據(jù)南方網(wǎng)報道，粵芯半導(dǎo)體市場及營銷副總裁李海明表示，粵芯半導(dǎo)體一期項目產(chǎn)能為月產(chǎn)2萬片，上半年還將逆勢擴(kuò)產(chǎn)，加快啟動第二期的建設(shè)。

資料顯示，粵芯半導(dǎo)體成立于2017年12月，是國內(nèi)第一座以虛擬IDM為營運(yùn)策略的12英寸芯片制造公司，擁有廣州第一條12英寸芯片生產(chǎn)線，也是廣東省及粵港澳大灣區(qū)目前唯一進(jìn)入量產(chǎn)的12英寸芯片生產(chǎn)平臺。

粵芯半導(dǎo)體項目一期于2017年12月奠基，2018年3月打樁施工，2018年10月主體結(jié)構(gòu)封頂，2019年3月首批設(shè)備搬入，2019年6月生產(chǎn)設(shè)備調(diào)試完畢開始投片，2019年9月20日正式宣告投產(chǎn)，從打樁施工到投產(chǎn)只用了一年半時間。據(jù)介紹，粵芯半導(dǎo)體一期產(chǎn)品正在進(jìn)行市場端驗證，并爬坡量產(chǎn)。

2020年2月28日，粵芯半導(dǎo)體二期擴(kuò)產(chǎn)項目成功簽約，據(jù)悉，二期建設(shè)將新增投資65億元，專注于65-90nm模擬工藝平臺，生產(chǎn)高精度數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片、高端電源管理芯片、光學(xué)傳感器、車載及生物傳感芯片等產(chǎn)品。預(yù)計到2022年，粵芯半導(dǎo)體一期、二期將共達(dá)到月產(chǎn)4萬片12寸的產(chǎn)能，將進(jìn)一步滿足粵港澳大灣區(qū)芯片市場的需求。

粵芯半導(dǎo)體總裁及首席執(zhí)行官陳衛(wèi)表示，二期項目建設(shè)，粵芯半導(dǎo)體除了滿足粵港澳大灣區(qū)廣闊民用和車用芯片市場的需求外，同時也聚焦于生物檢測芯片、視頻監(jiān)控攝像頭芯片、紅外線測溫控制芯片等生物安全與健康芯片產(chǎn)品的開發(fā)和運(yùn)用上。

中建八局紀(jì)委微信指出，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目進(jìn)展順利，首批設(shè)備已搬入，目前正在進(jìn)行市政、綠化及裝飾裝修施工，2020年一季度正式投產(chǎn)。

資料顯示，積塔半導(dǎo)體特色工藝產(chǎn)線項目總投資達(dá)359億元，是上海市重大工程，也是中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)公司和上海市戰(zhàn)略合作協(xié)議的第一個集成電路項目。

2018年8月，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項目正式開工；2019年5月，該項目完成第一個階段性里程碑——芯片主體廠房實現(xiàn)結(jié)構(gòu)封頂；2019年12月，積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線主設(shè)備正式搬入；2020年2月，該項目正在進(jìn)行設(shè)備安裝調(diào)試，土建收尾也已獲得復(fù)工批準(zhǔn)。

東方衛(wèi)視當(dāng)時報道指出，上海積塔半導(dǎo)體有限公司副總裁汪國興表示，現(xiàn)在我們能如期完成投片這個目標(biāo)是不變的，我們是有信心的，在3月底把片子投下去。

據(jù)悉，該項目是上海市首批復(fù)工的產(chǎn)業(yè)項目。根據(jù)規(guī)劃，該項目目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，產(chǎn)品重點面向工業(yè)控制、汽車、電力、能源等領(lǐng)域。

項目建成后，將成為上海市集成電路產(chǎn)業(yè)集群的特色標(biāo)簽，助力臨港發(fā)展成為產(chǎn)城高度融合、宜居宜業(yè)、生態(tài)低碳、濱海特色的新城。

近日，經(jīng)廣州南沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會批準(zhǔn)，廣州南沙經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)規(guī)劃和自然資源局公開掛牌出讓1宗國有建設(shè)用地使用權(quán)。掛牌出讓土地位置位于萬頃沙鎮(zhèn)智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)示范園東南側(cè)、萬泰路南側(cè)，土地面積為162554平方米，規(guī)劃用途為一類工業(yè)用地。

掛牌出讓地塊的基本情況和規(guī)劃指標(biāo)要求：

根據(jù)廣州南沙區(qū)政府披露的消息，競得人須承諾在廣州市南沙區(qū)注冊成立的具有獨立法人資格的公司，注冊資本不低于1億元；主要從事集成電路研發(fā)生產(chǎn)，并承諾在競得土地后須以IDM（垂直整合制造）模式建設(shè)年產(chǎn)不少于30萬片的8英寸晶圓及芯片生產(chǎn)線及年產(chǎn)不少于5萬片的12英寸晶圓及芯片生產(chǎn)線。

同時，競得人核心技術(shù)團(tuán)隊須具備實現(xiàn)40納米、28納米芯片產(chǎn)品(包括數(shù)?；旌袭a(chǎn)品設(shè)計與制造)的技術(shù)能力，具有建設(shè)運(yùn)營不少于5座國內(nèi)外知名半導(dǎo)體工廠的經(jīng)驗；競得人須自土地移交之日起1個月內(nèi)動工開發(fā)建設(shè)，18個月內(nèi)建成并投產(chǎn)。

據(jù)悉，該土地網(wǎng)上掛牌時間（網(wǎng)上報價時間）為2020年3月2日至2020年3月11日15時。

觀察近十來年的全球半導(dǎo)體業(yè)究竟發(fā)生了什么？首先映入業(yè)內(nèi)的是定律已經(jīng)趨緩，尺寸縮小快走到盡頭，以及產(chǎn)業(yè)的發(fā)展模式稍有所改變，許多頂級的終端客戶，包括蘋果、華為、Facebook等開始自已研發(fā)芯片，它表明市場需要差異化，另外也反映終端客戶提出更多的要求，目前市場無法滿足它們。

之前是英特爾一家獨大，如今它仍是很大，但是真正沖在前面的是蘋果、華為、高通、三星、Nvidia、AMD、Xilinx等。然而細(xì)想起來，如果缺乏臺積電，及ASML的EUV光刻機(jī)的支持，全球半導(dǎo)體業(yè)會是怎么樣？。

臺積電一馬當(dāng)先

推動半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步由互聯(lián)網(wǎng)時代轉(zhuǎn)向移動時代，手機(jī)成為中心，而手機(jī)的創(chuàng)新離不開它的基帶處理器、存儲器、RF、CIS及功率電子等芯片的不斷更新，所以臺積電能跟蹤定律，而幫助fabless等實現(xiàn)夢想。它的作用與地位非常穾出。

近期臺積電的成功決不是偶然的，歸納起來有以下諸多方面：

· 具有張忠謀等卓越的領(lǐng)軍人物

·?堅持代工模式，以客戶優(yōu)先

·?持續(xù)的加大研發(fā)與投入

·?全方位發(fā)展，如進(jìn)入先進(jìn)封裝領(lǐng)域等

2019年它的營收高達(dá)347億美元，晶圓產(chǎn)能每月226萬片(8英寸計)，平均價格每片高達(dá)1,530美元，其中16納米FinFET及以下制程全年占比首次突破50%，達(dá)50.7%；其中7納米從2018年第三季開始，營收占比節(jié)節(jié)攀升，至2019年第四季營收為36億美元占比達(dá)35%，2019年7納米的營收高達(dá)94億美元，占比達(dá)27%。

臺積電從2012年至2019年投入的研發(fā)費用高達(dá)192億美元，平均每年24億美元，超過聯(lián)電、中芯國際、力晶科技、華虹宏力、世界先進(jìn)五家公司的研發(fā)費用總和。

在2018年，臺積電就以261種制程技術(shù)，為481個客戶生產(chǎn)了10436種芯片。

臺積電已于2019年試產(chǎn)5nm制程，它的南科18廠產(chǎn)能規(guī)劃接近70,000片，囊括主要客戶訂單，包括Apple、海思、AMD、Qualcomm等。從設(shè)備商訂單追加情況來判斷，它的5nm與3nm量產(chǎn)都設(shè)定在18廠，因此除了既有的5nm產(chǎn)能外，也可能提前將3nm研發(fā)計劃同步在18廠進(jìn)行 。

臺積電會在5納米量產(chǎn)后一年推出5納米加強(qiáng)版（N5+），與5納米制程相較，在同一功耗下可再提升7％運(yùn)算效能，或在同一運(yùn)算效能下可再降低15％功耗。N5+制程將在2020年第一季開始試產(chǎn)，2021年進(jìn)入量產(chǎn)。目標(biāo)它的5納米營收占全年的10%。

臺積電從原來的晶圓制造代工角色，逐步跨界至封測代工領(lǐng)域（InFO、CoWoS及SoIC等封裝技術(shù)），試圖完整實體半導(dǎo)體的制作流程。

EUV光刻

之前對于EUV光刻的成功幾乎很難想象，如今不容置疑已經(jīng)真的成功。歸結(jié)為產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力及ASML的堅持不懈。

盡管EUV光刻從7納米開始導(dǎo)入，可能在2納米及以下，由于價格奇高而無法再推進(jìn)下去，但是不可否認(rèn)，近期半導(dǎo)體業(yè)如果沒有EUV技術(shù)，至少產(chǎn)業(yè)可能發(fā)生暫時的減緩。所以EUV光刻技術(shù)的成功導(dǎo)入其功不可沒。

格芯首席技術(shù)官Gary Patton表示，如果在5nm的時候沒有使用EUV光刻機(jī)，那么光刻的步驟將會超過100步，會讓人瘋狂。所以EUV光刻機(jī)無疑是未來5nm和3nm芯片的最重要生產(chǎn)工具，未來圍繞EUV光刻機(jī)的爭奪戰(zhàn)將會變得異常激烈。因為這是決定這些廠商未來在先進(jìn)工藝市場競爭的關(guān)鍵。

據(jù)ASML的年報得知，2016年，他們總共才出貨了四臺EUV光刻機(jī)，2017年則交付了10臺EUV系統(tǒng)。而2018年，ASML的EUV光刻機(jī)產(chǎn)量可以達(dá)到18臺，但到2019年，全年EUV光刻機(jī)訂單量達(dá)到了62億歐元，總計出貨了26臺EUV光刻機(jī)。預(yù)計2020年交付35臺，及2021年則會達(dá)到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。

目前的250W光源應(yīng)用在7nm甚至5nm都是沒問題的，但到了3nm，對光源的功率需求將會達(dá)到500W，到了1nm的時候，光源功率要求甚至達(dá)到了1KW，這也不會是一個容易的問題。

EUV技術(shù)已成功在臺積電，三星等生產(chǎn)線中開始實現(xiàn)量產(chǎn)，由于各種問題仍不少，包括它的掩膜、Pellicle，缺陷檢測及光源功率等，所以EUV技術(shù)需要進(jìn)一步完善。

由于EUV設(shè)備的價格每臺約1.5億美元，2019年它的銷售額已上升至108億美元，非常接近于排名第一應(yīng)用材料公司的110億美元。

結(jié)語

今年全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢變得更加撲朔迷離，受新冠疫情的影響，不但中國，如韓國及日本等也可能波及，所以未來半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢尚難預(yù)料。

從先進(jìn)工藝制程角度，如邏輯工藝，目前到5納米，預(yù)期2022-2023年能達(dá)3納米，甚至2納米及以下；DRAM，目前制程達(dá)1z納米，約16-15納米，未來采用EUV技術(shù)可能達(dá)近10納米，而3D NAND，目前量產(chǎn)已達(dá)128層，至2025年時有可能超過300層。

半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)不斷的進(jìn)步，依賴于市場需求上升及產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力。從尺寸縮小角度定律可能止步，然而在5G，AI，IoT，自動駕駛等市場推動下，產(chǎn)業(yè)的自適性提高，產(chǎn)業(yè)的生存期仍很長。但是未來的技術(shù)，包括SiP，堆壘技術(shù)，AI，IoT，及自動駕駛等，挑戰(zhàn)都很大，需要時間的積累。

1月20日，在國務(wù)院新聞辦公室新聞發(fā)布會上，工業(yè)和信息化部部長苗圩介紹了2019年工業(yè)通信業(yè)發(fā)展情況，并答記者問。

有一些媒體的報道指出，當(dāng)前集成電路產(chǎn)業(yè)在一些地方存在投資過熱的跡象，對此，苗圩認(rèn)為，目前國內(nèi)確實存在集成電路制造業(yè)主體分散傾向，未來將保護(hù)好地方政府的積極性，同時克服盲目低水平的重復(fù)建設(shè)。

眾所周知，我國是全球最大的集成電路消費市場，根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)，2019年1月-11月，集成電路進(jìn)口額達(dá)到2778.6億美元，依然是排名第一的進(jìn)口產(chǎn)品。當(dāng)然，這里還有出口和使用以后復(fù)出口，就是我們國家生產(chǎn)的一些集成電路有出口、進(jìn)口的集成電路搭載在一些電子信息產(chǎn)品上也有大量的出口，比如蘋果手機(jī)就是一個典型例子，這里面不是凈進(jìn)口，是總進(jìn)口。

苗圩指出，在近幾年市場需求的驅(qū)動下，國內(nèi)外集成電路的企業(yè)都紛紛看好中國這個大市場優(yōu)勢，在國內(nèi)投資建設(shè)了若干條集成電路的生產(chǎn)線。從目前在建的生產(chǎn)線項目情況來看，新增產(chǎn)能與國內(nèi)實際需求相比還有比較大的差距，但是也確實存在集成電路制造業(yè)主體分散的傾向。

集成電路制造的一條線投資額越來越大，現(xiàn)在大概一條高水平的線動則就要上億美元以上的投入，而且僅僅憑一條線的產(chǎn)能，有的還實現(xiàn)不了現(xiàn)金流為正，在相當(dāng)長時間內(nèi)還實現(xiàn)不了企業(yè)盈利。在企業(yè)現(xiàn)金流為負(fù)的情況下，在企業(yè)不能盈利的情況下，還要不斷加大研發(fā)投入，不斷加大產(chǎn)能擴(kuò)充，只有這樣才能走出“死亡峽谷”。

下一步，工信部將進(jìn)一步規(guī)范引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，堅持2014年制定的集成電路發(fā)展規(guī)劃中提出的主體要集中、區(qū)域要集聚的原則，將跟發(fā)展改革委等有關(guān)部門一道，保護(hù)好地方政府的積極性，同時要克服盲目低水平的重復(fù)建設(shè)。

苗圩表示，要使這些從事集成電路的主體企業(yè)一步一步的從投資轉(zhuǎn)向運(yùn)營，在運(yùn)營當(dāng)中除了技術(shù)要取得成功之外，還要取得商業(yè)上的成功。所以在這個過程當(dāng)中仍然有大量的工作需要做，但總體的發(fā)展勢頭還是良好的。

1月18日，湖北省半導(dǎo)體三維集成制造創(chuàng)新中心在武漢揭牌，它是全國半導(dǎo)體三維集成制造領(lǐng)域首個省級創(chuàng)新中心，為以國家存儲器基地為核心的湖北芯片產(chǎn)業(yè)，提供了更加堅強(qiáng)的創(chuàng)新驅(qū)動力。

該中心是我省落實國家“制造強(qiáng)國、網(wǎng)絡(luò)強(qiáng)國”建設(shè)重大部署，加強(qiáng)半導(dǎo)體制造創(chuàng)新平臺建設(shè)，提升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)能力和產(chǎn)業(yè)鏈水平，應(yīng)對國際競爭的重大舉措。省制造強(qiáng)省建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組組織專家認(rèn)真評估，批準(zhǔn)長江存儲公司和武漢新芯公司為主體，在全國率先創(chuàng)建省級創(chuàng)新中心。

據(jù)介紹，該中心自籌備開始，就對照國家級制造創(chuàng)新中心建設(shè)要求，高標(biāo)準(zhǔn)推進(jìn)共性技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)綜合服務(wù)、成果轉(zhuǎn)化育成等三大平臺建設(shè)工作，將著力推進(jìn)半導(dǎo)體工程化技術(shù)研發(fā)，突破多晶圓堆疊等半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，積極探索三維集成制造技術(shù)商業(yè)化應(yīng)用，不斷加強(qiáng)行業(yè)影響力和輻射帶動效應(yīng)，全力爭創(chuàng)國家級創(chuàng)新中心。

該中心還與北京大學(xué)、清華大學(xué)等多所大學(xué)及湖北省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會等單位，在人才培養(yǎng)、知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)業(yè)孵化等方面開展全方位合作，共建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

為助推湖北“一芯兩帶三區(qū)”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，國家開發(fā)銀行等12家銀行與長江存儲公司簽訂相關(guān)協(xié)議，為該公司擴(kuò)規(guī)模、擴(kuò)產(chǎn)能、促發(fā)展提供資金支持。

作為摩爾定律最忠實的追隨者與推動者，臺積電、三星已經(jīng)挑起3nm的戰(zhàn)局。據(jù)悉，三星已經(jīng)完成了首個3nm制程的開發(fā)，計劃2022年規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片，此前臺積電也計劃2022年量產(chǎn)3nm。如無意外，3nm芯片將在后年到來，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提出新的挑戰(zhàn)。

雙雄劍指3nm

《韓國經(jīng)濟(jì)》雜志稱，三星已成功研發(fā)出首個基于GAAFET的3nm制程，預(yù)計2022年開啟量產(chǎn)。與7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

按照三星的研發(fā)路線圖，在6nm LPP之后，還有5nm LPE、4nm LPE兩個節(jié)點，隨后進(jìn)入3nm節(jié)點，分為GAE（GAA Early）以及GAP（GAA Plus）兩代。去年5月，三星的3nm GAE設(shè)計套件0.1版本已經(jīng)就緒，以幫助客戶盡早啟動3nm設(shè)計。三星預(yù)計該技術(shù)將在下一代手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)、自動駕駛、人工智能及物聯(lián)網(wǎng)等設(shè)備中使用。

以2022年量產(chǎn)為目標(biāo)的臺積電，也在按計劃推進(jìn)3nm研發(fā)。臺積電首席執(zhí)行官CC Wei曾表示，臺積電在3nm節(jié)點技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利，已經(jīng)與早期客戶進(jìn)行接觸。臺積電投資6000億新臺幣的3nm寶山廠也于去年通過了用地申請，預(yù)計2020年動工，2022年量產(chǎn)。

臺積電在7nm節(jié)點取得了絕對優(yōu)勢，在5nm也進(jìn)展順利，獲得了蘋果A14等訂單。但三星并沒有放松追趕的腳步，計劃到2030年前在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資1160億美元，以增強(qiáng)在非內(nèi)存芯片市場的實力。臺積電創(chuàng)始人張忠謀日前對媒體表示，臺積電與三星的戰(zhàn)爭還沒有結(jié)束，臺積電只是贏得了一兩場戰(zhàn)役，可整個戰(zhàn)爭還沒有贏，目前臺積電暫時占優(yōu)。

制程如何走下去

眾所周知，制程越小，晶體管柵極越窄，功耗越低，而集成難度和研發(fā)成本也將成倍提高。3nm是一個逼近物理極限的節(jié)點，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)專家莫大康向《中國電子報》記者表示，3nm是一個焦點，不能僅靠臺積電、三星的推進(jìn)，還要看制造商和設(shè)備商等產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)的努力，例如環(huán)柵結(jié)構(gòu)（GAA）的導(dǎo)入，EUV的高數(shù)值孔徑鏡頭等。

3nm首先對芯片設(shè)計和驗證仿真提出了新的挑戰(zhàn)。集邦咨詢分析師徐紹甫向記者表示，制程微縮至3nm以下，除了芯片面積縮得更小，芯片內(nèi)部信號如何有效傳遞是一大關(guān)鍵。設(shè)計完成后，如何確保驗證和仿真流程的時間成本不會大幅增加，也是芯片設(shè)計的一大挑戰(zhàn)，需要EDA從業(yè)者的共同努力。此外，在做出更小的線寬線距之后，量產(chǎn)和良率拉抬是非常困難的事，需要制程技術(shù)的不斷優(yōu)化。

為了更快實現(xiàn)制程迭代和產(chǎn)能拉升，三星研發(fā)了專利版本GAA，即MBCFET（多橋道FET）。據(jù)三星介紹，GAA基于納米線架構(gòu)，由于溝道更窄，需要更多的堆棧。三星的MBCFET則采用納米片架構(gòu)，由于溝道比納米線寬，可以實現(xiàn)每堆棧更大的電流，讓元件集成更加簡單。通過可控的納米片寬度，MBCFET可提供更加靈活的設(shè)計。而且MBCFET兼容FinFet，與FinFet使用同樣的制作技術(shù)和設(shè)備，有利于降低制程遷移的難度，更快形成產(chǎn)能。

3nm也對光刻機(jī)的分辨率及套刻能力提出了更高要求。針對3nm節(jié)點，ASML將在NXE 3400C的下一代機(jī)型導(dǎo)入0.55高數(shù)值孔徑，實現(xiàn)小于1.7nm的套刻誤差，產(chǎn)能也將提升至每小時185片晶圓以上，量產(chǎn)時間在2022—2023年。徐紹甫表示，3nm對于光刻機(jī)曝光穩(wěn)定度與光阻劑潔凈度的要求更加嚴(yán)苛。加上3nm需要多重曝光工藝，增加了制程數(shù)目，也就意味缺陷產(chǎn)生機(jī)率會提高，光刻機(jī)參數(shù)調(diào)校必須縮小誤差，降低容錯率。另外，清洗潔凈度、原子層蝕刻機(jī)與原子層成膜機(jī)等設(shè)備的精度也要提高。

針對5nm及以下節(jié)點的封裝，臺積電完成了對3D IC工藝的開發(fā)，預(yù)計2021年導(dǎo)入3D封裝。3D IC能在單次封裝堆疊更多的芯片，提升晶體管容量，并通過芯片之間的互聯(lián)提升通信效率。賽迪智庫集成電路研究所高級分析師王珺、馮童向記者表示，臺積電的中道工藝主要是通過制造和封裝的緊密結(jié)合提高晶體管密度，會是發(fā)展路徑之一，可進(jìn)行模塊化組裝的小芯片（Chiplet）也是比較熱門的發(fā)展路徑。

何為增長驅(qū)動力

2014—2019年，手機(jī)和高性能運(yùn)算推動著先進(jìn)制程按照一年一節(jié)點的節(jié)奏，從14nm走向5nm。中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍表示，成功的研發(fā)方法，不變的FinFet架構(gòu)、設(shè)備和材料的配合，是推動14nm向5nm發(fā)展的重要因素。

目前來看，手機(jī)和高性能計算依舊是推動摩爾定律前進(jìn)的重要動力。徐紹甫指出，在應(yīng)用層面上，智能手機(jī)是3nm制程的重要戰(zhàn)場，手機(jī)芯片從業(yè)者能負(fù)擔(dān)高昂的研發(fā)經(jīng)費，龐大的市場總量也能夠分擔(dān)其研發(fā)費用。另外，HPC應(yīng)用，如CPU與GPU等，需要3nm制程來提升性能表現(xiàn)。芯謀研究總監(jiān)王笑龍表示，3nm將主要面向?qū)Ω咚贁?shù)據(jù)處理和傳輸有需求的產(chǎn)品，如CPU、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、移動通信、FPGA和礦機(jī)等。

3nm不是先進(jìn)制程的終點，臺積電對2nm已經(jīng)有所規(guī)劃，將以2024年量產(chǎn)為目標(biāo)進(jìn)行研發(fā)。比利時微電子研究中心（IMEC）在2019年10月召開的技術(shù)論壇上曾展示邁向1nm工藝節(jié)點的技術(shù)路線圖。王珺、馮童表示，伴隨高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)、選擇性化學(xué)蝕刻劑、原子層精確沉積技術(shù)等的應(yīng)用，未來10年，摩爾定律將繼續(xù)延續(xù)。

制程要走下去，需要工藝路徑的探索，也需要找到相應(yīng)的商業(yè)場景。王笑龍向記者表示，對于資金密集型工藝，如果無法在消費市場得到應(yīng)用，就難以收回成本，也不具備經(jīng)濟(jì)價值。徐紹甫表示，2nm之后的應(yīng)用性與必要性還難以定義，從實驗室走向量產(chǎn)具有相當(dāng)?shù)碾y度，必須具備獲利能力才具有開發(fā)意義，在材料選擇、制程技術(shù)、后段晶圓封裝上勢必要持續(xù)優(yōu)化。

資本支出是晶圓代工廠對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來趨勢看法與投入狀況的重要指標(biāo)，在2019年全球經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定造成的晶圓代工產(chǎn)業(yè)衰退下，晶圓代工廠若要提高資本支出，需有明確強(qiáng)勁動能支撐。

（Source：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院，2019.12）

先進(jìn)制程競賽推動資本支出競爭，三星投資計劃引關(guān)注

臺積電為擴(kuò)展7納米產(chǎn)線與開發(fā)5納米及以下制程技術(shù)，于2019年資本支出增幅約40%；另外，在5納米產(chǎn)能規(guī)劃上優(yōu)于預(yù)期以及對先進(jìn)封裝廠的投資，皆是希望能在先進(jìn)制程發(fā)展，持續(xù)拉開與競爭對手的距離。

從臺積電在2020年布局來看，3納米試產(chǎn)線的建置、2納米先進(jìn)研發(fā)中心廠房的建置，以及新8英寸廠產(chǎn)線和擴(kuò)增先進(jìn)封裝產(chǎn)能等，可預(yù)期臺積電在2020年資本支出將維持一貫的高水準(zhǔn)，甚至可望持續(xù)增加，對于下游供應(yīng)鏈廠商的助益效果及在產(chǎn)品競爭力上的進(jìn)步仍相當(dāng)可期。

三星（Samsung）晶圓代工業(yè)務(wù)在2019年資本支出也較2018年高，用于擴(kuò)產(chǎn)7納米產(chǎn)能與更先進(jìn)制程研發(fā)。此外，三星在2019年4月宣布將于2030年前投入1,160億美元發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，重點將用在邏輯IC設(shè)計方面。在不造成三星集團(tuán)的經(jīng)濟(jì)負(fù)擔(dān)下，增加投資對于技術(shù)開發(fā)與市場布局將有助益，也能為其與臺積電的軍備競賽做準(zhǔn)備。

三星的10年投資計劃在短期可能對技術(shù)發(fā)展有助益，但若從長期來看，觀察重點仍在三星如何在市場上扮演好兩種角色。

在晶圓代工方面，需免除客戶對三星LSI同為競爭對手的疑慮；在IDM方面，則需考量提升設(shè)計與制造能力，并選擇正確的應(yīng)用領(lǐng)域以獲得更好利潤。因此，若同時要能對應(yīng)兩種商業(yè)模式且皆要獲得好的結(jié)果，增加投資或許只能說是必要的第一步。

成熟制程廠商資本支出彈性調(diào)整，中國大陸廠商擴(kuò)產(chǎn)計劃最積極

相較于發(fā)展更先進(jìn)制程所需增加的資本支出，在以成熟制程為主的廠商，則視市場需求變化彈性調(diào)整。

格芯（GlobalFoundries）與聯(lián)電在先進(jìn)制程開發(fā)暫緩腳步，沒有較大的擴(kuò)產(chǎn)計劃，2019年資本支出預(yù)估持平或減少。聯(lián)電受惠成熟制程，預(yù)估2020年接單狀況良好，以目前市場關(guān)注的CMOS與OLED驅(qū)動IC來看，皆有好消息傳出，2020年較有機(jī)會提高資本支出。

而格芯在2020年將交割出售給ON Semiconductor與世界先進(jìn)的廠房，屆時在產(chǎn)能分配上可能做出調(diào)整，較不易有擴(kuò)產(chǎn)可能，因此預(yù)估2020年資本支出可能持平或小幅衰退。

相較之下，中國大陸晶圓代工廠商擴(kuò)產(chǎn)計劃則較為明確，展望2020年，中芯國際預(yù)計增加8英寸晶圓月產(chǎn)能25K，12英寸晶圓月產(chǎn)能30K；華虹半導(dǎo)體則計劃補(bǔ)足12英寸晶圓規(guī)劃的總產(chǎn)能，加上兩家廠商皆有發(fā)展先進(jìn)制程規(guī)劃，未來資本支出還可望持續(xù)提升。

另一方面，在芯片自制的政策推動下，中國大陸不少晶圓代工廠2020年擴(kuò)產(chǎn)計劃仍相當(dāng)積極，尤其在5G和車用等產(chǎn)業(yè)推升下，成熟制程也逐漸出現(xiàn)產(chǎn)能吃緊狀況，加上市場普遍對2020年需求預(yù)估抱持正面態(tài)度，更加添晶圓代工廠商提高資本支出的信心。

值得注意的是，美中貿(mào)易摩擦雖釋出正面訊息，仍不減中國大陸市場去美化趨勢，無論是晶圓代工廠產(chǎn)能規(guī)劃或上游硅晶圓到半導(dǎo)體設(shè)備廠商皆積極提升國產(chǎn)化供給占比。

加上2020年中國8英寸硅晶圓將逐步啟動供應(yīng)，雖從整體半導(dǎo)體市場來看可能出現(xiàn)供過于求狀況，但對中國大陸境內(nèi)市場來說是提升戰(zhàn)力的一環(huán)，或?qū)⑥谧⒅袊箨懢A代工廠商額外的硅晶圓補(bǔ)給量以加速成熟制程布局。