臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能利用率全線滿載

臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能利用率全線滿載

晶圓代工龍頭臺(tái)積電7納米制程接單滿載到年底,受惠于蘋果、賽靈思(Xilinx)、博通(Broadcom)、超微(AMD)、聯(lián)發(fā)科等大客戶訂單涌入,包括InFO(整合型扇出封裝)及CoWoS(基板上晶圓上芯片封裝)等先進(jìn)封裝產(chǎn)能利用率同樣全線滿載,可望帶動(dòng)下半年業(yè)績續(xù)創(chuàng)歷年同期新高紀(jì)錄。

■ SoIC及WoW試產(chǎn)成功

此外,看好未來5G、人工智能(AI)、高效能運(yùn)算(HPC)等新應(yīng)用,芯片設(shè)計(jì)走向異質(zhì)整合及系統(tǒng)化設(shè)計(jì),臺(tái)積電擴(kuò)大先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā),采用硅中介層(Si Interposer)或小芯片(Chiplet)等方法,將存儲(chǔ)器及邏輯芯片緊密集成。同時(shí),臺(tái)積電順利試產(chǎn)7納米系統(tǒng)整合芯片(SoIC)及16納米晶圓堆疊晶圓(WoW)等3D IC封裝制程,預(yù)期2021年之后進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電WLSI(晶圓級(jí)系統(tǒng)整合)技術(shù)平臺(tái)整合了晶圓制程及產(chǎn)能核心競爭力,透過封裝技術(shù)滿足客戶在系統(tǒng)級(jí)與封裝上的需求。讓客戶能利用臺(tái)積電晶圓到封裝整合服務(wù),在最佳上市時(shí)間推出高競爭力產(chǎn)品。

臺(tái)積電持續(xù)看到CoWoS在AI/HPC應(yīng)用上的高度成長,去年完成搭載7納米邏輯IC及第二代高頻寬存儲(chǔ)器(HBM 2)的CoWoS封裝量產(chǎn),包括超微、英偉達(dá)(NVIDIA)、博通、賽靈思等均是主要客戶。臺(tái)積電藉由高制造良率、更大硅中介層與封裝尺寸能力的增強(qiáng)、以及功能豐富的硅中介層,例如內(nèi)含嵌入式電容器的硅中介層,使得臺(tái)積電在CoWoS技術(shù)上的領(lǐng)先地位得以更加強(qiáng)化。

■ InFO及CoWoS接單滿載

另外,在InFO封裝部份,除了替蘋果代工搭載7納米A12應(yīng)用處理器及行動(dòng)式DRAM的InFO-PoP Gen-3(第三代整合型扇出層疊封裝),亦完成能整合多顆16納米邏輯芯片的InFO_oS(整合型扇出暨封裝基板)量產(chǎn),聯(lián)發(fā)科旗下擎發(fā)已采用該制程量產(chǎn)。再者,臺(tái)積電推出InFO_MS(整合型扇出暨存儲(chǔ)器及基板)先進(jìn)封裝技術(shù)并獲賽靈思采用。

臺(tái)積電今年已完成第四代InFO-PoP Gen-4認(rèn)證及進(jìn)入量產(chǎn),能提高散熱性能及整合各種DRAM,法人預(yù)期蘋果A13處理器將采用,在未來發(fā)展上,新一代整合式被動(dòng)元件(IPD)提供高密度電容器和低有效串聯(lián)電感(ESL)以增強(qiáng)電性,已通過InFO-PoP認(rèn)證,可滿足5G及AI相關(guān)應(yīng)用。臺(tái)積電看好5G毫米波(mmWave)發(fā)展開發(fā)InFO-AIP(整合型扇出壓線封裝),將射頻芯片及毫米波天線整合于一個(gè)封裝中,未來還能應(yīng)用在技術(shù)快速演進(jìn)的汽車?yán)走_(dá)及自駕車上。

搶占競爭異構(gòu)計(jì)算技術(shù)高點(diǎn) 3D封裝格局三足鼎立?

搶占競爭異構(gòu)計(jì)算技術(shù)高點(diǎn) 3D封裝格局三足鼎立?

近日,全球第二大晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工藝,成功流片了基于ARM架構(gòu)的高性能3D封裝芯片。這意味著格芯亦投身于3D封裝領(lǐng)域,將與英特爾、臺(tái)積電等公司一道競爭異構(gòu)計(jì)算時(shí)代的技術(shù)主動(dòng)權(quán)。

放棄7nm 格芯轉(zhuǎn)攻3D封裝

據(jù)報(bào)道,格芯攜手ARM公司驗(yàn)證了3D設(shè)計(jì)測試(DFT)方法,可以在芯片上集成多種節(jié)點(diǎn)技術(shù),優(yōu)化邏輯電路、內(nèi)存帶寬和射頻性能,可向用戶提供更多差異化的解決方案。格芯平臺(tái)首席技術(shù)專家John Pellerin表示:“在大數(shù)據(jù)與認(rèn)知計(jì)算時(shí)代,先進(jìn)封裝的作用遠(yuǎn)甚以往。AI的使用與高吞吐量節(jié)能互連的需求,正通過先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)加速器的增長?!?/p>

隨著運(yùn)算的復(fù)雜化,異構(gòu)計(jì)算大行其道,更多不同類型的芯片需要被集成在一起,而依靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時(shí)滿足性能、功耗、面積以及信號(hào)傳輸速度等多方面的要求。在此情況下,越來越多的半導(dǎo)體廠商開始把注意力放在系統(tǒng)集成層面,通過封裝技術(shù)尋求解決方案。這使得3D封裝成為當(dāng)前國際上幾大主流半導(dǎo)體晶圓制造廠商重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)。

雖然格芯在去年宣布放棄繼續(xù)在7nm以及更加先進(jìn)的制造工藝方向的研發(fā),但這并不意味著其在新技術(shù)上再也無所作為。此次在3D封裝技術(shù)上的發(fā)力,正是格芯在大趨勢下所做出的努力,其新開發(fā)的3D封裝解決方案不僅可為IC設(shè)計(jì)公司提供異構(gòu)邏輯和邏輯/內(nèi)存集成途徑,還可以優(yōu)化生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)制造,從而實(shí)現(xiàn)更低延遲、更高帶寬和更小特征尺寸。

3D封裝成半導(dǎo)體巨頭發(fā)展重點(diǎn)

同為半導(dǎo)體巨頭的英特爾、臺(tái)積電在3D封裝上投入更早,投入的精力也更大。去年年底,英特爾在其“架構(gòu)日”上首次推出全球第一款3D封裝技術(shù)Foveros,在此后不久召開的CES2019大展上展出了采用Foveros技術(shù)封裝而成的Lakefield芯片。根據(jù)英特爾的介紹,該項(xiàng)技術(shù)的最大特點(diǎn)是可以在邏輯芯片上垂直堆疊另外一顆邏輯芯片,實(shí)現(xiàn)了真正意義上的3D堆疊。

而在日前召開的SEMICON West大會(huì)上,英特爾再次推出了一項(xiàng)新的封裝技術(shù)Co-EMIB。這是一個(gè)將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用。它能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連,并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計(jì)人員也能夠利用Co-EMIB技術(shù)實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

臺(tái)積電在3D封裝上的投入也很早。業(yè)界有一種說法,正是因?yàn)榕_(tái)積電對先進(jìn)封裝技術(shù)的重視,才使其在與三星的競爭中占得優(yōu)勢,獲得了蘋果的訂單。無論這個(gè)說法是否為真,封裝技術(shù)在臺(tái)積電技術(shù)版圖中的重要性已越來越突出。

在日前舉辦的2019中國技術(shù)論壇(TSMC2019 Technology Symposium)上,臺(tái)積電集中展示了從CoWoS、InFO的2.5D封裝到SoIC的3D封裝技術(shù)。CoWoS和InFO采用硅中介層把芯片封裝到硅載片上,并使用硅載片上的高密度走線進(jìn)行互連,從而實(shí)現(xiàn)亞3D級(jí)別的芯片堆疊效果。SoIC則是臺(tái)積電主推的3D封裝技術(shù),它通過晶圓對晶圓(Wafer-on-wafer)的鍵合方式,可以將不同尺寸、制程技術(shù)及材料的小芯片堆疊在一起。相較2.5D封裝方案,SoIC的凸塊密度更高,傳輸速度更快,功耗更低。

對此,半導(dǎo)體專家莫大康表示,半導(dǎo)體廠商希望基于封裝技術(shù)(而非前道制造工藝),將不同類型的芯片和小芯片集成在一起,從而接近甚至是達(dá)到系統(tǒng)級(jí)單芯片(SoC)的性能。這在異構(gòu)計(jì)算時(shí)代,面對多種不同類型的芯片集成需求,是一種非常有效的解決方案。

封裝子系統(tǒng)“IP”或?qū)⒊哨厔葜?/strong>

產(chǎn)品功能、成本與上市時(shí)間是半導(dǎo)體公司關(guān)注的最主要因素。隨著需求的不斷增加,如果非要把所有電路都集成在一顆芯片之上,必然導(dǎo)致芯片的面積過大,同時(shí)增加設(shè)計(jì)成本和工藝復(fù)雜度,延長產(chǎn)品周期,因此會(huì)增大制造工藝復(fù)雜度,也會(huì)讓制造成本越來越高。這也是異構(gòu)計(jì)算時(shí)代,人們面臨的主要挑戰(zhàn)。因此,從技術(shù)趨勢來看,主流半導(dǎo)體公司依托3D封裝技術(shù),可以對復(fù)雜的系統(tǒng)級(jí)芯片加以實(shí)現(xiàn)。

根據(jù)莫大康的介紹,人們還在探索采用多芯片異構(gòu)集成的方式把一顆復(fù)雜的芯片分解成若干個(gè)子系統(tǒng),其中一些子系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化,然后就像IP核一樣把它們封裝在一起。這或許成為未來芯片制造的一個(gè)發(fā)展方向。當(dāng)然,這種方式目前并非沒有障礙。首先是散熱問題。芯片的堆疊會(huì)讓散熱問題變得更加棘手,設(shè)計(jì)人員需要更加精心地考慮系統(tǒng)的結(jié)構(gòu),以適應(yīng)、調(diào)整各個(gè)熱點(diǎn)。

更進(jìn)一步,這將影響到整個(gè)系統(tǒng)的架構(gòu)設(shè)計(jì),不僅涉及物理架構(gòu),也有可能會(huì)影響到芯片的設(shè)計(jì)架構(gòu)。此外,測試也是一個(gè)挑戰(zhàn)??梢韵胂笤谝粋€(gè)封裝好的芯片組中,即使每一顆小芯片都能正常工作,也很難保證集成在一起的系統(tǒng)級(jí)芯片保持正常。對其進(jìn)行正確測試需要花費(fèi)更大功夫,這需要從最初EDA的工具,到仿真、制造以及封裝各個(gè)環(huán)節(jié)的協(xié)同努力。

3D封裝技術(shù)突破!臺(tái)積電、英特爾引領(lǐng)代工封測廠

3D封裝技術(shù)突破!臺(tái)積電、英特爾引領(lǐng)代工封測廠

針對HPC芯片封裝技術(shù),臺(tái)積電已在2019年6月于日本VLSI技術(shù)及電路研討會(huì)(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中,提出新型態(tài)SoIC(System on Integrated Chips)之3D封裝技術(shù)論文;透過微縮凸塊(Bumping)密度,提升CPU/GPU處理器與存儲(chǔ)器間整體運(yùn)算速度。

整體而言,期望借由SoIC封裝技術(shù)持續(xù)延伸,并作為臺(tái)積電于InFO(Integrated Fan-out)、CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)后端先進(jìn)封裝之全新解決方案。

運(yùn)用垂直疊合與微縮體積方法,3D封裝成功提升HPC工作效率

由于半導(dǎo)體發(fā)展技術(shù)的突破、元件尺寸逐漸微縮之際,驅(qū)使HPC芯片封裝發(fā)展必須考量封裝所需之體積與芯片效能的提升,因此對HPC芯片封裝技術(shù)的未來發(fā)展趨勢,除了現(xiàn)有的扇出型晶圓級(jí)封裝(FOWLP)與2.5D封裝外,將朝向技術(shù)難度更高的3D封裝技術(shù)為開發(fā)目標(biāo)。

▲HPC之3D IC封裝概念圖(Source:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理,2019.8)

所謂的3D封裝技術(shù),主要為求再次提升AI之HPC芯片的運(yùn)算速度及能力,試圖將HBM高頻寬存儲(chǔ)器與CPU/GPU/FPGA/NPU處理器彼此整合,并藉由高端TSV(硅穿孔)技術(shù),同時(shí)將兩者垂直疊合于一起,減小彼此的傳輸路徑、加速處理與運(yùn)算速度,提高整體HPC芯片的工作效率。

臺(tái)積電與Intel積極推出3D封裝,將引領(lǐng)代工封測廠一并跟進(jìn)

依現(xiàn)行3D封裝技術(shù),由于必須垂直疊合HPC芯片內(nèi)的處理器及存儲(chǔ)器,因此就開發(fā)成本而言,比其他兩者封裝技術(shù)(FOWLP、2.5D封裝)高出許多,制程難度上也更復(fù)雜、成品良率較低。

▲HPC封裝趨勢發(fā)展比較表(Source:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理,2019.8)

目前3D封裝技術(shù)已對外公告的最新成果,現(xiàn)階段除了半導(dǎo)體代工制造龍頭臺(tái)積電最積極,已宣布預(yù)計(jì)于2020年導(dǎo)入量產(chǎn)SoIC和WoW(Wafer on Wafer)等3D封裝技術(shù)外,另有IDM大廠Intel也提出Foveros之3D封裝概念,將于2019下半年迎戰(zhàn)后續(xù)處理器與HPC芯片之封裝市場。

隨著半導(dǎo)體代工制造商與IDM廠陸續(xù)針對3D封裝技術(shù)投入研發(fā)資源,也將引領(lǐng)另一波3D封測技術(shù)風(fēng)潮,相信代工封測廠(如日月光、Amkor等)也將加緊腳步,跟上此波3D封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢。

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五年投資近10億歐元 奧特斯半導(dǎo)體封裝載板項(xiàng)目落戶重慶

五年投資近10億歐元 奧特斯半導(dǎo)體封裝載板項(xiàng)目落戶重慶

7月12日,高端印刷電路板制造商奧特斯宣布,為了響應(yīng)市場對于高性能計(jì)算需求的不斷增長,公司將擴(kuò)產(chǎn)其戰(zhàn)略支柱型業(yè)務(wù)半導(dǎo)體封裝載板。計(jì)劃在重慶新建一座工廠,同時(shí)擴(kuò)大位于奧地利利奧本工廠的產(chǎn)能。為此,公司計(jì)劃在未來五年內(nèi)投資近10億歐元,主要用于建設(shè)重慶新廠,該投資基于奧特斯與全球領(lǐng)先的集成電路制造商的緊密合作。

隨著數(shù)字化,人工智能、機(jī)器人以及自動(dòng)駕駛的蓬勃發(fā)展,市場對于高速數(shù)據(jù)處理能力的需求日益強(qiáng)勁,對于數(shù)據(jù)運(yùn)算和存儲(chǔ)能力提出更高的要求,驅(qū)動(dòng)著半導(dǎo)體封裝載板在內(nèi)的所有應(yīng)用于高性能計(jì)算模組的技術(shù)革新。

基于這一投資,奧特斯致力于可持續(xù)性盈利發(fā)展的目標(biāo),同時(shí)強(qiáng)化其半導(dǎo)體封裝載板業(yè)務(wù)的市場地位,積極地參與到這個(gè)不斷增長中的市場。如同高端印制電路板那般,半導(dǎo)體封裝載板業(yè)務(wù)正成為奧特斯具有重要戰(zhàn)略意義的發(fā)展支柱。這座最先進(jìn)的工廠將設(shè)立在奧特斯重慶現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi),并即將動(dòng)工建設(shè),預(yù)計(jì)于2021年底投產(chǎn)。

總投資75億元的半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶湖北仙桃

總投資75億元的半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶湖北仙桃

據(jù)仙桃日報(bào)報(bào)道,7月6日,臺(tái)灣利科光學(xué)半導(dǎo)體封裝及產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目在仙桃舉行簽約儀式。

根據(jù)報(bào)道,該項(xiàng)目總投資75億元,分兩期建設(shè),一期投資35億元,主要開展光學(xué)半導(dǎo)體封裝、觸控屏幕及顯示成品模組生產(chǎn)。首期項(xiàng)目全部投產(chǎn)后,可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值35億元,創(chuàng)稅收7000萬元。

資料顯示,臺(tái)灣利科創(chuàng)聯(lián)國際有限公司成立于1990年,是一家專門從事半導(dǎo)體引線框架、精密金屬制品、石墨烯新材料等研發(fā)與生產(chǎn)的大型企業(yè),是惠普、戴爾、富士康、華為、小米、OPPO和VIVO等著名企業(yè)的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商。

而仙桃是全國縣域經(jīng)濟(jì)百強(qiáng)縣市,也是湖北省除武漢之外的第二大臺(tái)資臺(tái)商集聚區(qū)。仙桃市場經(jīng)濟(jì)活躍,資源要素匯集,營商環(huán)境優(yōu)良,投資回報(bào)高效,是企業(yè)投資布點(diǎn)的不二之選。

仙桃市市委書記胡玖明表示,臺(tái)灣利科項(xiàng)目簽約落戶,標(biāo)志著利科集團(tuán)拓展中部市場、擴(kuò)大自身發(fā)展邁出了新的一步,必將為公司的蓬勃發(fā)展添上濃墨重彩的一筆,也必將為仙桃加快工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、推動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展注入新的動(dòng)力。

板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體成立 助力佛山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體成立 助力佛山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

佛山半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展再次提速。近期,由佛山市南海區(qū)廣工大數(shù)控裝備協(xié)同創(chuàng)新研究院(下稱“廣工大研究院”)等聯(lián)合主辦的國際板級(jí)扇出型封裝交流會(huì)在廣工大研究院舉行。此舉將加快推進(jìn)佛山半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)發(fā)展,建設(shè)板級(jí)扇出型封裝示范線,服務(wù)本地半導(dǎo)體上下游企業(yè)發(fā)展。

會(huì)上,廣東阿達(dá)智能裝備有限公司、佛山坦斯盯科技有限公司、TOWA株式會(huì)社等企業(yè)作為首批板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體代表,舉行了板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體啟動(dòng)儀式?!斑@意味著廣東省半導(dǎo)體智能裝備和系統(tǒng)集成創(chuàng)新中心(下稱‘半導(dǎo)體創(chuàng)新中心’)進(jìn)入快速發(fā)展階段?!睆V工大研究院院長楊海東說。

抱團(tuán)成立聯(lián)合體

“佛山芯”研制進(jìn)程加快

作為全球電子產(chǎn)品制造中心,中國集成電路發(fā)展迅速,今年正逐漸成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱土,也是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場。目前,國內(nèi)外的電子產(chǎn)品供應(yīng)商都在中國設(shè)立半導(dǎo)體制造中心,但與消費(fèi)市場形成鮮明對比的是國內(nèi)芯片研發(fā)能力薄弱。

為加快“佛山芯”研制進(jìn)程,會(huì)上,廣東阿達(dá)智能裝備有限公司、佛山坦斯盯科技有限公司、TOWA株式會(huì)社、SCREEN制造株式會(huì)社、宇宙集團(tuán)、浙江中納晶微電子科技有限公司、5G中高頻器件創(chuàng)新中心、北京中電科電子裝備有限公司、蘇州芯唐格電子科技有限公司作為首批板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體代表,進(jìn)行了板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體啟動(dòng)儀式。而隨著板級(jí)扇出型封裝創(chuàng)新聯(lián)合體的成立,將有利于集聚海內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新資源,對芯片的上中下游封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行技術(shù)攻關(guān),建設(shè)板級(jí)扇出型封裝示范線及服務(wù)平臺(tái)。

對此,佛山高新區(qū)管委會(huì)副主任匡東明表示,佛高區(qū)接下來將不斷加大政策扶持力度,支持創(chuàng)新中心建設(shè)板級(jí)扇出型封裝示范線,加快半導(dǎo)體封裝裝備及材料技術(shù)突破,推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展。

他表示,佛山高新區(qū)將與省市各級(jí)部門形成合力,為創(chuàng)新中心提供專項(xiàng)建設(shè)引導(dǎo)資金,同時(shí)做好研發(fā)和實(shí)驗(yàn)室場地安排,為半導(dǎo)體創(chuàng)新中心吸引戰(zhàn)略性科技人才和集聚高端創(chuàng)新資源做好全域服務(wù)。

將建國內(nèi)首條板級(jí)扇出型封裝示范線

引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁上新臺(tái)階

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)比較常見的晶圓級(jí)扇出型封裝技術(shù)較為成熟,但面臨成本瓶頸,一旦尺寸超過12寸,成本就會(huì)成指數(shù)型上升。而板級(jí)扇出型封裝技術(shù)突破了這一問題,半導(dǎo)體封裝尺寸從12寸晶圓到600×600毫米大板尺寸的跨越,成本將大大降低,良品率也會(huì)大大提高。

半導(dǎo)體創(chuàng)新中心是佛山第一家省級(jí)制造業(yè)創(chuàng)新中心,中心聯(lián)合北京、上海、香港、臺(tái)灣等地的企業(yè),對芯片的下游封裝環(huán)節(jié)進(jìn)行技術(shù)攻關(guān),建設(shè)大板級(jí)扇出型封裝示范線及服務(wù)平臺(tái),開展工藝及可靠性驗(yàn)證,服務(wù)半導(dǎo)體設(shè)備和材料提升,發(fā)揮對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)作用,加快在佛山形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚。

今年年初,半導(dǎo)體創(chuàng)新中心啟動(dòng)了大板級(jí)扇出封裝公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái),平臺(tái)主要建設(shè)國內(nèi)首條板級(jí)扇出封裝示范線,并產(chǎn)出一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體封裝裝備。

“目前,半導(dǎo)體創(chuàng)新中心已引進(jìn)了劉建影院士、崔成強(qiáng)、林挺宇等多位國家人才,林挺宇牽頭的多芯片板級(jí)扇出集成封裝技術(shù)創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)獲得了2018年佛山市B類科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)扶持?!睆V東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司總經(jīng)理崔成強(qiáng)在對半導(dǎo)體創(chuàng)新中心工作進(jìn)行匯報(bào)時(shí)說,半導(dǎo)體創(chuàng)新中心依托中科院微電子所、廣東工業(yè)大學(xué)省部共建精密電子制造技術(shù)與裝備國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室資源,行業(yè)龍頭企業(yè)和高??蒲袡C(jī)構(gòu),共同成立了廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司。通過開發(fā)低成本板級(jí)扇出型封裝新型工藝,推進(jìn)國內(nèi)首條板級(jí)扇出型封裝示范線建設(shè),為板級(jí)扇出設(shè)備、工藝、材料改進(jìn)及升級(jí)換代提供有力參考依據(jù)。

“下一步,半導(dǎo)體創(chuàng)新中心將在關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、設(shè)備升級(jí)服務(wù)、工藝及可靠性驗(yàn)證方面,與各企業(yè)通力合作,推動(dòng)板級(jí)扇出型封裝工作取得新進(jìn)展、邁上新臺(tái)階?!睏詈|說。

中環(huán)揚(yáng)杰封裝基地將于今年下半年投產(chǎn)

中環(huán)揚(yáng)杰封裝基地將于今年下半年投產(chǎn)

2018年6月,功率半導(dǎo)體廠商揚(yáng)杰科技與半導(dǎo)體材料企業(yè)中環(huán)股份宣布攜手發(fā)力半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,日前揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上透露了該合作項(xiàng)目的進(jìn)程。

根據(jù)此前公告,揚(yáng)杰科技與中環(huán)股份、宜興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽訂《集成電路器件封裝基地戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》,各方同意聯(lián)合在江蘇宜興投資建設(shè)集成電路器件封裝基地,其中揚(yáng)杰科技與中環(huán)股份成立合資公司(無錫中環(huán)揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司),負(fù)責(zé)封裝基地的建設(shè)和運(yùn)營。

封裝基地總投資規(guī)模約10億元(分期進(jìn)行),將分兩期實(shí)施。其中一期為塑封高壓硅堆系列產(chǎn)品、小型化硅整流橋產(chǎn)線,二期計(jì)劃2020年啟動(dòng),將建設(shè)半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)化生產(chǎn)線以及8英寸晶圓的集成電路封裝線和測試平臺(tái)。

今日(4月8日),揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上表示,無錫中環(huán)揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司的封裝基地已于2018年下半年開工建設(shè),預(yù)計(jì)2019年下半年可以投產(chǎn)。

中環(huán)揚(yáng)杰封裝基地將于今年下半年投產(chǎn)

中環(huán)揚(yáng)杰封裝基地將于今年下半年投產(chǎn)

2018年6月,功率半導(dǎo)體廠商揚(yáng)杰科技與半導(dǎo)體材料企業(yè)中環(huán)股份宣布攜手發(fā)力半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,日前揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上透露了該合作項(xiàng)目的進(jìn)程。

根據(jù)此前公告,揚(yáng)杰科技與中環(huán)股份、宜興經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)簽訂《集成電路器件封裝基地戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》,各方同意聯(lián)合在江蘇宜興投資建設(shè)集成電路器件封裝基地,其中揚(yáng)杰科技與中環(huán)股份成立合資公司(無錫中環(huán)揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司),負(fù)責(zé)封裝基地的建設(shè)和運(yùn)營。

封裝基地總投資規(guī)模約10億元(分期進(jìn)行),將分兩期實(shí)施。其中一期為塑封高壓硅堆系列產(chǎn)品、小型化硅整流橋產(chǎn)線,二期計(jì)劃2020年啟動(dòng),將建設(shè)半導(dǎo)體分立器件自動(dòng)化生產(chǎn)線以及8英寸晶圓的集成電路封裝線和測試平臺(tái)。

今日(4月8日),揚(yáng)杰科技在互動(dòng)平臺(tái)上表示,無錫中環(huán)揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司的封裝基地已于2018年下半年開工建設(shè),預(yù)計(jì)2019年下半年可以投產(chǎn)。

先進(jìn)封裝強(qiáng)勢崛起,影響IC產(chǎn)業(yè)格局

先進(jìn)封裝強(qiáng)勢崛起,影響IC產(chǎn)業(yè)格局

摩爾定律的延伸受到物理極限、巨額資金投入等多重壓力,迫切需要?jiǎng)e開蹊徑延續(xù)工藝進(jìn)步。而通過先進(jìn)封裝集成技術(shù),可以更輕松地實(shí)現(xiàn)高密度集成、體積微型化和更低的成本。封裝行業(yè)將在集成電路整體系統(tǒng)整合中扮演更重要的角色,也將對產(chǎn)業(yè)的格局形成更多影響。隨著先進(jìn)封裝的推進(jìn),集成電路產(chǎn)業(yè)將展現(xiàn)出一些新的發(fā)展趨勢,有先進(jìn)封裝的集成電路產(chǎn)業(yè)樣貎將會(huì)有所不同。

先進(jìn)封裝增速遠(yuǎn)超傳統(tǒng)封裝

當(dāng)前社會(huì)正處于新技術(shù)與新應(yīng)用全面爆發(fā)的背景下,移動(dòng)設(shè)備、大數(shù)據(jù)、人工智能、5G通信、高性能計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、智能工業(yè)等快速發(fā)展。這些技術(shù)與應(yīng)用必將對底層芯片技術(shù)產(chǎn)生新的需求。據(jù)麥姆斯咨詢的介紹,支持這些新興大趨勢的電子硬件需要高計(jì)算能力、高速度、更多帶寬、低延遲、低功耗、更多功能、更多內(nèi)存、系統(tǒng)級(jí)集成、更精密的傳感器,以及最重要的低成本。這些新興趨勢將為各種封裝平臺(tái)創(chuàng)造商機(jī),而先進(jìn)封裝技術(shù)是滿足各種性能要求和復(fù)雜異構(gòu)集成需求的理想選擇。

目前來看,扇出型封裝(FOWLP/)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、3D封裝是最受關(guān)注的三種先進(jìn)封裝技術(shù)。扇出型封裝是晶圓級(jí)封裝中的一種,相對于傳統(tǒng)封裝具有不需要引線框、基板等介質(zhì)的特點(diǎn),因此可以實(shí)現(xiàn)更輕薄短小的封裝。根據(jù)IC Insight預(yù)計(jì),在未來數(shù)年之內(nèi),利用扇出型封裝技術(shù)生產(chǎn)的芯片,每年將以32%的增長率持續(xù)擴(kuò)大,2023年扇出型封裝市場規(guī)模將超過55億美元。

系統(tǒng)級(jí)封裝可以將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)模塊中,從而實(shí)現(xiàn)具有完整功能的電路集成,它也可以降低成本,縮短上市時(shí)間,同時(shí)克服了SoC中諸如工藝兼容、信號(hào)混合、噪聲干擾、電磁干擾等難題。

3D封裝通過晶圓級(jí)互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間的高密度封裝,可以有效滿足高功能芯片超輕、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求,被大多半導(dǎo)體廠商認(rèn)為是最具有潛力的封裝方法。

總之,在市場需求的帶動(dòng)下,越來越多先進(jìn)封裝技術(shù)被開發(fā)出來,先進(jìn)封裝的市場占比將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,從2017年到2023年,整個(gè)半導(dǎo)體封裝市場的營收將以5.2%的年復(fù)合增長率增長,而先進(jìn)封裝市場將以7%的年復(fù)合增長率增長,市場規(guī)模到2023年將增長至390億美元,傳統(tǒng)封裝市場的復(fù)合年增長率則低于3.3%。

展現(xiàn)三大發(fā)展趨勢

隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展以及市場規(guī)模的擴(kuò)大,其對于整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生越來越大的影響。首先是中段工藝的出現(xiàn)并逐漸形成規(guī)模。隨著傳統(tǒng)封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝過渡,有別于傳統(tǒng)封裝技術(shù)的凸塊(Bumping)、再布線(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工藝被開發(fā)出來,并且開始發(fā)揮重要作用。中芯長電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官崔東表示,僅靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時(shí)滿足性能、功耗、面積,以及信號(hào)傳輸速度等多方面的要求,因此半導(dǎo)體企業(yè)開始把注意力放在系統(tǒng)集成層面來尋找解決方案,也就是通過先進(jìn)的硅片級(jí)封裝技術(shù),把不同工藝技術(shù)代的裸芯封裝在一個(gè)硅片級(jí)的系統(tǒng)里,兼顧性能、功耗和傳輸速度的要求。這就產(chǎn)生了在硅片級(jí)進(jìn)行芯片之間互聯(lián)的需要,進(jìn)而產(chǎn)生了凸塊、再布線、硅通孔等中段工藝。而中段硅片加工的出現(xiàn),也打破了前后段芯片加工的傳統(tǒng)分工方式。

其次,制造與封裝將形成新的競合關(guān)系。由于先進(jìn)封裝帶來的中段工藝,封測業(yè)和晶圓制造業(yè)有了更緊密的聯(lián)系,在帶來發(fā)展機(jī)遇的同時(shí),也面臨著新的挑戰(zhàn)。中段封裝的崛起必然擠壓晶圓制造或者封裝測試業(yè)的份額。有跡象表明,部分晶圓廠已加大在中段封裝工藝上的布局。晶圓廠有著技術(shù)和資本的領(lǐng)先優(yōu)勢,將對封測廠形成較大的競爭壓力。傳統(tǒng)封測廠較晶圓制造業(yè)相比屬于輕資產(chǎn),引入中段工藝后,設(shè)備資產(chǎn)比重較傳統(tǒng)封裝大大增加,封測業(yè)的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)和擴(kuò)產(chǎn)將面臨較大的資金壓力。

最后,推動(dòng)集成電路整體實(shí)力的提升。后摩爾時(shí)代的集成電路產(chǎn)業(yè)更強(qiáng)調(diào)產(chǎn)業(yè)鏈的緊密合作,強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈上下游之間的內(nèi)在聯(lián)系,要求各個(gè)環(huán)節(jié)不再是割裂地單獨(dú)進(jìn)行生產(chǎn)加工,而是要求從系統(tǒng)設(shè)計(jì)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、前段工藝技術(shù)和封測各個(gè)環(huán)節(jié)開展更加緊密的合作。企業(yè)對于先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的競爭,最終還需表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈之間綜合實(shí)力的競爭。

中國應(yīng)加快虛擬IDM生態(tài)鏈建設(shè)

近幾年中國集成電路封測產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了高速發(fā)展,有了長足的進(jìn)步,然而國內(nèi)集成電路封測產(chǎn)業(yè)鏈整體技術(shù)水平不高也是不爭的事實(shí)。半導(dǎo)體專家莫大康認(rèn)為,中國現(xiàn)在非常重視集成電路產(chǎn)業(yè),推動(dòng)先進(jìn)封裝業(yè)的發(fā)展就是非常必要的了。中國的封裝測試是集成電路三業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封測)中起步最早的,與國際水平差距也比較小,因此完全有能力發(fā)展起來。

華進(jìn)半導(dǎo)體總經(jīng)理曹立強(qiáng)在近日的演講中再次提出,推動(dòng)國內(nèi)“EDA軟件—芯片設(shè)計(jì)—芯片制造—芯片封測—整機(jī)應(yīng)用”集成電路產(chǎn)業(yè)鏈虛擬IDM生態(tài)鏈的建設(shè),以市場需求牽引我國集成電路封測產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。集成電路的競爭最終會(huì)表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈之間綜合實(shí)力的競爭,先進(jìn)封裝的發(fā)展需要從工藝、設(shè)備和材料等方面的協(xié)同。

在新的技術(shù)趨勢和競爭環(huán)境下,集成電路產(chǎn)業(yè)越來越表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈整體實(shí)力的競爭。過去幾年,國際半導(dǎo)體制造公司紛紛加大力度向先進(jìn)工藝挺進(jìn),在持續(xù)大規(guī)模資本投入擴(kuò)建產(chǎn)能的帶動(dòng)下,一些半導(dǎo)體制造大廠同樣具備了完整的先進(jìn)封裝制造能力。

應(yīng)對這樣的產(chǎn)業(yè)形勢,曹立強(qiáng)指出,重點(diǎn)在于突破一些關(guān)鍵性技術(shù),如高密度封裝關(guān)鍵工藝、三維封裝關(guān)鍵技術(shù)、多功能芯片疊層集成關(guān)鍵技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)封裝關(guān)鍵技術(shù)等。建設(shè)立足應(yīng)用、重在轉(zhuǎn)化、多功能、高起點(diǎn)的虛擬IDM產(chǎn)業(yè)鏈,解決集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),突破技術(shù)瓶頸。