場

5G時代到來,光器件廠商正迎來巨大的市場風口,都摩拳擦掌想要把握難得的機遇。近日,中國國際光電博覽會(以下簡稱“CIOE光博會”)在深圳舉辦,三菱電機攜19款光器件新產(chǎn)品亮相,展現(xiàn)出強大的競爭實力。

9月4日CIOE光博會舉辦首日,三菱電機同期召開創(chuàng)新器件助力通訊未來·三菱電機半導體媒體發(fā)布會,探討了當前的光器件市場情況,并分享三菱電機半導體新產(chǎn)品、中國市場策略及發(fā)展。

5款重磅新品亮相

媒體發(fā)布會上,三菱電機光器件全球市場部總經(jīng)理盛田淳、三菱電機高頻光器件制作所總經(jīng)理宮琦泰典、大中國區(qū)三菱電機半導體副總經(jīng)理渡邊良孝等高管悉數(shù)出席,重點介紹了包括新一代低成本2.5G DFB TOCAN 、工業(yè)級25G DFB TOCAN、25G LAN-WDM EML TOCAN 、50G PAM4 EML-TOSA、200G PAM4集成EML TOSA等5款新產(chǎn)品。

其中,三菱電機新一代低成本2.5G DFB TOCAN ML720Y68S主要應用于1.25Gbps for 10G EPON非對稱ONU和2.48832Gbps for XG-PON ONU場合,其使用球透鏡降低成本; 工業(yè)溫度范圍 -40℃~+85℃;采用標準TO-56封裝,波長為1270nm。

工業(yè)級25G DFB TOCAN ML764K56T/ ML764AA58T可應用于300米~10公里的5G前傳,其工業(yè)溫度范圍可用于戶外;25.8Gbps NRZ 調(diào)制;采用TO-56 4管腳封裝,與低速率TOCAN封裝形式相同,便于大規(guī)模生產(chǎn)。

25G LAN-WDM EML TOCAN ML760B54-92x應用于40公里以內(nèi)的5G無線網(wǎng)絡,溫度范圍 達到-40℃~+95℃;可用25.8Gbps NRZ 調(diào)制;其出光功率和消光比分別為0 to +5dBm、 >+5dB;TEC功耗0.5W(標準值),工作溫度為 -40℃~+95℃。

應用于5G無線網(wǎng)絡還有50G PAM4 EML-TOSA FU-411REA-1M1 (10km)/ FU-411REA-3M1 (40km),其適用于NRZ調(diào)制的非常成熟的25GEML TOSA產(chǎn)品,可在26.5625 G波特率,PAM-4調(diào)制下驅(qū)動,其工作溫度為-5℃~+80℃。

200G PAM4集成EML TOSA FU-402REA-3M5也采用了PAM4技術(shù),是適用于數(shù)據(jù)中心的高速光通訊器件。該產(chǎn)品擁有26G波特率,可用于 PAM4調(diào)制;同時融合LAN WDM技術(shù),四通道集成器件,其工作溫度范圍-5 to +80℃;封裝尺寸為 W6.7 x L15 x H5.8 mm。

大力支持中國5G建設

資料顯示,三菱電機創(chuàng)立于1921年,在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位,被稱為“現(xiàn)代功率半導體器件的開拓者”。其半導體產(chǎn)品包括功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、SiC MOSFET等)、微波/射頻和高頻光器件、光模塊等。

在光通信器件領(lǐng)域上,三菱電機擁有超過30年的豐富經(jīng)驗,陸續(xù)開發(fā)出具有高輸出效率的激光器組件、和具有高靈敏度的探測器組件,滿足通訊網(wǎng)絡的需要。據(jù)了解,三菱電機一直處于世界光通訊市場領(lǐng)先地位,其光器件和光模塊產(chǎn)品在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案,被用到全世界各地的光纖到戶網(wǎng)絡中。

在媒體發(fā)布會上,三菱電機表示其光器件產(chǎn)品覆蓋了低速到高速、選擇面多,具有易用性、穩(wěn)定性、生產(chǎn)便利性等競爭優(yōu)勢,憑借著高可靠性產(chǎn)品、靈活/有性價比的服務與客戶達成長期雙贏的合作關(guān)系,助客戶提高競爭力。

三菱電機在會上強調(diào)了中國5G市場的重要性,其預計全球5G基站市場約80%份額在中國。三菱電機表示,目前中國5G建設正在全國范圍內(nèi)開展得如火如荼,作為光器件供應商,三菱電機將大力支持中國5G建設,目前正與中國供應鏈上下游展開緊密合作。

英諾賽科芯片項目主廠房封頂 預計明年規(guī)模化量產(chǎn)

英諾賽科芯片項目主廠房封頂 預計明年規(guī)?;慨a(chǎn)

英諾賽科(蘇州)半導體有限公司(以下簡稱英諾賽科)是一家專業(yè)從事新型第三代半導體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。近日,芯片項目主廠房經(jīng)過14個月的緊張建設,順利完成封頂。市委副書記朱民,吳江區(qū)及汾湖高新區(qū)領(lǐng)導李銘、吳琦、沈偉江出席封頂儀式。

芯片項目主廠房的封頂,意味著項目整體工程進度完成65%。預計12月底生產(chǎn)設備正式進廠,2020年可實現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)。據(jù)悉,項目占地面積368畝,計劃在5年內(nèi)完成投資60億元。屆時,將建成世界上第三代半導體大規(guī)模生產(chǎn)中心,可創(chuàng)造高科技工作崗位超2000個。

目前,英諾賽科已在激光雷達、高密高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動等方面發(fā)布產(chǎn)品方案,其主要產(chǎn)品包括氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件,具有小尺寸、高性能、低成本、高可靠性等優(yōu)勢。蘇州項目的推進,將充分抓住長三角一體化發(fā)展戰(zhàn)略的重大歷史時機,借助長三角地區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)集群效應和政策優(yōu)勢,與上下游先進企業(yè)形成產(chǎn)業(yè)融合與協(xié)作,為5G移動通信、激光雷達、人工智能、快速充電、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、清潔能源等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和其他轉(zhuǎn)型升級行業(yè)提供高效、節(jié)能、低成本的核心電子元器件。

英諾賽科公司總經(jīng)理孫表示,英諾賽科蘇州工廠是公司發(fā)展的重要戰(zhàn)略布局,相信英諾賽科將會成為世界一流的第三代半導體公司,吳江會成為全世界新的先進半導體制造中心。

蘇州市委副書記朱民表示,英諾賽科項目推進過程中,蘇州、吳江兩級政府必將積極踐行親商、安商、富商的服務理念,為企業(yè)如期順利推進并加快投產(chǎn)提供最好的營商環(huán)境及政治生態(tài)。

17億元轉(zhuǎn)讓 中車時代電氣重組半導體業(yè)務

17億元轉(zhuǎn)讓 中車時代電氣重組半導體業(yè)務

8月29日,中國中車旗下中車時代電氣發(fā)布了一則《自愿公告資產(chǎn)重組計劃》,擬對其旗下半導體事業(yè)部進行資產(chǎn)重組。

公告顯示,中車時代電氣董事會宣布,通過一項決議案批準有關(guān)本公司半導體業(yè)務的資產(chǎn)重組計劃,方式為(1)本公司向全資附屬公司株洲中車時代半導體有限公司(以下簡稱“時代半導體”)增資人民幣24億元;及(2)以非公開協(xié)議轉(zhuǎn)讓方式將本公司半導體事業(yè)部的現(xiàn)有資產(chǎn)、負債及業(yè)務以約人民幣17億元(視乎專項審計的資產(chǎn)凈值而定)的代價轉(zhuǎn)讓予時代半導體。

國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示,時代半導體注冊成立于2019年1月18日,注冊資本3億元,經(jīng)營范圍包括研究、開發(fā)、生產(chǎn)、銷售功率半導體及相關(guān)產(chǎn)品;提供相關(guān)的技術(shù)咨詢、技術(shù)服務和技術(shù)轉(zhuǎn)讓等。

半導體事業(yè)部是中車時代電氣下屬的核心業(yè)務單位,專業(yè)從事大功率半導體器件的研發(fā)與制造,是我國最早開發(fā)大功率半導體器件的單位之一,全面掌握晶閘管、整流管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、SiC(碳化硅)器件及功率組件全套技術(shù)。

據(jù)了解,目前中車時代電氣的IGBT產(chǎn)品已從650V覆蓋至6500V,并批量應用于高鐵、電網(wǎng)、電動汽車、風電等領(lǐng)域;在SiC領(lǐng)域,中車時代電氣6英寸SiC生產(chǎn)線首批芯片已于2018年初試制成功,6英寸SiC器件生產(chǎn)線成功通線,實現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通。

中車時代電氣董事會認為,實施該計劃有助于進一步完善及加強半導體業(yè)務的管理,促進本 集團的業(yè)務發(fā)展,且符合本公司及其股東的整體利益。

業(yè)界猜測,中車時代電氣將旗下半導體事業(yè)部整體裝入剛成立不久的下屬全資子公司時代半導體,此舉或意味著中車時代電氣對于半導體業(yè)務的定位有所變化,其半導體業(yè)務有望進一步發(fā)展壯大。

商務合作請加微信:izziezeng

加入集邦半導體交流群,請加微信:DRAMeXchange2019

半年報出爐 揚杰科技上半年營收8.91億元

半年報出爐 揚杰科技上半年營收8.91億元

8月22日,揚杰科技發(fā)布其2019年上半年業(yè)績報告。數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年揚杰科技實現(xiàn)營業(yè)收入8.91億元,同比增長1.50%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤8660.49萬元,同比下降44.44%。

從業(yè)績情況來看,在經(jīng)濟增速放緩的背景之下,2019年上半年揚杰科技的營收與去年同期相比增長1.50%、接近持平,歸母凈利潤則有所下降。半年報中,揚杰科技未對其上半年營收及凈利情況作出太多說明,在研發(fā)技術(shù)方面則顯示有不少進展。

揚杰科技表示,上半年高可靠性溝槽肖特基芯片實現(xiàn)全面量產(chǎn),基于多種不同技術(shù)的高能效低正向壓降肖特基芯片實現(xiàn)全系列開發(fā);積極推進IGBT新模塊產(chǎn)品的研發(fā)進程,50A/75A/100A-1200V半橋規(guī)格的IGBT開發(fā)成功,同時引進IPM模塊生產(chǎn)線,并完成高壓碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)設計;此外,汽車電子小信號和貼片產(chǎn)品已小批量出貨。

報告指出,2019年上半年國際經(jīng)濟增長勢頭放緩,受中美貿(mào)易戰(zhàn)持續(xù)升級、“華為禁售令”等事件影響,國內(nèi)各行業(yè)進一步加速了半導體器件的國產(chǎn)化替代進程,為國內(nèi)功率器件廠商提供了難得的市場機遇;同時,電能轉(zhuǎn)換、5G通訊、云端基礎(chǔ)設施、智慧網(wǎng)絡、工業(yè)自動化、新能源等領(lǐng)域的高速發(fā)展,也極大地促進了功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

資料顯示,揚杰科技采用垂直整合(IDM)一體化的經(jīng)營模式,主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN 產(chǎn)品、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

實現(xiàn)30萬只IGBT模塊生產(chǎn) 合肥中恒微半導體首期投產(chǎn)

實現(xiàn)30萬只IGBT模塊生產(chǎn) 合肥中恒微半導體首期投產(chǎn)

據(jù)合肥高新區(qū)報道,近日,合肥中恒微半導體有限公司(以下簡稱“中恒微半導體”)首期投產(chǎn)儀式在高新區(qū)明珠產(chǎn)業(yè)園舉行。

該項目規(guī)劃分為兩期建設,一期產(chǎn)能建成后,可實現(xiàn)30萬只IGBT模塊的生產(chǎn);二期規(guī)劃2020年開工建設,全部建成后,年產(chǎn)達100萬只IGBT模塊。

據(jù)了解,中恒微半導體專注于功率半導體模塊封裝設計、制造與應用,公司產(chǎn)品主要應用于電動汽車,混合動力車,電機控制,新能源等行業(yè)應用。

國家信息企業(yè)公示系統(tǒng)顯示,中恒微半導體成立于2018年8月,由合肥致微企業(yè)管理有限公司和合肥屹微股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)共同出資,注冊資本100萬。

中恒微半導體主要從事半導體芯片、元器件設計;硅和碳化硅模塊封裝設計;汽車電子功率模塊生產(chǎn)、制造與銷售;新能源技術(shù)、節(jié)能環(huán)保技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、軟件開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)咨詢服務等業(yè)務。

商務合作請加微信:izziezeng

加入集邦半導體交流群,請加微信:DRAMeXchange2019

淺析IGBT產(chǎn)業(yè)的進入壁壘

淺析IGBT產(chǎn)業(yè)的進入壁壘

近年來,隨著行業(yè)景氣度向好和政策的推動,中國IGBT產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)快速成長,多家廠商擴建或新建產(chǎn)線,同時亦有不少新進入者搶奪市場。

據(jù)集邦咨詢分析,目前市場新入者主要有三類,一是向IGBT等高端產(chǎn)品擴展業(yè)務的功率半導體企業(yè),如揚杰科技、華微電子等;二是出于為滿足自身需求及出于供應鏈安全考慮向上游涉足的,如中車時代和比亞迪等;三是看好市場而進場的新公司,如富能半導體等。

新進廠商涌入,行業(yè)競爭勢必加劇,對于大量的新進入廠商而言,了解產(chǎn)業(yè)的進入壁壘才能更好地制定競爭策略。那么IGBT產(chǎn)業(yè)的進入壁壘有哪些呢?

1.規(guī)模經(jīng)濟

IGBT產(chǎn)業(yè)有著明顯的規(guī)模經(jīng)濟的特征,產(chǎn)品的平均成本隨產(chǎn)量的增加而下降,大規(guī)模生產(chǎn)可以使企業(yè)平均成本下降。新進入者如果無法在短期內(nèi)提升產(chǎn)量,將承受成本高于原有企業(yè)的劣勢,面臨巨大的財務壓力。新進入者同時有可能激起原有廠商的反制,導致競爭壓力加大。

2.技術(shù)壁壘

芯片技術(shù):IGBT芯片是IGBT模塊的核心,其設計工藝復雜、制造工藝難度較高,不僅要保證模塊在大電流、高電壓、高頻率下穩(wěn)定工作,還需保持開閉和損耗、抗短路能力和導通壓降維持平衡。企業(yè)只有具備深厚的技術(shù)底蘊和強大的創(chuàng)新能力,持續(xù)進行技術(shù)積累,才能在行業(yè)里立足。

模塊技術(shù):IGBT模塊對產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求較高,生產(chǎn)工藝復雜,往往一個看似簡單的工藝需要長時間的摸索。IGBT作為下游產(chǎn)品的核心部件,需要滿足各種工作環(huán)境下正常工作的要求,因此對產(chǎn)品的質(zhì)量要求比較高,研發(fā)時也需要研發(fā)人員對下游應用比較熟悉,國內(nèi)目前具有相關(guān)經(jīng)驗的人才較少,新進入者需要花費較多時間來培養(yǎng)人才和技術(shù)積累。

3.資金壁壘

IGBT屬于資本密集型企業(yè),生產(chǎn)和測試以進口為主,設備成本較高。其產(chǎn)品的研發(fā)和客戶認證都需要較長時間,新進入者需要有較強的資金實力做后盾,才能持續(xù)進行相關(guān)的研發(fā)和市場開拓。

4.品牌與市場壁壘

IGBT模塊是下游產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件,其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對下游客戶來說至關(guān)重要,因此認證周期較長,替換成本高。

(1)從供應鏈安全的角度來說:下游客戶處于供應鏈安全的考慮,更傾向于和IGBT供應商保持長期合作關(guān)系,變更已有長期合作的供應商的意愿較小。

(2)從產(chǎn)品驗證角度來說:對于新入場的IGBT供應商,下游客戶會相對謹慎。不僅要考慮供應商的實力,產(chǎn)品還要經(jīng)過單機測試、整機測試、多次小批量試用等多個環(huán)節(jié)的驗證。決策周期較長。

中國廠商面臨的問題和競爭策略選擇

IGBT產(chǎn)業(yè)為壟斷型市場,全球前五大廠商占據(jù)了70%的市場份額,中國廠商由于進場較晚,產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)較為薄弱,面臨的競爭壓力較大。同時,中國又是全球最大的IGBT市場,隨著新能源汽車產(chǎn)量的不斷提升,市場增長和國產(chǎn)替代空間較大。

目前,中國廠商在技術(shù)上逐步接近國際領(lǐng)先廠商,而資金方面受益于政府推動,資本支持力度較大,主要問題仍在品牌建立與市場拓展方面。在市場競爭加劇的情況下要從國際廠商手中奪得市場份額,集邦咨詢認為,中國廠商可采取的市場策略主要有三個方向:

一是進行差異化競爭,在特定的細分領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。如比亞迪鎖定車用IGBT市場,快速成長為國內(nèi)最大的車用IGBT供應商。

二是與下游廠商合作,加快供應鏈認證和保障訂單穩(wěn)定,同時提升產(chǎn)品工藝技術(shù)。如中車時代和北汽新能源、國家電網(wǎng)等下游企業(yè)達成戰(zhàn)略合作共同開發(fā)用于新能源汽車和智能電網(wǎng)的IGBT產(chǎn)品。

三是選擇市場增長空間較大的應用領(lǐng)域如新能源汽車領(lǐng)域,或產(chǎn)能需求較大的應用領(lǐng)域,如家電領(lǐng)域,若成功進入下游供應鏈,可以幫助廠商快速擴大規(guī)模降低成本。

富滿電子擬募資3.5億元  推動功率半導體器件等擴產(chǎn)升級

富滿電子擬募資3.5億元 推動功率半導體器件等擴產(chǎn)升級

8月14日,富滿電子發(fā)布《非公開發(fā)行A股股票預案(修訂稿)》,擬非公開發(fā)行募集資金總額不超過3.5億元人民幣,扣除發(fā)行費用后擬投資于功率半導體器件、LED控制及驅(qū)動類產(chǎn)品智能化生產(chǎn)建設項目以及補充流動資金。

根據(jù)公告,功率半導體器件、LED控制及驅(qū)動類產(chǎn)品智能化生產(chǎn)建設項目投資金額2.81億元,擬使用募集資金金額2.5億元。該項目擬在安徽省合肥市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設廠房,用于生產(chǎn)功率半導體器件、LED 控制及驅(qū)動類芯片以滿足下游客戶對相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能的需求,新增生產(chǎn)線生產(chǎn)產(chǎn)能將達到10.5億PCS/年,項目建設期為1年。

其中,功率半導體器件是在富滿電子現(xiàn)有MOSFET 類產(chǎn)品上的擴產(chǎn)升級,在制造工藝和技術(shù)研發(fā)上屬于更大功率的產(chǎn)品,旨在提升產(chǎn)品的應用等級領(lǐng)域,和其現(xiàn)有電源管理芯片結(jié)合,為客戶提供綜合方案配置。LED控制及驅(qū)動芯片投入旨在提高產(chǎn)能,搶占市場份額。

富滿電子表示,該項目的實施將進一步擴大公司功率半導體器件和LED控制及驅(qū)動類芯片的生產(chǎn)規(guī)模,通過規(guī)?;a(chǎn)來提高生產(chǎn)效率,有效提升公司芯片產(chǎn)品的競爭力和市場占有率,實現(xiàn)本公司經(jīng)濟效益最大化。

除了上述項目外,富滿電子本次非公開發(fā)行擬使用募集資金1億元補充流動資金。富滿電子表示,補充流動資金可更好地滿足公司生產(chǎn)、運營的日常資金周轉(zhuǎn)需要,降低財務風險和經(jīng)營風險,增強競爭力。

資料顯示,富滿電子成立于2001年,是一家從事高性能模擬及數(shù)?;旌霞呻娐吩O計、封裝、測試和銷售的集成電路設計企業(yè),主要產(chǎn)品包括電源管理類芯片、LED控制及驅(qū)動類芯片、 MOSFET類芯片及其他芯片。