耐威科技8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)

耐威科技8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)

9月10日,北京耐威科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“耐威科技”)發(fā)布公告稱,公司控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目(一期)已達(dá)到投產(chǎn)條件,于2019年9月10日正式投產(chǎn)。聚能晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn),聚能晶源僅僅用了一年多的時(shí)間。

國(guó)家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示,聚能晶源成立于2018年6月,注冊(cè)資本5000萬(wàn)元,由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè),其中耐威科技持股40%,青島海絲民和持股24%,袁理持股20%,青島民芯持股16%。主要從事半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。

根據(jù)耐威科技此前公告,聚能晶源預(yù)計(jì)本項(xiàng)目投資總額不少于約2億元人民幣:2018年年底前投資總額不低于5000萬(wàn)元人民幣,2020年底前投資總額不低于1.5億元人民幣。未來(lái)產(chǎn)品線將覆蓋功率與微波器件應(yīng)用,打造世界級(jí)氮化鎵(GaN)材料公司,項(xiàng)目主要產(chǎn)品有面向功率器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片,以及面向微波器件應(yīng)用的氮化鎵(GaN)外延片等。

耐威科技指出,聚能晶源項(xiàng)目已投資5,200萬(wàn)元人民幣,項(xiàng)目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬(wàn)片6-8英寸GaN外延晶圓,既可生產(chǎn)提供標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的GaN外延晶圓,也可根據(jù)客戶需求開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)定制化外延晶圓,項(xiàng)目的投產(chǎn)將有利于聚能晶源正式進(jìn)入并不斷開(kāi)拓第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng),同時(shí)有利于公司GaN功率與微波器件設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)的發(fā)展,最終增強(qiáng)公司在第三代半導(dǎo)體及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。據(jù)了解,聚能晶源項(xiàng)目已經(jīng)被評(píng)為青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。

耐威科技董事長(zhǎng)楊云春介紹,耐威科技自上市以來(lái),積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局,重點(diǎn)發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù);其中在GaN領(lǐng)域,耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司,專注GaN外延材料的研發(fā)生長(zhǎng);在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司,專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。

尹志堯: 要加大半導(dǎo)體材料與設(shè)備投資力度

尹志堯: 要加大半導(dǎo)體材料與設(shè)備投資力度

近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司董事長(zhǎng)兼CEO尹志堯表示,全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),在2013年到2018年增長(zhǎng)了兩倍,從318億美金的市場(chǎng)變了621億美金的市場(chǎng)。而我國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),2013年規(guī)模是34億美元,2018年為128億美元,增長(zhǎng)了4倍。中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備廠商迎來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。

尹志堯認(rèn)為人類工業(yè)的革命只有兩代,一是從五六百年英國(guó)開(kāi)始的手工勞動(dòng)變成機(jī)械化的工業(yè)革命。二是上世紀(jì)五六十年代從美國(guó)硅谷開(kāi)始的用電腦替代人腦的工業(yè)革命,現(xiàn)在已經(jīng)不僅僅是電腦,而是用各種各樣的微觀器件代替人的腦子和人的一切感官。

而在這個(gè)過(guò)程中有三個(gè)基本要素:微觀的材料就是化學(xué)薄膜、物理薄膜等。微觀加工即光刻、等離子體刻蝕等。新能源及節(jié)能包括核能、太陽(yáng)能、LED等。美國(guó)最近有一個(gè)預(yù)測(cè),到明年數(shù)碼時(shí)代的產(chǎn)值相當(dāng)于全世界企業(yè)總產(chǎn)值的41%,預(yù)計(jì)到2035年可能數(shù)碼產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值會(huì)超過(guò)傳統(tǒng)工業(yè)的產(chǎn)值。在這樣一個(gè)巨大的數(shù)碼產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)里,是被芯片產(chǎn)業(yè)支撐的,所以芯片產(chǎn)業(yè)非常重要。而在芯片產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體設(shè)備是起了非常核心的作用。在如果建一條生產(chǎn)線,投資設(shè)備的百分比是刻蝕設(shè)備占20%,最高占到25%,薄膜占15%,最高占到15%,檢測(cè)設(shè)備最高占到13%。

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),在2013年到2018年增長(zhǎng)了兩倍,從318億美金的市場(chǎng)變了621億美金的市場(chǎng)。而我國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng),2013年規(guī)模是34億美元,2018年為128億美元,增長(zhǎng)了4倍。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備和材料的增長(zhǎng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于國(guó)際市場(chǎng)。

最近五年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)了一些新的趨勢(shì)也對(duì)設(shè)備市場(chǎng)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)和機(jī)會(huì),比如存儲(chǔ)器件從2D 到3D 結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變使等離子體刻蝕成為最關(guān)鍵的加工步驟,3D 閃存器件從64對(duì)到128對(duì)氧化硅/氮化硅層狀結(jié)構(gòu),需要CVD多層沉積和極深寬比等離子體刻蝕,這樣給CVD薄膜設(shè)備提供了新的機(jī)會(huì),因?yàn)樵瓉?lái)是兩維的,光刻完了薄膜刻,3:1:1的次序,現(xiàn)在做非常深孔,現(xiàn)在要刻一個(gè)小時(shí),很自然的薄膜市場(chǎng)就會(huì)漲得很快。5納米器件總加工步驟是20納米器件加工的2倍,等離子體刻蝕步驟是3倍。

尹志堯?qū)χ袊?guó)發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備材料的產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出了五點(diǎn)建議:一是我國(guó)在芯片生產(chǎn)線的投資和在設(shè)備和材料的投資嚴(yán)重的不對(duì)稱。建議芯片生產(chǎn)線投資,芯片設(shè)計(jì)、應(yīng)用公司、設(shè)備材料的投資要達(dá)到60:20:20 的比例,而不是設(shè)備和材料投資不到芯片生產(chǎn)線投資的二十分之一。

二是資金的投入,必須在股本金、長(zhǎng)期低息貸款和研發(fā)資助上有合理的搭配。目前幾乎全部是股本金的資本結(jié)構(gòu)是很不健康的。最好的搭配是40%股本金,40%低息貸款,20%的研發(fā)資助。國(guó)內(nèi)公司靠自己的銷售支撐的研發(fā)費(fèi)用,是很難迎頭趕上的。

三是在我國(guó)的設(shè)備和材料公司一定要盡快的合并集中,統(tǒng)一步調(diào),提高管理水平,提高研發(fā)能力,實(shí)現(xiàn)趕超和跨越發(fā)展。

四是集成電路和泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的每一個(gè)環(huán)節(jié)和公司都要主動(dòng)地推動(dòng)本土化的進(jìn)程,制定本土化率的指標(biāo),盡快的協(xié)助上下游企業(yè)提供本土化的解決方案。

五是愿意和國(guó)內(nèi)設(shè)備和材料公司合作的國(guó)際設(shè)備材料公司,我們應(yīng)該采取歡迎的態(tài)度,通過(guò)各種合作方式,包括代理,合作,合資,并購(gòu)等方式,幫助他們本土化,使他們能積極參與我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

耐威科技:聚能晶源8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)

耐威科技:聚能晶源8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)

9月10日,聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)公司廠區(qū)舉行。據(jù)天眼查顯示,耐威科技持有公司40%股份,耐威科技董事長(zhǎng)楊云春也是聚能晶源董事長(zhǎng)。

耐威科技業(yè)務(wù)板塊有三,分別是MEMS、導(dǎo)航、航空電子,另外,公司也在布局第三代半導(dǎo)體、無(wú)人系統(tǒng)等潛力業(yè)務(wù)。而此次投產(chǎn)的聚能晶源,就是公司布局的第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

楊云春現(xiàn)場(chǎng)表示,耐威科技自上市以來(lái),積極在物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域進(jìn)行布局,重點(diǎn)發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務(wù);其中在GaN領(lǐng)域,耐威科技在即墨投資設(shè)立了聚能晶源公司,專注GaN外延材料的研發(fā)生長(zhǎng);在嶗山投資設(shè)立了聚能創(chuàng)芯公司,專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)。從入駐到項(xiàng)目建成投產(chǎn),聚能晶源僅僅用了一年多的時(shí)間。

楊云春稱,耐威科技希望能以此為契機(jī),積極把握第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇,在青島繼續(xù)建設(shè)第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地及器件設(shè)計(jì)中心,繼續(xù)為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)自己的力量。

盛世投資管理合伙人劉新玉介紹,第三代半導(dǎo)體材料具備獨(dú)特性能,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程中具有重要的戰(zhàn)略意義,作為股東與戰(zhàn)略合作伙伴,很高興見(jiàn)到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料項(xiàng)目能夠迅速建成投產(chǎn),希望該項(xiàng)目今后能夠?yàn)楫a(chǎn)業(yè)發(fā)展、為地區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

聚能晶源總經(jīng)理袁理博士正式發(fā)布了多系列6-8英寸GaN外延晶圓產(chǎn)品,并對(duì)項(xiàng)目及產(chǎn)品做了相關(guān)介紹。

聚能晶源此次發(fā)布的相關(guān)產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓,可滿足下一代功率與微波電子器件對(duì)于大尺寸、高質(zhì)量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求,為5G通訊、云計(jì)算、新型消費(fèi)電子、智能白電、新能源汽車等領(lǐng)域提供核心元器件的材料保障。

聚能晶源項(xiàng)目掌握全球領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長(zhǎng)技術(shù)。在功率器件應(yīng)用領(lǐng)域,產(chǎn)品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時(shí),聚能晶源將自有先進(jìn)8英寸GaN外延技術(shù)創(chuàng)新性地應(yīng)用在微波領(lǐng)域,開(kāi)發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標(biāo)準(zhǔn)8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外,聚能晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓產(chǎn)品線,滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓產(chǎn)品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質(zhì)量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點(diǎn)。同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是,聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性,根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)TDDB測(cè)試方法,其在標(biāo)稱耐壓值下的長(zhǎng)時(shí)有效壽命達(dá)到了10的9次方小時(shí),處于國(guó)際業(yè)界領(lǐng)先水平。

興業(yè)證券一名通信行業(yè)分析師告訴證券時(shí)報(bào).e公司,作為第三代半導(dǎo)體材料,與前兩代相比,氮化鎵具有諸多優(yōu)勢(shì),應(yīng)用前景較廣。

聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月,是由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導(dǎo)體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同投資成立的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)與制造企業(yè)。項(xiàng)目一期建成產(chǎn)能為年產(chǎn)1萬(wàn)片6-8英寸GaN外延晶圓。

“合肥造”高端硅零部件將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

“合肥造”高端硅零部件將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白

2018世界制造業(yè)大會(huì)期間,合盟精密工業(yè)(合肥)有限公司集成電路配套產(chǎn)業(yè)園建設(shè)項(xiàng)目落戶合肥經(jīng)開(kāi)區(qū),為合肥“中國(guó)IC之都”再添新引擎。如今項(xiàng)目生產(chǎn)的半導(dǎo)體硅材加工制品已進(jìn)入樣品試制階段,將填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端硅零部件產(chǎn)品方面的空白。

走進(jìn)合肥經(jīng)開(kāi)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)園,一派如火如荼的建設(shè)景象映入眼簾。在合盟精密明亮整潔的生產(chǎn)車間內(nèi),硅原材料初始加工后,經(jīng)過(guò)鉆孔、拋光、清洗等一系列工藝流程,進(jìn)入包裝出貨環(huán)節(jié)?!氨热缜逑吹炔襟E要在無(wú)塵的潔凈室內(nèi)完成,對(duì)溫度和濕度有著較高的要求?!焙厦司芄I(yè)(合肥)有限公司總經(jīng)理鄭人豪告訴記者,相對(duì)于一般的自動(dòng)化工廠,這里除了一流的高端機(jī)器設(shè)備,更離不開(kāi)工程師的“匠人工藝”。

在半導(dǎo)體制程中,蝕刻是一道重要工序,硅環(huán)和硅片則是其中的關(guān)鍵部件?!澳壳皣?guó)內(nèi)高端硅零部件主要依賴進(jìn)口,隨著項(xiàng)目的落地推進(jìn),我們將填補(bǔ)這方面的空白。”鄭人豪表示,合肥地理位置優(yōu)越,交通四通八達(dá),更重要的是近年來(lái)集成電路產(chǎn)業(yè)加速崛起,未來(lái)發(fā)展空間和潛力巨大?!霸诤戏剩覀儾恢皇切略O(shè)基地,未來(lái)將深耕于此,就近服務(wù)客戶并輻射全國(guó)。”

合盟精密由臺(tái)灣半導(dǎo)體知名企業(yè)漢民科技與日本芝技研株式會(huì)社合資成立,后期世界500強(qiáng)企業(yè)——日本三菱材料也計(jì)劃參與投資。項(xiàng)目總投資3000萬(wàn)美元,主要從事硅環(huán)和硅片的生產(chǎn)和制造,為全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備公司日本東京電子配套。

“自簽約以來(lái),項(xiàng)目進(jìn)展良好,其中一期占地2000平方米,目前處在樣品試制驗(yàn)證階段,計(jì)劃今年四季度試生產(chǎn)?!睗h民科技(上海)有限公司項(xiàng)目經(jīng)理謝志坤說(shuō),根據(jù)規(guī)劃,2022年項(xiàng)目產(chǎn)值將達(dá)到2億元,生產(chǎn)的硅材料可滿足一半國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的供貨需求。

“該項(xiàng)目投產(chǎn)后,預(yù)計(jì)年內(nèi)合肥半導(dǎo)體制造企業(yè)有望用上‘合肥造’的硅零部件?!痹诤戏式?jīng)開(kāi)區(qū)招商局副局長(zhǎng)孫鴻飛看來(lái),合盟精密落戶合肥經(jīng)開(kāi)區(qū),對(duì)全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)且粋€(gè)補(bǔ)鏈、強(qiáng)鏈的過(guò)程。近年來(lái),我市持續(xù)完善“合肥芯”“合肥產(chǎn)”“合肥用”產(chǎn)業(yè)鏈條,其中,合肥經(jīng)開(kāi)區(qū)圍繞存儲(chǔ)芯片打造集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng),已匯聚兆易創(chuàng)新、通富微電、韓國(guó)美科、康佳半導(dǎo)體等20余家知名企業(yè)集聚發(fā)展,助力合肥朝著“中國(guó)IC之都”闊步邁進(jìn)。

替代日本半導(dǎo)體材料,三星已經(jīng)行動(dòng)

替代日本半導(dǎo)體材料,三星已經(jīng)行動(dòng)

韓國(guó)三星電子開(kāi)始在量產(chǎn)半導(dǎo)體的生產(chǎn)線上使用韓國(guó)產(chǎn)氟化氫一事9月4日浮出水面。自日本政府7月加強(qiáng)3種半導(dǎo)體材料的出口管理以后,三星一直在反復(fù)測(cè)試日本以外的替代品。有分析認(rèn)為將在一部分量產(chǎn)線上試用,確認(rèn)是否存在問(wèn)題。

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》網(wǎng)站9月5日?qǐng)?bào)道,三星電子相關(guān)人士9月4日承認(rèn),“作為推進(jìn)供給來(lái)源多元化的一環(huán),正在一部分生產(chǎn)線上推進(jìn)非日本造(氟化氫)的測(cè)試”。

行業(yè)相關(guān)人士透露,三星自8月下旬起,開(kāi)始在一條生產(chǎn)線上使用韓國(guó)企業(yè)供應(yīng)的氟化氫。氟化氫被用于晶圓的清洗等,三星將首先在對(duì)品質(zhì)影響較小的工序上采用非日本造氟化氫。

據(jù)報(bào)道,此次投入量產(chǎn)線的是從中國(guó)進(jìn)口、由韓國(guó)企業(yè)加工的氟化氫。不過(guò),三星沒(méi)有透露企業(yè)名等詳細(xì)情況。SK海力士也在評(píng)估非日本造產(chǎn)品能否用于量產(chǎn)線。

報(bào)道介紹,韓國(guó)氟化氫的最大進(jìn)口來(lái)源地是中國(guó),但如果僅限于用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的超高純度產(chǎn)品,日本的Stella Chemifa和森田化學(xué)工業(yè)幾乎掌握九成份額。日本企業(yè)從中國(guó)進(jìn)口原料,在日本的工廠提高純度之后向韓國(guó)出口。

另?yè)?jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》9月6日?qǐng)?bào)道,三星主管表示:“除了從日本進(jìn)口外,我們也試用國(guó)內(nèi)供應(yīng)商制造的氟化氫,開(kāi)始用于生產(chǎn)流程……我們會(huì)持續(xù)分散采購(gòu)來(lái)源,以防供應(yīng)鏈?zhǔn)苷巫h題影響。”

報(bào)道稱,半導(dǎo)體產(chǎn)品是韓國(guó)大宗出口商品,占出口比重約20%,為預(yù)防日本切斷這些原料供應(yīng)重創(chuàng)電子產(chǎn)業(yè)和國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì),韓國(guó)科技企業(yè)已加快腳步改用國(guó)內(nèi)自產(chǎn)的關(guān)鍵零件和材料。韓國(guó)上周提出預(yù)算案,明年研發(fā)預(yù)算提高17.3%,增幅破紀(jì)錄,為的正是強(qiáng)化國(guó)內(nèi)零件與材料產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

此外,據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,全球第二大顯示器面板制造商LG顯示器公司已開(kāi)始采用韓國(guó)國(guó)產(chǎn)的蝕刻氣體,SK海力士也正在測(cè)試以國(guó)內(nèi)制品取代日本進(jìn)口貨。

據(jù)報(bào)道,三星電子9月4日在日本東京舉行的2019年“三星晶圓代工論壇”上,向在場(chǎng)日本廠商展示三星的極紫外線(EUV)微影光刻技術(shù),這在記憶體除外的半導(dǎo)體領(lǐng)域堪稱最尖端技術(shù)。三星電子是韓國(guó)唯一具有EUV量產(chǎn)系統(tǒng)的公司。

三星電子在生產(chǎn)線上試用韓國(guó)企業(yè)加工的氟化氫

三星電子在生產(chǎn)線上試用韓國(guó)企業(yè)加工的氟化氫

9月5日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子開(kāi)始在半導(dǎo)體生產(chǎn)線上試用韓國(guó)企業(yè)加工的氟化氫。

知情人士稱,自8月下旬起,三星電子開(kāi)始在一條生產(chǎn)線上使用韓國(guó)企業(yè)供應(yīng)的氟化氫。氟化氫被用于晶圓的清洗等方面。

此次投入量產(chǎn)線的是從中國(guó)進(jìn)口、由韓國(guó)企業(yè)加工的氟化氫。

在高純度的氟化氫市場(chǎng),日本廠商大約占據(jù)8至9成份額。三星電子對(duì)于是否全面采用日本造以外的氟化氫仍持謹(jǐn)慎態(tài)度。

今年7月,就有外媒報(bào)道三星電子在半導(dǎo)體工廠試驗(yàn)新材料的生產(chǎn)線上,開(kāi)始投入日本以外廠商的氟化氫進(jìn)行試驗(yàn),這些產(chǎn)品被認(rèn)為來(lái)自中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)廠商。

上月,外媒還報(bào)道,三星電子正在從總部位于比利時(shí)的公司采購(gòu)用于制造半導(dǎo)體芯片的化學(xué)材料,以替代日本廠商。外媒未披露公司名稱,但有分析認(rèn)為,該公司應(yīng)該是日本化學(xué)企業(yè)JSR和比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC2016年設(shè)立的合資公司EUV Resist。

中環(huán)股份上半年凈利大增超5成 新品硅片陷尺寸之爭(zhēng)

中環(huán)股份上半年凈利大增超5成 新品硅片陷尺寸之爭(zhēng)

近日,中環(huán)股份披露2019年半年度報(bào)告,報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入79.42億元,較上年同期增長(zhǎng)22.91%;歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)4.52億元,較上年同期增長(zhǎng)50.69%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)3.54億元,同比增加58.57%;經(jīng)營(yíng)性現(xiàn)金流量?jī)纛~8.52億元,較上年同期增長(zhǎng)57.67%;報(bào)告期末總資產(chǎn)為450.6億元,較期初增長(zhǎng)5.53%;歸屬于上市公司股東的凈資產(chǎn)為136.96億元,較期初增長(zhǎng)2.78%,資產(chǎn)負(fù)債率61.63%,同比上升5.99%。

營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng) 毛利率下跌

中環(huán)股份主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、新能源材料、新材料的制造及銷售;其主營(yíng)業(yè)務(wù)圍繞硅材料展開(kāi),專注單晶硅的研發(fā)和生產(chǎn),以單晶硅為起點(diǎn)和基礎(chǔ),定位戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),朝著縱深化、延展化方向發(fā)展??v向在半導(dǎo)體制造和新能源制造領(lǐng)域延伸,形成半導(dǎo)體板塊,包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體封裝;新能源板塊,包括太陽(yáng)能硅片、太陽(yáng)能電池片、太陽(yáng)能組件。橫向在強(qiáng)關(guān)聯(lián)的其他領(lǐng)域擴(kuò)展,圍繞“綠色低碳、可持續(xù)發(fā)展”,形成光伏發(fā)電板塊,包括地面集中式光伏電站、分布式光伏電站。

報(bào)告期內(nèi),中環(huán)股份實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)總收入79.42億元,分行業(yè)看,新能源行業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入72.74億元,在公司總營(yíng)收中占比91.6%,同比增長(zhǎng)23.22%;半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入5.84億元,在公司總營(yíng)收中占比7.35%,同比增長(zhǎng)19.39%;服務(wù)行業(yè)和其他占比較小,合計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收0.84億元,占比1.05%。

新能源行業(yè)貢獻(xiàn)了中環(huán)股份的絕大部分營(yíng)收,其經(jīng)營(yíng)情況直接決定了中環(huán)股份整體的業(yè)績(jī)。其在中環(huán)股份財(cái)報(bào)中按產(chǎn)品分為兩類,第一類是占據(jù)絕對(duì)規(guī)模的新能源材料,第二類是電力,也就是太陽(yáng)能發(fā)電。

2019年上半年,新能源材料錄得營(yíng)收70.06億元,占營(yíng)收比重88.21%,同比增加21.62%,帶動(dòng)中環(huán)股份整體營(yíng)收同比大漲22.91%;電力錄得營(yíng)收2.69億元,同比大幅增長(zhǎng)87.73%。

數(shù)據(jù)來(lái)源:2019年半年度報(bào)告

不過(guò)營(yíng)收增加的情況下,除半導(dǎo)體行業(yè)毛利率同比微增0.98%外,分行業(yè)其他業(yè)務(wù)毛利率同比全部下跌,其中新能源行業(yè)毛利率同比下跌2.78%,服務(wù)行業(yè)毛利率同比下跌8.65%,其他毛利率同比下跌20.69%。整體來(lái)看,中環(huán)股份報(bào)告期銷售毛利率同比下跌2.56%。

新品硅片陷尺寸之爭(zhēng)

值得注意的是,中環(huán)股份在新能源行業(yè)和半導(dǎo)體行業(yè)依然動(dòng)作頻頻,不斷在進(jìn)行投入,擴(kuò)大產(chǎn)能。

新能源行業(yè),中環(huán)股份稱“全球光伏行業(yè)即將進(jìn)入平價(jià)上網(wǎng)時(shí)代,落后產(chǎn)能將被淘汰,全球新能源材料優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能供給緊缺,資源進(jìn)一步向擁有先進(jìn)產(chǎn)能的企業(yè)集中”,公司重點(diǎn)在內(nèi)蒙古地區(qū)擴(kuò)張光伏材料產(chǎn)能,四期及四期改造項(xiàng)目已全部達(dá)產(chǎn),2019年上半年太陽(yáng)能級(jí)單晶硅材料年產(chǎn)能合計(jì)達(dá)到30GW,月產(chǎn)破萬(wàn)噸。中環(huán)協(xié)鑫五期項(xiàng)目已在內(nèi)蒙古順利開(kāi)工建設(shè),產(chǎn)能將達(dá)到25GW。五期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2020年開(kāi)始投產(chǎn),2021年完全達(dá)產(chǎn),屆時(shí)其光伏硅片產(chǎn)能有望實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)。??

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),中環(huán)股份天津工廠8英寸硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目已實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)產(chǎn)能;12寸試驗(yàn)線項(xiàng)目于2019年2月產(chǎn)出,并持續(xù)進(jìn)行研發(fā)工作;宜興工廠預(yù)計(jì)下半年1條8英寸產(chǎn)線投產(chǎn),12英寸項(xiàng)目預(yù)計(jì)2019年第四季度實(shí)現(xiàn)設(shè)備搬入,2020年第一季度開(kāi)始投產(chǎn),按項(xiàng)目設(shè)計(jì)進(jìn)度持續(xù)推進(jìn)。

尤其值得關(guān)注的是中環(huán)股份新推出的12英寸硅片系列產(chǎn)品,中環(huán)股份稱其為“夸父”。

8月16日,中環(huán)股份在天津召開(kāi)新品發(fā)布會(huì),推出了12英寸超大硅片“夸父”M12系列產(chǎn)品。此次發(fā)布的新產(chǎn)品M12為12英寸超大鉆石線切割太陽(yáng)能單晶硅正方片,邊長(zhǎng)為210mm,對(duì)角為295mm,表面積相比M2硅片提升了80.5%。新品發(fā)布會(huì)上,中環(huán)股份董事長(zhǎng)沈浩平表示:“‘夸父’的發(fā)布將更大幅度的降低光伏電站的BOS(初始投資成本)和LCOE(平準(zhǔn)化度電成本),在助力制造企業(yè)獲得更高收益同時(shí),也使更多地區(qū)的平價(jià)和競(jìng)價(jià)項(xiàng)目順利實(shí)施,有效推動(dòng)全球光伏市場(chǎng)進(jìn)一步發(fā)展?!?/p>

中環(huán)股份相關(guān)資料顯示,同樣的144半片(72塊切半)組件,電池按22.25%計(jì)算,M12(硅片邊長(zhǎng)210mm)P型PERC60片半片組件較M2(硅片邊長(zhǎng)156.75mm,直徑210mm)72片半片組件功率高出200W,組件轉(zhuǎn)換效率高0.91%,達(dá)到20%以上,疊加高效電池,功率可突破610W。新產(chǎn)品預(yù)計(jì)降低BOS(初始投資成本)0.4元/W以上,度電成本降低6.8%,有效推動(dòng)全球光伏平價(jià)市場(chǎng)發(fā)展。

但是,與中環(huán)股份同樣是國(guó)內(nèi)單晶龍頭的隆基股份,卻在8月5日宣布主推166mm大硅片,并稱之“大有所為、大勢(shì)所趨”。隆基股份總裁李振國(guó)指出,不同的硅片規(guī)格標(biāo)準(zhǔn),會(huì)導(dǎo)致整個(gè)供應(yīng)鏈上所用的加工夾具,甚至運(yùn)輸標(biāo)準(zhǔn)都不統(tǒng)一?!叭绻恳粋€(gè)廠家在尺寸的定義上不一致,會(huì)制約行業(yè)的健康發(fā)展?!崩钫駠?guó)稱。因此,隆基股份提倡并推出新一代更優(yōu)化的166mm硅片。

雖然大硅片是光伏行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),中環(huán)股份的“夸父”在技術(shù)能帶來(lái)更低的BOS(初始投資成本),更低的度電成本,但正如相關(guān)媒體報(bào)道:在業(yè)內(nèi)看來(lái),目前210mm硅片僅僅停留在概念端,在電池、組件和電站終端都面臨著重要挑戰(zhàn)。首先,光伏制造設(shè)備廠商沒(méi)有210mm尺寸的現(xiàn)成解決方案,量產(chǎn)會(huì)受限;其次,電池端的碎片和良率也是問(wèn)題,基本不可能支持薄片化趨勢(shì);第三,基于210mm硅片的組件,重量大幅提升,可能拉升項(xiàng)目安裝成本;第四,電站組件尺寸過(guò)大也會(huì)增加機(jī)械載荷和隱裂風(fēng)險(xiǎn)。

雙龍頭的尺寸之爭(zhēng),究竟是中環(huán)股份的“夸父”一鳴驚人,還是隆基股份的166mm硅片更勝一籌,還需時(shí)間與市場(chǎng)給出答案。

投資60億元 中科北方鞍山12英寸芯片基底材料項(xiàng)目已開(kāi)工

投資60億元 中科北方鞍山12英寸芯片基底材料項(xiàng)目已開(kāi)工

據(jù)鞍山日?qǐng)?bào)報(bào)道,近日,總投資60億元的中科北方芯片基底材料項(xiàng)目已經(jīng)奠基開(kāi)工。此外,中科北方鞍山項(xiàng)目指揮部和遼寧科興半導(dǎo)體科技有限公司也已經(jīng)揭牌,吹響了中科北方全面進(jìn)軍鞍山的號(hào)角。

鞍山日?qǐng)?bào)指出,這是20多年來(lái),在鞍山高新區(qū)落地投資規(guī)模最大、采用水平最高、技術(shù)創(chuàng)新能力最強(qiáng)的一個(gè)高新技術(shù)項(xiàng)目。

資料顯示,中科北方投資發(fā)展有限公司此前在鞍山高新區(qū)注冊(cè)了遼寧科興半導(dǎo)體科技有限公司,注冊(cè)資本30億元,擬建設(shè)芯片基底材料(SOI)基地項(xiàng)目。

據(jù)了解,該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資60億元,征地9.4萬(wàn)平方米。建設(shè)年產(chǎn)12寸芯片基底材料(SOI)100萬(wàn)片,預(yù)計(jì)年銷售收入60億元。項(xiàng)目分兩期建設(shè),項(xiàng)目一期投資30億元,建設(shè)年產(chǎn)12寸芯片基底材料(SOI)50萬(wàn)片。建筑面積3.5萬(wàn)平方米,其中潔凈廠房3000平方米、研發(fā)辦公樓5000平方米。

氮化鎵市場(chǎng)風(fēng)口來(lái)臨 國(guó)內(nèi)哪些企業(yè)在布局?

氮化鎵市場(chǎng)風(fēng)口來(lái)臨 國(guó)內(nèi)哪些企業(yè)在布局?

日前,華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野,引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。

事實(shí)上,隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步,對(duì)半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高,傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料逐漸無(wú)法滿足性能需求,碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料憑借著優(yōu)異的性能,早已成為當(dāng)前世界各國(guó)競(jìng)相布局的焦點(diǎn),我國(guó)在加速發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的同時(shí),把發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略。

如今5G時(shí)代到來(lái),將推動(dòng)半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)革命性變化。其中,氮化鎵器件以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防等領(lǐng)域,其市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。風(fēng)口來(lái)臨,我國(guó)目前有哪些企業(yè)在布局?下面將從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)。

GaN襯底企業(yè)

· 東莞市中稼半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月,總部設(shè)于廣東東莞,總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣,總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米,并在北京有大型研發(fā)中心,為中國(guó)國(guó)內(nèi)一家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。

官網(wǎng)顯示,中鎵半導(dǎo)體已建成國(guó)內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線,制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底,并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月,中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

·?東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司成立于2010年,是廣東光大企業(yè)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域繼中鎵半導(dǎo)體、中圖半導(dǎo)體后布局的第三個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐,以GaN襯底為基礎(chǔ),重點(diǎn)發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù),并向新型顯示模組方向延展;同時(shí),中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ),孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術(shù),并進(jìn)行全球產(chǎn)業(yè)布局。

·?蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年,致力于氮化鎵單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù),現(xiàn)在是國(guó)際上少數(shù)幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位之一。

據(jù)官網(wǎng)介紹,目前納維科技GaN單晶襯底產(chǎn)品已提供給300余家客戶使用,正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展,重點(diǎn)突破方向是藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。

·?鎵特半導(dǎo)體科技(上海)有限公司

鎵特半導(dǎo)體科技(上海)有限公司成立于2015年4月,主要從事大尺寸的高質(zhì)量、低成本氮化鎵襯底的生長(zhǎng),以推動(dòng)諸多半導(dǎo)體企業(yè)能夠以合理價(jià)來(lái)購(gòu)買并使用氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體已自主研發(fā)出HVPE設(shè)備,并用以生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵襯底。

官網(wǎng)顯示,借助自主研發(fā)的HVPE設(shè)備,鎵特半導(dǎo)體已成功生長(zhǎng)出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體表示,未來(lái)幾年內(nèi)將建成全球最大的氮化鎵襯底生長(zhǎng)基地,以此進(jìn)一步推廣氮化鎵襯底在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用,并將依托自支撐GaN襯底進(jìn)行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。

GaN外延片企業(yè)

·?蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于2012年3月,致力于氮化鎵(GaN)外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2013年8月,晶湛半導(dǎo)體開(kāi)始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線,可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬(wàn)片;2014年底,晶湛半導(dǎo)體發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。

官網(wǎng)介紹稱,截至目前,晶湛半導(dǎo)體已完成B輪融資用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,其150mm的GaN-on-Si外延片的月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片。晶湛半導(dǎo)體現(xiàn)已擁有全球超過(guò)150家的著名半導(dǎo)體公司、研究院所客戶。

·?聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司

聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月,專注于電力電子應(yīng)用的外延材料增長(zhǎng)。針對(duì)外延材料市場(chǎng),聚能晶源正在開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵材料生長(zhǎng)技術(shù)并銷售硅基氮化鎵外延材料作為產(chǎn)品。

2018年12月,聚能晶源成功研制了達(dá)到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓。該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時(shí),保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性,可以完全滿足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

·?北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月,經(jīng)過(guò)多年發(fā)展,世紀(jì)金光已成為集半導(dǎo)體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售于一體的、貫通第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

在碳化硅領(lǐng)域,世紀(jì)金光已實(shí)現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通,氮化鎵方面,官網(wǎng)顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。

·?聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司

聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司成立于2018年9月,是重慶捷舜科技有限公司在大足區(qū)設(shè)立的公司。2018年9月,重慶大足區(qū)政府與重慶捷舜科技有限公司簽約,擬在重慶建設(shè)“聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目”。

2018年11月,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司舉行奠基儀式,項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目占地500畝,計(jì)劃投資50億元,將在大足高新區(qū)建設(shè)集氮化鎵外延片、氮化鎵芯片的研發(fā)與生產(chǎn)、封裝測(cè)試、產(chǎn)品設(shè)計(jì)應(yīng)用為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。2019年6月5日,該項(xiàng)目一期廠房正式啟用,預(yù)計(jì)將于今年10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)。

GaN制造企業(yè)

·?成都海威華芯科技有限公司

成都海威華芯科技有限公司成立于2010年,是國(guó)內(nèi)首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業(yè)。據(jù)了解,海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建,2015年1月,海特高新以5.55億元收購(gòu)海威華芯原股東股權(quán),并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權(quán)成為其控股股東,從而涉足高端化合物半導(dǎo)體集成電路芯片研制領(lǐng)域。

海威華芯6英寸第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線已于2016年8月投入試生產(chǎn)。官網(wǎng)顯示,海威華芯已開(kāi)發(fā)了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機(jī)用砷化鎵代工工藝,發(fā)布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進(jìn)展。

·?廈門市三安集成電路有限公司

廈門市三安集成電路有限公司成立于2014年,是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司,基于氮化鎵和砷化鎵技術(shù)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù),是一家專門從事化合物半導(dǎo)體制造的代工廠,服務(wù)于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場(chǎng),具備襯底材料、外延生長(zhǎng)以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力。

三安集成項(xiàng)目總規(guī)劃用地281 畝,總投資額30億元,規(guī)劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體外延片、30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體芯片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體外延片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體芯片。官網(wǎng)顯示,三安集成在微波射頻領(lǐng)域已建成專業(yè)化、規(guī)?;?英寸、6英寸化合物晶圓制造產(chǎn)線,在電子電路領(lǐng)域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及硅基氮化鎵功率器件。

·?華潤(rùn)微電子有限公司

華潤(rùn)微電子有限公司是華潤(rùn)集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)微電子業(yè)務(wù)投資、發(fā)展和經(jīng)營(yíng)管理的企業(yè),亦是中國(guó)本土具有重要影響力的綜合性微電子企業(yè),其聚焦于模擬與功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域,業(yè)務(wù)包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試及分立器件,目前擁有6-8英寸晶圓生產(chǎn)線5條、封裝生產(chǎn)線2條、掩模生產(chǎn)線1條、設(shè)計(jì)公司3家,為國(guó)內(nèi)擁有完整半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

2017年12月,華潤(rùn)微電子完成對(duì)中航(重慶)微電子有限公司(后更名為“華潤(rùn)微電子(重慶)有限公司”)的收購(gòu),重慶華潤(rùn)微電子采用8英寸0.18微米工藝技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn),并在主生產(chǎn)線外建有獨(dú)立的MEMS和化合物半導(dǎo)體工藝線,具備氮化鎵功率器件規(guī)?;a(chǎn)制造能力。

·?杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于成立于1997年,專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品制造,2001年開(kāi)始在杭州建了第一條5英寸芯片生產(chǎn)線,現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體(IDM)企業(yè)。

近年來(lái),士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導(dǎo)體。2017年,士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年10月,士蘭微廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)工,其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線總投資50億元,定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企業(yè)

·?蘇州能訊高能半導(dǎo)體公司

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司成立于2011年,致力于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵電子器件技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化,為5G移動(dòng)通訊、寬頻帶通信等射頻微波領(lǐng)域和工業(yè)控制、電源、電動(dòng)汽車等電力電子領(lǐng)域等兩大領(lǐng)域提供高效率的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。

能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造(IDM)的模式,自主開(kāi)發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù),目前公司擁有專利256項(xiàng)。該公司在江蘇建有一座氮化鎵(GaN)電子器件工廠,廠區(qū)占地55畝,累計(jì)投資10億元。

·?江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司成立于2010年6月,是由國(guó)家千人計(jì)劃專家朱廷剛博士領(lǐng)銜的、由留美留澳留日歸國(guó)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦的一家專業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、制造和銷售以氮化鎵為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

能華微電子先后承擔(dān)了國(guó)家電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造專項(xiàng)的大功率GaN功率電子器件及其材料的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專項(xiàng)的GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目等。2017年,能華微電子建成8英寸氮化鎵芯片生產(chǎn)線并正式啟用。

·?英諾賽科(珠海)科技有限公司

英諾賽科(珠海)科技有限公司成立于2015年12月,該公司采用IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈模式,致力于打造一個(gè)集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。2017年11月,英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線通線投產(chǎn),成為國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線,主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。

2018年6月,總投資60億元的英諾賽科蘇州半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目開(kāi)工,今年8月30日項(xiàng)目主廠房封頂,預(yù)計(jì)12月底生產(chǎn)設(shè)備正式進(jìn)廠,2020年可實(shí)現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)。該項(xiàng)目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品,將打造將成為集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。

·?大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司成立于2016年3月,該公司采用整合設(shè)計(jì)與制造(IDM)的商業(yè)模式,主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品應(yīng)用于電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

官網(wǎng)介紹稱,芯冠科技已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線。2019年3月,芯冠科技在國(guó)內(nèi)率先推出符合產(chǎn)業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品(通過(guò)1000小時(shí)HTRB可靠性測(cè)試),并正式投放市場(chǎng)。

·?江蘇華功半導(dǎo)體有限公司

江蘇華功半導(dǎo)體有限公司成立于2016年5月,注冊(cè)資本為2億元人民幣,一期投入10億元人民幣。官網(wǎng)介紹稱,目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導(dǎo)、高耐壓、高穩(wěn)定性的GaN外延技術(shù)并掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的增強(qiáng)型功率電子器件制造技術(shù)。

根據(jù)官網(wǎng)顯示,華功半導(dǎo)體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產(chǎn)品,并基于華功自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN-on-Si外延技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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新需求助推 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)“磨刀霍霍”

新需求助推 國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)“磨刀霍霍”

在日前召開(kāi)的“第二屆全球IC企業(yè)家大會(huì)暨第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)”(IC China2019)上,多位業(yè)界專家認(rèn)為,在技術(shù)持續(xù)進(jìn)步的驅(qū)動(dòng)下以及5G、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、人工智能(AI)等潛在市場(chǎng)海量需求的帶動(dòng)下,預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的高景氣度仍將持續(xù)。

記者另注意到,紫光集團(tuán)、中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技、華天科技、博通集成等國(guó)內(nèi)知名企業(yè)紛紛亮相同期展會(huì)。在業(yè)內(nèi)人士看來(lái),在細(xì)分和新興技術(shù)領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)一些半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)具有了與國(guó)際領(lǐng)先爭(zhēng)鋒的能力,但產(chǎn)業(yè)鏈整體尤其是在上游的設(shè)備材料領(lǐng)域仍需努力。

技術(shù)和需求助推半導(dǎo)體高景氣度

半導(dǎo)體行業(yè)是宏觀經(jīng)濟(jì)的晴雨表,在維持近10年的高景氣度后,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)將會(huì)是怎樣的發(fā)展趨勢(shì)?

在本次大會(huì)上,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)周子學(xué)、工信部電子信息司司長(zhǎng)喬躍山等認(rèn)為,隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步,且在5G、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、人工智能等新興應(yīng)用的帶動(dòng)下,全球集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)需求仍將不斷增長(zhǎng),而作為全球最大半導(dǎo)體市場(chǎng)的中國(guó),未來(lái)發(fā)展?jié)摿σ琅f可期。

美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)輪值主席、美光科技公司總裁兼CEO Sanjay Mehrotra(桑杰·梅赫羅特拉)則以交通領(lǐng)域?yàn)槔榻B了自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)如何實(shí)現(xiàn)道路更安全、無(wú)人駕駛有望降低20%交通事故死亡率等案例,而借助半導(dǎo)體技術(shù),上述愿景有望在20年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。此外,知名企業(yè)美光也希望通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)找到針對(duì)癌癥的解決方案,造福人類。

多位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體公司人士也在本次大會(huì)上指出,中國(guó)半導(dǎo)體銷量已占全球的三分之一,高速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要?jiǎng)恿χ弧?/p>

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下一步發(fā)展,工信部電子信息司司長(zhǎng)喬躍山在致辭中提出四點(diǎn)建議:一是堅(jiān)持提升創(chuàng)新能力,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展;二是堅(jiān)持激發(fā)市場(chǎng)活力,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展;三是堅(jiān)持完善產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),全面提升產(chǎn)業(yè)綜合競(jìng)爭(zhēng)力;四是堅(jiān)持優(yōu)化營(yíng)商環(huán)境,構(gòu)建良好產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序,對(duì)各類所有制企業(yè)一視同仁。

中科院院士、復(fù)旦大學(xué)校長(zhǎng)許寧生則建議,未來(lái)可集聚全產(chǎn)業(yè)鏈的力量,構(gòu)建開(kāi)放的共性技術(shù)研發(fā)平臺(tái),由此培育出符合產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)發(fā)展規(guī)律的創(chuàng)新能力。

事實(shí)上,上海已走在了IC“共性平臺(tái)”建設(shè)的前列。上海市副市長(zhǎng)許昆林在本次大會(huì)上介紹,上海去年啟動(dòng)建設(shè)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園,今年啟動(dòng)建設(shè)智能傳感器產(chǎn)業(yè)園,并正在籌備建設(shè)集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園。同時(shí),上海還在積極推進(jìn)國(guó)家集成電路創(chuàng)新中心、國(guó)家智能傳感器創(chuàng)新中心建設(shè)。

國(guó)內(nèi)企業(yè)各顯神通

記者注意到,在本次大會(huì)同期的展會(huì)上,紫光集團(tuán)(包括旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光展銳)、中芯國(guó)際、長(zhǎng)電科技、華天科技、博通集成等國(guó)內(nèi)知名企業(yè)均到場(chǎng)出席,多家公司的掌門人也在此期間發(fā)表了主題演講。

“5G是人類歷史上最野心勃勃的網(wǎng)絡(luò)連接計(jì)劃,AI則是人類歷史上最野心勃勃的科技革命。未來(lái)的科技浪潮中,5G和AI是智能互聯(lián)時(shí)代的關(guān)鍵,相輔相成,缺一不可?!弊瞎庹逛JCEO楚慶介紹,面對(duì)著市場(chǎng)廣闊的發(fā)展前景,紫光展銳已對(duì)外推出了虎賁T710和春藤510芯片。

同樣,在ETC這一新興應(yīng)用領(lǐng)域,博通集成已經(jīng)迅速崛起?!爸袊?guó)ETC推廣速度不斷加快,到今年底用戶有可能超過(guò)1.8億,甚至2億?!辈┩啥麻L(zhǎng)兼總經(jīng)理張鵬飛預(yù)測(cè)。

張鵬飛在演講中介紹,博通集成在ETC領(lǐng)域有完整的芯片產(chǎn)品平臺(tái),ETC設(shè)備所需要的所有功能,公司都有芯片支持,包括微波收發(fā)器、非接觸讀卡芯片、EMS的商密和國(guó)密加密芯片,博通集成提供對(duì)應(yīng)的芯片產(chǎn)品及ETC常規(guī)方案,以及完全集成的芯片OBU。

為了迎接即將開(kāi)啟的汽車前裝市場(chǎng),張鵬飛表示,博通集成已經(jīng)對(duì)平臺(tái)所有產(chǎn)品完成了符合車規(guī)的升級(jí)。記者了解到,按照交通部規(guī)劃,明年7月1日起所有ETC設(shè)備從現(xiàn)有的后裝市場(chǎng)轉(zhuǎn)成前裝市場(chǎng),即所有新車都要預(yù)裝ETC設(shè)備。

在業(yè)內(nèi)人士看來(lái),在細(xì)分市場(chǎng)和新興技術(shù)領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)諸多半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)具有了與國(guó)際領(lǐng)先爭(zhēng)鋒的能力,但產(chǎn)業(yè)鏈整體尤其是在上游的設(shè)備材料、存儲(chǔ)等領(lǐng)域尚需繼續(xù)努力。

而為加快國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)追趕步伐,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在本次大會(huì)前夕發(fā)布了中國(guó)首款64層3D NAND閃存。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹,其64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu),Xtacking可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。