IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，具有高頻率、高電壓、大電流、易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”。

集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，電動汽車的發(fā)展將帶動IGBT市場總值持續(xù)成長，預(yù)估2021年IGBT的市場總值將突破52億美元。中國作為全球最大的IGBT需求市場，主要市場份額被歐美、日本企業(yè)所占據(jù)，但是經(jīng)過多年努力，目前已建立起完整的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈，下面將按照IDM、設(shè)計(jì)、制造、模組分類盤點(diǎn)國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要企業(yè)——

IDM

·?中車時(shí)代電氣

株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司是中國中車旗下股份制企業(yè)，其前身及母公司——中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司創(chuàng)立于1959年，其現(xiàn)已形成了集IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造等成套技術(shù)研究、開發(fā)、集成于一體的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。

2008年，中車時(shí)代電氣（當(dāng)時(shí)名為“南車時(shí)代電氣”）收購全球IBGT廠商丹尼斯，2009年建成國內(nèi)首條高壓IGBT模塊封裝線，自2010年開始著手籌建國內(nèi)首條專注于IGBT芯片的先進(jìn)生產(chǎn)線。目前，中車時(shí)代電氣IGBT產(chǎn)品已從650V覆蓋至6500V，并批量應(yīng)用于高鐵、電網(wǎng)、電動汽車、風(fēng)電等領(lǐng)域，2017年其高壓IGBT模塊在電力系統(tǒng)收獲訂單，并成功研制世界最大容量壓接型IGBT。

·?比亞迪微電子

2003年，比亞迪成立深圳比亞迪微電子有限公司（即其“第六事業(yè)部”），致力于集成電路及功率器件的開發(fā)并提供產(chǎn)品應(yīng)用的整套解決方案，其IGBT的研發(fā)制造主要由比亞迪微電子負(fù)責(zé)。2005年，比亞迪正式組建IGBT研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并于2007年建立IGBT模塊生產(chǎn)線，完成首款電動汽車IGBT模塊樣品組裝。

目前，比亞迪已相繼掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造、模組設(shè)計(jì)和制造、大功率器件測試應(yīng)用平臺、電源及電控等環(huán)節(jié)，擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈。2018年底，比亞迪正式發(fā)布其自研車規(guī)級IGBT 4.0技術(shù)。全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢報(bào)告指出，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市占率，一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應(yīng)商。

·?士蘭微

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于1997年，從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開始，逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺，并已將技術(shù)和制造平臺延伸至功率器件、功率模塊和MEMS傳感器的封裝領(lǐng)域，建立了較為完善的IDM經(jīng)營模式。

目前，士蘭微5英寸、6英寸芯片生產(chǎn)線已穩(wěn)定運(yùn)行，8英寸芯片生產(chǎn)線也順利投產(chǎn)，陸續(xù)完成了高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結(jié)高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復(fù)二極管、MEMS傳感器等工藝的研發(fā)。今年4月，士蘭微推出了應(yīng)用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產(chǎn)品，據(jù)悉其所開發(fā)的IGBT已在多個(gè)領(lǐng)域通過了客戶的嚴(yán)格測試并導(dǎo)入量產(chǎn)。

·?華微電子

吉林華微電子股份有限公司成立于1999年，集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品營銷為一體，官網(wǎng)信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為24億只/年，模塊360萬塊/年。

華微電子主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品，其650V~1200V的Trench-FS IGBT平臺產(chǎn)品已通過客戶驗(yàn)證。今年4月，華微電子擬募投8英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目，600V-1700V各種電壓、電流等級IGBT芯片是該項(xiàng)目的重點(diǎn)之一。

·?重慶華潤微

華潤微電子（重慶）有限公司，即原中航（重慶）微電子有限公司，集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與服務(wù)一體化，以功率半導(dǎo)體器件、功率/模擬集成電路為產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，面向工業(yè)電子、消費(fèi)電子、汽車電子、5G通訊市場。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術(shù)開發(fā)和制造平臺。

重慶華潤微擁有國內(nèi)第一條全內(nèi)資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能5.1萬片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產(chǎn)線。目前該公司已啟動12英寸晶圓生產(chǎn)線及相關(guān)配套封測線建設(shè)規(guī)劃，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

·?臺基股份

湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司成立于2004年，是是國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的掌握前道（擴(kuò)散）技術(shù)、中道（芯片制成）技術(shù)、后道（封裝測試）技術(shù)，并掌握大功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造核心技術(shù)并形成規(guī)?；a(chǎn)的企業(yè)。

臺基股份主營產(chǎn)品為功率晶閘管、整流管、IGBT 模塊、電力半導(dǎo)體模塊等功率半導(dǎo)體器件，其早于5年前開始了IGBT模塊的研發(fā)，目前基本具備IGBT設(shè)計(jì)、封裝測試的能力。近期，臺基股份定增募投“新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目”，其中包含了月產(chǎn)4萬只IGBT模塊(兼容MOSFET等)封測線。

·?揚(yáng)杰科技

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。

據(jù)了解，在IGBT方面揚(yáng)杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產(chǎn)線已經(jīng)量產(chǎn)IGBT芯片，主要應(yīng)用于電磁爐等小家電領(lǐng)域。揚(yáng)杰科技在互動平臺上表示，2018年度，公司IGBT芯片實(shí)際產(chǎn)出近6000片。

·?科達(dá)半導(dǎo)體

科達(dá)半導(dǎo)體有限公司成立于2007年，是由科達(dá)集團(tuán)投資成立的高新技術(shù)企業(yè)，主要從事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半導(dǎo)體器件（電力電子器件）的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，在深圳、浙江、山東等地區(qū)均設(shè)有銷售中心。

據(jù)科達(dá)半導(dǎo)體官方介紹，其擁有功率器件設(shè)計(jì)中心、性能測試實(shí)驗(yàn)室和可靠性實(shí)驗(yàn)室以及省級設(shè)計(jì)中心，省級功率半導(dǎo)體工程中心，在IGBT、FRD、MOSFET等多個(gè)產(chǎn)品領(lǐng)域開發(fā)出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的多種規(guī)格產(chǎn)品，其中1200V IGBT被國家科技部列為國家重點(diǎn)新產(chǎn)品，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電磁爐、小功率變頻器、逆變焊機(jī)、無刷馬達(dá)控制器、UPS等領(lǐng)域。

設(shè)計(jì)

·?中科君芯

江蘇中科君芯科技有限公司成立于2011年，是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。中科君芯前身是中國科學(xué)院微電子研究所、中國科學(xué)院微電子研究所、中國物聯(lián)網(wǎng)研究與發(fā)展中心以及成都電子科大的三個(gè)研究團(tuán)隊(duì)，最早始于上世紀(jì)80年代。

中科君芯官網(wǎng)介紹稱，公司目前形成具有市場競爭力的產(chǎn)品有650V、1200V、1700V系列IGBT芯片，并擁有222項(xiàng)專利，其中PCT專利12項(xiàng)。IGBT技術(shù)方面，中科君芯已開發(fā)出溝槽場終止（Trench -FS）電壓650V-6500V、單芯片電流8A-400A全系列IGBT芯片，成功解決了溝槽柵溝槽成型技術(shù)、載流子增強(qiáng)技術(shù)、晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。

·?達(dá)新半導(dǎo)體

寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司，主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)和工藝集成技術(shù)，建有IGBT產(chǎn)品性能測試、應(yīng)用及可靠性試驗(yàn)室，擁有一條測試和制造手段完備IGBT模塊研發(fā)生產(chǎn)線。

達(dá)新半導(dǎo)體官網(wǎng)介紹稱，其團(tuán)隊(duì)在8英寸和6英寸晶圓制造平臺上同時(shí)開發(fā)成功平面型NPT、平面型FS、溝槽型NPT、溝槽型FS等IGBT芯片技術(shù)，能夠制造從600V至1700V， 可滿足大部分應(yīng)用領(lǐng)域的IGBT芯片產(chǎn)品。此外，達(dá)新半導(dǎo)體已成功開發(fā)多種IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級涵蓋600V～3300V、電流等級涵蓋10A～1000A，可應(yīng)用于逆變焊機(jī)、變頻器、感應(yīng)加熱、大功率電源、UPS、新能源汽車、太陽能/風(fēng)力發(fā)電、SVG等領(lǐng)域。

·?紫光微電子

無錫紫光微電子有限公司（原無錫同方微電子有限公司）成立于2006年，是紫光同芯微電子有限公司投資的一家高新技術(shù)企業(yè)，是一家專注于先進(jìn)半導(dǎo)體功率器件和集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測試及產(chǎn)品銷售的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。

據(jù)紫光微電子官網(wǎng)介紹，該公司開發(fā)和生產(chǎn)的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等半導(dǎo)體功率器件以及相關(guān)的電源管理集成電路等產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于節(jié)能、綠色照明、風(fēng)力發(fā)電、智能電網(wǎng)、混合動力\電動汽車、儀器儀表、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。IGBT方面，其以IGBT實(shí)際應(yīng)用為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)，使用NPT（非穿通型）和溝槽型FS（場終止型）IGBT技術(shù)為大功率應(yīng)用客戶提供優(yōu)質(zhì)可靠的系統(tǒng)解決方案。

·?無錫新潔能

無錫新潔能股份有限公司成立于2013年，主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)設(shè)計(jì)及銷售，主要產(chǎn)品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備 制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。

據(jù)無錫新潔能官方介紹，目前其主要產(chǎn)品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結(jié)功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。

·?芯派科技

西安芯派電子科技有限公司成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品包含低壓至高壓全系列MOSFET、IGBT、二極管、橋堆以及電源管理IC等。其總部位于西安，擁有省級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室西安半導(dǎo)體功率器件測試應(yīng)用中心。

據(jù)了解，芯派科技自2016年研發(fā)出應(yīng)用于1200V/900V/650V的IGBT功率器件，產(chǎn)品性能指標(biāo)達(dá)到和國外同類產(chǎn)品的技術(shù)性能。目前其600V/1200V FS系列IGBT產(chǎn)品在工業(yè)類電源中批量使用，450V的IGBT產(chǎn)品適用于閃光燈應(yīng)用與點(diǎn)火應(yīng)用，NPT工藝的1200V/3300V IGBT系列產(chǎn)品適用于汽車行業(yè)。

制造

·??華虹宏力

上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成，是全球首家提供場截止型絕緣柵雙極型晶體管（FS IGBT）量產(chǎn)技術(shù)的8英寸集成電路芯片制造廠。

華虹宏力自2011年起就已成功量產(chǎn)了1200V非穿通型（NPT）IGBT；2013年600V-1200V FS IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，隨后與多家合作單位陸續(xù)推出了600V、1200V、1700V等IGBT器件工藝，成功解決了IGBT的關(guān)鍵工藝問題，包括硅片翹曲及背面工藝能力等。據(jù)悉目前華虹宏力是國內(nèi)唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工企業(yè)，同時(shí)正在加速研發(fā)6500V超高壓IGBT技術(shù)。

·?上海先進(jìn)

上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司，前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導(dǎo)體公司，擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產(chǎn)線，專注于模擬電路、功率器件的制造，自2004年開始提供IGBT國內(nèi)、外代工業(yè)務(wù)。

上海先進(jìn)2008年在國內(nèi)建立IGBT背面工藝線，具備IGBT正面、背面、測試等完整的IGBT工藝能力，IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技術(shù)能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、溝槽IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面IGBT和FRD工藝平臺，電壓覆蓋1200V~6500V，8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺，電壓覆蓋450V~1700V。

·?中芯國際

中芯國際集成電路制造有限公司是中國內(nèi)地技術(shù)最全面、配套最完善、規(guī)模最大、跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)，提供0.35微米到28納米8寸和12寸芯片代工與技術(shù)服務(wù)。

根據(jù)中芯國際官網(wǎng)介紹，其IGBT平臺從2015年開始建立，著眼于最新一代場截止型IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界最先進(jìn)及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等，已完成整套深溝槽+薄片+場截止技術(shù)工藝的自主研發(fā)，并相應(yīng)推出600V~1200V等器件工藝，技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

·?方正微電子

深圳方正微電子有限公司成立于2003年，由方正集團(tuán)聯(lián)合其他投資者共同創(chuàng)辦，專注于為客戶提供功率分立器件（如DMOS、IGBT、SBD和FRD）和功率集成電路（如BiCMOS、BCD和HV CMOS）等領(lǐng)域的晶圓制造技術(shù)。

根據(jù)官網(wǎng)介紹，方正微電子擁有兩條6英寸晶圓生產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)6萬片，產(chǎn)能規(guī)模居國內(nèi)6英寸線前列，0.5微米/6英寸工藝批量生產(chǎn)能力躍居國內(nèi)行業(yè)第二，未來月產(chǎn)能規(guī)劃將達(dá)8萬片。IGBT方面目前支持430V、600V Trench PT IGBT以及1200V、1700V Planar NPT IGBT等工藝及時(shí)。

·?華潤上華

無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術(shù)，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標(biāo)準(zhǔn)工藝及一系列客制化工藝平臺。

據(jù)官網(wǎng)介紹，華潤上華擁有國內(nèi)最大的6英寸代工線和一條8英寸代工線，6英寸月產(chǎn)能逾11萬片，八英寸生產(chǎn)線目前月產(chǎn)能已達(dá)3.5萬片，未來整體月產(chǎn)能規(guī)劃為6萬片，制程技術(shù)將提升至0.11微米。IGBT方面，華潤上華于2012年已宣布開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工藝平臺。

模組

·?嘉興斯達(dá)

嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體元器件尤其是IGBT模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，其主要產(chǎn)品為功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。

在技術(shù)方面，嘉興斯達(dá)已開發(fā)出平面柵NPT型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解決了包括8英寸晶圓減薄技術(shù)、背面高能離子注入技術(shù)、背面激光退火激活技術(shù)以及溝槽柵挖槽成型技術(shù)等關(guān)鍵工藝技術(shù)。有數(shù)據(jù)顯示，2017年嘉興斯達(dá)在IGBT模塊領(lǐng)域的市場占有率排全球第9位。

·?芯能半導(dǎo)體

深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2013年，由深圳正軒科技、深圳國資委、深圳人才創(chuàng)新基金、達(dá)晨創(chuàng)投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，致力于IGBT芯片、IGBT驅(qū)動芯片以及大功率智能功率模塊的研發(fā)、應(yīng)用和銷售。

目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產(chǎn)品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個(gè)領(lǐng)域都有完善的產(chǎn)品序列，產(chǎn)品性能國內(nèi)領(lǐng)先。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器、伺服驅(qū)動器、變頻家電、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域；針對中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均得到終端客戶的一致認(rèn)可。

·?西安永電

西安中車永電電氣有限公司成立于2005年，是中車永濟(jì)電機(jī)有限公司全資控股的專門從事電力電子產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)的高技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品包括IGBT?模塊、IPM模塊、整流管、晶閘管、組合元件等電力半導(dǎo)體器件，以及變流器、功率模塊、城軌地面整流裝置、地鐵單向?qū)ㄑb置、充電機(jī)等裝置。

2011年12月，陜西省工業(yè)和信息化廳在西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)北車永濟(jì)研發(fā)中心主持召開了西安永電“6500V/600A、3300V/1200A、1700V/1200AIGBT模塊”新產(chǎn)品新技術(shù)鑒定會。與會專家一致認(rèn)為，其6500V/600A、3300V/1200A和1700V/1200AIGBT模塊三種產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)整體達(dá)到國際先進(jìn)水平，其中6500V/600A產(chǎn)品指標(biāo)達(dá)到國內(nèi)水平，一致同意通過省級新產(chǎn)品鑒定。

·?宏微科技

江蘇宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于電力電子元器件行業(yè)，業(yè)務(wù)范圍包括設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新型電力半導(dǎo)體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標(biāo)準(zhǔn)模塊及用戶定制模塊(CSPM)，并提供高效節(jié)能電力電子裝置的模塊化設(shè)計(jì)、制造及系統(tǒng)的解決方案。

2018年，宏微科技與北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，計(jì)劃從芯片設(shè)計(jì)到模塊設(shè)計(jì)與封裝再到電機(jī)控制器設(shè)計(jì)與生產(chǎn)，聯(lián)合打造電機(jī)控制器產(chǎn)業(yè)鏈。宏微科技年報(bào)顯示，2018年其電動汽車用IGBT模塊在SVG行業(yè)應(yīng)用中逐步放量，同時(shí)客戶定制化產(chǎn)品也開始批量銷售。

·?威海新佳

威海新佳電子有限公司成立于2004年，注冊資本2000萬元，是專業(yè)從事新型電力電子器件及其應(yīng)用整機(jī)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。

威海新佳是IGBT國家標(biāo)準(zhǔn)和交流固態(tài)繼電器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)起草單位之一，建有“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”IGBT生產(chǎn)線、山東省電力電子器件工程技術(shù)研究中心，并先后承擔(dān)過國家發(fā)改委新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目、工信部電子發(fā)展基金項(xiàng)目等多項(xiàng)國家和省部級項(xiàng)目。

· 銀茂微電子

南京銀茂微電子制造有限公司成立于2007年11月，是江蘇銀茂（控股）集團(tuán)有限公司控股公司。官網(wǎng)介紹稱，該公司一期項(xiàng)目以研發(fā)、制造和銷售擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型電力電子模塊、全氣密半氣密高可靠性混合電路電子器件、大規(guī)模變流技術(shù)核心組件為主營業(yè)務(wù)，具備年產(chǎn)通用功率模塊65萬件和高壓大功率模塊10萬件以上的生產(chǎn)能力，是目前國內(nèi)最大的電力電子功率模塊生產(chǎn)基地之一。

2019年6月14日，受江蘇省科技廳、南京市科技局委托，溧水區(qū)科技局組織銀茂微電子承擔(dān)的“江蘇省大功率IGBT模塊工程技術(shù)研究中心”項(xiàng)目通過驗(yàn)收。

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今年3月，臺基股份發(fā)布關(guān)于籌劃非公開發(fā)行股票的提示性公告，如今預(yù)案終于出爐。根據(jù)預(yù)案，這次非公開發(fā)行臺基股份擬定增募資7億元加碼半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并引入屹唐同舟及漢江控股兩大具有國資背景的重磅戰(zhàn)略投資者。

募資7億元投資功率半導(dǎo)體

根據(jù)預(yù)案，臺基股份本次發(fā)行非公開發(fā)行不超過4262.4萬股，不超過總股本的20%，募集資金總額不超過7億元，發(fā)行對象為包括北京屹唐同舟股權(quán)投資中心（有限合伙）（以下簡稱“屹唐同舟”）、漢江投資控股有限公司（以下簡稱“漢江控股”）、王鑫及邢雁在內(nèi)的不超過5名特定對象。

這次募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后將用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項(xiàng)目，其中1.71億元將投入月產(chǎn)4萬只IGBT模塊（兼容MOSFET等）封測線，兼容月產(chǎn)1.5萬只SiC等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件封測項(xiàng)目；9400萬元將投入月產(chǎn)6500只高功率半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目；2.3億元將投入晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目；2.05億元將投入新型高功率半導(dǎo)體研發(fā)中心和營銷中心建設(shè)項(xiàng)目。

臺基股份表示，公司現(xiàn)已建成大功率IGBT模塊封測線，產(chǎn)品電流規(guī)格在50A至200A之間，電壓規(guī)格在600V至1700V 之間，封裝能力達(dá)5萬塊/月。本次募投項(xiàng)目中，臺基股份計(jì)劃拓展高功率密度、高性能應(yīng)用的IGBT模塊產(chǎn)品，技術(shù)規(guī)格將升級到2000A/4500V，同時(shí)該封測線將兼容MOSFET、SiC等半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)。

此外，高功率半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)方面，臺基股份目前掌握的固態(tài)脈沖開關(guān)技術(shù)規(guī)格主要為250kA/6500V，本次募投項(xiàng)目將進(jìn)一步推動脈沖功率開關(guān)產(chǎn)品線的產(chǎn)品升級，規(guī)格將進(jìn)一步提升至 500kA/6500V；晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目，作為與固態(tài)脈沖開關(guān)核心芯片完整配套的前道工序，將直接應(yīng)用于高功率半導(dǎo)體脈沖功率開關(guān)的芯片生產(chǎn)，所生產(chǎn)芯片將自產(chǎn)自用。

經(jīng)測算，此次募投項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后年均銷售收入（不含稅）為7.96億元。臺基股份表示，未來將重點(diǎn)開發(fā)新型IGBT模塊等智能化功率器件，繼續(xù)保持在大功率半導(dǎo)體脈沖開關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品優(yōu)勢，還將持續(xù)研發(fā)以SiC和GaN為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)。

將引入兩大國資背景戰(zhàn)投

這次非公開發(fā)行股票，臺基股份加碼半導(dǎo)體意圖明顯，還將借此引入了兩大重磅戰(zhàn)略投資者。

預(yù)案顯示，在本次非公開發(fā)行募資總額不超過7億元中，屹唐同舟、漢江控股、王鑫、邢雁分別認(rèn)購金額為人民幣2.9億元、1.5億元、4000萬元、1000萬元。其中，屹唐同舟和漢江控股為臺基股份的戰(zhàn)略投資者，王鑫為公司董事、邢雁為公司實(shí)際控制人。

在本次非公開發(fā)行股票前，屹唐同舟、漢江控股與臺基股份不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系；發(fā)行完成后，，按照本次非公開發(fā)行股票的數(shù)量上限計(jì)算，屹唐同舟將持有臺基股份5%以上的股份；截至預(yù)案出具之日，漢江控股已與臺基股份控股股東新儀元簽署了附生效條件的一致行動協(xié)議，若協(xié)議生效，漢江控股將成為新儀元的一致行動人。

資料顯示，屹唐同舟成立于2019年1月，目前暫未開展實(shí)質(zhì)性業(yè)務(wù)，其執(zhí)行事務(wù)合伙人為北京亦莊國際產(chǎn)業(yè)投資管理有限公司（以下簡稱“亦莊產(chǎn)投”）。亦莊產(chǎn)投是北京亦莊國際投資發(fā)展有限公司（以下簡稱“亦莊國投”）是金融服務(wù)體系中專業(yè)的產(chǎn)業(yè)投資基金管理公司，實(shí)控人為北京經(jīng)開區(qū)國資辦。

說到亦莊國投，相信業(yè)界并不陌生。亦莊國投是北京市政府確定的重大科技成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化統(tǒng)籌資金的五家受托管理機(jī)構(gòu)之一，參與發(fā)起了國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，并重點(diǎn)支持了中芯國際等相關(guān)項(xiàng)目。

而漢江控股背景已不俗，其實(shí)控人為襄陽市國資委，是由湖北省襄陽市政府批準(zhǔn)并獨(dú)資設(shè)立的綜合性國有金融控股集團(tuán)，是市政府運(yùn)作資本、支持產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展的公共投融資平臺，是管理運(yùn)作襄陽市漢江產(chǎn)業(yè)基金的專業(yè)公司。

臺基股份分別與屹唐同舟、漢江控股簽訂《投資合作協(xié)議》。作為參與此次定增的條件，臺基股份承諾將本次非公開發(fā)行涉及的IGBT模塊封測線、固態(tài)脈沖開關(guān)生產(chǎn)線、研發(fā)中心和營銷中心三個(gè)項(xiàng)目在北京亦莊開發(fā)區(qū)落地實(shí)施；將本次非公開發(fā)行涉及的晶圓線改擴(kuò)建項(xiàng)目在湖北省襄陽市落地實(shí)施。

臺基股份表示，公司將與上述戰(zhàn)略投資者在業(yè)務(wù)和資本層面進(jìn)一步深化合作，充分調(diào)動各方優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)資源，進(jìn)而推動在產(chǎn)業(yè)布局和業(yè)務(wù)開拓等方面實(shí)現(xiàn)更快、更好的發(fā)展。本次戰(zhàn)略投資者的入股，將進(jìn)一步優(yōu)化公司現(xiàn)有的股權(quán)結(jié)構(gòu)。

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7月27日，聞泰科技發(fā)布重大資產(chǎn)重組進(jìn)展公告，公司于2019年7月25日收到菲律賓競爭委員會的決定（NO.23M-020/2019），菲律賓競爭委員會決定對于本次交易的經(jīng)營者集中不實(shí)施進(jìn)一步審查。

根據(jù)此前披露的重組方案，聞泰科技擬以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金相結(jié)合的方式，總計(jì)268.54億元購買安世集團(tuán)部分GP和LP的份額，最終間接持有安世集團(tuán)控股權(quán)。本次收購后，聞泰科技將從ODM公司延伸到上游半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。

聞泰科技于4月25日收到證監(jiān)會《關(guān)于聞泰科技股份有限公司發(fā)行股份購買資產(chǎn)材料核準(zhǔn)受理》的通知。

2019年6月5日，中國證券監(jiān)督管理委員會上市公司并購重組審核委員會對聞泰科技股份有限公司發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易事項(xiàng)進(jìn)行了審 核。根據(jù)會議審核結(jié)果，本次重大資產(chǎn)重組事項(xiàng)獲得有條件通過。

2019年6月25日聞泰科技股份有限公司發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易事項(xiàng)獲得中國證券監(jiān)督管理委員會核準(zhǔn)批復(fù)。

據(jù)廈門廣電報(bào)道，近日福建省委常委、廈門市委書記胡昌升在前往杭州招商的相關(guān)座談走訪活動過程中，有不少總部設(shè)立在杭州的優(yōu)質(zhì)企業(yè)達(dá)成在廈投資合作、增資擴(kuò)產(chǎn)的意向。

其中國內(nèi)集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體的龍頭企業(yè)士蘭微電子，決定加速推進(jìn)在廈門的化合物半導(dǎo)體芯片及12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)，并分別計(jì)劃在今年第四季度和明年試投產(chǎn)。

2017年12月18日，廈門市海滄區(qū)政府與士蘭微在海滄共同簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，擬投資220億元，在海滄建設(shè)兩條12英寸特色工藝晶圓生產(chǎn)線及一條先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。

2018年10月18日，士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線在海滄動工。

根據(jù)規(guī)劃，士蘭微電子廈門項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90—65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。

其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線總投資170億元。第一條芯片制造生產(chǎn)線總投資70億元，規(guī)劃產(chǎn)能8萬片/月，分兩期實(shí)施，其中一期總投資50億元，實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)能4萬片；項(xiàng)目二期總投資20億元，新增月產(chǎn)能4萬片。

第二條芯片制造生產(chǎn)線預(yù)計(jì)總投資100億元，定位為功率半導(dǎo)體芯片及MEMS傳感器。項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)2020年完成廠房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試，2021年實(shí)現(xiàn)通線生產(chǎn)，2022年達(dá)產(chǎn)。項(xiàng)目二期2022年前后啟動，2024年達(dá)產(chǎn)。

另一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線總投資50億元，定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片。分兩期實(shí)施，項(xiàng)目一期預(yù)計(jì)在2019年第一季度完成廠房建設(shè)及設(shè)備安裝調(diào)試，2019年實(shí)現(xiàn)通線生產(chǎn)，2021年達(dá)產(chǎn)；項(xiàng)目二期計(jì)劃2021年啟動，2024年達(dá)產(chǎn)。

杭州士蘭微電子股份有限公司董事會秘書陳越表示，海滄集成電路產(chǎn)業(yè)有非常高的起點(diǎn)，目前已經(jīng)引進(jìn)了通富微電子先進(jìn)封裝等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目。士蘭微加入海滄以后，會帶去芯片設(shè)計(jì)和制造，屆時(shí)海滄將基本涵蓋集IC設(shè)計(jì)、制造、封測于一體的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

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據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2018年全球半導(dǎo)體銷售額4,687.78億美元，從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來看，存儲器占比達(dá)到33.7%、微處理器占比14.34%、邏輯器件占比23.32%、模擬器件12.54%、光學(xué)器件8.11%、傳感器和制動器占比2.85%、分立器件占比5.14%。

從集邦咨詢《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》對中國半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的分析來看，絕大部分產(chǎn)品中國芯片廠商均有布局，但僅有少數(shù)產(chǎn)品在全球具有競爭力，大部分產(chǎn)品在全球有些許能見度、個(gè)別產(chǎn)品在全球占有率幾乎接近空白。中國芯片產(chǎn)品的整體產(chǎn)值結(jié)構(gòu)同全球差異較大，特別是在存儲器和微處理器領(lǐng)域最為薄弱。

集邦咨詢依據(jù)現(xiàn)有的企業(yè)數(shù)據(jù)庫資源盤點(diǎn)來看，2018年全國設(shè)計(jì)業(yè)銷售額達(dá)2515億人民幣，其中存儲器部分，中國廠商僅在利基形存儲如NOR Flash、SPI NAND、小容量DRAM等產(chǎn)品上有產(chǎn)值貢獻(xiàn)，整體存儲器產(chǎn)值占比遠(yuǎn)不足5%，微處理器領(lǐng)域僅中低階MCU有一些產(chǎn)值貢獻(xiàn)、DSP和MPU等產(chǎn)品貢獻(xiàn)微弱，整體產(chǎn)值占比亦不足5%。

但在邏輯器件領(lǐng)域，由于中國海思、紫光展銳在手機(jī)SOC市場擁有較好的競爭力及多媒體AP廠商如瑞芯微、全志、晶晨等在其他智能設(shè)備市場表現(xiàn)較好，使得邏輯器件成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)值貢獻(xiàn)最大的品類。

圖表一：2014-2019(F)年中國半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)營收及增速（Source:集邦咨詢顧問，2019）

圖表二：2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值構(gòu)成（Source:集邦咨詢顧問整理，2019）

分析中國的邏輯器件參與廠商來看，具規(guī)模效應(yīng)的廠商主要集中在手機(jī)SOC、多媒體AP兩大領(lǐng)域，在桌面CPU、GPU、FPGA等領(lǐng)域雖都有廠商參與，但整體競爭力和影響力較弱，AI芯片則屬于新技術(shù)競賽期，各應(yīng)用場景均有廠商參與布局，在去年礦機(jī)需求的帶動下，比特大陸率先脫穎而出獲得規(guī)模級的產(chǎn)出效應(yīng)，在2018年度中國設(shè)計(jì)廠商Top30排名中位列第五。

圖表三： 中國本土主要處理器廠商及應(yīng)用市場（Source: WSTS, 集邦咨詢顧問，2019，備注：紅色字體為中國本土廠商）

總結(jié)來看，在手機(jī)SOC領(lǐng)域，海思和紫光展銳等廠商經(jīng)過多年深耕，目前在全球具有不錯(cuò)的競爭力；多媒體AP廠商主要集中在不需通訊功能、對處理性能亦有一定要求的市場，在液晶電視、平板、安防監(jiān)控、智能音箱等眾多領(lǐng)域本土設(shè)計(jì)廠商均有參與度，但各領(lǐng)域的整體競爭力情況則有所差異。

目前終端產(chǎn)品智能化的趨勢愈演愈烈，且越來越多新的智能產(chǎn)品種類出現(xiàn)，處理器廠商通過扎實(shí)的技術(shù)積累、充分的資源整合，亦有機(jī)會選準(zhǔn)適合自己的賽道獲得更大的成長空間。

集邦咨詢最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中的國內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)章節(jié)，亦針對中國設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值構(gòu)成、Top 30企業(yè)產(chǎn)品布局、處理器SOC等領(lǐng)域主要IC企業(yè)進(jìn)行了深入分析，如有需求可聯(lián)系集邦咨詢了解報(bào)告詳情。

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自2018年開始，功率MOSFET（Power MOSFET）的平均售價(jià)(ASP)持續(xù)上升，其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度最顯著，已位居價(jià)格帶中的首位；至于其他中低電壓的功率MOSFET產(chǎn)品成長幅度較小，但仍緩步上升。

為因應(yīng)平均售價(jià)成長趨勢的差異化表現(xiàn)，12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠的建置及高電壓功率MOSFET產(chǎn)品布局，或?qū)⒊蔀槲磥韽S商發(fā)展重點(diǎn)。

中低電壓功率MOSFET價(jià)格微幅成長，將由12寸晶圓制程提高毛利

過去功率MOSFET以8寸晶圓制造為主，在制程成熟度與穩(wěn)定性上達(dá)到平衡，并已完成成本優(yōu)化。但在消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求激增下，8寸晶圓需要制造的產(chǎn)品也增加，包括PMIC、指紋識別IC、TDDI及IoT相關(guān)芯片等，讓8寸晶圓產(chǎn)能呈現(xiàn)吃緊狀態(tài)，引發(fā)8寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問題，因此對功率MOSFET的IDM大廠來說，轉(zhuǎn)進(jìn)12寸晶圓廠是絕佳選擇。

目前具12寸晶圓廠制造功率MOSFET量產(chǎn)能力的廠商為Infineon，已有1座12寸功率半導(dǎo)體廠房生產(chǎn)，且計(jì)劃興建第二座，預(yù)計(jì)2021年開始量產(chǎn)；從Infineon官方資料來看，12寸廠在功率與傳感器半導(dǎo)體的前段制程上具有6%成本效益，能為毛利帶來約2%增幅，因此未來將持續(xù)擴(kuò)大12寸晶圓制造比例。

另外，AOS(Alpha & Omega semiconductor)為市場上第二家將以12寸晶圓廠制造功率MOSFET的廠商，預(yù)計(jì)于2019下半年量產(chǎn)供貨，AOS認(rèn)為，12寸晶圓制造最直接優(yōu)勢在產(chǎn)能，且在降低制造成本及提升良率方面也較8寸廠優(yōu)秀；ON Semiconductor也購入12寸晶圓廠，準(zhǔn)備生產(chǎn)功率半導(dǎo)體相關(guān)元件。

分析中低壓功率MOSFET(工作電壓范圍<400V)的平均售價(jià)趨勢可發(fā)現(xiàn)，其價(jià)格相對平穩(wěn)，近期價(jià)格雖有上漲但幅度較小，因此降低生產(chǎn)成本為提升毛利的必要條件，也令12寸晶圓制造功率MOSFET備受重視，未來中低電壓功率MOSFET在無法透過價(jià)格上漲創(chuàng)造更高利潤下，憑借12寸廠成本優(yōu)勢仍有機(jī)會貢獻(xiàn)毛利率，并同時(shí)解決產(chǎn)能不足問題。

高電壓功率MOSFET價(jià)格表現(xiàn)亮眼，為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)

功率半導(dǎo)體在終端產(chǎn)品應(yīng)用愈發(fā)廣泛，尤其近年在車用、5G與高端運(yùn)算等領(lǐng)域話題性高，皆有部分需求屬于高規(guī)格功率MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域，吸引主要IDM大廠積極投入開發(fā)高電壓功率MOSFET(工作電壓范圍>400V)產(chǎn)品，推升平均售價(jià)大幅度成長，位居價(jià)格帶首位。

為因應(yīng)高電壓功率MOSFET市場與技術(shù)需求，其中一項(xiàng)發(fā)展重點(diǎn)是寬能隙化合物半導(dǎo)體應(yīng)用，其使用的基底材料朝向以GaN及SiC等化合物半導(dǎo)體材料為主，能達(dá)成在高功率與高切換頻率需求。在主要供應(yīng)鏈廠商中，Infineon、On Semiconductor、STM、ROHM、AOS、Cree等積極開發(fā)使用SiC的功率MOSFET元件，除歐美日大廠外，陸系廠商比亞迪、臺系廠商強(qiáng)茂也積極開發(fā)SiC 功率MOSFET產(chǎn)品。

而在GaN部份，主要玩家有Infineon、AOS、Transphorm等，在高規(guī)格需求的功率MOSFET市場中搶占份額。值得一提的是，由于SiC與GaN晶圓的制造成本較Si晶圓高，也是拉抬高電壓功率MOSFET價(jià)格的主要推手之一。

總體而言，歐美日IDM大廠看好高規(guī)格功率MOSFET的未來發(fā)展，將持續(xù)增加既有的Silicon基底功率MOSFET與SiC/GaN基底功率MOSFET的產(chǎn)品數(shù)量及應(yīng)用領(lǐng)域，可望支撐高電壓功率MOSFET價(jià)格保持成長水平，進(jìn)一步帶動高電壓功率MOSFET的市場需求與產(chǎn)值成長。

6月26日，上海證券交易所網(wǎng)站信息顯示，華潤微電子有限公司（以下簡稱“華潤微電子”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市申請獲受理。

招股書顯示，華潤微電子本次擬公開發(fā)行不超過2.93億股，公開發(fā)行股份數(shù)量不低于本次發(fā)行后已發(fā)行股份總數(shù)的25%，擬募集資金30億元，用于傳感器和功率半導(dǎo)體等項(xiàng)目。

實(shí)控人隸屬國務(wù)院國資委

招股書顯示，華潤微電子是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試等全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的半導(dǎo)體企業(yè)，產(chǎn)品聚焦于功率半導(dǎo)體、智能傳感器與智能控制領(lǐng)域，為客戶提供豐富的半導(dǎo)體產(chǎn)品與系統(tǒng)解決方案。

華潤微電子的唯一股東是華潤（集團(tuán)）有限公司（以下簡稱“華潤集團(tuán)”）旗下的全資子公司華潤集團(tuán)（微電子）有限公司（以下簡稱“華潤集團(tuán)（微電子）”），中國華潤有限公司（以下簡稱“中國華潤”）間接持有華潤集團(tuán)的100%股權(quán)，是華潤微電子的實(shí)際控制人，國務(wù)院國資委持有中國華潤100%的股權(quán)。

作為華潤集團(tuán)的半導(dǎo)體投資運(yùn)營平臺，華潤微電子曾先后整合了華科電子、中國華晶、上華科技等中國半導(dǎo)體先驅(qū)，其及下屬相關(guān)經(jīng)營主體曾建成并運(yùn)營中國第一條4英寸晶圓生產(chǎn)線、第一條6英寸晶圓生產(chǎn)線。

華潤微電子的發(fā)展歷程可追溯至1999年。據(jù)招股書介紹，1999年陳正宇博士與中國華晶合作設(shè)立無錫華晶上華半導(dǎo)體有限公司（后改名為無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司）以運(yùn)營一家6英寸MOS晶圓代工廠。2002年，華潤集團(tuán)間接收購中國華晶全部股權(quán)，與陳正宇博士等人共同經(jīng)營前述晶圓代工廠。?

2003年，華潤集團(tuán)和陳正宇博士為實(shí)現(xiàn)無錫華潤上華半導(dǎo)體等半導(dǎo)體資產(chǎn)在香港上市，經(jīng)過一系列重組將無錫華潤上華半導(dǎo)體等境內(nèi)公司權(quán)益置入CSMC（即發(fā)行人的前身），并以CSMC作為上市主體向香港聯(lián)交所申請上市。

于香港上市期間，華潤集團(tuán)取得華潤微電子控制權(quán)并將自身下屬的半導(dǎo)體資產(chǎn)和業(yè)務(wù)整合并入，后華潤微電子于2011年11月從香港聯(lián)交所私有化退市。?

中國領(lǐng)先的功率器件企業(yè)

歷經(jīng)整合發(fā)展，華潤微電子在國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已取得了一定成績。

招股書顯示，華潤微電子主營業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊。其中產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)包括功率半導(dǎo)體、智能傳感器、智能控制以及其他IC產(chǎn)品，制造與服務(wù)業(yè)務(wù)則包括晶圓制造、封裝測試、掩模制造及其他。

經(jīng)營業(yè)績方面，2016-2018年，華潤微電子的資產(chǎn)總額分別為74.11億元、96.21億元、99.02億元，分別實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入43.97億元、58.76億元、62.71億元，分別實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤分別為-3.03億元、7028.29萬元、4.29億元。

報(bào)告期內(nèi)，華潤微電子的產(chǎn)品與方案業(yè)務(wù)板塊收入占比持續(xù)提高，從2016年度的30.52%增長到2018年度的42.90%；在其細(xì)分業(yè)務(wù)領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體、晶圓制造兩大產(chǎn)品線是其主要收入來源，兩者收入占比合計(jì)超70%。

數(shù)據(jù)顯示，2016-2018年，華潤微電子功率半導(dǎo)體的收入分別為10.81億元、20.69億元、24.19億元，收入占比分別為24.78%、35.31%、38.67%；晶圓制造的收入分別為21.88億元、25.63億元、26.74億元，收入占比分別為50.14%、43.75%、42.75%。

招股書稱，在功率器件領(lǐng)域，華潤微電子多項(xiàng)產(chǎn)品的性能及工藝居于國內(nèi)領(lǐng)先地位。其中，MOSFET是其最主要的產(chǎn)品之一，其是國內(nèi)營業(yè)收入最大、產(chǎn)品系列最全的MOSFET廠商。

華潤微電子表示，公司在主要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域均掌握了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)、技術(shù)水平國內(nèi)領(lǐng)先的核心技術(shù)，如MOSFET、IGBT、SBD、FRD等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及制備技術(shù)、BCD工藝技術(shù)及MEMS工藝技術(shù)、功率封裝技術(shù)等，廣泛應(yīng)用于公司產(chǎn)品的批量生產(chǎn)中。

截至2019年3月31日，華潤微電子境內(nèi)專利申請共計(jì)2383項(xiàng)，境外專利申請共計(jì)277項(xiàng)；其已獲得授權(quán)的專利共計(jì)1274項(xiàng)，包括境內(nèi)專利共計(jì)1130項(xiàng)，境外專利共計(jì)144項(xiàng)。

募集30億元投建傳感器和功率半導(dǎo)體等項(xiàng)目

招股書顯示，這次申請科創(chuàng)板上市，華潤微電子擬募集資金30億元，扣除發(fā)行費(fèi)用后將投資于8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目、前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品升級研發(fā)項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)并購及整合項(xiàng)目、補(bǔ)充營運(yùn)資金。

其中，8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目主要圍繞華潤微電子聚焦功率半導(dǎo)體以及智能傳感器的戰(zhàn)略布局，通過完成基礎(chǔ)廠房和動力設(shè)施建設(shè)推進(jìn)工藝技術(shù)研發(fā)，提升8英寸BCD工藝平臺的技術(shù)水平并擴(kuò)充生產(chǎn)能力；同時(shí)建立8英寸MEMS工藝平臺，完善外延配套能力，保持技術(shù)的領(lǐng)先性。

該項(xiàng)目總投資額為23.11億元，擬投入募集資金金額15億元，項(xiàng)目將在無錫現(xiàn)有的8英寸晶圓廠區(qū)和廠房內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)充實(shí)施。首期項(xiàng)目投產(chǎn)后，華潤微電子計(jì)劃每月增加BCD和MEMS工藝產(chǎn)能約16000片。

前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品升級研發(fā)項(xiàng)目則主要擬利用現(xiàn)有研發(fā)體系開展前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)工作，通過配置先進(jìn)設(shè)備、 引入高端人才、充分利用產(chǎn)業(yè)鏈一體化的生產(chǎn)能力及技術(shù)資源，拓展華潤微電子在相關(guān)領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力和研發(fā)水平。

該項(xiàng)目的具體研發(fā)方向包括第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研究、功率分立器件及其模組的核心技術(shù)研發(fā)、高端功率IC研發(fā)、MEMS傳感器產(chǎn)品研發(fā)四個(gè)方向，擬投入募集資金6億元，計(jì)劃用于各研發(fā)方向的資金比例均為25%。

產(chǎn)業(yè)并購及整合項(xiàng)目則擬通過投資并購方式整合行業(yè)優(yōu)質(zhì)標(biāo)的，以謀求產(chǎn)業(yè)資源的有效協(xié)同。華潤微電子考慮在產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)投資并購國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)企業(yè)。該項(xiàng)目擬投入募集資金3億元，本項(xiàng)目從尋找相關(guān)標(biāo)的至完成收購計(jì)劃周期為3年。

華潤微電子表示，未來公司將圍繞自身的核心優(yōu)勢、提升核心技術(shù)及結(jié)合內(nèi)外部資源，不斷推動企業(yè)發(fā)展，進(jìn)一步向綜合一體化的產(chǎn)品公司轉(zhuǎn)型，矢志成為世界領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體和智能傳感器產(chǎn)品與方案供應(yīng)商。

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6月26日晚，上交所披露華潤微電子有限公司（簡稱“華潤微電子”）的科創(chuàng)板上市申請獲受理。公司此次擬募資30億元，投入傳感器和半導(dǎo)體等項(xiàng)目。其保薦機(jī)構(gòu)為中金公司，選擇了第二套上市標(biāo)準(zhǔn)。

據(jù)申報(bào)稿，華潤微電子為尚未在境外上市的紅籌企業(yè)，是華潤集團(tuán)半導(dǎo)體投資運(yùn)營平臺，先后整合了華科電子、中國華晶、上華科技等中國半導(dǎo)體先驅(qū)。華潤微電子及下屬相關(guān)經(jīng)營主體曾建成并運(yùn)營中國第一條4英寸晶圓生產(chǎn)線、第一條6英寸晶圓生產(chǎn)線，承擔(dān)了多項(xiàng)國家重點(diǎn)專項(xiàng)工程。目前華潤微電子已成為中國本土具有重要影響力的綜合性半導(dǎo)體企業(yè)，自2004年起連續(xù)被工信部評為中國電子信息百強(qiáng)企業(yè)。

根據(jù)中國半導(dǎo)體協(xié)會統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，以銷售額計(jì)，華潤微電子在2017年中國半導(dǎo)體企業(yè)中排名第九，是前十名企業(yè)中唯一一家以IDM模式為主運(yùn)營的半導(dǎo)體企業(yè)。以2017年度銷售額計(jì)，華潤微電子是中國規(guī)模最大的功率器件企業(yè)。以銷售額計(jì)，華潤微電子在中國MOSFET市場中排名第三，僅次于英飛凌與安森美兩家國際企業(yè)。

目前華潤微電子主營業(yè)務(wù)可分為產(chǎn)品與方案、制造與服務(wù)兩大業(yè)務(wù)板塊，在主要的業(yè)務(wù)領(lǐng)域均掌握了一系列具有自主知識產(chǎn)權(quán)、技術(shù)水平領(lǐng)先的核心技術(shù)，如MOSFET、IGBT、SBD、FRD等產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及制備技術(shù)、BCD工藝技術(shù)及MEMS工藝技術(shù)、功率封裝技術(shù)等，廣泛應(yīng)用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)中。截至2019年3月31日，華潤微電子境內(nèi)專利申請共計(jì)2383項(xiàng)，境外專利申請共計(jì)277項(xiàng)；公司已獲得授權(quán)的專利共計(jì)1274項(xiàng)，包括境內(nèi)專利共計(jì)1130項(xiàng)，境外專利共計(jì)144項(xiàng)。

華潤微電子目前唯一股東為CRH（Micro），持有華潤微電子100%股份，其實(shí)際控制人為中國華潤，國務(wù)院國資委持有中國華潤100%的股權(quán)。此前，華潤微電子前身CSMC曾于2003年申請?jiān)谙愀勐?lián)交所上市，并于2011年11月從香港聯(lián)交所私有化退市。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，華潤微電子2016年至2018年分別實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入43.97億元、58.76億元、62.71億元，歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-3.02億元、7028萬元、4.29億元。

6月21日， Silvaco成都技術(shù)中心項(xiàng)目簽約儀式在成都天府軟件園舉行，本次簽約由成都高新區(qū)、矽能科技以及美國Silvaco公司三方共同達(dá)成。成都高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，此次合作有助于補(bǔ)齊成都高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展短板、助力成都EDA（電子設(shè)計(jì)自動化）產(chǎn)業(yè)發(fā)展，進(jìn)一步提升成都半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭力。

Silvaco是一家專為工藝和器件開發(fā)、模擬及數(shù)?；旌闲盘?、功率集成電路和存儲器設(shè)計(jì)等提供軟件工具的EDA供應(yīng)商。公司總部位于美國加利福尼亞州圣塔克萊拉，在全球設(shè)有12個(gè)分支機(jī)構(gòu)，其軟件包是全球半導(dǎo)體廠家采用的主流產(chǎn)品。

記者了解到，EDA即電子設(shè)計(jì)自動化軟件。EDA是集成電路產(chǎn)業(yè)的上游環(huán)節(jié)，是進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)的必備工具。利用EDA工具，工程師可以將芯片電路設(shè)計(jì)、性能分析以及IC版圖的全過程交由計(jì)算機(jī)處理完成。由于EDA涉及電路、軟件、材料等多學(xué)科領(lǐng)域，開發(fā)難度大，加之EDA軟件的授權(quán)使用費(fèi)用高昂，動輒數(shù)十萬、百萬甚至幾千萬的費(fèi)用，EDA工具研發(fā)一直是中國集成電路產(chǎn)業(yè)的短板。

按照簽約合作協(xié)議，Silvaco公司將在成都矽能科技孵化器設(shè)立技術(shù)研發(fā)中心，中心將通過調(diào)用公司本部研發(fā)專家、吸收國內(nèi)外研發(fā)人才的形式，組建專門研發(fā)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行EDA軟件研發(fā)；同時(shí)組建技術(shù)服務(wù)團(tuán)隊(duì)，與半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、測試、制造生產(chǎn)等相關(guān)企業(yè)、機(jī)構(gòu)建立密切合作關(guān)系，快速響應(yīng)，做好軟件支持服務(wù)；針對成都高新區(qū)相關(guān)企業(yè)和機(jī)構(gòu)在EDA設(shè)計(jì)方面的薄弱點(diǎn)，Silvaco將積極給予支持和服務(wù)。

促進(jìn)此次合作的成都矽能科技有限公司是一家位于成都高新區(qū)的中外合資企業(yè)，于2019年1月初成立,公司專注于功率半導(dǎo)體的研發(fā)和功率半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)的孵化服務(wù)。

成都高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，此次合作是成都高新區(qū)探索民營孵化器培育扶持企業(yè)的新嘗試，有利于發(fā)揮資金服務(wù)優(yōu)勢，不斷拓寬融資渠道，建立立體式、多層次、全生命周期投融資形成機(jī)制，培育一批有強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力、有市場競爭力的半導(dǎo)體企業(yè)。