如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,那么全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必須找到新的材料“續(xù)命”。2009年,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖委員會(huì)(ITRS)將碳基納米材料列入延續(xù)摩爾定律的未來(lái)集成電路技術(shù)選項(xiàng),但是在其后的時(shí)間里,碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業(yè)界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團(tuán)隊(duì)宣布他們把碳基半導(dǎo)體技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室研究向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的問(wèn)題,這個(gè)方法的成果令業(yè)界振奮,但從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化還必須經(jīng)歷漫長(zhǎng)的路。

高性能碳納米管的重大飛躍

每一種技術(shù)都有它的生命周期,現(xiàn)有的硅基芯片制造技術(shù)即將觸碰其極限,碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾技術(shù)的重要選項(xiàng)之一。

相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢(shì)。IBM的理論計(jì)算表明,若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設(shè)計(jì),碳管技術(shù)相較硅基技術(shù)具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢(shì)。斯坦福大學(xué)的系統(tǒng)層面的模擬表明,碳管技術(shù)還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術(shù)發(fā)展成為三維芯片技術(shù),將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上。

業(yè)界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在臺(tái)積電IEDM大會(huì)上,臺(tái)積電CTO孫元成就報(bào)告了關(guān)于碳納米管的消息。

但碳管技術(shù)“理想很豐滿,現(xiàn)實(shí)很骨感”,碳基在理論上和模擬層面的理想值曾讓IBM和英特爾為此進(jìn)行了很多年的探索,但是都遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結(jié)論是無(wú)法制備出性能超越硅基n型晶體管的碳納米管器件,其后Intel放棄了碳基集成電路技術(shù)。在技術(shù)路線上,IBM與英特爾都選擇了傳統(tǒng)的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團(tuán)隊(duì)在2001年進(jìn)入該領(lǐng)域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成電路和光電器件的“無(wú)摻雜制備技術(shù)”。在2017年首次制備出柵長(zhǎng)5納米的碳管晶體管這一世界上迄今為止最小的高性能晶體管,綜合性能比當(dāng)時(shí)最好的硅基晶體管領(lǐng)先10倍,接近了量子極限,該成果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團(tuán)隊(duì)再次突破了傳統(tǒng)的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能夠滿足未來(lái)超低功耗集成電路的需要,為超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團(tuán)隊(duì)闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這個(gè)方法解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的材料純度、密度和面積問(wèn)題,純度達(dá)到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這個(gè)材料基本上具備了做大規(guī)模集成電路的可能性。

在此論文發(fā)表后,杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說(shuō),10年前他幫助IBM公司確定了碳納米管純度和密度的目標(biāo),當(dāng)時(shí)很多人認(rèn)為這無(wú)法實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)在彭練矛和張志勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了突破,“這確實(shí)是一項(xiàng)了不起的成就,是高性能碳納米管晶體管的重大飛躍。”Aaron Franklin表示。

北京碳基集成電路研究院的技術(shù)人員向記者表示,碳基技術(shù)有著比硅基技術(shù)更優(yōu)的性能和更低的功耗,性能功耗綜合優(yōu)勢(shì)在5到10倍,這意味著碳基芯片性能比相同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片領(lǐng)先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能和集成度相當(dāng)于28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實(shí)現(xiàn)等同于7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片。這為已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團(tuán)隊(duì)的突破,元禾璞華管理合伙人、投委會(huì)主席陳大同表示:“彭院士團(tuán)隊(duì)對(duì)于碳基半導(dǎo)體的研究絕對(duì)是世界級(jí)原創(chuàng)性技術(shù),具有前瞻性,未來(lái)在半導(dǎo)體材料和芯片領(lǐng)域有非常大的優(yōu)勢(shì)和機(jī)會(huì)?!?019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(zhǎng)在參觀完4英寸碳基半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)線時(shí)曾表示:“碳基半導(dǎo)體的研究和工業(yè)化實(shí)踐是中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可缺少的一個(gè)重要組成部分?!?/p>

碳基半導(dǎo)體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現(xiàn)新物質(zhì)規(guī)律和新理論,但從一扇窗變成一條新路,需要龐大的創(chuàng)新鏈齊心協(xié)力。在硅基的技術(shù)路線上我們一直跟隨,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了世界級(jí)的突破。接下來(lái)我們?cè)撊绾螐膶?shí)驗(yàn)室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到產(chǎn)業(yè)化的“789”呢?

記者還記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時(shí)他們的焦慮:一個(gè)顛覆性技術(shù),從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)界,中間還需要進(jìn)行工程化研究,只有工程化、成熟化的技術(shù),產(chǎn)業(yè)界才敢接手。

北京碳基集成電路研究院于2018年9月正式登記成立,它的發(fā)起單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔(dān)任院長(zhǎng)。業(yè)內(nèi)人士都知道著名的比利時(shí)IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實(shí)驗(yàn)室,早期是由政府投資,現(xiàn)在其80%的收入來(lái)自企業(yè),這個(gè)頂級(jí)的實(shí)驗(yàn)室對(duì)于全球集成電路發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。包括英特爾、ARM、臺(tái)積電等許多業(yè)界巨頭都是它的客戶,這些巨頭的新技術(shù)在進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)線之前,其新技術(shù)工程化都交給IMEC來(lái)完成。碳基集成電路的發(fā)展同樣需要這樣的機(jī)構(gòu)。目前來(lái)看,北京碳基集成電路研究院的目標(biāo)是希望成為碳基集成電路產(chǎn)業(yè)的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“北京碳基集成電路研究院希望能夠在工程化方向上不斷前進(jìn),做技術(shù)成熟度由4到8的事情,最終將技術(shù)轉(zhuǎn)給企業(yè)。產(chǎn)業(yè)化和商業(yè)化的事情一定要由公司來(lái)做,研究院是做技術(shù)研發(fā)的。”

應(yīng)該說(shuō),這次北京碳基集成電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問(wèn)世,將碳基技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室向工業(yè)化推進(jìn)了一大步,那么下一步還有哪些挑戰(zhàn),還有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業(yè)分析人士對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“這是很令人興奮的事情,但是從論文到新技術(shù)再到產(chǎn)品到商品有很長(zhǎng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來(lái),包括氮化鎵、碳化硅等,但從長(zhǎng)期來(lái)看,硅還是難以被取代的?!?/p>

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)分析人士韓曉敏認(rèn)為,碳基是集成電路重要發(fā)展方向之一,但是目前產(chǎn)業(yè)生態(tài)中愿意跟進(jìn)的企業(yè)還不多。還需進(jìn)一步突破成本限制,在設(shè)備和器件等工藝方面還需建立成熟的規(guī)范流程,在產(chǎn)品方向上,與硅基芯片結(jié)合不緊密的領(lǐng)域有望最先突破。

從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰(zhàn)?本源量子是中國(guó)一家量子計(jì)算領(lǐng)域的創(chuàng)業(yè)公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示,從科研品到工業(yè)品,其中面臨的挑戰(zhàn)包括資金的持續(xù)保證、理念的轉(zhuǎn)變以及與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容等?!芭c現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容至關(guān)重要,如果現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從儀器、設(shè)備、工藝流程上可大部分借用,那么將大大提升產(chǎn)業(yè)跟進(jìn)的速度?!彼f(shuō)。

事實(shí)上,硅基集成電路產(chǎn)業(yè)之所以有今天的豐富、成熟生態(tài),每一個(gè)環(huán)節(jié)都投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,臺(tái)積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因?yàn)槿绱?,產(chǎn)業(yè)鏈很難“棄硅另起爐灶”,所以兼容至關(guān)重要。

那么硅基生態(tài)鏈上相關(guān)技術(shù)與工藝設(shè)備流程,比如光刻機(jī)、軟件設(shè)計(jì)工具、測(cè)試儀器、生產(chǎn)工藝流程等,在碳基上是否能用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能達(dá)到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨(dú)建立?!?/p>

目前解決了碳納米材料的純度、密度問(wèn)題。“下一步還需要確保材料的工藝穩(wěn)定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好兼容性,這是一個(gè)綜合的事情。現(xiàn)代芯片制備有上千個(gè)步驟,其中一步做不好,就沒(méi)有好的產(chǎn)品。最后是一個(gè)系統(tǒng)優(yōu)化的問(wèn)題,材料、器件、芯片設(shè)計(jì)等密不可分?!迸砭毭f(shuō)。

碳納米管未來(lái)有很好的應(yīng)用前景。“由于碳基材質(zhì)的特殊性,它能讓電路做到像創(chuàng)可貼一樣柔軟,這樣的柔性器械如果應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域,將使患者擁有更加舒適的檢查體驗(yàn);在一些高輻射、高溫度的極端環(huán)境里,碳基材質(zhì)所制造出的機(jī)器人可以更好地代替人類執(zhí)行危險(xiǎn)系數(shù)高的任務(wù);碳基技術(shù)若應(yīng)用到智能手機(jī)上,因其擁有更低的功耗,將使待機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)?!睆堉居孪蛴浾呓榻B說(shuō)。

5月26日,北京碳基集成電路研究院舉行成果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業(yè)的工業(yè)研究院相關(guān)人員也有到場(chǎng),工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)是什么?“工業(yè)界還是關(guān)注技術(shù)何時(shí)能夠成熟到可以被使用,包括成本和可靠性等工程問(wèn)題?!迸砭毭硎?,這本就是企業(yè)該做的。

而工業(yè)界很難在一項(xiàng)技術(shù)還沒(méi)看到投資回報(bào)時(shí)進(jìn)行投入,如果碳基技術(shù)想要工程化,需要北京碳基集成電路研究院成為碳基領(lǐng)域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續(xù)往前推進(jìn),北京碳基集成電路研究院按照200人的規(guī)模,再加上實(shí)驗(yàn)平臺(tái),每年需要的資金約為2億元,并且需要確保十年以上的資金投入,約為20億元。但是直到現(xiàn)在,還沒(méi)有企業(yè)關(guān)注到該研究院的價(jià)值。

不久前,阿里巴巴宣布未來(lái)3年將投入2000億元來(lái)研發(fā)芯片、云操作系統(tǒng)等,而騰訊云宣布將投入5000億元進(jìn)行新基建相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。在云計(jì)算的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的當(dāng)下,從云操作系統(tǒng)到芯片全線布局,正在成為越來(lái)越多的巨頭的選擇。目前阿里巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這家芯片公司,那么未來(lái)騰訊有沒(méi)有可能也會(huì)進(jìn)入芯片領(lǐng)域呢?如果有可能,期望中國(guó)的巨頭企業(yè)能夠看到這樣的信息,能夠關(guān)注到“碳基”集成電路的新機(jī)會(huì)。

如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,那么全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必須找到新的材料“續(xù)命”。2009年,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖委員會(huì)(ITRS)將碳基納米材料列入延續(xù)摩爾定律的未來(lái)集成電路技術(shù)選項(xiàng),但是在其后的時(shí)間里,碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業(yè)界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團(tuán)隊(duì)宣布他們把碳基半導(dǎo)體技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室研究向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的問(wèn)題,這個(gè)方法的成果令業(yè)界振奮,但從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化還必須經(jīng)歷漫長(zhǎng)的路。

高性能碳納米管的重大飛躍

每一種技術(shù)都有它的生命周期,現(xiàn)有的硅基芯片制造技術(shù)即將觸碰其極限,碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾技術(shù)的重要選項(xiàng)之一。

相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢(shì)。IBM的理論計(jì)算表明,若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設(shè)計(jì),碳管技術(shù)相較硅基技術(shù)具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢(shì)。斯坦福大學(xué)的系統(tǒng)層面的模擬表明,碳管技術(shù)還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術(shù)發(fā)展成為三維芯片技術(shù),將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上。

業(yè)界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在臺(tái)積電IEDM大會(huì)上,臺(tái)積電CTO孫元成就報(bào)告了關(guān)于碳納米管的消息。

但碳管技術(shù)“理想很豐滿,現(xiàn)實(shí)很骨感”,碳基在理論上和模擬層面的理想值曾讓IBM和英特爾為此進(jìn)行了很多年的探索,但是都遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結(jié)論是無(wú)法制備出性能超越硅基n型晶體管的碳納米管器件,其后Intel放棄了碳基集成電路技術(shù)。在技術(shù)路線上,IBM與英特爾都選擇了傳統(tǒng)的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團(tuán)隊(duì)在2001年進(jìn)入該領(lǐng)域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成電路和光電器件的“無(wú)摻雜制備技術(shù)”。在2017年首次制備出柵長(zhǎng)5納米的碳管晶體管這一世界上迄今為止最小的高性能晶體管,綜合性能比當(dāng)時(shí)最好的硅基晶體管領(lǐng)先10倍,接近了量子極限,該成果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團(tuán)隊(duì)再次突破了傳統(tǒng)的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能夠滿足未來(lái)超低功耗集成電路的需要,為超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團(tuán)隊(duì)闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這個(gè)方法解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的材料純度、密度和面積問(wèn)題,純度達(dá)到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這個(gè)材料基本上具備了做大規(guī)模集成電路的可能性。

在此論文發(fā)表后,杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說(shuō),10年前他幫助IBM公司確定了碳納米管純度和密度的目標(biāo),當(dāng)時(shí)很多人認(rèn)為這無(wú)法實(shí)現(xiàn)?,F(xiàn)在彭練矛和張志勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了突破,“這確實(shí)是一項(xiàng)了不起的成就,是高性能碳納米管晶體管的重大飛躍?!盇aron Franklin表示。

北京碳基集成電路研究院的技術(shù)人員向記者表示,碳基技術(shù)有著比硅基技術(shù)更優(yōu)的性能和更低的功耗,性能功耗綜合優(yōu)勢(shì)在5到10倍,這意味著碳基芯片性能比相同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片領(lǐng)先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能和集成度相當(dāng)于28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實(shí)現(xiàn)等同于7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片。這為已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團(tuán)隊(duì)的突破,元禾璞華管理合伙人、投委會(huì)主席陳大同表示:“彭院士團(tuán)隊(duì)對(duì)于碳基半導(dǎo)體的研究絕對(duì)是世界級(jí)原創(chuàng)性技術(shù),具有前瞻性,未來(lái)在半導(dǎo)體材料和芯片領(lǐng)域有非常大的優(yōu)勢(shì)和機(jī)會(huì)。”2019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(zhǎng)在參觀完4英寸碳基半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)線時(shí)曾表示:“碳基半導(dǎo)體的研究和工業(yè)化實(shí)踐是中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可缺少的一個(gè)重要組成部分?!?/p>

碳基半導(dǎo)體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現(xiàn)新物質(zhì)規(guī)律和新理論,但從一扇窗變成一條新路,需要龐大的創(chuàng)新鏈齊心協(xié)力。在硅基的技術(shù)路線上我們一直跟隨,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了世界級(jí)的突破。接下來(lái)我們?cè)撊绾螐膶?shí)驗(yàn)室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到產(chǎn)業(yè)化的“789”呢?

記者還記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時(shí)他們的焦慮:一個(gè)顛覆性技術(shù),從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)界,中間還需要進(jìn)行工程化研究,只有工程化、成熟化的技術(shù),產(chǎn)業(yè)界才敢接手。

北京碳基集成電路研究院于2018年9月正式登記成立,它的發(fā)起單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔(dān)任院長(zhǎng)。業(yè)內(nèi)人士都知道著名的比利時(shí)IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實(shí)驗(yàn)室,早期是由政府投資,現(xiàn)在其80%的收入來(lái)自企業(yè),這個(gè)頂級(jí)的實(shí)驗(yàn)室對(duì)于全球集成電路發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。包括英特爾、ARM、臺(tái)積電等許多業(yè)界巨頭都是它的客戶,這些巨頭的新技術(shù)在進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)線之前,其新技術(shù)工程化都交給IMEC來(lái)完成。碳基集成電路的發(fā)展同樣需要這樣的機(jī)構(gòu)。目前來(lái)看,北京碳基集成電路研究院的目標(biāo)是希望成為碳基集成電路產(chǎn)業(yè)的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“北京碳基集成電路研究院希望能夠在工程化方向上不斷前進(jìn),做技術(shù)成熟度由4到8的事情,最終將技術(shù)轉(zhuǎn)給企業(yè)。產(chǎn)業(yè)化和商業(yè)化的事情一定要由公司來(lái)做,研究院是做技術(shù)研發(fā)的?!?/p>

應(yīng)該說(shuō),這次北京碳基集成電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問(wèn)世,將碳基技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室向工業(yè)化推進(jìn)了一大步,那么下一步還有哪些挑戰(zhàn),還有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業(yè)分析人士對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“這是很令人興奮的事情,但是從論文到新技術(shù)再到產(chǎn)品到商品有很長(zhǎng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來(lái),包括氮化鎵、碳化硅等,但從長(zhǎng)期來(lái)看,硅還是難以被取代的。”

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)分析人士韓曉敏認(rèn)為,碳基是集成電路重要發(fā)展方向之一,但是目前產(chǎn)業(yè)生態(tài)中愿意跟進(jìn)的企業(yè)還不多。還需進(jìn)一步突破成本限制,在設(shè)備和器件等工藝方面還需建立成熟的規(guī)范流程,在產(chǎn)品方向上,與硅基芯片結(jié)合不緊密的領(lǐng)域有望最先突破。

從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰(zhàn)?本源量子是中國(guó)一家量子計(jì)算領(lǐng)域的創(chuàng)業(yè)公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示,從科研品到工業(yè)品,其中面臨的挑戰(zhàn)包括資金的持續(xù)保證、理念的轉(zhuǎn)變以及與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容等。“與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容至關(guān)重要,如果現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從儀器、設(shè)備、工藝流程上可大部分借用,那么將大大提升產(chǎn)業(yè)跟進(jìn)的速度?!彼f(shuō)。

事實(shí)上,硅基集成電路產(chǎn)業(yè)之所以有今天的豐富、成熟生態(tài),每一個(gè)環(huán)節(jié)都投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,臺(tái)積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因?yàn)槿绱?,產(chǎn)業(yè)鏈很難“棄硅另起爐灶”,所以兼容至關(guān)重要。

那么硅基生態(tài)鏈上相關(guān)技術(shù)與工藝設(shè)備流程,比如光刻機(jī)、軟件設(shè)計(jì)工具、測(cè)試儀器、生產(chǎn)工藝流程等,在碳基上是否能用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能達(dá)到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨(dú)建立?!?/p>

目前解決了碳納米材料的純度、密度問(wèn)題?!跋乱徊竭€需要確保材料的工藝穩(wěn)定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好兼容性,這是一個(gè)綜合的事情。現(xiàn)代芯片制備有上千個(gè)步驟,其中一步做不好,就沒(méi)有好的產(chǎn)品。最后是一個(gè)系統(tǒng)優(yōu)化的問(wèn)題,材料、器件、芯片設(shè)計(jì)等密不可分?!迸砭毭f(shuō)。

碳納米管未來(lái)有很好的應(yīng)用前景。“由于碳基材質(zhì)的特殊性,它能讓電路做到像創(chuàng)可貼一樣柔軟,這樣的柔性器械如果應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域,將使患者擁有更加舒適的檢查體驗(yàn);在一些高輻射、高溫度的極端環(huán)境里,碳基材質(zhì)所制造出的機(jī)器人可以更好地代替人類執(zhí)行危險(xiǎn)系數(shù)高的任務(wù);碳基技術(shù)若應(yīng)用到智能手機(jī)上,因其擁有更低的功耗,將使待機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)?!睆堉居孪蛴浾呓榻B說(shuō)。

5月26日,北京碳基集成電路研究院舉行成果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業(yè)的工業(yè)研究院相關(guān)人員也有到場(chǎng),工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)是什么?“工業(yè)界還是關(guān)注技術(shù)何時(shí)能夠成熟到可以被使用,包括成本和可靠性等工程問(wèn)題?!迸砭毭硎?,這本就是企業(yè)該做的。

而工業(yè)界很難在一項(xiàng)技術(shù)還沒(méi)看到投資回報(bào)時(shí)進(jìn)行投入,如果碳基技術(shù)想要工程化,需要北京碳基集成電路研究院成為碳基領(lǐng)域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續(xù)往前推進(jìn),北京碳基集成電路研究院按照200人的規(guī)模,再加上實(shí)驗(yàn)平臺(tái),每年需要的資金約為2億元,并且需要確保十年以上的資金投入,約為20億元。但是直到現(xiàn)在,還沒(méi)有企業(yè)關(guān)注到該研究院的價(jià)值。

不久前,阿里巴巴宣布未來(lái)3年將投入2000億元來(lái)研發(fā)芯片、云操作系統(tǒng)等,而騰訊云宣布將投入5000億元進(jìn)行新基建相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。在云計(jì)算的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的當(dāng)下,從云操作系統(tǒng)到芯片全線布局,正在成為越來(lái)越多的巨頭的選擇。目前阿里巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這家芯片公司,那么未來(lái)騰訊有沒(méi)有可能也會(huì)進(jìn)入芯片領(lǐng)域呢?如果有可能,期望中國(guó)的巨頭企業(yè)能夠看到這樣的信息,能夠關(guān)注到“碳基”集成電路的新機(jī)會(huì)。

如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“續(xù)命”的新材料是?

如果硅基走到了盡頭,那么全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)必須找到新的材料“續(xù)命”。2009年,半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖委員會(huì)(ITRS)將碳基納米材料列入延續(xù)摩爾定律的未來(lái)集成電路技術(shù)選項(xiàng),但是在其后的時(shí)間里,碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業(yè)界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團(tuán)隊(duì)宣布他們把碳基半導(dǎo)體技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室研究向產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能電子學(xué)的高密度半導(dǎo)體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的問(wèn)題,這個(gè)方法的成果令業(yè)界振奮,但從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化還必須經(jīng)歷漫長(zhǎng)的路。

高性能碳納米管的重大飛躍

每一種技術(shù)都有它的生命周期,現(xiàn)有的硅基芯片制造技術(shù)即將觸碰其極限,碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾技術(shù)的重要選項(xiàng)之一。

相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢(shì)。IBM的理論計(jì)算表明,若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設(shè)計(jì),碳管技術(shù)相較硅基技術(shù)具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢(shì)。斯坦福大學(xué)的系統(tǒng)層面的模擬表明,碳管技術(shù)還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術(shù)發(fā)展成為三維芯片技術(shù),將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上。

業(yè)界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在臺(tái)積電IEDM大會(huì)上,臺(tái)積電CTO孫元成就報(bào)告了關(guān)于碳納米管的消息。

但碳管技術(shù)“理想很豐滿,現(xiàn)實(shí)很骨感”,碳基在理論上和模擬層面的理想值曾讓IBM和英特爾為此進(jìn)行了很多年的探索,但是都遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結(jié)論是無(wú)法制備出性能超越硅基n型晶體管的碳納米管器件,其后Intel放棄了碳基集成電路技術(shù)。在技術(shù)路線上,IBM與英特爾都選擇了傳統(tǒng)的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團(tuán)隊(duì)在2001年進(jìn)入該領(lǐng)域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成電路和光電器件的“無(wú)摻雜制備技術(shù)”。在2017年首次制備出柵長(zhǎng)5納米的碳管晶體管這一世界上迄今為止最小的高性能晶體管,綜合性能比當(dāng)時(shí)最好的硅基晶體管領(lǐng)先10倍,接近了量子極限,該成果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團(tuán)隊(duì)再次突破了傳統(tǒng)的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能夠滿足未來(lái)超低功耗集成電路的需要,為超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團(tuán)隊(duì)闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這個(gè)方法解決了長(zhǎng)期困擾碳基半導(dǎo)體材料制備的材料純度、密度和面積問(wèn)題,純度達(dá)到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這個(gè)材料基本上具備了做大規(guī)模集成電路的可能性。

在此論文發(fā)表后,杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說(shuō),10年前他幫助IBM公司確定了碳納米管純度和密度的目標(biāo),當(dāng)時(shí)很多人認(rèn)為這無(wú)法實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)在彭練矛和張志勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了突破,“這確實(shí)是一項(xiàng)了不起的成就,是高性能碳納米管晶體管的重大飛躍?!盇aron Franklin表示。

北京碳基集成電路研究院的技術(shù)人員向記者表示,碳基技術(shù)有著比硅基技術(shù)更優(yōu)的性能和更低的功耗,性能功耗綜合優(yōu)勢(shì)在5到10倍,這意味著碳基芯片性能比相同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片領(lǐng)先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能和集成度相當(dāng)于28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實(shí)現(xiàn)等同于7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的硅基芯片。這為已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團(tuán)隊(duì)的突破,元禾璞華管理合伙人、投委會(huì)主席陳大同表示:“彭院士團(tuán)隊(duì)對(duì)于碳基半導(dǎo)體的研究絕對(duì)是世界級(jí)原創(chuàng)性技術(shù),具有前瞻性,未來(lái)在半導(dǎo)體材料和芯片領(lǐng)域有非常大的優(yōu)勢(shì)和機(jī)會(huì)。”2019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(zhǎng)在參觀完4英寸碳基半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)線時(shí)曾表示:“碳基半導(dǎo)體的研究和工業(yè)化實(shí)踐是中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可缺少的一個(gè)重要組成部分。”

碳基半導(dǎo)體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現(xiàn)新物質(zhì)規(guī)律和新理論,但從一扇窗變成一條新路,需要龐大的創(chuàng)新鏈齊心協(xié)力。在硅基的技術(shù)路線上我們一直跟隨,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了世界級(jí)的突破。接下來(lái)我們?cè)撊绾螐膶?shí)驗(yàn)室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到產(chǎn)業(yè)化的“789”呢?

記者還記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時(shí)他們的焦慮:一個(gè)顛覆性技術(shù),從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)界,中間還需要進(jìn)行工程化研究,只有工程化、成熟化的技術(shù),產(chǎn)業(yè)界才敢接手。

北京碳基集成電路研究院于2018年9月正式登記成立,它的發(fā)起單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔(dān)任院長(zhǎng)。業(yè)內(nèi)人士都知道著名的比利時(shí)IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實(shí)驗(yàn)室,早期是由政府投資,現(xiàn)在其80%的收入來(lái)自企業(yè),這個(gè)頂級(jí)的實(shí)驗(yàn)室對(duì)于全球集成電路發(fā)展做出了巨大貢獻(xiàn)。包括英特爾、ARM、臺(tái)積電等許多業(yè)界巨頭都是它的客戶,這些巨頭的新技術(shù)在進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)線之前,其新技術(shù)工程化都交給IMEC來(lái)完成。碳基集成電路的發(fā)展同樣需要這樣的機(jī)構(gòu)。目前來(lái)看,北京碳基集成電路研究院的目標(biāo)是希望成為碳基集成電路產(chǎn)業(yè)的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“北京碳基集成電路研究院希望能夠在工程化方向上不斷前進(jìn),做技術(shù)成熟度由4到8的事情,最終將技術(shù)轉(zhuǎn)給企業(yè)。產(chǎn)業(yè)化和商業(yè)化的事情一定要由公司來(lái)做,研究院是做技術(shù)研發(fā)的。”

應(yīng)該說(shuō),這次北京碳基集成電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問(wèn)世,將碳基技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室向工業(yè)化推進(jìn)了一大步,那么下一步還有哪些挑戰(zhàn),還有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業(yè)分析人士對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示:“這是很令人興奮的事情,但是從論文到新技術(shù)再到產(chǎn)品到商品有很長(zhǎng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來(lái),包括氮化鎵、碳化硅等,但從長(zhǎng)期來(lái)看,硅還是難以被取代的?!?/p>

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)分析人士韓曉敏認(rèn)為,碳基是集成電路重要發(fā)展方向之一,但是目前產(chǎn)業(yè)生態(tài)中愿意跟進(jìn)的企業(yè)還不多。還需進(jìn)一步突破成本限制,在設(shè)備和器件等工藝方面還需建立成熟的規(guī)范流程,在產(chǎn)品方向上,與硅基芯片結(jié)合不緊密的領(lǐng)域有望最先突破。

從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰(zhàn)?本源量子是中國(guó)一家量子計(jì)算領(lǐng)域的創(chuàng)業(yè)公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示,從科研品到工業(yè)品,其中面臨的挑戰(zhàn)包括資金的持續(xù)保證、理念的轉(zhuǎn)變以及與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容等?!芭c現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)的兼容至關(guān)重要,如果現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從儀器、設(shè)備、工藝流程上可大部分借用,那么將大大提升產(chǎn)業(yè)跟進(jìn)的速度?!彼f(shuō)。

事實(shí)上,硅基集成電路產(chǎn)業(yè)之所以有今天的豐富、成熟生態(tài),每一個(gè)環(huán)節(jié)都投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,臺(tái)積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因?yàn)槿绱?,產(chǎn)業(yè)鏈很難“棄硅另起爐灶”,所以兼容至關(guān)重要。

那么硅基生態(tài)鏈上相關(guān)技術(shù)與工藝設(shè)備流程,比如光刻機(jī)、軟件設(shè)計(jì)工具、測(cè)試儀器、生產(chǎn)工藝流程等,在碳基上是否能用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能達(dá)到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨(dú)建立。”

目前解決了碳納米材料的純度、密度問(wèn)題?!跋乱徊竭€需要確保材料的工藝穩(wěn)定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好兼容性,這是一個(gè)綜合的事情?,F(xiàn)代芯片制備有上千個(gè)步驟,其中一步做不好,就沒(méi)有好的產(chǎn)品。最后是一個(gè)系統(tǒng)優(yōu)化的問(wèn)題,材料、器件、芯片設(shè)計(jì)等密不可分?!迸砭毭f(shuō)。

碳納米管未來(lái)有很好的應(yīng)用前景?!坝捎谔蓟馁|(zhì)的特殊性,它能讓電路做到像創(chuàng)可貼一樣柔軟,這樣的柔性器械如果應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域,將使患者擁有更加舒適的檢查體驗(yàn);在一些高輻射、高溫度的極端環(huán)境里,碳基材質(zhì)所制造出的機(jī)器人可以更好地代替人類執(zhí)行危險(xiǎn)系數(shù)高的任務(wù);碳基技術(shù)若應(yīng)用到智能手機(jī)上,因其擁有更低的功耗,將使待機(jī)時(shí)間延長(zhǎng)?!睆堉居孪蛴浾呓榻B說(shuō)。

5月26日,北京碳基集成電路研究院舉行成果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業(yè)的工業(yè)研究院相關(guān)人員也有到場(chǎng),工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)是什么?“工業(yè)界還是關(guān)注技術(shù)何時(shí)能夠成熟到可以被使用,包括成本和可靠性等工程問(wèn)題。”彭練矛表示,這本就是企業(yè)該做的。

而工業(yè)界很難在一項(xiàng)技術(shù)還沒(méi)看到投資回報(bào)時(shí)進(jìn)行投入,如果碳基技術(shù)想要工程化,需要北京碳基集成電路研究院成為碳基領(lǐng)域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續(xù)往前推進(jìn),北京碳基集成電路研究院按照200人的規(guī)模,再加上實(shí)驗(yàn)平臺(tái),每年需要的資金約為2億元,并且需要確保十年以上的資金投入,約為20億元。但是直到現(xiàn)在,還沒(méi)有企業(yè)關(guān)注到該研究院的價(jià)值。

不久前,阿里巴巴宣布未來(lái)3年將投入2000億元來(lái)研發(fā)芯片、云操作系統(tǒng)等,而騰訊云宣布將投入5000億元進(jìn)行新基建相關(guān)技術(shù)的研發(fā)。在云計(jì)算的競(jìng)爭(zhēng)越來(lái)越激烈的當(dāng)下,從云操作系統(tǒng)到芯片全線布局,正在成為越來(lái)越多的巨頭的選擇。目前阿里巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這家芯片公司,那么未來(lái)騰訊有沒(méi)有可能也會(huì)進(jìn)入芯片領(lǐng)域呢?如果有可能,期望中國(guó)的巨頭企業(yè)能夠看到這樣的信息,能夠關(guān)注到“碳基”集成電路的新機(jī)會(huì)。

南大光電披露光刻膠項(xiàng)目最新進(jìn)展

南大光電披露光刻膠項(xiàng)目最新進(jìn)展

近日,江蘇南大光電材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“南大光電”)在股票交易異常波動(dòng)的公告中披露了其光刻膠項(xiàng)目最新進(jìn)展。

公告顯示,南大光電承接的國(guó)家“02專項(xiàng)”之“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”的基礎(chǔ)建設(shè)按計(jì)劃進(jìn)行;2019年底完成一條生產(chǎn)線的安裝,正在調(diào)試階段。2020年4月,公司采購(gòu)的用于檢測(cè)ArF(193nm)光刻膠產(chǎn)品性能的光刻機(jī)運(yùn)入寧波南大光電工廠,5月開始進(jìn)行安裝調(diào)試,預(yù)計(jì)安裝調(diào)試需要4-5個(gè)月的時(shí)間。公司制備ArF(193nm)光刻膠用的高純?cè)牧蟻?lái)源于自主研發(fā),研制出的ArF(193nm)光刻膠樣品正在供客戶測(cè)試。

目前“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”正處于光刻膠樣品驗(yàn)證階段,驗(yàn)證過(guò)程預(yù)計(jì)需要12-18個(gè)月,甚至更長(zhǎng)的時(shí)間。南大光電還指出,ArF(193nm)光刻膠產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)突破難度大、工藝要求高,且實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)周期較長(zhǎng),后續(xù)是否能取得下游客戶的訂單,能否大規(guī)模進(jìn)入市場(chǎng)仍存在較多的不確定性。

據(jù)了解,南大光電ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資額為6.56億元,其中,國(guó)撥資金1.93億元,地方配套資金1.97億元,項(xiàng)目實(shí)施主體為南大光電全資子公司寧波南大光電。

2019年12月14日,南大光電再次發(fā)布公告稱,通過(guò)增資擴(kuò)股的方式寧波南大光電進(jìn)行增資2.6億元,增資事項(xiàng)完成后,寧波南大光電的注冊(cè)資本由4000萬(wàn)元增加到3億元。對(duì)于寧波南大光電增資擴(kuò)股并引入外部投資者,南大光電稱,有利于加快公司ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的建設(shè)進(jìn)度,推動(dòng)光刻膠板塊的戰(zhàn)略布局。

根據(jù)最初規(guī)劃,ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬通過(guò)3年的建設(shè)、投產(chǎn)及實(shí)現(xiàn)銷售,達(dá)到年產(chǎn)25噸193nm(ArF干式和浸沒(méi)式)光刻膠產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模,產(chǎn)品滿足集成電路行業(yè)需求標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)建成先進(jìn)光刻膠分析測(cè)試中心和高分辨率光刻膠研發(fā)中心。

總投資3.2億元的電子特種氣體研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目開工

總投資3.2億元的電子特種氣體研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目開工

日前,天津綠菱氣體有限公司綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目舉行奠基儀式。隨著一鍬鍬土的培下,又一項(xiàng)濱海新區(qū)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目建成指日可待。該項(xiàng)目位于天津經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)南港工業(yè)區(qū),預(yù)計(jì)明年3月投入運(yùn)行,研發(fā)生產(chǎn)產(chǎn)品將解決國(guó)家關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的“卡脖子”技術(shù)難題,滿產(chǎn)后預(yù)計(jì)年銷售收入超過(guò)25億元。

電子氣體是發(fā)展集成電路、光電子、微電子,特別是超大規(guī)模集成電路、液晶顯示器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件和半導(dǎo)體材料制造過(guò)程中不可缺少的基礎(chǔ)性支撐性原材料。綠菱集團(tuán)公司是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特種氣體產(chǎn)品與服務(wù)提供商,為國(guó)內(nèi)及全球多個(gè)著名芯片制造商提供產(chǎn)品和服務(wù),公司打破了此前中國(guó)特種氣體被國(guó)外壟斷的歷史,為中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展與關(guān)鍵材料突破提供堅(jiān)實(shí)支撐。

正在建設(shè)中的綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地是綠菱集團(tuán)重要生產(chǎn)基地之一,擬建成年產(chǎn)6000噸、47種電子特種氣體產(chǎn)品,服務(wù)于半導(dǎo)體集成電路、光伏、光纖等高精尖領(lǐng)域。項(xiàng)目占地54455.89㎡,建筑面積24453.36㎡,總建設(shè)投資3.2億元,年度計(jì)劃投資2億元,計(jì)劃于2021年3月建成。滿產(chǎn)后,項(xiàng)目預(yù)計(jì)年銷售收入25.68億元,利稅2.12億元,解決就業(yè)崗位150個(gè)。

“項(xiàng)目建成后,有3個(gè)車間、5個(gè)庫(kù)房,還有配套的綜合樓、公用配套設(shè)施等。”作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,天津綠菱氣體有限公司總經(jīng)理馬建修指著項(xiàng)目施工圖紙告訴記者。

“2008年,綠菱集團(tuán)在天津武清區(qū)投資設(shè)廠,研發(fā)、生產(chǎn)各種電子特種氣體。近年來(lái),天津大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),形成了良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。我們實(shí)際上就是要緊跟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐,進(jìn)行產(chǎn)品技術(shù)更新迭代,綠菱電子研發(fā)產(chǎn)業(yè)化基地建成后,將大大擴(kuò)展產(chǎn)品種類,搶占市場(chǎng)先機(jī)?!本G菱集團(tuán)副總裁王新鵬表示。隨著半導(dǎo)體先進(jìn)制程的更新?lián)Q代,日益緊迫的材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程,綠菱氣體有限公司將加大研發(fā)力度,加快研發(fā)的進(jìn)度,為天津半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供更好的產(chǎn)品和配套服務(wù),不斷推動(dòng)新一代特種氣體在我國(guó)高精尖領(lǐng)域的應(yīng)用。?

據(jù)馬建修介紹,項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的關(guān)鍵電子特種氣體主要解決我國(guó)超大規(guī)模集成電路先進(jìn)制程中的材料制約問(wèn)題,為國(guó)家集成電路配套新材料產(chǎn)業(yè)提供重要保障。天津綠菱氣體有限公司將與京津冀相關(guān)集成電路制造企業(yè)實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展,形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集效應(yīng),推動(dòng)天津傳統(tǒng)制造業(yè)向高端智能制造轉(zhuǎn)型升級(jí)。

神工股份:公司募投項(xiàng)目產(chǎn)品目標(biāo)客戶群體為芯片制造商

神工股份:公司募投項(xiàng)目產(chǎn)品目標(biāo)客戶群體為芯片制造商

5月21日,錦州神工半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“神工股份”)在互動(dòng)平臺(tái)上表示,公司募投項(xiàng)目產(chǎn)品目標(biāo)客戶群體為芯片制造商,主要包括臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造有限公司等。

截止2020年2月17日,神工股份實(shí)際向社會(huì)公開發(fā)行人民幣普通股(A股)4,000萬(wàn)股,募集資金總額8.67億元。補(bǔ)充發(fā)行費(fèi)用后擬用于8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目與研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目?jī)纱竽技?xiàng)目。

其中,8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)的8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片生產(chǎn)線,建設(shè)完成并順利達(dá)產(chǎn)后,將達(dá)到年產(chǎn)180萬(wàn)片8英寸半導(dǎo)體級(jí)硅單晶拋光片以及36萬(wàn)片半導(dǎo)體級(jí)硅單晶陪片的產(chǎn)能規(guī)模。

資料顯示,神工半導(dǎo)體成立于2013年7月,主要業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,核心產(chǎn)品為大尺寸高純度半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料,產(chǎn)品形態(tài)包括硅棒、硅筒、硅環(huán)和硅盤。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,神工股份在半導(dǎo)體級(jí)單晶硅材料領(lǐng)域已建立起完整的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售體系,產(chǎn)品質(zhì)量已可滿足7nm先進(jìn)制程芯片制造刻蝕環(huán)節(jié)對(duì)硅材料的工藝要求。

證監(jiān)會(huì)同意金宏氣體科創(chuàng)板IPO注冊(cè)

證監(jiān)會(huì)同意金宏氣體科創(chuàng)板IPO注冊(cè)

5月21日,據(jù)證監(jiān)會(huì)發(fā)布消息,近日,證監(jiān)會(huì)按法定程序同意蘇州金宏氣體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“金宏氣體”)科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票注冊(cè)。金宏氣體及其承銷商將分別與上海證券交易所協(xié)商確定發(fā)行日程,并陸續(xù)刊登招股文件。

據(jù)悉,金宏氣體曾掛牌新三板,于2014年12月15日正式在股轉(zhuǎn)系統(tǒng)掛牌并公開轉(zhuǎn)讓,證券簡(jiǎn)稱“金宏氣體”,證券代碼“831450”。2019年12月12日起,金宏氣體股票在股轉(zhuǎn)系統(tǒng)暫停轉(zhuǎn)讓。同日,金宏氣體向上海證券交易所提交科創(chuàng)板申請(qǐng)材料。

根據(jù)此前發(fā)布的招股書顯示,金宏氣體本次擬發(fā)行不超過(guò)1.21億股流通股,擬募集資金9.98億元。其中,2.06億元用于張家港金宏氣體有限公司超大規(guī)模集成電路用高純氣體項(xiàng)目,2939.66萬(wàn)元用于蘇州金宏氣體股份有限公司研發(fā)中心項(xiàng)目,6872.28萬(wàn)元用于年充裝392.2萬(wàn)瓶工業(yè)氣體項(xiàng)目,5278.21萬(wàn)元用于年充裝125萬(wàn)瓶工業(yè)氣體項(xiàng)目,4042.31萬(wàn)元用于智能化運(yùn)營(yíng)項(xiàng)目,6.00億元用于發(fā)展與科技儲(chǔ)備資金。

資料顯示,金宏氣體成立于1999年10月,是一家專業(yè)從事氣體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的環(huán)保集約型綜合氣體供應(yīng)商,能夠?yàn)榭蛻籼峁┨胤N氣體、大宗氣體和天然氣三大類100多個(gè)氣體品種,其中超純氨、高純氫、高純氧化亞氮、硅烷混合氣、八氟環(huán)丁烷等特種氣體以及電子級(jí)的氧、氮是電子半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的關(guān)鍵原材料。

金宏氣體把應(yīng)用于電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的特種氣體和大宗氣體作為重點(diǎn)研發(fā)方向,公司研發(fā)并投產(chǎn)的超純氨、高純氧化亞氮等超高純氣體得到了國(guó)內(nèi)知名電子半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,集成電路行業(yè)的客戶包括晶方半導(dǎo)體、上海新傲、廈門聯(lián)芯等。

民進(jìn)中央兩會(huì)提案:推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展

民進(jìn)中央兩會(huì)提案:推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展

據(jù)人民網(wǎng)發(fā)布的中國(guó)統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國(guó)共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國(guó)兩會(huì)各民主黨派提案選登”報(bào)道顯示,民進(jìn)中央擬提交“關(guān)于推動(dòng)中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案指出,當(dāng)前從全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)看,一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間,有研 究顯示全球市場(chǎng)的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量是約3億多美金,硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場(chǎng)的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品,國(guó)際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為,硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場(chǎng)應(yīng)用驗(yàn)證,穩(wěn)定可靠,價(jià)格低,尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點(diǎn),在未來(lái)至少7至8年左右仍是市場(chǎng)應(yīng)用主流。

另一方面以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展,而我國(guó)碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚,在技術(shù)上仍有很大差距??上驳氖?,在國(guó)家多項(xiàng)科研計(jì)劃的扶持下,這方面已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術(shù)差距,并取得了不少成就。

隨著工業(yè)、汽車、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切,我國(guó)功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求,容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù),在國(guó)家政策利好下,功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口。為此,民進(jìn)中央提出以下建議:

一、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān),立項(xiàng)支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計(jì)和制造工藝流程技術(shù)。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展,我國(guó)在硅材料 IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀,可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)及批量制造工藝技 術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn),采取先易后難、解決“有無(wú)”問(wèn)題的發(fā)展策略,盡快實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關(guān)。大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI 技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng),包括下一步的能源傳輸,對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來(lái)越高的要求,大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)看,碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯,是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。目前碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)處于起步階段,國(guó)內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小,國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車。 一是要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國(guó)家計(jì)劃,全面部署,竭力搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。二是引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來(lái)的應(yīng)用需求,進(jìn)行前瞻性布局。推動(dòng)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題,在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。三是要避免對(duì)新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化,需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系,打造更加開放包容的投資環(huán)境。

三、謹(jǐn)慎支持收購(gòu)國(guó)外功率半導(dǎo)體企業(yè)。通過(guò)收購(gòu)很難實(shí)現(xiàn)完全學(xué)會(huì)和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯 片設(shè)計(jì)及制造工藝技術(shù),同時(shí)海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無(wú)法出口到中國(guó)的危險(xiǎn)。

109.74億元!中環(huán)股份控股股東100%股權(quán)擬掛牌轉(zhuǎn)讓

109.74億元!中環(huán)股份控股股東100%股權(quán)擬掛牌轉(zhuǎn)讓

5月20日,天津中環(huán)電子信息集團(tuán)有限公司(下稱“中環(huán)集團(tuán)”)100%股權(quán)的轉(zhuǎn)讓信息,在天津產(chǎn)權(quán)交易中心披露。中環(huán)集團(tuán)的持股方為天津津智國(guó)有資本投資運(yùn)營(yíng)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“津智資本”,持有中環(huán)集團(tuán)51%股權(quán))、天津渤海國(guó)有資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)管理有限公司(以下簡(jiǎn)稱“渤海國(guó)資”,持有中環(huán)集團(tuán)49%股權(quán)),此次中環(huán)集團(tuán)兩大股東擬共同轉(zhuǎn)讓所持中環(huán)集團(tuán)的股權(quán),轉(zhuǎn)讓比例合計(jì)為100%,轉(zhuǎn)讓底價(jià)為109.74億元。

資料顯示,中環(huán)集團(tuán)為是天津市政府授權(quán)經(jīng)營(yíng)國(guó)有資產(chǎn)的大型企業(yè)集團(tuán),現(xiàn)擁有國(guó)有全資、國(guó)有控股及參股企業(yè)250余家。其中,上市公司4家,新三板掛牌企業(yè)3家。而中環(huán)股份成立于1999年,前身為天津市第三半導(dǎo)體器件廠,2007年在深交所上市,目前已是單晶硅片龍頭企業(yè)。

據(jù)悉,中環(huán)集團(tuán)是中環(huán)股份的控股股東,中環(huán)股份表示,此次中環(huán)集團(tuán)開展國(guó)有企業(yè)混合所有制改革擬通過(guò)股權(quán)轉(zhuǎn)讓形式引入投資者,導(dǎo)致其股權(quán)結(jié)構(gòu)發(fā)生重大變化,可能將會(huì)導(dǎo)致公司的實(shí)際控制人發(fā)生變更。

此外,本次混合所有制改革將在天津產(chǎn)權(quán)交易中心以公開掛牌方式進(jìn)行,是否有受讓方成功摘牌存在不確定性。公司將持續(xù)關(guān)注本次混合所有制改革的進(jìn)展情況,并按照相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定及時(shí)履行信息披露義務(wù)。

容大感光:新建募投項(xiàng)目光刻膠及其配套化學(xué)品預(yù)計(jì)5月底投產(chǎn)

容大感光:新建募投項(xiàng)目光刻膠及其配套化學(xué)品預(yù)計(jì)5月底投產(chǎn)

深圳市容大感光科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“容大感光”)股票交易價(jià)格連續(xù)3個(gè)交易日內(nèi)(2020年5月15日、2020年5月18日、2020年5月19日)收盤價(jià)格漲幅偏離值累計(jì)超過(guò)20%,根據(jù)《深圳證券交易所交易規(guī)則》 的有關(guān)規(guī)定,屬于股票交易異常波動(dòng)的情況。

為此,該公司5月19日發(fā)布公告稱,公司發(fā)現(xiàn)近日光刻膠板塊股票維持活躍,代表公司如新萊應(yīng)材、藍(lán)英裝備、晶瑞股份、飛凱材料、南大光電、強(qiáng)力新材等,均有較高漲幅,公司與上述公司股價(jià)漲跌幅對(duì)比如下:

據(jù)了解,容大感光的光刻膠項(xiàng)目已經(jīng)研發(fā)多年,但與國(guó)際相關(guān)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,公司在研發(fā)水平、產(chǎn)品性能、資金投入等方面仍存在較大的差距。因此,未來(lái)公司產(chǎn)品能否大規(guī)模進(jìn)入市場(chǎng),能否逐步縮小與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距,仍然面臨諸多的技術(shù)挑戰(zhàn)并需要持續(xù)的資金投入。在相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)期內(nèi),光刻膠項(xiàng)目對(duì)我公司來(lái)說(shuō)依然面臨較多不確定性和風(fēng)險(xiǎn),需要我們做好長(zhǎng)期的攻堅(jiān)準(zhǔn)備。

容大感光表示,公司新建的募投項(xiàng)目光刻膠及其配套化學(xué)品還未正式投產(chǎn),尚未實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目5月底前可以正式投產(chǎn),投產(chǎn)后會(huì)提高公司在光刻膠市場(chǎng)的知名度和市場(chǎng)份額,滿足客戶國(guó)產(chǎn)化的需求,預(yù)計(jì)對(duì)公司未來(lái)業(yè)績(jī)會(huì)產(chǎn)生積極的影響,但具體影響的金額和程度還存在很多不確定性因素。