6月30日公布的《山西省電子信息制造業(yè)2020年行動計劃》顯示，推動中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等重大項目建設，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。
以太原、忻州為核心，山西省將依托中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導體產(chǎn)業(yè)園等重點企業(yè)重大項目，圍繞5G等關鍵領域，提升核心關鍵技術和工藝水平，形成芯片設計、芯片制造等產(chǎn)品體系，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。同時，實施產(chǎn)業(yè)鏈配套集聚工程，打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
陜西省將依托聯(lián)盟企業(yè)、重點院校，推動建立“山西省半導體產(chǎn)業(yè)研究院”，提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術支撐與創(chuàng)業(yè)環(huán)境，吸引相關領域高端人才集聚，帶動上下游產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。
6月30日公布的《山西省電子信息制造業(yè)2020年行動計劃》顯示，推動中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等重大項目建設，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。
以太原、忻州為核心，山西省將依托中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導體產(chǎn)業(yè)園等重點企業(yè)重大項目，圍繞5G等關鍵領域，提升核心關鍵技術和工藝水平，形成芯片設計、芯片制造等產(chǎn)品體系，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。同時，實施產(chǎn)業(yè)鏈配套集聚工程，打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
陜西省將依托聯(lián)盟企業(yè)、重點院校，推動建立“山西省半導體產(chǎn)業(yè)研究院”，提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術支撐與創(chuàng)業(yè)環(huán)境，吸引相關領域高端人才集聚，帶動上下游產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。
6月30日公布的《山西省電子信息制造業(yè)2020年行動計劃》顯示，推動中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等重大項目建設，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。
以太原、忻州為核心，山西省將依托中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導體產(chǎn)業(yè)園等重點企業(yè)重大項目，圍繞5G等關鍵領域，提升核心關鍵技術和工藝水平，形成芯片設計、芯片制造等產(chǎn)品體系，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。同時，實施產(chǎn)業(yè)鏈配套集聚工程，打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
陜西省將依托聯(lián)盟企業(yè)、重點院校，推動建立“山西省半導體產(chǎn)業(yè)研究院”，提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術支撐與創(chuàng)業(yè)環(huán)境，吸引相關領域高端人才集聚，帶動上下游產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。
6月30日公布的《山西省電子信息制造業(yè)2020年行動計劃》顯示，推動中國電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園等重大項目建設，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。
以太原、忻州為核心，山西省將依托中國電科（山西）電子信息創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園、忻州半導體產(chǎn)業(yè)園等重點企業(yè)重大項目，圍繞5G等關鍵領域，提升核心關鍵技術和工藝水平，形成芯片設計、芯片制造等產(chǎn)品體系，打造太原—忻州半導體產(chǎn)業(yè)集群。同時，實施產(chǎn)業(yè)鏈配套集聚工程，打造半導體“裝備—材料—外延—芯片設計—芯片制造—封裝—應用”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
陜西省將依托聯(lián)盟企業(yè)、重點院校，推動建立“山西省半導體產(chǎn)業(yè)研究院”，提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術支撐與創(chuàng)業(yè)環(huán)境，吸引相關領域高端人才集聚，帶動上下游產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展。
目前，推動半導體行業(yè)發(fā)展的方式主要有兩種，一個是尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大。由于硅片直徑增大涉及整條生產(chǎn)線設備的更換，因此目前主要發(fā)展路線是尺寸的縮小。除此之外，利用成熟特色工藝及第三代半導體材料改進半導體產(chǎn)品的性能也被企業(yè)大量采用，這將開辟摩爾定律的另一片新的天地。
臺積電、三星角力先進工藝
據(jù)悉，臺積電3納米工廠已經(jīng)通過環(huán)境評測，依據(jù)原定時程，全球第一座3納米工廠，可望在2020年動工，最快2022年年底量產(chǎn)。
此外，由于三星在臺積電之前搶先公布它的3納米將采用環(huán)柵FinFET的納米片結構，兩家3納米制程戰(zhàn)爭一觸即發(fā)。另有消息報道，臺積電仍沿用升級版的FinFET架構，可能采用遷移率更高的材料，而非環(huán)柵納米片結構。
兩家在不同的工藝與架構問題方面各自大作文章，其中的關鍵是要找出性能瓶頸之所在，然后以最具成本效益的方式使用最佳工具來分別解決這些瓶頸。無論是I/O、內(nèi)存接口還是過熱的邏輯塊，系統(tǒng)的運行速度都只能與該系統(tǒng)中最慢的組件一致。
其實，先進封裝也是解決方案之一。在某些情況下，前道工藝的每一節(jié)點的進步都可能需要一個完全不同的體系結構與之配合。它可能是更多的軟硬件協(xié)同設計，與整個設計優(yōu)化為一個系統(tǒng)。如果有一種一致的方法來描述這些設備并將它們連接在一起，那么釆用chiplet等方法可以更節(jié)省時間。
目前至少有六種主流的芯片/小芯片組合方式，還有更多的正在進行中，不難想象每個芯片供應商會根據(jù)價格、功耗、性能甚至地區(qū)標準快速地提供定制解決方案。因此，雖然應用于高性能計算(HPC)及5G開發(fā)的芯片可能需要最新的2nm制程，但是與它配套的可能是16nm的SerDes、28nm電源模塊和40nm安全芯片等，同時它們將集成在一體。
成本是關鍵因素
在半導體行業(yè)中，成本因素是非常關鍵的。有數(shù)據(jù)顯示，7nm工藝的研發(fā)費用需要至少3億美元，5nm工藝平均要5.42億美元，3nm、2nm的工藝起步價大約在10億美元左右。
據(jù)最新的消息，臺積電原定于2020年6月試產(chǎn)的3nm工藝芯片，由于疫情原因可能將推遲到10月。臺積電3nm工藝的總投資高達1.5萬億元新臺幣，約合500億美元。目前在建廠方面至少已經(jīng)花費200億美元，可見投入之龐大。
近日臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細節(jié)詳情，它的晶體管密度達到了前所未有的2.5億個/mm2。與5納米相比，功耗下降了25%～30%，并且功能提升了10%～15%。
臺積電重申，從7nm到5nm，再到未來的3nm，每一個節(jié)點都是全節(jié)點的提升。這不同于競爭對手的每一個節(jié)點都僅是部分性能的優(yōu)化，并非全節(jié)點的性能提升。因此對于未來3nm制程方面的競爭，臺積電是信心滿滿。
臺積電還談到2nm工藝技術進展，公司采用FinFet第六代技術平臺開發(fā)3nm技術的同時，也已開始進行2nm制程技術研發(fā)，并針對2nm以下技術進行探索性研究。
對于極紫外光(EUV)技術，要減少光刻機的掩膜缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺積電表示，今年在2nm及更先進制程上，將著重于改善極紫外光技術的品質(zhì)與成本。
半導體尺寸縮小遠非有EUV光刻機就能實現(xiàn)的。嚴格地說，到3nm時，可能釆用現(xiàn)有的FinFET架構也無法達到，需要從器件的架構、工藝變異、熱效應、設備與材料等方面綜合解決。
由于HPC及5G等市場的需求，半導體業(yè)向3nm過渡已成定局，臺積電及三星兩家已經(jīng)承諾，至多時間上有可能推遲。2nm的現(xiàn)實可能性也極大。由于費用過高及許多技術上的難點無法解決，外加必須有高端設備及材料的支持，所以1nm能否實現(xiàn)目前尚無法預言。但是半導體尺寸縮小的終點遲早會來臨。
近期，南京經(jīng)濟開發(fā)區(qū)或將簽約一個半導體IDM項目。
據(jù)上海梧升電子科技（集團）有限公司（以下簡稱“梧升電子”）官微消息指出，該公司董事長張嘉梁于近日率代表團前往南京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)進行考察交流，期間，雙方就“半導體IDM項目”進行了深入交流和探討。
消息指出，南京市棲霞區(qū)委書記、開發(fā)區(qū)黨工委書記黎輝對半導體項目給予了高度肯定，要求項目加快落戶，盡早開工。下一步，開發(fā)區(qū)將成立項目建設推進小組為項目進行服務，及時解決項目落地建設過程中的問題及難點。
盡管梧升電子并未透露該項目的投資金額等信息，但雙方工作小組已經(jīng)就落地協(xié)議的具體細節(jié)進行了充分溝通，項目擬于近期簽約。
資料顯示，梧升電子成立于2019年11月14日，注冊資本約3.84億元，主要從事電子科技領域內(nèi)的技術咨詢、技術開發(fā)、技術轉讓、技術服務，電子產(chǎn)品、電子顯示屏制造、加工（以上限分支機構經(jīng)營）、批發(fā)、零售，展覽展示服務，文化藝術交流策劃，企業(yè)管理咨詢，商務信息咨詢等業(yè)務。
近日有消息稱，廣州粵芯半導體更先進光刻機已進廠，為擴產(chǎn)做好最重要準備，南方網(wǎng)記者從投資方智光電氣確認了該消息。
資料顯示，粵芯半導體成立于2017年12月，粵芯半導體的注冊資本為10億元，其中科學城（廣州）投資集團有限公司認繳出資2億元，占股20%，廣州華盈企業(yè)管理有限公司，出資認繳3億元，占股30%，而廣州譽芯眾誠股權投資合伙企業(yè)（有限合伙）認繳出資5億元，占股50%，而智光電氣通過持有譽芯眾誠30%股權間接持有粵芯半導體股權。
據(jù)悉，粵芯半導體是國內(nèi)第一座以虛擬IDM為營運策略的12英寸芯片制造公司，擁有廣州第一條12英寸芯片生產(chǎn)線，也是廣東省及粵港澳大灣區(qū)目前唯一進入量產(chǎn)的12英寸芯片生產(chǎn)平臺。
2017年12月，粵芯半導體項目一期奠基，2018年3月，樁施工，2018年10月主體結構封頂，2019年3月首批設備搬入，2019年6月生產(chǎn)設備調(diào)試完畢開始投片，2019年9月20日正式宣告投產(chǎn)。
今年2月28日，粵芯半導體二期擴產(chǎn)項目成功簽約，二期建設將新增投資65億元，專注于65-90nm模擬工藝平臺，生產(chǎn)高精度數(shù)模轉換芯片、高端電源管理芯片、光學傳感器、車載及生物傳感芯片等產(chǎn)品。預計到2022年，粵芯半導體一期、二期將共達到月產(chǎn)4萬片12寸的產(chǎn)能，將進一步滿足粵港澳大灣區(qū)芯片市場的需求。
距進入上市輔導期不到一個月時間，國內(nèi)晶圓代工龍頭中芯國際叩響科創(chuàng)板大門。
6月1日，上海證券交易所信息顯示，中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱在“中芯國際”）科創(chuàng)板上市申請獲受理，主承銷商為海通證券和中金公司，另有4家聯(lián)合承銷商。
根據(jù)招股書，中芯國際本次擬初始發(fā)行的股票數(shù)量不超過16.86億股，不涉及股東公開發(fā)售股份，不超過初始發(fā)行后股份總數(shù)的25.00%。本次發(fā)行可以采用超額配售選擇權，采用超額配售選擇權發(fā)行股票數(shù)量不超過初始發(fā)行股票數(shù)量的15.00%。
申請科創(chuàng)板上市進程火速
2000年4月，中芯國際在開曼群島注冊成立，至今已走過了20年，公司自設立以來一直以晶圓代工模式從事集成電路制造業(yè)務。招股書中將其發(fā)展歷程分為三個階段：奠基時期（2000年~2004年）、積累時期（2004年~2015年）、高速發(fā)展時期（2015年至今）。
2000年，中芯國際在上海浦東開工建設，是中國大陸第一家提供0.18微米技術節(jié)點的集成電路晶圓代工企業(yè)，現(xiàn)已發(fā)展成為全球領先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國大陸技術最先進、規(guī)模最大、配套服務最完善、跨國經(jīng)營的專業(yè)晶圓代工企業(yè)，主要為客戶提供0.35微米至14納米多種技術節(jié)點、不同工藝平臺的集成電路晶圓代工及配套服務。
2004年3月，中芯國際公司普通股在香港聯(lián)交所上市，同時美國預托證券股份于紐交所上市，本次擬全球發(fā)售51.52億股普通股，包括公司股東公開發(fā)售和新增發(fā)售。2019年6月14日，中芯國際的預托證券股份從紐交所退市并進入美國場外交易市場交易。
今年5月5日，中芯國際發(fā)布公告宣布了一個重磅消息——擬首次公開發(fā)行人民幣普通股（A 股）股票并在科創(chuàng)板上市。隨后，其科創(chuàng)板上市事宜便開始緊鑼密鼓地進行，5月6日中芯國際與海通證券、中金公司簽署了上市輔導協(xié)議，并于上海證監(jiān)局進行了輔導備案登記。
如今，距離其輔導備案不到一個月，中芯國際科創(chuàng)板上市申請便獲受理，可謂火速推進。至此，中芯國際科創(chuàng)板上市之路已邁出實質(zhì)性的重要一步。
總資產(chǎn)超千億、專利附表超500頁
對于去年6月才開板的科創(chuàng)板而言，中芯國際的到來無疑使其迎來一個“巨無霸”。
作為已在境外上市的紅籌企業(yè)，中芯國際選擇的具體上市標準為：“市值200億元人民幣以上，且擁有自主研發(fā)、國際領先技術，科技創(chuàng)新能力較強，同行業(yè)競爭中處于相對優(yōu)勢地位。”根據(jù)招股書，按2020年5月29日的港元對人民幣匯率中間價折算，中芯國際申報前120個交易日內(nèi)平均市值為679億元人民幣。
招股書顯示，2017年、2018年、2019年，中芯國際的資產(chǎn)總額分別為779.26億元、988.45億元、1148.17億元；各期營業(yè)收入分別為213.90億元元、230.17億元及220.18億元，扣除2019年轉讓LFoundry的影響后，各期收入分別為198.49億元、215.45億元及213.29億元；各期歸屬于母公司股東的凈利潤分別為12.45億元、7.47億元及17.94億元，凈利潤相對較低主要因為研發(fā)投入及新產(chǎn)線投產(chǎn)后的折舊費用較高。
截至2019年12月31日，中芯國際共有子公司37 家，其中境內(nèi)子公司17家，境外子公司20家。中芯國際在中國上海、北京、天津和深圳擁有多個8英寸和12英寸生產(chǎn)基地。截至2019年末，上述生產(chǎn)基地的產(chǎn)能合計達每月45萬片晶圓（約當8英寸），與近半數(shù)的2018年世界前50名知名集成電路設計公司和系統(tǒng)廠商開展了深度合作。
此外，中芯國際的專利數(shù)量非?？捎^，其本次招股書長達931頁，其中在最后附表部分用了500多頁羅列其主要境內(nèi)外專利。招股書顯示，截至2019年12月31日，登記在中芯國際及其控股子公司名下的與生產(chǎn)經(jīng)營相關的主要專利共8122件，其中境內(nèi)專利6527件，包括發(fā)明專利5965件；境外專利1595件，此外還擁有集成電路布圖設計94件。
2017年、2018年、2019年，中芯國際的研發(fā)投入分別為35.76億元、44.71億元及47.44億元，占營業(yè)收入的比例分別為 16.72%、19.42%及21.55%。
募資200億元發(fā)力先進制程
招股書顯示，中芯國際本次擬向社會公開發(fā)行不超過16.86億股人民幣普通股（行使超額配售選擇權之前），擬募集資金總額200億元，實際募集資金扣除發(fā)行費用后的凈額計劃投入以下項目：12英寸芯片SN1項目、先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金、補充流動資金。
中芯國際表示，本次募集資金投資項目符合國家有關產(chǎn)業(yè)政策和公司發(fā)展戰(zhàn)略，有助于進一 步拓寬公司主營業(yè)務，擴大先進工藝產(chǎn)能規(guī)模，提升公司在晶圓代工行業(yè)的市場地位和核心競爭力；同時，募投項目的順利實施將進一步增強公司的研發(fā)實力，推動工藝技術水平升級換代與新產(chǎn)品推廣，豐富成熟工藝技術平臺，更好地滿足未來市場需求。
其中，12英寸芯片SN1項目擬投入募集資金投資額為80.00億元。據(jù)介紹，該項目的載體為中芯南方，工藝技術水平為14納米及以下，是中國大陸第一條FinFET工藝生產(chǎn)線，也是中芯國際14納米及以下先進工藝研發(fā)和量產(chǎn)的主要承載平臺。該項目規(guī)劃月產(chǎn)能3.5萬片，目前已建設月產(chǎn)能6000片，募集資金主要用于滿足將該生產(chǎn)線的月產(chǎn)能擴充到3.5萬片的部分資金需求。
中芯國際表示，本項目的實施將大幅提升中國大陸集成電路晶圓代工的工藝技術水平，提升 公司對全球客戶高端芯片制造的服務能力，并進一步帶動中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金擬投入募集資金金額為40.00億元，計劃用于14納米及以下的先進工藝與28納米及以上的成熟工藝技術研發(fā)。
中芯國際表示，繼續(xù)完善14納米工藝并開展14納米以下工藝技術研發(fā)，對于進一步保持并提升公司在中國大陸集成電路晶圓代工領域的技術領先優(yōu)勢具有重要意義；28納米及以上的成熟工藝研發(fā)，有利于增強公司適應市場變化的能力，進一步鞏固并提升公司在成熟工藝集成電路晶圓代工領域的市場競爭力。
本次發(fā)行募集資金在滿足上述項目資金需求的同時擬使用80.00億元補充營運資金，以降低公司資產(chǎn)負債率、降低財務杠桿、優(yōu)化資本結構，滿足公司經(jīng)營發(fā)展對營運資金的需求。
國產(chǎn)芯片“航母”任重道遠
作為中國大陸最大的晶圓代工廠商，中芯國際獲得了國家級產(chǎn)業(yè)基金的大力支持。
招股書顯示，報告期內(nèi)中芯國際任何單一股東持股比例均低于30.00%。截至2019年12月31日，公司第一大股東大唐香港持股比例為17.00%，第二大股東鑫芯香港持股比例為15.76%，公司無控股股東和實際控制人。其中，第二大股東鑫芯香港的間接控股股東為國家大基金一期。
2020年5月15日，中芯南方與中芯控股、國家大基金一期、國家大基金二期、上海集成電路基金一期、上海集成電路基金二期簽訂《增資擴股協(xié)議》，國家大基金二期、上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期承諾分別向中芯南方注資注冊資本15億美元、7.5億美。
值得一提的是，5月31日中芯國際發(fā)布公告稱，針對此次人民幣股票發(fā)行，大唐電信以及國家大基金均表示將放棄人民幣股份發(fā)行的優(yōu)先認購權，并表示大唐電信及國家大基金的聯(lián)屬公司正考慮以戰(zhàn)略投資者身份參與其人民幣股份發(fā)行。
中芯國際與國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè)密切合作，被媒體譽為國產(chǎn)芯片“航母”，對于其此番赴科創(chuàng)板上市，業(yè)界大多報以看好，期待著中芯國際回歸A股后進一步發(fā)展壯大并帶動上下游企業(yè)共同成長。
對于中芯國際而言，肩負推動國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展重任，其與國際水平仍存在差異，不僅要奮力追趕先進水平，還可能要面對美國出口管制政策調(diào)整以及貿(mào)易摩擦等種種風險，其未來發(fā)展任重而道遠。
6月1日，上交所已受理中芯國際集成電路制造有限公司科創(chuàng)板上市申請，保薦機構為海通證券和中金公司。
招股書顯示，中芯國際本次初始發(fā)行的股票數(shù)量不超過168,562.00萬股，不涉及股東公開發(fā)售股份，不超過初始發(fā)行后股份總數(shù)的25.00%，每股面值0.004美元，募集資金總額高達200億元。實際募集資金扣除發(fā)行費用后的凈額計劃投入3個項目：12英寸芯片SN1項目、先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金、以及補充流動資金。
Source：公告截圖
其中，“12英寸芯片SN1項目”的募集資金投資額為800,000.00萬元，該項目載體為中芯國際的重要子公司中芯南方。中芯南方成立于2016年12月，該項目規(guī)劃月產(chǎn)能3.5萬片，已建設月產(chǎn)能6000片，是中國大陸第一條FinFET工藝生產(chǎn)線，也是中芯國際14納米及以下先進工藝研發(fā)和量產(chǎn)的主要承載平臺。
募集資金將用于將該生產(chǎn)線的月產(chǎn)能從6000片擴充到3.5萬片。中芯國際表示，14納米是中國大陸已量產(chǎn)、最先進的集成電路晶圓代工工藝，14納米以下工藝目前在中國大陸尚處于研發(fā)階段，繼續(xù)完善14納米工藝并開展14納米以下工藝技術研發(fā)，對于進一步保持并提升公司在中國大陸集成電路晶圓代工領域的技術領先優(yōu)勢具有重要意義。
而先進及成熟工藝研發(fā)項目儲備資金項目的募集資金投資額為 400,000.00萬元，用于工藝研發(fā)以提升公司的市場競爭力。
美國對于華為新一輪的打擊。它是經(jīng)過一年時間的精心準備，此次實施了無邊際的精準打擊，初步估計未來華為、海思要自研芯片實現(xiàn)它的先進性及差異化，可能越來越困難。
對于中國半導體業(yè)的發(fā)展一定要有強烈的危機感，由于中國半導體業(yè)的日益強大，動了美方的奶酪。要警惕美方會錯誤地估計形勢，低估中國半導體業(yè)的韌性及剛性，所以未來對于中國半導體業(yè)的打擊會更加的嚴重，如可能實施“實體清單”的擴大化，或者進一步控制半導體設備與材料的出口等。
在危機感的思路下，中國半導體業(yè)要加速“備胎”的計劃實施，主要包括以下兩個方面：
1)， EDA工具
中國的fabless業(yè)離不開EDA工具，盡管180nm/350nm以上的部分老工藝線是可以用破解版或國產(chǎn)替代版繼續(xù)做下去，但是深亞微米級130nm/90nm開始就很難離得開正版授權了，越往下越難，到了22nm以下，就幾乎完全不可能了。
國際上EDA的三巨頭均是美系，而且成立時間久，如Synopsys 1986，Cadence 1988及Mentor1981。其中Synopsys在全球有13,200人，國內(nèi)員工超過1,200人，年銷售額超過30億美元，Cadence有7,600人，國內(nèi)400人及年銷售額21.48億美元，Mentor 有6,000人，國內(nèi)員工 100人，年銷售額為12.8億美元。
除了EDA工具之外Synopsys， Cadence的另一個殺手锏級的壟斷產(chǎn)品：接口類IP，這是每一顆SoC必不可少的東西，比如：高速SerDes， ethernet以太網(wǎng)，PCIE， CPRI， SATA，USB，Type-C，MIPI， HDMI，DP……還有DDR等目前Synopsys 的IP業(yè)務在總營收里占第二。
到了7nm，5nm下，能做到所有類型的接口IP都提供的，還是只有Synopsys或Cadence。
扶持本土EDA的發(fā)展，需要很長的路要走，技術壁壘、專利壁壘此類東西并不是砸錢就可以破掉的，華人工程師在美國本土被防得很死，尤其是在核心技術上；而且EDA這個行業(yè)很燒錢，未來回報遠遠比不上互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)，其總的市場規(guī)模也就100億美元，這個只能靠國家政策的大力扶持及企業(yè)的堅持不懈努力。
從策略上沒必要一開始就以徹底取代為目的，建立一個獨有的體系，可以從局部突破，把某一類工具做到極致，比如現(xiàn)在華大九天的模擬產(chǎn)品仿真工具就是一個很好的突破口，像Ansys那樣，成為工藝廠的金標準，人家想踢你都踢不掉，客戶不答應啊。
EDA及IP是兩件事，都需要與芯片制造廠協(xié)同發(fā)展，各司其職，讓專業(yè)的人做自己最擅長的事，避免惡性競爭，才是效率最高的策略。在EDA還沒起步的時候，就先為現(xiàn)有的能在世界上排上號的IP公司和代工廠，促成IP聯(lián)盟，然后再帶動國內(nèi)EDA業(yè)的發(fā)展。
2），半導體設備與材料
半導體設備與材料是十分困難的事，要全盤國產(chǎn)化從理論上幾乎是不可能的。
業(yè)內(nèi)有人建議建條非美系設備的生產(chǎn)線，相信集日本、中國臺灣地區(qū)加韓國的設備能連通線，由于工藝與設備緊密相連，成本很高，花費時間，而且其中如果日系設備占比太多恐怕也不是長久之計。
從現(xiàn)狀觀察中國的芯片制造業(yè)可分兩大類，一類為12英寸芯片生產(chǎn)線，以進口設備為主，國產(chǎn)化率在15%左右。此類設備現(xiàn)階段的困難尚離不開原廠的技術支持，包括軟件升級等，所以如同福建“晉華”那樣，一旦受阻，幾乎無還手之力。另一類是8英寸及以下生產(chǎn)線，設備主體以翻新的二手設備為主，國內(nèi)支持能力強，采用翻新加國產(chǎn)設備配套是理想方案，它表示即便在美國重圧下，國內(nèi)至少在130納米的8英寸生產(chǎn)線仍能生存支持下去。
國內(nèi)如青島芯恩，它的策略更為奏效。芯恩采用自行翻新二手設備的方法，聘請日本、中國臺灣地區(qū)，韓國等多位有經(jīng)驗的設備維護工程師，自已采購二手設備，自已進行翻新。同時大力培養(yǎng)國內(nèi)年青的設備維護工程師。如果堅持此法數(shù)年，可以實現(xiàn)芯片生產(chǎn)線運行的自主可控，而且待條件成熟，依靠這批維護工程師為主力可以自行生產(chǎn)制造設備，顯然要注意知識產(chǎn)權保護等。
培養(yǎng)優(yōu)秀人材是重中之重的大事。
半導體設備中最為困難是光刻機，而光刻機攻關中最困難的可能是鏡頭，它由德國、日本壟斷，所以鏡頭部分必須集國內(nèi)力量攻關早日解決。
要早作準備
貿(mào)易戰(zhàn)下把中國半導體業(yè)逼到絕路上來，顯然在任何情況下不能放棄全球化，但是別無選擇必須馬上執(zhí)行“備胎”計劃，以上EDA工具及半導體設備與材料等是首當其沖。盡管實際上的困難是前所未有，但是要相信自已，世上無難事，只怕有心人。
美國打圧中國半導體業(yè)此次是鐵了心，幾乎想要斬草除根，因此千萬不能存僥幸心理，要早作準備，從可能“最壞”的地方著手，予以足夠的重視。
對于中國半導體業(yè)必須從產(chǎn)業(yè)層面，以及若干骨干企業(yè)方面，要從兩個角度同時作出相應的對策。
要看到現(xiàn)時美國的強大是暫時的，從另一方面反映它可能是走向衰落時的掙扎，對于中國半導體業(yè)，它的最壞結果已經(jīng)清楚，因此也沒有什么可以擔憂與害怕，相信只有奮力去一搏，實際上命運是掌握在自己手中，及早動手才有打勝此仗的希望。
注：文中引用蜀山熊貓 真視界的 部分內(nèi)容，表示感謝！
