近日，陜西省長劉國中的政府工作報告中大篇幅都是西安2019年發(fā)展布局，其中就指出將推進重點項目建設。

抓好三星二期、華天集成電路封裝測試、奕斯偉硅材料等重大項目建設，發(fā)展壯產業(yè)集群；大力推進比亞迪二期、陜汽商用車等整車項目，加快完善汽車產業(yè)鏈配套。

2012年，西安高新區(qū)成功引進三星電子存儲芯片項目，其一期項目總投資達100億美元。該項目成為三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項目。據了解，三星電子存儲芯片一期項目 2014年5月竣工投產。2017年8月30日，三星電子株式會社與陜西省政府簽署了投資合作協議，決定在西安高新綜合保稅區(qū)內建設三星（中國）半導體有限公司存儲芯片二期項目，二期項目開工奠基儀式2018年3月舉行，預計整個工廠的擴建工作要到2019年結束。

此外，據知情人士透露，三星SDI在2018年底低調重啟西安動力電池生產基地二期項目，并將重新調整在中國市場的策略。

華天集團早在2008年就開始在西安經開區(qū)投資建設。2017年6月8日，華天電子集團和西安經開區(qū)正式簽訂電力電子產業(yè)化及其他集成電路項目入區(qū)協議，這是華天科技西安擴產的重要布局。據悉，華天集團計劃投資58億元，規(guī)劃建設新型電力電子產業(yè)化項目，其中一期項目投資13.8億元，達產后可形成年封裝36億只的生產能力，年銷售收入15.18億元，年上繳稅收7523萬元。并不斷拓展集成電路其他領域，全部項目建成后將實現產值不低于60億元的生產能力。

2017年12月9日，奕斯偉硅產業(yè)基地項目落戶西安高新區(qū)。該項目總投資超過100億元，由北京奕斯偉公司作為主體統一規(guī)劃、分期推進，項目建成后將填補國家半導體硅材料產業(yè)空白，進一步完善陜西省集成電路產業(yè)鏈條。

集成電路芯片有一個關鍵制程——化學機械拋光，最多需要反復128次。國際先進的芯片制造廠已使用7納米制程工藝，1納米相當于6萬分之一根頭發(fā)絲，難度可想而知。過去，國內拋光所用關鍵材料——CMP拋光墊，幾乎全部依賴進口。位于武漢經濟技術開發(fā)區(qū)的湖北鼎龍控股股份有限公司（以下簡稱“鼎龍股份”）投資近4億元，經過6年的艱苦研發(fā)，建成目前國內唯一、國際先進的集成電路芯片CMP拋光墊產研基地，并承擔起國家“02專項”。

鼎龍股份創(chuàng)始人、董事長朱雙全1月29日接受長江日報記者采訪時說：“創(chuàng)業(yè)最困難的時候，我們曾找過一家風投公司，愿意以500萬元出讓控股權，但還是被拒于門外?！?/p>

從激光打印復印耗材產業(yè)起步，到進入光電半導體領域。因為敢闖敢干，朱雙全、朱順全朱氏兄弟和鼎龍股份團隊，一次次在國外巨頭壟斷的領域開辟出中國企業(yè)的生存空間，矢志培育核心產業(yè)的國產供應鏈。

挑戰(zhàn)最高難度系數 闖入打印耗材關鍵領域為中國發(fā)聲

2001年下海創(chuàng)業(yè)之初，鼎龍股份選擇了一個細分品類——碳粉用電荷調節(jié)劑。彼時，打印耗材產業(yè)鏈下游的碳粉、墨粉全被國外大公司壟斷。他們找了很多上游的大公司，希望加入其供應鏈，對方不約而同地問一句話：“你們中國人怎么能做這個？技術從哪里來？”

“這個圈子里沒有中國企業(yè)，鼎龍偏要闖進去；沒有現成技術，鼎龍自己干出來！”朱雙全帶著一幫從國企出來的研發(fā)人員，開始艱難跋涉。“最難的是頭兩年，產品打不開市場，融資非常困難，有陣子公司賬上連出國的機票都付不起，只能私人借錢?！?/p>

剛有點起色時，又碰到個難題。日本、歐美客戶來參觀考察，公司里的關鍵設備“排場”不夠大。朱雙全硬著頭皮去武漢理工大學檢測中心借，那里的設備從沒離開過實驗室，怎么可能借出去給小民企？他用真誠打動了中心負責人，借來設備不說，老師們還穿上白大褂到鼎龍股份幫忙。

鼎龍股份用了3年時間，成功打入激光打印行業(yè)世界第二的美國lexmark公司的全球供應鏈，替代了日本企業(yè)。通用耗材關鍵領域第一次有了“中國聲音”。在與國際巨頭的合作中，鼎龍股份逐步建立起了自己的知識產權體系，培養(yǎng)了核心人才團隊。

2006年開始有了規(guī)模盈利，鼎龍股份又一頭扎向彩色聚合碳粉的研發(fā)。這是打印復印耗材領域技術難度最大的產品，鼎龍股份花了6年時間，從零起步，最終實現大規(guī)模產業(yè)化，打破了日本企業(yè)20多年的全球壟斷。時至今日，鼎龍股份仍是國內唯一的彩色碳粉供應商，并已將國際競爭對手邊緣化。

朱雙全坦言，這確實是很大的冒險，國內一些大型企業(yè)、高校曾展開攻關，均半途而廢。鼎龍股份幾乎把所有盈利全部投入其中，上市前沒有給股東分過一分錢紅利。

為芯片拋光 給柔性屏“打底”在光電及半導體產業(yè)接連破局

2018年11月，工信部、財政部公布全國首批國家新材料生產應用示范平臺建設入選項目名單，鼎龍股份作為國內唯一一家擁有集成電路制程關鍵材料——CMP拋光墊全制程技術及產業(yè)化生產能力的企業(yè)，和其他18家集成電路行業(yè)領軍企業(yè)一起入選。

這份名單展示了一個與人們傳統印象不一樣的鼎龍股份。事實上，鼎龍股份官網顯示的公司兩大主營業(yè)務中，光電及半導體材料已然排在了激光打印復印耗材之前。

近年來，武漢大力發(fā)展“芯屏端網”產業(yè)，長江存儲、京東方、天馬、華星光電等企業(yè)生產線紛紛落地，形成了武漢目前投資規(guī)模最大、技術要求最高、產業(yè)配套最復雜的產業(yè)集群。鼎龍股份正是布局較早（2012年開始涉足）且已逐步實現產業(yè)化的、為數不多的上游關鍵材料研發(fā)、供應商之一，建成了國內唯一、國際先進的集成電路芯片CMP拋光墊產研基地和我國首條柔性OLED用聚酰亞胺漿料生產線。業(yè)內評價，鼎龍股份打破了國外企業(yè)多年的全球壟斷，而且可有效促進我國半導體集成電路產業(yè)和面板顯示產業(yè)所需材料的國產化進程。

拋光是為了保證芯片有更好的性能及結構的穩(wěn)定性。CMP拋光墊是晶圓芯片制程中“卡脖子”的關鍵材料，此前，生產技術主要被美國、日本等幾家大公司掌握，其中某全球500強公司壟斷了85%的市場份額。

CMP即化學機械拋光，是指在晶圓制造過程中，使用化學及機械力對晶圓進行平坦化處理的技術。晶圓制造過程中需要反復使用CMP工藝，這個過程好比蓋大樓，每蓋好一層，就需要打磨、保證結構穩(wěn)定才能繼續(xù)往上蓋。集成電路已經做到了128層，拋光最多也可達128次。CMP技術能夠實現晶片全局平坦化，是目前效果最好、應用最廣泛的平坦化技術。而拋光墊的力學性能和表面組織特征對于平坦化的效果非常關鍵，是CMP工藝的技術核心和價值核心。

為什么要選擇這樣的“硬骨頭”來啃？朱雙全說：“從自主研發(fā)激光打印復印耗材領域核心高技術產品起步，再到進入半導體和光電顯示產業(yè)，我們有一個比較清晰的發(fā)展思路——瞄準‘國內急需但又依賴進口的相關產業(yè)細分領域’，主攻高技術門檻的新材料產品。”

選擇光電顯示產業(yè)，也是如此。柔性顯示屏代表了顯示屏的未來方向。為了實現“柔”，一種替代玻璃基板的柔性顯示高分子基材——聚酰亞胺（PI漿料）是關鍵。OLED柔性顯示屏制造過程有多道工序，PI漿料是應用在最底層的，其作用是替代OLED底層玻璃的關鍵材料，其上再疊加TFT發(fā)光材料、顯示材料等后，通過蒸鍍、沉積、退火等400多攝氏度高溫制程處理，用激光剝離成一張薄膜。

PI漿料目前幾乎全部依賴進口，鼎龍股份下屬的武漢柔顯公司經自主研發(fā)，產品已率先通過國內某知名面板廠商OLED產線測評，其國內首條1000噸大規(guī)模PI漿料生產線也正在建設中，今年將建成。

培育完整的國產供應鏈 在國產替代領域不斷“填空白”

想要在高端制造領域不受制于人，必須培育國產供應鏈。

朱雙全介紹說：“過去國外競爭對手經常用這個卡我們。在研發(fā)階段，我們就很注重培育國產化供應鏈，帶動供應企業(yè)一起成長。一方面是出于供應安全考慮，另一方面也能進一步降低成本。”

鼎龍股份在研發(fā)彩色聚合碳粉時，一種關鍵的納米顏料必須向德國企業(yè)購買，一公斤要2000元，而且因為競爭關系，對方對鼎龍股份有諸多限制。為此，鼎龍股份選定了江蘇一家原本只能做普通工業(yè)級顏料的工廠，提出相關要求并給予技術支持，幫助其升級成為能夠生產專業(yè)級納米顏料的企業(yè)，采購價格降到了不到原來的1/4。

在光電和半導體新材料領域，這個問題同樣存在。上游產業(yè)鏈中關鍵材料、關鍵設備、關鍵儀器幾乎全部依賴從發(fā)達國家進口。下游應用企業(yè)從風險角度考慮，一般不愿輕易去做國產替代，導致新材料企業(yè)產品應用推廣困難。

朱雙全說，“芯屏端網”產業(yè)鏈上游關鍵材料的研發(fā)、生產及產業(yè)化，資本人才投入大、技術門檻高、國外知識產權封鎖嚴重。他呼吁政府牽頭，建設關鍵產業(yè)新材料的應用測試公共平臺，下游企業(yè)優(yōu)先試用，使用本地國產化新材料，把更多機會留給國內企業(yè)（特別是創(chuàng)新型民企），大家一起來解決在這幾個核心產業(yè)領域嚴重依賴進口的問題。

發(fā)展至今，鼎龍股份作為高技術創(chuàng)新的上市公司，在國產替代領域不斷“補短板”“填空白”，是2018年國家創(chuàng)新示范企業(yè)、工信部制造業(yè)單項冠軍企業(yè)和湖北省隱形冠軍企業(yè)。

朱雙全的辦公桌上擺著一只四足鼎模型。在他看來，鼎代表強大，也代表制度與規(guī)范，鼎還有革新之意，寓意未來的創(chuàng)新。

“中國民營企業(yè)能夠發(fā)展到一定規(guī)模，都是闖出來、干出來的。在創(chuàng)業(yè)早期，除了一個想法，除了一股干勁，除了對一個市場領域或者一類產品的創(chuàng)新機會的認識，我們什么都沒有，就是憑著破釜沉舟的精神去干起來?！敝祀p全說，“鼎龍的這股干勁一直不會丟，還有更大的天地等著我們去闖！”

日前，山東省發(fā)改委召開新聞通氣會，宣布2019年山東省確定了120個省重點項目，其中建設項目100個、準備項目20個。這120個重點項目總投資6130億元，其中100個建設項目總投資3360億元。

據山東省發(fā)改委重點項目處處長王曉燕介紹，今年該省重點建設項目實體產業(yè)項目占比高，新一代信息技術、高端裝備、高端化工、新能源新材料等先進制造業(yè)項目80個，占項目總數的66.7%。在這次總名單中，包括有研半導體、山東天岳等數個集成電路項目亦上榜。

近年來，山東省正在加快集成電路產業(yè)發(fā)展步伐，2014年該省政府印發(fā)《山東省人民政府關于貫徹國發(fā)〔2014〕4號文件加快集成電路產業(yè)發(fā)展的意見》，而在其2018年11月印發(fā)的《山東省新一代信息技術產業(yè)專項規(guī)劃》中，集成電路亦被作為一個補短板的核心領域進行重點突破。

目前，山東省已初步形成了涵蓋設計、制造、封測、材料等環(huán)節(jié)的集成電路產業(yè)鏈，擁有中維世紀、華芯、概倫、青島恩芯、淄博美林、山東天岳、有研半導體等一眾企業(yè)。該省目標到2022年，培育3-5家集成電路龍頭企業(yè)，20家具備較強競爭力的細分領域領軍企業(yè)。

以下為2019年山東省重點項目名單中的集成電路項目：

建設項目：

山東有研半導體材料有限公司集成電路用大尺寸硅材料規(guī)?；a一期項目（年產8英寸硅片276萬片、6英寸硅片180萬片、12-18英寸大直徑硅單晶240噸）

2018年7月，有研半導體與山東省德州簽署集成電路用大尺寸硅材料規(guī)模化基地項目投資合作協議。該項目落戶經濟技術開發(fā)區(qū)，總投資80億元，其中一期建設年產276萬片8英寸硅片生產線，二期建設年產360萬片12英寸硅片生產線。

山東天岳先進材料科技有限公司高品質4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產業(yè)化項目（年產6英寸碳化硅單晶襯底3萬片）

濟南市槐蔭區(qū)環(huán)保局的資料顯示，山東天岳擬投資45000萬元在現有廠區(qū)內建設高品質4H-SiC單晶襯底材料研究與產業(yè)化項目，本項目建成后可達到年產6英寸4H-SiC單晶襯底（兼容4英寸）產品3萬片的生產能力。

山東華芯電子有限公司智能芯片及成品項目(年產系列芯片100億只)

山東華芯擬投資6.5億元建設智能芯片及成品項目，包括傳感芯片生產線10條，壓敏芯片、防雷芯片生產線20條，半導體芯片生產線6條。該項目建成后，年可生產傳感芯片、TPMOV電路保護模組、TVS管芯片、放電管芯片、半導體芯片、壓敏芯片、智能芯片等100億只。

準備項目：

濟南富元電子科技發(fā)展有限公司高功率芯片項目

資料顯示，濟南富元電子科技發(fā)展有限公司于2018年12月13日注冊成立，注冊資本1億元人民幣，經營范圍包括電子元器件、電子電路、半導體器件的開發(fā)、生產、銷售及技術服務等，但筆者暫且未搜索到關于該項目的更多相關信息。

根據南韓媒體《the elec》的報導，根據國際半導體設備協會（SEMI）的資料顯示，預期 2019 年全球半導體材料市場將成長 2%，不敵 2018 年因上半年存儲器產業(yè)的榮景，使得全年成長了 10% 的表現。不過，2019 年半導體材料市場的雖然成長不如 2018 年，但是相較于半導體設備市場同期因資本支出（CAPEX）而下滑 4% 來說，還是比較樂觀的。

報導指出， 2018 年全球半導體材料市場成長到了 490 億美元，較 2017 年的 470 億美元，成長了 10%。預計，2019 年還將再成長 2%，達到 500 億美元。而成長的主因要歸功于已完成投資的半導體工廠開始全面生產，以及由于研發(fā)制程的數量增加，而導致的材料消耗增多所致。

另外，半導體材料主要用于前端晶圓制造和后端封裝的部分，其占比約為 6：4。其中，在晶圓制造前端的三大半導體材料，包括硅晶圓、光罩和氣體部分，2019 年銷售金額的成長幅度將是最高的，預計分別能達到 5,800 萬美元、6,500 萬美元以及 2,000 萬美元。至于，在后端封裝材料中，包括導線架和基板、陶瓷封裝、封裝樹脂、焊線和黏合劑等材料上，2019 年電路板市場銷售金額預計為 6.34 億美元，其 2017 年的成長率為 5%，2018 年為 3%，2019 年則將下降至僅成長 1%。

報導還指出，從過去 3 年的半導體材料成長率來看，前端材料遠高于后端材料。在 2016 年時，前端材料銷售金額成長了 3%，后端材料則下降了 4%。但是到了 2017 年，前后端則分別成長了 13% 和 5%。2018 年兩者分別成長 14% 和 3%。SEMI 的分析指出，前端材料的成長歸功于各種前端技術的積極使用，如極紫外光 （EUV） 曝光、原子層沉積 （ALD） 和等離子體化學氣相沉積 （PECVD） 等。

SEMI 進一步表示，在未來一年中，半導體材料市場需面對不確定因素，包括美中貿易摩擦、匯率和國際金屬的價格變動等，都將會對相關企業(yè)造成程度不一影響。而且，目前許多材料供應商都在日本。所以，在日本企業(yè)占了半導體材料市場 55% 市占率的情況下，未來日圓匯率也可能會影響整體材料市場的營收。

而對于 2019 年整體半導體市場的環(huán)境，SEMI 指出，市場的成長力道將會大幅減緩，成長率僅達到 2.6%，遠低于 2017 年的 22% 和 2018 年的 15.9%。然而，預計到 2020 年，半導體設備市場將強勁反彈 20.7%，這將使得所有半導體和材料市場也有望以同樣的趨勢復甦。

1月14日，2019年重慶市首批重點工業(yè)項目集中開工活動在長壽區(qū)舉行，共37個項目集中開工。據重慶市經信委稱，加上年初已開工和近期擬開工項目，全市新開工重大工業(yè)項目計劃總投資將超過330億元，全部達產后預計每年新增產值超過620億元。

重慶經信委表示此次首批集中開工項目具有規(guī)模大、技術含量高的特點，大多集中在先進制造業(yè)領域，其中包括屬于半導體領域的歐中電子材料有限公司年產5735噸電子氣項目以及重慶恩瑞實業(yè)有限公司年產6500萬顆片半導體芯片項目。

據重慶經信委介紹，歐中電子材料有限公司主要從事生產、銷售、研發(fā)、進出口電子級特種氣體及半導體生產過程中所需的電子化學品。該公司投資5億元，建設年產5735噸電子氣項目，主要生產電子級六氟化鎢、電子級三氯化硼、電子級六氟丁二烯等系列電子級氣體產品，該產品主要用于半導體芯片制造。

該項目占地面積100畝，將于2019年2月開工建設、2019年12月建成，可實現年銷售收入3.5億元，綜合稅收880萬元。

重慶恩瑞實業(yè)有限公司是深圳恩瑞科技有限公司在長壽注冊的全資子公司，投資15億元，建設年產6500萬顆片半導體芯片項目，該產品主要用于電腦、手機、汽車、無人機等電子科技產品主板的制造。

恩瑞實業(yè)的半導體芯片項目占地面積40畝，于2019年1月開工建設，預計2019年11月建成，計劃全負荷生產可實現銷售收入5億元，實現綜合稅收2500萬元。

近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能晶源(青島)半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚能晶源也因此成為截至目前公司已知全球范圍內領先的可提供具備長時可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生產企業(yè)，但當期尚未實現量產。

第三代半導體材料氮化鎵有何優(yōu)勢？

據悉，與第二代半導體硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等材料相比，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱為寬禁帶半導體材料。得益于禁帶寬度的優(yōu)勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優(yōu)于Si、GaAs等傳統半導體材料。

此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較Si更為優(yōu)異，因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。

與此同時，將GaN外延生長在硅襯底之上，可以有效地結合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優(yōu)勢?；谙冗M的GaN-on-Si技術，可以在實現高性能GaN器件的同時將器件制造成本控制在與傳統Si基器件相當的程度。

因此，GaN-on-Si技術也被業(yè)界認為是新型功率與微波電子器件的主流技術。

設立子公司布局有成效

2018年，公司先后投資設立了聚能晶源、青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，依托專業(yè)團隊優(yōu)勢，聯合產業(yè)資源，積極布局并把握下一代功率與微波電子領域的市場機遇。

自成立以來，聚能晶源積極投入研發(fā)，充分發(fā)揮核心團隊的技術優(yōu)勢，先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長等技術難關，成功研制了達到全球業(yè)界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。

該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業(yè)界中高壓功率電子器件的應用需求。

耐威科技表示，在采用國際業(yè)界嚴苛判據標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，能夠保障相關材料與技術在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。

公告稱，本次“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，短期內不會對公司的生產經營產生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競爭力并把握市場機遇。