據粵芯半導體官微報道，7月10日，國家集成電路產業(yè)投資基金股份有限公司、華芯投資管理有限責任公司、廣東省發(fā)改委等一行抵達廣州粵芯半導體技術有限公司位于中新廣州知識城的12英寸芯片廠建設現場調研。
值得注意的是，這是大基金領導在短短兩個月時間內第二次前往粵芯調研。據粵芯首席運營官韓瑞津介紹，截止到目前，機臺調試已經完成，驗收已經通過，兩個工藝的樣片已經產出。
針對首家落戶廣州的集成電路制造企業(yè)粵芯，大基金領導給出了三個方面的專業(yè)指導：
第一，粵芯的產品布局、獨特的市場定位以及粵芯已經在廣州地區(qū)產生了產業(yè)的龍頭作用。廣東的芯片市場需求迫切，期望粵芯盡快量產并擴大規(guī)模和產能。
第二，希望粵芯高度重視自主創(chuàng)新和知識產權的保護。既要尊重別人的產權，也要很好地利用和保護自己的產權。
第三，充分發(fā)揮廣州發(fā)展半導體產業(yè)的區(qū)域優(yōu)勢，發(fā)揮粵芯在產業(yè)中的龍頭優(yōu)勢。廣州是粵港澳大灣區(qū)的重要城市，城市環(huán)境和營商環(huán)境一流，產業(yè)體系配套完善，人才和資金優(yōu)勢明顯，市場需求強勁，城市集聚輻射能力強，在發(fā)展集成電路產業(yè)方面具有天然的地域優(yōu)勢。
據悉，廣州粵芯半導體技術有限公司于2017年12月在廣州開發(fā)區(qū)中新知識城設立，是國內第一座以虛擬IDM 為營運策略的12英寸芯片廠，也是廣州第一條12英寸芯片生產線。
粵芯半導體項目于2018年3月開始打樁，2018年10月按原計劃完成主廠房封頂。項目在達產后，可實現月產4萬片12英寸晶圓的生產能力。今年5月廣東衛(wèi)視報道曾指出，粵芯半導體將會在在6月投片、9月量產。根據目前消息來看，粵芯半導體進度正在按計劃有序進行。
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]]>近年來，張家港市堅持以科技創(chuàng)新引領產業(yè)轉型升級，大力發(fā)展新能源、新材料、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產業(yè)。制定出臺了先進特色半導體產業(yè)扶持政策，全力推動集成電路產業(yè)集群式發(fā)展。
6月29日下午，張家港市集成電路與產業(yè)發(fā)展大會召開，中國科學院EDA中心張家港分中心也在29日上午成功落戶。張家港副市長陸崇珉陸崇珉表示，張家港市將以最優(yōu)的服務、最全的配套，為集成電路產業(yè)高質量發(fā)展營造良好環(huán)境、創(chuàng)造便利條件。
集成電路產業(yè)是張家港市重點培育的戰(zhàn)略性新興產業(yè)。去年底，張家港市出臺了先進特色半導體全產業(yè)鏈發(fā)展的扶持政策，大力扶持集成電路產業(yè)做大做強。據統(tǒng)計，全市共有集成電路領域重點企業(yè)75家，2018年度銷售額超30億元。
張家港高新區(qū)成立以來，秉承“發(fā)展高科技、培育新產業(yè)”的光榮使命，把化合物半導體作為“一區(qū)一戰(zhàn)略”產業(yè)，以打造全球領先的化合物半導體協(xié)同創(chuàng)新平臺、全球最大的半導體照明（LED）產業(yè)基地、全球知名的化合物半導體和集成電路產業(yè)基地等“一平臺兩基地”為重點，全力打造“化合物半導體世界之都”。
目前，張家港高新區(qū)已集聚集成電路相關企業(yè)30余家，與上海集成電路技術與產業(yè)促進中心、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國寬禁帶功率半導體及應用產業(yè)聯(lián)盟等行業(yè)知名機構已達成深度合作，建成各類創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)載體平臺超50萬平米。
]]>近年來，張家港市堅持以科技創(chuàng)新引領產業(yè)轉型升級，大力發(fā)展新能源、新材料、高端裝備制造等戰(zhàn)略性新興產業(yè)。制定出臺了先進特色半導體產業(yè)扶持政策，全力推動集成電路產業(yè)集群式發(fā)展。
6月29日下午，張家港市集成電路與產業(yè)發(fā)展大會召開，中國科學院EDA中心張家港分中心也在29日上午成功落戶。張家港副市長陸崇珉陸崇珉表示，張家港市將以最優(yōu)的服務、最全的配套，為集成電路產業(yè)高質量發(fā)展營造良好環(huán)境、創(chuàng)造便利條件。
集成電路產業(yè)是張家港市重點培育的戰(zhàn)略性新興產業(yè)。去年底，張家港市出臺了先進特色半導體全產業(yè)鏈發(fā)展的扶持政策，大力扶持集成電路產業(yè)做大做強。據統(tǒng)計，全市共有集成電路領域重點企業(yè)75家，2018年度銷售額超30億元。
張家港高新區(qū)成立以來，秉承“發(fā)展高科技、培育新產業(yè)”的光榮使命，把化合物半導體作為“一區(qū)一戰(zhàn)略”產業(yè)，以打造全球領先的化合物半導體協(xié)同創(chuàng)新平臺、全球最大的半導體照明（LED）產業(yè)基地、全球知名的化合物半導體和集成電路產業(yè)基地等“一平臺兩基地”為重點，全力打造“化合物半導體世界之都”。
目前，張家港高新區(qū)已集聚集成電路相關企業(yè)30余家，與上海集成電路技術與產業(yè)促進中心、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國寬禁帶功率半導體及應用產業(yè)聯(lián)盟等行業(yè)知名機構已達成深度合作，建成各類創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)載體平臺超50萬平米。
]]>近日，南京威派視半導體技術有限公司完成工商注冊登記，正式落戶江寧區(qū)麒麟高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)。這是我市啟動實施“兩落地一融合”工程以來，又一個重大科研成果實現產業(yè)化落地的企業(yè)，企業(yè)的成立模式也為我市新型研發(fā)機構原創(chuàng)突破技術產業(yè)化實現路徑提供了經驗。?
南京威派視半導體技術有限公司由南京大學VPS （垂直電荷轉移成像技術）科研團隊、新型研發(fā)機構吉相傳感成像技術研究院和市區(qū)兩級基金等各方共同出資成立，經營范圍為：半導體器件、電子產品、醫(yī)療器材研發(fā)、生產、銷售、技術轉讓；集成電路設計；互聯(lián)網技術、信息技術、軟件研發(fā)、技術咨詢、技術服務；計算機系統(tǒng)集成；數據處理和存儲服務。?
垂直電荷轉移成像技術是一項重大科研成果，該技術產品化、產業(yè)化后，先期將應用于手機、監(jiān)控等產品，有望打破國外廠商在圖像傳感器領域的長期壟斷，建設一個具有全國示范效應、自主可控的技術地標。?
科研成果產業(yè)化，對于科研團隊來說，充足的資金必不可少。市發(fā)改委工業(yè)處介紹，為助力VPS技術走出學校大門，從實驗室走向市場，實現產業(yè)化轉化，市發(fā)改委積極對接協(xié)調相關資源，開展模式創(chuàng)新和路徑探索，在充分保護科學家團隊利益的同時，實現了政府基金助力重大科技成果迅速產業(yè)化落地。南京威派視半導體技術有限公司注冊資本為13333萬元。其中，科學家團隊和新型研發(fā)機構共持投55%，占了“大頭”；市區(qū)兩級政府基金共持股45%。
]]>5月28日，崇達技術股份有限公司（以下簡稱“崇達技術”）發(fā)布公告，稱公司近日與南通高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會經友好協(xié)商，簽署了《投資協(xié)議書》，擬通過招拍掛程序獲得相關土地使用權的形式建設“半導體元器件制造及技術研發(fā)中心”項目，項目公司注冊資本2.1億元。
據披露，崇達科技擬以自有資金2.1億元在南通高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)設立全資子公司南通崇達半導體技術有限公司（暫定名，最終以工商行政管理機關核準登記名稱為準，以下簡稱“南通崇達”），崇達科技將持有南通崇達100%股權。
南通崇達設立后，經營范圍為研發(fā)、生產、銷售半導體元件、IC載板、集成電路封裝基板、5G高頻高速電路板、HDI電路板、特種新型電路板、光電子元器件、以及電子模塊模組封裝、芯片封裝測試。（以行政審批局核定為準）
崇達科技表示，南通崇達的設立，將承載公司“半導體元器件制造及技術研發(fā)中心”的使命，完成公司PCB全系列產品的覆蓋，并實現從IC載板躍遷至IC相關產業(yè)，實現產業(yè)報國的夢想，該項目的建設符合公司長期發(fā)展戰(zhàn)略和愿景規(guī)劃。
]]>近日，三星電子發(fā)布其3nm工藝技術路線圖，與臺積電再次在3nm節(jié)點上展開競爭。3nm以下工藝一直被公認為是摩爾定律最終失效的節(jié)點，隨著晶體管的縮小將會遇到物理上的極限考驗。而臺積電與三星電子相繼宣布推進3nm工藝則意味著半導體工藝的物理極限即將受到挑戰(zhàn)。未來，半導體技術的演進路徑將受到關注。
三星計劃2021年量產3nmGAA工藝
三星電子在近日舉辦的“2019三星代工論壇”（Samsung Foundry Forum 2019）上，發(fā)布新一代3nm閘極全環(huán)（GAA，Gate-All-Around）工藝。外界預計三星將于2021年量產3nm GAA工藝。
根據Tomshardware網站報道，三星晶圓代工業(yè)務市場副總Ryan Sanghyun Lee表示，三星從2002年以來一直在開發(fā)GAA技術，通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，從而實現3nm工藝的制造。
如果將3nm工藝和新近量產的7nmFinFET相比，芯片面積能減少45％左右，同時減少耗電量50％，并將性能提高35％。當天的活動中，三星電子將3nm工程設計套件發(fā)送給半導體設計企業(yè)，并共享人工智能、5G移動通信、無人駕駛、物聯(lián)網等創(chuàng)新應用的核心半導體技術。
相關資料顯示，目前14/16nm及以下的工藝多數采用立體結構，就是鰭式場效晶體管（FinFET），此結構的晶體管內部通道是豎起來而被閘極包圍的，因為形狀像魚類的鰭而得名，如此一來閘極偏壓便能有效調控通道電位，因而改良開關特性。但是FinFET在經歷了14/16nm、7/10nm這兩個工藝世代后，不斷拉高的深寬比（aspect ratio），讓前道工藝已逼近物理極限，再繼續(xù)微縮的話，電性能的提升和晶體管結構上都將遇到許多問題。
因此學術界很早就提出5nm以下的工藝需要走“環(huán)繞式閘極”的結構，也就是FinFET中已經被閘極三面環(huán)繞的通道，在GAA中將是被閘極四面包圍，預期這一結構將達到更好的供電與開關特性。只要靜電控制能力增加，閘極的長度微縮就能持續(xù)進行，摩爾定律重新獲得延續(xù)。
此次，三星電子3nm制程將使用GAA技術，并推出MBCFET，目的是確保3nm的實現。不過，三星電子也表示，3nm工藝閘極立體結構的實現還需要Pattern顯影、蒸鍍、蝕刻等一系列工程技術的革新，并且為了減少寄生電容還要導入替代銅的鈷、釕等新材料，因此還需要一段時間。
臺積電、三星競爭尖端工藝制高點
臺積電也在積極推進3nm工藝。2018年臺積電便宣布計劃投入6000億新臺幣興建3nm工廠，希望在2020年動工，最快于2022年年底開始量產。日前有消息稱，臺積電3nm制程技術已進入實驗階段，在GAA技術上已有新突破。4月18日，在第一季度財報法說會中，臺積電指出其3nm技術已經進入全面開發(fā)階段。
在ICCAD2018上，臺積電副總經理陳平強調，從1987年開始的3μm工藝到如今的7nm工藝，邏輯器件的微縮技術并沒有到達極致，還將繼續(xù)延伸。他還透露，臺積電最新的5nm技術研發(fā)順利，明年將會進入市場，而更高級別的3nm技術研發(fā)正在繼續(xù)。
實際上，臺積電和三星電子兩大公司一直在先進工藝上展開競爭。去年，臺積電量產了7nm工藝，今年則計劃量產采用EUV光刻工藝的第二代7nm工藝（N7+），2020年將轉向5nm。有消息稱，臺積電已經開始在其Fab 18工廠上進行風險試產，2020年第二季度正式商業(yè)化量產。
三星電子去年也公布了技術路線圖，而且比臺積電更加激進。三星電子打算直接進入EUV光刻時代，去年計劃量產了7nm EUV工藝，之后還有5nm工藝。3nm則是兩大公司在這場工藝競逐中的最新賽程。而就以上消息來看，三星將早于臺積電一年推出3nm工藝。然而最終的贏家是誰現在還不能確定。
摩爾定律終結之日將會到來？
雖然臺積電與三星電子已經開始討論3nm的技術開發(fā)與生產，但是3nm之后的硅基半導體工藝路線圖，無論臺積電、三星電子，還是英特爾公司都沒有提及。這是因為集成電路加工線寬達到3nm之后，將進入介觀（Mesoscopic）物理學的范疇。資料顯示，介觀尺度的材料，一方面含有一定量粒子，無法僅僅用薛定諤方程求解；另一方面，其粒子數又沒有多到可以忽略統(tǒng)計漲落（Statistical Floctuation）的程度。這就使集成電路技術的進一步發(fā)展遇到很多物理障礙。此外，漏電流加大所導致的功耗問題也難以解決。
那么，3nm以下真的會成為物理極限，摩爾定律將就此終結嗎？實際上，之前半導體行業(yè)發(fā)展的幾十年當中，業(yè)界已經多次遇到所謂的工藝極限問題，但是這些技術頸瓶一次次被人們打破。
近日，有消息稱，IMEC和光刻機霸主ASML計劃成立一座聯(lián)合研究實驗室，共同探索在后3nm節(jié)點的nm級元件制造藍圖。雙方合作將分為兩個階段：第一階段是開發(fā)并加速極紫外光（EUV）技術導入量產，包括最新的EUV設備準備就緒；第二階段將共同探索下一代高數值孔徑（NA）的EUV技術潛力，以便能夠制造出更小型的nm級元件，推動3nm以后的半導體微縮制程。
然而，衡量摩爾定律發(fā)展的因素，從來就不只是技術這一個方面，經濟因素始終也是公司必須考量的重點。從3nm制程的開發(fā)費用來看，至少耗資40億至50億美元，4萬片晶圓的晶圓廠月成本將達150億至200億美元。如前所述，臺積電計劃投入3nm的資金即達6000億新臺幣，約合190億美元。此外，設計成本也是一個問題。研究機構分析稱，28nm芯片的平均設計費用為5130美元，而采用FinFET技術的7nm芯片設計費用為2.978億美元，3nm芯片工程的設計費用將高達4億至15億美元。設計復雜度相對較高的GPU等芯片設計費用最高。半導體芯片的設計費用包含IP、Architecture、檢查、物理驗證、軟件、試產品制作等。因此，業(yè)內一直有聲音質疑，真的可以在3nm甚至是2nm找到符合成本效益的商業(yè)模式嗎？
]]>5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項目開工活動在濟南槐蔭經濟開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導體產業(yè)小鎮(zhèn)位于濟南槐蔭經濟開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟南國際醫(yī)學中心，是濟南實施北跨發(fā)展和新舊動能轉換先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝，將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產業(yè)先進智造區(qū)”和“半導體生態(tài)科技城”三大功能區(qū)，打造寬禁帶半導體產業(yè)技術領先高地。
濟南寬禁帶半導體產業(yè)小鎮(zhèn)被省市列入新舊動能轉換產業(yè)布局，山東省將“支持濟南發(fā)展以碳化硅為代表的寬禁帶半導體產業(yè)，建設寬禁帶半導體小鎮(zhèn)，打造全球領先的寬禁帶半導體產業(yè)高地。”納入《山東省新一代信息技術產業(yè)專項規(guī)劃（2018-2022年）》。濟南市政府出臺《濟南市支持寬禁帶半導體產業(yè)加快發(fā)展的若干政策措施 》，明確在濟南槐蔭經濟開發(fā)區(qū)規(guī)劃建設寬禁帶半導體小鎮(zhèn)，著力打造具有國際影響力的寬禁帶半導體研發(fā)基地和產業(yè)聚集區(qū)。
濟南寬禁帶半導體產業(yè)小鎮(zhèn)將建成國際先進的（超）寬禁帶半導體研發(fā)、檢測和服務公共平臺，培育、引進一批掌握核心技術、具有國際競爭力和影響力的品牌企業(yè)；帶動形成基于寬禁帶半導體的電力電子、微波電子、大功率半導體照明生產、應用系統(tǒng)為核心的千億級產業(yè)集群，推動新舊動能轉換。 ”槐蔭區(qū)工業(yè)園區(qū)相關負責人表示。
據了解， 小鎮(zhèn)起步區(qū)規(guī)劃用地面積202.1畝，規(guī)劃建筑面積37.5萬平方米，主要包括建設寬禁帶半導體研發(fā)總部，打造國際領先的研發(fā)平臺，正在籌建的山東大學濟南寬禁帶半導體產業(yè)研究院設在研發(fā)樓；建設標準廠房，引進高質量寬禁帶半導體產業(yè)項目并為孵化項目提供載體；同時配套專家公寓，服務于小鎮(zhèn)引進的高科技人才。建成后將承接京津冀和環(huán)渤海都市圈、半島藍色經濟帶產業(yè)升級，成為濟南市乃至全省的科技創(chuàng)新策源地、新動能先行示范區(qū)、科技助力城市升級的典范。
下一步，小鎮(zhèn)將以打造半導體產業(yè)生態(tài)鏈、建立寬禁帶半導體技術領先高地、構建寬禁帶半導體創(chuàng)新應用集群為發(fā)展路徑，分近中遠三期推進：近期（到2022年）以初具雛形、特色顯現為目標，形成寬禁帶半導體技術引領高地；中期（到2025年）以規(guī)模集聚、生態(tài)塑造為目標，形成寬禁帶半導體產業(yè)生態(tài)鏈；遠期（到2030年）以全國知名、應用拓展為目標，形成寬禁帶半導體應用領域集群，全面打造成為技術引領、生態(tài)完善、應用拓展的山東領先、全國知名寬禁帶半導體產業(yè)特色小鎮(zhèn)。
]]>江蘇中企教育科技股份有限公司（以下簡稱“江蘇中企教育”）官微消息顯示，5月13日江蘇省工信廳與SK海力士集團聯(lián)合發(fā)起的“打造江蘇省半導體人才培養(yǎng)平臺”簽約儀式在無錫SK海力士集團總部舉行。
據介紹，江蘇省半導體人才培養(yǎng)平臺由江蘇省工信廳牽頭，聯(lián)合以SK海力士為首的半導體知名企業(yè)、江蘇省內高校，共同搭建半導體產業(yè)人才培養(yǎng)、評價、就業(yè)、交流的平臺，計劃用3年時間為江蘇半導體產業(yè)培養(yǎng)卓越工程師100名、精英技術骨干人才250名，幫助產業(yè)解決高端人才急缺、招人難、用人難的問題，也為省內高校生提供更多的行業(yè)實踐及就業(yè)機會。
簽約儀式現場，江蘇中企教育作為該計劃的組織方和運營、實施方，代表省工信廳與SK集團簽訂了平臺打造的合作協(xié)議。在培養(yǎng)人才過程中，江蘇中企教育將組織半導體企業(yè)、高校等各方實現產學研深度融合，形成良好循環(huán)的合作關系，最終實現多方的共贏，助力江蘇半導體產業(yè)的發(fā)展。
眾所周知，中國半導體產業(yè)在迅速發(fā)展的同時亦面臨著巨大的人才缺口，江蘇省作為全國半導體產業(yè)大省、無錫亦為國家微電子產業(yè)南方基地，江蘇省是半導體人才最緊缺的地區(qū)之一，近年來華虹無錫、SK海力士等重大項目的落戶，更是加劇了該省的人才供給緊張情況。
為緩解人才緊張，江蘇省正通過與半導體企業(yè)、高校等合作培養(yǎng)人才。此前SK海力士曾與東南大學、南京大學分別與無錫高新區(qū)、簽訂有關集成電路人才培養(yǎng)合作協(xié)議，江蘇省工信廳副廳長李強表示，希望通過此次與SK海力士的合作，共同推動江蘇半導體產業(yè)人才的培養(yǎng)。
]]>由于半導體發(fā)展趨勢，在相同晶圓面積下填入更多晶體管，勢必使線寬逐漸微縮，但尺寸微縮卻有限制，其閘極線寬極限約在3～5nm間(線寬愈小則電阻值愈大)，使得科學家試圖找尋在不微縮線寬尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩爾定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶絕緣體技術，即為解決方法之一。
所謂SOI技術是由Si晶圓透過特殊氧化反應，使氧化層(Buried Oxide)形成于Si層與Si晶圓間，最終產生Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結構，由于SOI的半導體特性(低功耗、高性價比與低制造周期等)，使得元件擁有取代線寬較大(16-12nm)之FinFET結構優(yōu)勢。
磊晶技術發(fā)展，無助于SOI生成上之演進
SOI的發(fā)展脈絡可追朔至1960年中后期，由于半導體為了追求適當的絕緣材料作為基板，逐漸開發(fā)出以藍寶石基板為基礎而成長的Si磊晶層SOS(Silicon on Sapphire)技術，為SOI原型，但由于藍寶石基板價格昂貴，目前已較無人使用此技術。
另一方面，日商Canon也于2000年初，針對SOI技術開發(fā)ELTRAN(Epitaxial Layer TRANsfer)成長方法，雖然SOI最上層之Si層材料可由磊晶方式成長，且條件易于控制，但整套流程需經陽極氧化(形成多孔性Si層)、磊晶、高溫氧化、鍵結、分離蝕刻與氫氣退火等步驟，過程十分繁瑣，因而這項技術最后也無疾而終。
若以現階段SOI生成技術評估，主要可分為離子布植及晶圓接合等方式進行，相關技術有以下幾種：SIMOX(Separation by IMplanted OXygen)、BESOI(Bond and Etch-back SOI)與Smart-Cut等，作為后續(xù)供應現行SOI晶圓之方法。
三大SOI生成方法，以Smart-Cut技術獨步群雄
以SIMOX技術為例，成長SOI方法主要透過離子布植機，將大量氧離子(O+ ions)打入Si晶圓前緣部分，再透過高溫退火(1,300℃)使其產生氧化層，最終形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結構。
該技術制作的SOI雖較容易，但由于氧離子于離子布植時，難以穿透Si晶圓達到深處，使得Si層只有約50～240nm厚度，因此后續(xù)還需經由磊晶成長方式，使Si層厚度增加，達到SOI元件所需的要求。
BESOI成長方式是先透過兩片Si晶圓，經高溫氧化后形成兩片表面氧化層的結構(SiO2/Si Substrate)，再將兩片氧化層相互接合并加熱(1,100℃)，使其產生鍵結與退火，最終經CMP研磨后形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結構。盡管Si層的厚度已較SIMOX技術相對好控制，但兩片氧化層接合之鍵結良率，仍是SOI晶圓產能的決定關鍵，需大量時間研磨除去多余Si層。
而Smart-Cut技術則為法國SOITEC開發(fā)的方法，可有效加速SOI制作速率。Smart-Cut前半部分將如BESOI技術一般，先將兩片Si晶圓經高溫氧化形成表面氧化層，然后將其中一片的氧化層以離子布植機打入大量氫離子(H+)，隨后再將兩片氧化層以親水性鏈結(Hydrophilic Bonding)方式相互接合，并加熱至400～600℃使氫離子層產生斷裂，分離多余的Si層，最終經退火(1,100℃)與CMP研磨后，形成Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate結構。
借由Smart-Cut方法，確實有效縮減CMP研磨時間(經氫離子層斷裂后留下之Si層變薄的緣故)，但兩片氧化層的接合鍵結良率仍是SOI決定要素，盡管如此，Smart-Cut還是能大幅提高SOI晶圓的生成速率，有效降低SOI晶圓成本，并得以驅使現行的光通訊元件、物聯(lián)網與車用芯片領域加速發(fā)展。
日前，全國政協(xié)十三屆二次會議召開，民進中央建議將半導體集成電路相關學科歸并成為一級學科的提案引起了重大關注，集成電路產業(yè)的人才緊缺問題再次成為業(yè)界討論焦點。
人才需求旺盛，節(jié)后招聘火熱
日前人力資源服務商前程無憂發(fā)布了2019年春節(jié)后人才市場供需行情。據其統(tǒng)計，2月15日~2月28日期間，在前程無憂上日均社招崗位已近600萬個（非畢業(yè)生招聘），在其60個大行業(yè)分類中，電子技術/半導體/集成電路行業(yè)居節(jié)后新增職位發(fā)布量前五。
數據顯示，電子技術/半導體/集成電路行業(yè)新增7.1萬個，保持了旺盛的人才需求，在開發(fā)和應用的兩端，從研發(fā)到生產，在人才質量和數量上都有著較大的增量缺口，兩周內招聘職位的發(fā)布量比去年同期增加了20%。
除了在招聘平臺上發(fā)布招聘信息，不少企業(yè)在線下也忙活著舉辦招聘會。3月3日，國內集成電路重點城市無錫舉辦了今年首場重點企業(yè)專場招聘會，針對性地邀約了中科芯、SK海力士系統(tǒng)集成電路等重點企業(yè)參會。
在招聘會上，SK海力士系統(tǒng)集成電路的招聘專員向媒體透露，公司新成立不久，主要生產8英寸晶圓，廠房等基建工程預計今年底完工，人才儲備是第一要緊事，目前缺口技術工程師、行政、一線操作工等各崗位人員近500人。
中科芯的招聘專員亦透露，該公司集成電路項目發(fā)展迎來“爆發(fā)期”，新增項目200多個，公司高層次人才缺口達600人，其中碩士及以上學歷的技術工程師缺500人。該人員表示，今年起公司重點招博士，需要微電子等相關專業(yè)的博士100人。
據悉，中科芯還會參與到高校招生的環(huán)節(jié)中去，讓學生入學時就能到公司實習，理論和業(yè)務兩手抓，第一批培養(yǎng)的人才即將于2020年畢業(yè)。
推動集成電路成為一級學科
如中科芯提前到高?！邦A定”人才的舉措，側面反映了國內集成電路人才的嚴重匱乏，同時亦體現了產教融合的重要性。
眾所周知，國內集成電路產業(yè)人才嚴重短缺。2018年8月，CCID與CSIP聯(lián)合發(fā)布《中國集成電路產業(yè)人才白皮書（2017-2018）》，白皮書統(tǒng)計顯示，截止到2017年底，我國集成電路產業(yè)從業(yè)人員規(guī)模約為40萬人，到2020年前后，我國集成電路行業(yè)人才需求規(guī)模約為72萬人，存在著30萬人才缺口。
正所謂人才強則產業(yè)強，中國發(fā)展集成電路產業(yè)離不開人才，除了引進海外人才外，本土培養(yǎng)方為解決問題的核心所在，業(yè)界呼吁集成電路產教融合、學科升級，這一議題日前出現在火熱召開的兩會中。
3月3日，全國政協(xié)十三屆二次會議在京召開，民進中央向本次會議提交黨派提案46件，其中包括《關于以產教融合加快半導體集成電路人才培養(yǎng)的提案》（以下簡稱《提案》）。
《提案》闡述了中國發(fā)展集成電路產業(yè)的重要性，指出發(fā)展關鍵在于人才，并認為目前國內集成電路產業(yè)人才數量嚴重不足，無法滿足產業(yè)發(fā)展需求，且人才結構不合理，無法滿足自主、核心、關鍵技術的創(chuàng)新發(fā)展需要。
基于目前產業(yè)人才現狀，《提案》提出建議，大力推進半導體集成電路領域的產教融合，充分發(fā)揮企業(yè)在人才培養(yǎng)中的決定性作用，調動高校、職業(yè)學院以及社會力量，形成合力，加快中國半導體集成電路高、中、低等各層面人才培養(yǎng)。
《提案》提出了四點具體建議，包括重點推進產教融合，支持國內半導體集成電路企業(yè)與高校聯(lián)合辦學，面向產業(yè)急需，成立“硬件學院”，培養(yǎng)半導體集成電路中高級專業(yè)人才；快速推進半導體集成電路領域的網絡教育、職業(yè)教育和繼續(xù)教育，規(guī)模培養(yǎng)產業(yè)所需的研發(fā)、生產、測試、應用的專業(yè)人才隊伍；積極推動微電子等半導體集成電路相關學科歸并成為一級學科；與企業(yè)合作加強半導體集成電路科學普及與應用推廣。
事實上，去年中科院院士王陽元亦曾呼吁將微電子學科升級為一級學科，他認為要培養(yǎng)集成電路產業(yè)人才必須對現有的人才評估體系、學科分布設置、師資隊伍建設、課程體系、教學與產業(yè)相結合等方面進行深化改革，升級為一級學科才能更好地配置資源。
人才培養(yǎng)已成為集成電路企業(yè)、高校、國家政府的重要議題，期待在社會各界的努力下，國內集成電路產業(yè)人才早日實現供需平衡。
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