5月14日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布最新財報。數(shù)據(jù)顯示，2020年第一季度，公司實現(xiàn)銷售收入2.029億美元，同比下降8.1%，環(huán)比下降16.4%；毛利率21.1%，同比下降11.1個百分點，環(huán)比下降6.1個百分點；母公司擁有人應(yīng)占溢利2,030萬美元，上年同期為4,750萬美元，上季度為2,620萬美元。

2020年，在落實疫情防控有效措施的同時，華虹半導(dǎo)體也積極組織原材料和零部件的供應(yīng)，并通過電話、郵件、微信等方式頻繁與客戶溝通，確保了生產(chǎn)線有序運營，產(chǎn)能利用率一直保持在90%以上，且模擬與電源管理第一季度銷售額同比增長30.6%。

由于受到新冠肺炎疫情影響，市場產(chǎn)生了一定的不確定性，華虹半導(dǎo)體的嵌入式閃存、分立器件和邏輯及射頻產(chǎn)品需求有了一定程度的放緩，相應(yīng)產(chǎn)品的出貨量有了不同程度下降。

按地區(qū)分，華虹半導(dǎo)體第一季度來自于中國的銷售收入1.245億美元，占銷售收入總額的61.4%，同比增長6.8%；來自于亞洲的銷售收入2,930萬美元，同比增長17.1%；來自于美國的銷售收入2,540萬美元，同比減少38.3%；來自于歐洲的銷售收入1,620萬美元，同比減少12.2%；來自于日本的銷售收入740萬美元，同比減少62.1%。

按技術(shù)平臺劃分，第一季度華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器銷售收入7,340萬美元，同比減少13.4%；分立器件銷售收入7,580萬美元，同比減少9.6%；模擬與電源管理銷售收入3,100萬美元，同比增長30.6%；邏輯及射頻銷售收入1,970萬美元，同比減少19.2%；獨立非易失性存儲器銷售收入280萬美元，同比減少29.2%。

按工藝技術(shù)節(jié)點劃分，第一季度，華虹半導(dǎo)體0.13μm及以下工藝技術(shù)節(jié)點的銷售收入6,680萬美元，同比減少20.8%；0.15μm及0.18μm工藝技術(shù)節(jié)點的銷售收入3,200萬美元，同比增長24.4%；0.25μm工藝技術(shù)節(jié)點的銷售收入340萬美元，同比增長36.1%；0.35μm及以上工藝技術(shù)節(jié)點的銷售收入1.008億美元，同比減少7.0%。

按終端市場分布劃分，華虹半導(dǎo)體第一季度電子消費品作爲我們的第一大終端市場，貢獻銷售收入1.254億美元，占銷售收入總額的61.8%，同比減少7.5%；工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入5,010萬美元，同比增長11.9%；通訊產(chǎn)品銷售收入1,860萬美元，同比減少38.1%；計算機產(chǎn)品銷售收入870萬美元，同比減少15.3%。

此外，財報還指出，第一季度末，華虹半導(dǎo)體月產(chǎn)能達201,000片8寸等值晶圓?？傮w產(chǎn)能利用率為82.4%；付運晶圓463,000片，同比增加3.8%，環(huán)比減少10.1%。

華虹半導(dǎo)體總裁剪執(zhí)行董事唐均君表示，受海外疫情影響，參與設(shè)備調(diào)試的廠商技術(shù)人員到崗有所推遲，我們與廠商正協(xié)力推進設(shè)備的調(diào)試工作，相信隨著疫情的好轉(zhuǎn)，第二階段的工藝設(shè)備調(diào)試將盡快完成。另外，基于12英寸生產(chǎn)線90nm、65nm研發(fā)項目達成了預(yù)期目標。

華虹半導(dǎo)體預(yù)計，2020年第二季度，公司銷售收入將增長至約2.2億美元左右，毛利率約在22%到24%之間。

華虹半導(dǎo)體財報出爐最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

1月12日，在華虹集團召開的2020年全球供應(yīng)商大會上，華虹七廠首批功率器件產(chǎn)品交付，標志著中國大陸最先進的12英寸功率器件平臺成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)了解，華虹七廠首批功率器件產(chǎn)品客戶為無錫新潔能。華虹七廠作為華虹集團走出上海、布局長三角的第一個集成電路研發(fā)和制造基地，于2019年9月投產(chǎn)，創(chuàng)造了業(yè)界同類生產(chǎn)線建成、投產(chǎn)的最快記錄，成為中國大陸最先進的12英寸特色工藝生產(chǎn)線，也是大陸第一條12英寸功率器件代工生產(chǎn)線。

2017年8月2日，華虹集團與無錫市政府簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶無錫高新區(qū)。根據(jù)此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，一期項目（華虹七廠）投資25億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

從2018年4月3日樁基工程啟動以來，該項目進展迅速，2018年8月12日，生產(chǎn)廠房鋼架屋桁架吊裝完成，同年12月21日，主廠房結(jié)構(gòu)封頂，2019年5月24日，首臺工藝設(shè)備搬入，同月6月6日，首批光刻機搬入，9月17日，該項目再次迎來重大進展，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地（一期）12英寸生產(chǎn)線正式建成投片，多個產(chǎn)品進入試生產(chǎn)。

華虹七廠完成首批功率器件產(chǎn)品交付最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

華虹半導(dǎo)體發(fā)布2019年第3季度業(yè)績，該集團于期內(nèi)銷售收入2.39億美元，同比下降0.9%，環(huán)比增長3.9%。毛利率31.0%，同比下降3.0個百分點，環(huán)比持平。期內(nèi)溢利4440萬美元，同比下降12.8%，環(huán)比下降11.0%。

母公司擁有人應(yīng)占溢利4520萬美元，同比下降6.4%，環(huán)比上升4.3%。基本每股盈利0.035美元。

公司總裁兼執(zhí)行董事唐均君，對第三季度的業(yè)績評論道：“盡管上季度經(jīng)濟環(huán)境存在挑戰(zhàn)和不確定性，華虹半導(dǎo)體仍精準貫徹落實戰(zhàn)略部署、推動業(yè)績持續(xù)增長。第三季度公司的銷售收入達2.39億美元，環(huán)比增長3.9%，同比基本持平。收入方面的強勁表現(xiàn)主要得益于中國和亞洲其他國家及地區(qū)對公司產(chǎn)品需求的增加，尤其是MCU、超級結(jié)、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模擬產(chǎn)品。這再次凸顯了公司特色工藝產(chǎn)品的實力和質(zhì)量。面對不盡理想的市場環(huán)境，公司迎難而上、交出了一份亮眼的成績單。毛利率維持在31%，取得這一業(yè)績并非一蹴而就?？傮w而言，市場變化使產(chǎn)品面臨價格下行壓力，與此同時硅片成本卻顯著上升。這些不利因素被整體產(chǎn)能利用率上升至96.5%所抵消。此外，上季度收到的大量政府補貼，抵消了部分折舊成本?！?/p>

“華虹無錫300mm晶圓廠(七廠)本季度開始投入生產(chǎn)。公司團隊已經(jīng)在七廠產(chǎn)線上驗證通過了若干個客戶的產(chǎn)品，其中有兩個產(chǎn)品，良品率已達到90%。作為整體擴產(chǎn)計劃的一部分，該晶圓廠將在未來幾年里為公司提供巨大的發(fā)展機會。管理團隊深知在最短時間內(nèi)使該晶圓廠實現(xiàn)盈利的重要性和緊迫性，這無疑將是公司下階段的工作重點?！?/p>

“對公司的發(fā)展方向和戰(zhàn)略方針，公司仍保持非常積極樂觀的看法。公司相信5G將成為下一個浪潮，為半導(dǎo)體企業(yè)帶來新的機遇。對半導(dǎo)體器件的需求會相應(yīng)激增，包括微控制器、傳感器、射頻、電源管理和存儲器。作為特色工藝的領(lǐng)先者，華虹半導(dǎo)體將在5G創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色?！?/p>

此外，該公司預(yù)計2019年第四季度銷售收入約2.42億美元左右，毛利率約在26%到28%之間。

華虹最新財報公布：無錫12英寸晶圓廠本季開始投產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

華虹半導(dǎo)體發(fā)布2019年第3季度業(yè)績，該集團于期內(nèi)銷售收入2.39億美元，同比下降0.9%，環(huán)比增長3.9%。毛利率31.0%，同比下降3.0個百分點，環(huán)比持平。期內(nèi)溢利4440萬美元，同比下降12.8%，環(huán)比下降11.0%。

母公司擁有人應(yīng)占溢利4520萬美元，同比下降6.4%，環(huán)比上升4.3%?；久抗捎?.035美元。

公司總裁兼執(zhí)行董事唐均君，對第三季度的業(yè)績評論道：“盡管上季度經(jīng)濟環(huán)境存在挑戰(zhàn)和不確定性，華虹半導(dǎo)體仍精準貫徹落實戰(zhàn)略部署、推動業(yè)績持續(xù)增長。第三季度公司的銷售收入達2.39億美元，環(huán)比增長3.9%，同比基本持平。收入方面的強勁表現(xiàn)主要得益于中國和亞洲其他國家及地區(qū)對公司產(chǎn)品需求的增加，尤其是MCU、超級結(jié)、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模擬產(chǎn)品。這再次凸顯了公司特色工藝產(chǎn)品的實力和質(zhì)量。面對不盡理想的市場環(huán)境，公司迎難而上、交出了一份亮眼的成績單。毛利率維持在31%，取得這一業(yè)績并非一蹴而就?？傮w而言，市場變化使產(chǎn)品面臨價格下行壓力，與此同時硅片成本卻顯著上升。這些不利因素被整體產(chǎn)能利用率上升至96.5%所抵消。此外，上季度收到的大量政府補貼，抵消了部分折舊成本?！?/p>

“華虹無錫300mm晶圓廠(七廠)本季度開始投入生產(chǎn)。公司團隊已經(jīng)在七廠產(chǎn)線上驗證通過了若干個客戶的產(chǎn)品，其中有兩個產(chǎn)品，良品率已達到90%。作為整體擴產(chǎn)計劃的一部分，該晶圓廠將在未來幾年里為公司提供巨大的發(fā)展機會。管理團隊深知在最短時間內(nèi)使該晶圓廠實現(xiàn)盈利的重要性和緊迫性，這無疑將是公司下階段的工作重點?！?/p>

“對公司的發(fā)展方向和戰(zhàn)略方針，公司仍保持非常積極樂觀的看法。公司相信5G將成為下一個浪潮，為半導(dǎo)體企業(yè)帶來新的機遇。對半導(dǎo)體器件的需求會相應(yīng)激增，包括微控制器、傳感器、射頻、電源管理和存儲器。作為特色工藝的領(lǐng)先者，華虹半導(dǎo)體將在5G創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色。”

此外，該公司預(yù)計2019年第四季度銷售收入約2.42億美元左右，毛利率約在26%到28%之間。

華虹最新財報公布：無錫12英寸晶圓廠已投產(chǎn) 七廠本季開始投產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

9月17日，華虹無錫項目再次迎來重大進展，集成電路研發(fā)和制造基地（一期）12英寸生產(chǎn)線正式建成投片，隨著首批12英寸硅片進入工藝機臺，開始55納米芯片產(chǎn)品制造，這標志著項目將由工程建設(shè)期正式邁入生產(chǎn)運營期。

根據(jù)無錫日報此前報道，該項目是無錫市“十三五”重大產(chǎn)業(yè)項目之一，也是無錫有史以來單體投資最大的產(chǎn)業(yè)項目。2017年8月2日，華虹集團與無錫市政府簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶無錫高新區(qū)。

根據(jù)此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

華虹集團董事長張素心表示，無錫項目發(fā)揚了華虹520精神，以華虹“全集團統(tǒng)籌資源、大兵團作戰(zhàn)部署”的戰(zhàn)略為依托，經(jīng)過17個月的緊張奮戰(zhàn)，再次刷新華虹速度。

從2018年4月3日樁基工程啟動以來，該項目進展迅速，主要工程節(jié)點較計劃大幅提前；設(shè)備安裝和工藝調(diào)試速度刷新紀錄；生產(chǎn)線全自動化系統(tǒng)快速建立；成套技術(shù)成功轉(zhuǎn)移；并行推進工藝研發(fā)、市場銷售、人力資源準備等工作，確保了該生產(chǎn)線工藝串線的成功。

2018年6月25日，樁基工程完成，開始大底板澆筑；2018年8月12日，生產(chǎn)廠房鋼架屋桁架吊裝完成；2018年12月21日，廠房機構(gòu)封頂；2019年5月24日，首臺工藝設(shè)備搬入；2019年6月6日，光刻設(shè)備搬入；2019年9月17日，項目正式啟用量產(chǎn)。

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重磅！華虹無錫項目(一期)12英寸生產(chǎn)線建成投片最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

8月6日，華虹半導(dǎo)體公布其2019年第二季度及上半年的經(jīng)營業(yè)績。得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢等，華虹半導(dǎo)體第二季度及上半年銷售額均有所成長。

銷售額小幅增長，產(chǎn)能利用率回升

數(shù)據(jù)顯示，2019年第二季度華虹半導(dǎo)體實現(xiàn)銷售收入2.3億美元，同比持平、環(huán)比增長4.2%；期內(nèi)溢利4990萬美元，同比增長8.7%、環(huán)比增長7.0%；歸母公司擁有人應(yīng)占利潤4336萬美元，同比下降5.3%、環(huán)比下降8.7%；毛利率31.0%，同比下降2.6個百分點、環(huán)比下降1.2個百分點。

第二季度華虹半導(dǎo)體97.8%的銷售收入來源于半導(dǎo)體晶圓的直接銷售，本季度末月產(chǎn)能為 17.5萬片，本季度產(chǎn)能利用率為93.2%。

按地區(qū)劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體來自于中國的銷售收入1.3億美元，占銷售收入總額的55.4%，同比下降5.3%，主要由于智能卡芯片的需求減少，部分被超級結(jié)產(chǎn)品的需求增加所抵消。此外，來自于日本的銷售收入同比增長43.9%，主要得益于MCU和邏輯產(chǎn)品的需求增加。

按技術(shù)平臺劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器銷售收入7960萬美元，同比下降10.2%；分立器件銷售收入9250萬美元，同比增長21.7%；模擬與電源管理銷售收入3340萬美元，同比下降11.0%；邏輯及射頻銷售收入2160萬美元，同比持平；獨立非易失性存儲器銷售收入270萬美元，同比下降55.1%。

從終端市場劃分，第二季度華虹半導(dǎo)體銷售收入1.5億美元，占銷售收入總額的64.0%，是其第一大終端市場；工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入4430萬美元，同比減少6.4%；通訊產(chǎn)品銷售收入2810 萬美元，同比增長9.3%；計算機產(chǎn)品銷售收入1050萬美元，同比減少5.8%。

華虹半導(dǎo)體總裁兼執(zhí)行董事唐均君在評價第二季度經(jīng)營業(yè)績時表示，第二季度分立器件平臺繼續(xù)顯示出巨大的優(yōu)勢，各產(chǎn)品的需求都在增加，尤其是超級結(jié)、IGBT和通用MOSFET，并預(yù)計分立器件在未來的需求仍將持續(xù)增長。此外，得益于中國、北美和其他亞洲國家市場的強勁表現(xiàn)，來自模擬與電源管理平臺的銷售收入環(huán)比增長近41%。

綜合今年上半年，華虹半導(dǎo)體實現(xiàn)銷售收入4.5億美元，同比增長2.5%；期內(nèi)溢利為9650萬美元，同比增長12.1%；母公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利9082.6萬美元，同比增長5.7%；毛利率為31.6%，同比下降1.3個百分點；月產(chǎn)能由17.2萬片增至17.5萬片。

華虹半導(dǎo)體在報告中指出，上半年華虹半導(dǎo)體銷售收入增長主要得益于平均銷售單價上升；毛利率下降主要由于產(chǎn)能利用率較低、原材料的單位成本及折舊成本增加，部分被平均銷售單價上升所抵銷。

回顧上半年，全球半導(dǎo)體市場形勢受到上半年較高庫存的影響，晶圓代工普遍表現(xiàn)不佳，華虹半導(dǎo)體得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢等，第二季度及上半年銷售額均有所成長。

唐均君指出，盡管同時面臨來自市場、技術(shù)、客戶以及即將投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰(zhàn)，但經(jīng)過努力付出，華虹半導(dǎo)體的整體產(chǎn)能利用率已回升到90%以上，“我們非常有信心2019年下半年的表現(xiàn)將比上半年更為強勁?！?/p>

無錫工廠Q4試生產(chǎn)300mm晶圓

展望第三季度及下半年，華虹半導(dǎo)體持樂觀態(tài)度。據(jù)其預(yù)計，第三季度銷售收入約2.38億美元，毛利率約31%。

在二季報及半年報中，華虹半導(dǎo)體重點提到了華虹無錫300mm晶圓制造工廠。報告指出，300mm晶圓項目正按計劃平穩(wěn)推進，廠房和潔凈室已完成建設(shè)，潔凈室于第二季度通過認證。同時，第一批1萬片產(chǎn)能所需的大部分機器設(shè)備已搬入，目前正處于安裝和測試階段。

在技術(shù)方面，55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90納米嵌入式閃存技術(shù)與90納米BCD技術(shù)前期研發(fā)順利；同時，根據(jù)市場研究與技術(shù)評估情況，通過了開發(fā)12英寸功率器件工藝方案，確定了華虹無錫12英寸項目IC + Power的規(guī)劃。

無錫工廠將于2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓，55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)將率先在第四季度進入量產(chǎn)。工程師團隊和客戶正密切合作開發(fā)幾個新產(chǎn)品，為初期爬坡試生產(chǎn)作準備。

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華虹半導(dǎo)體整體產(chǎn)能利用率達90% 無錫廠Q4試生產(chǎn)12英寸晶圓最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，使得芯片整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時，光罩層數(shù)也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。

而可靠性指標繼續(xù)保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。近年來，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司，滿足市場需求。”

華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

2019年6月6日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地（一期）12 英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目首批三臺光刻機搬入儀式舉行。光刻設(shè)備的搬入標志著華虹無錫基地項目建設(shè)進入新的里程，整個項目也隨即達到新高度。

華虹半導(dǎo)體新任總裁唐均君表示，目前，有關(guān)12英寸的工藝研發(fā)、工程、銷售和市場團隊正在緊鑼密鼓開發(fā)新產(chǎn)產(chǎn)品，為12英寸晶圓生產(chǎn)線的初始量產(chǎn)做好準備。華虹無錫基礎(chǔ)一期截止6月5日已經(jīng)搬入35臺設(shè)備，其中25臺已經(jīng)完成安裝調(diào)試，預(yù)計將于9月進行試生產(chǎn)，12月形成量產(chǎn)能力。

根據(jù)此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

該項目于2018年3月正式開工建設(shè)，計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機電設(shè)備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。自開建以來，華虹無錫項目一直加速前進，主要工程節(jié)點均提前完成。

今年3月，華虹半導(dǎo)體在其年報上表示，華虹無錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂，預(yù)計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè)，下半年開始搬入設(shè)備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

據(jù)悉，為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風險量產(chǎn)和上量，華虹半導(dǎo)體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā)，預(yù)計2019年下半年開始導(dǎo)入客戶，同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅實的基礎(chǔ)。

華虹無錫基地首批光刻工藝設(shè)備進場，9月試生產(chǎn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

日前，華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項目（以下簡稱“華虹無錫項目”）迎來了首臺工藝設(shè)備搬入。根據(jù)計劃，該項目將于6月5日進行首批光刻機搬入，這將是整個項目建設(shè)新的里程。

華虹無錫項目聯(lián)合體總包單位十一科技官方消息顯示，5月24日，華虹無錫項目舉行第十一次推進會暨首臺工藝設(shè)備搬入儀式，并進行了華虹七廠授牌儀式。

值得一提的是，華虹宏力總裁、黨委書記唐均君提到，華虹無錫項目將于6月5日迎來首批光刻機搬入，“在項目建設(shè)新的里程——6月5日光刻機搬入后，整個項目即將達到新的高度?！?/p>

華虹無錫的第一臺設(shè)備正式搬入標志著華虹無錫項目進入一個新階段，為6月5日光刻機的搬入奠定了基礎(chǔ)。

根據(jù)此前官方介紹，華虹無錫項目占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。

該項目于2018年3月正式開工建設(shè)，計劃將于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設(shè)和動力機電設(shè)備安裝、通線并逐步實現(xiàn)達產(chǎn)。自開建以來，華虹無錫項目一直加速前進，主要工程節(jié)點均提前完成。

今年3月，華虹半導(dǎo)體在其年報上表示，華虹無錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂，預(yù)計將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè)，下半年開始搬入設(shè)備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

如今首臺設(shè)備已搬入，在時間上較計劃又有所提前，項目推進看來頗為順利。隨著接下來下個月首批光刻機的搬入，如無意外，華虹無錫項目很快將迎來量產(chǎn)，業(yè)業(yè)界預(yù)計設(shè)備搬入后3個月左右。

據(jù)悉，為加快實現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風險量產(chǎn)和上量，華虹半導(dǎo)體在2018年啟動了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā)，預(yù)計2019年下半年開始導(dǎo)入客戶，同時開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元，功能驗證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅實的基礎(chǔ)。

對于華虹半導(dǎo)體來說，華虹無錫的量產(chǎn)意義重大，將是其產(chǎn)能的升級以及發(fā)展的新階段、新里程碑。某不具名業(yè)內(nèi)人士分析認為，目前華虹的產(chǎn)能已然滿產(chǎn)，如今正值國產(chǎn)替代化大潮將至，華虹無錫帶來的產(chǎn)能將有望解其產(chǎn)能燃眉之急以及提升競爭力。

上述業(yè)內(nèi)人士還指出，由于下游需求的快速增長，8英寸產(chǎn)能已經(jīng)連續(xù)多季處于供應(yīng)緊張的狀態(tài)，在目前8吋產(chǎn)線由于設(shè)備較少新開和擴建難度較大的情況下，8英寸產(chǎn)品或?qū)⒓铀傧?2英寸轉(zhuǎn)移，同時12英寸的經(jīng)濟效應(yīng)也比8英寸好、單顆成本更低。

隨著國內(nèi)2015年以來新建的8英寸和12英寸特色工藝產(chǎn)線如華虹無錫項目等相繼投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品晶圓制造產(chǎn)能供應(yīng)緊張的局面會得到緩解。

總投資100億美元！華虹無錫6月5日首批光刻機搬入最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

唱響產(chǎn)業(yè)強市“新錫劇”，帶動的不僅是城市經(jīng)濟硬實力，還有民生幸福“無錫景”。

春天是播種的季節(jié)，綠色孕育著希望。江蘇省無錫今年首批重大項目集中開工的鼓聲擂響后，一季度市級重點項目推進總體情況報表說明：無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）以71.4%的開工率，再次走在全市前列。

值得一提的是，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期工程（華虹七廠）各關(guān)鍵建設(shè)節(jié)點均較計劃提前完成；SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司（下簡稱SK海力士）二工廠將于4月18日舉辦竣工儀式。

伴隨著項目快速推進，穩(wěn)健成長的產(chǎn)業(yè)項目正逐步顯現(xiàn)“溢出效應(yīng)”。以SK海力士為例，自2005年落子無錫，14年累計投資額將達200億美元。在錫產(chǎn)業(yè)鏈布局不斷擴大的同時，海力士醫(yī)院、海力士學(xué)校、海力士幸?；饡纫幌盗忻裆涮紫嗬^落戶無錫，此外，還帶火了東亞風情街、集聚了半導(dǎo)體配套企業(yè)。

持續(xù)擴大在錫產(chǎn)業(yè)鏈布局，SK 海力士將從“三個全省之最”迎來“三個全球之最”。

SK海力士正持續(xù)擴大在無錫的產(chǎn)業(yè)鏈布局

SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司法人長徐根哲接受記者采訪時表示，將整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條放在無錫，是SK海力士與無錫市委市政府及無錫高新區(qū)共同努力的目標。在過去十多年中，SK海力士在無錫重點推進半導(dǎo)體前道工序和后道工序相關(guān)事業(yè)，2018年開始推進部署將韓國總部的8英寸系統(tǒng)芯片項目遷到無錫。此外，還將把原本設(shè)在上海的中國銷售總部遷移到無錫。

自2005年在無錫設(shè)立投產(chǎn)以來，SK海力士已成為江蘇省單體投資規(guī)模最大、技術(shù)水平最高、發(fā)展速度最快的外資投資企業(yè)，更成為韓國高科技企業(yè)在中國、江蘇投資合作經(jīng)營的成功典范。

在采訪中得知，SK海力士二工廠項目建成完全達產(chǎn)后，SK海力士無錫公司將形成月產(chǎn)18萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，年銷售額也計劃達到33億美元。待二工廠項目全部建成投產(chǎn)后，公司占有中國存儲芯片市場份額也將從35%提高至45%，使其成為全球單體投資規(guī)模最大、月產(chǎn)能最大、技術(shù)最先進的10納米級存儲芯片產(chǎn)品生產(chǎn)基地。

不新增用地投資86億美元，二工廠項目18日舉行竣工儀式

“無錫高新區(qū)是SK海力士中國事業(yè)戰(zhàn)略發(fā)展基地，我們的成長離不開無錫市委市政府以及無錫高新區(qū)的信任與支持！”SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司無錫經(jīng)營企劃部部長金大澈，參與并見證了SK海力士在無錫的發(fā)展全過程。追溯往事，他用“信任”二字來為雙方的合作背書。

為保證SK海力士二工廠項目的順利推進，無錫市政府成立“812項目協(xié)調(diào)推進領(lǐng)導(dǎo)小組”，集全市之力，為項目提供全方位支持。

在項目簽約后，“812工作小組”牽頭協(xié)調(diào)無錫市供電公司、自來水公司、蒸汽公司等相關(guān)單位，保障SK海力士二工廠項目所需的基礎(chǔ)設(shè)施配套，為保證項目按時如期推進提供了有力支撐。

新吳區(qū)政協(xié)副主席、無錫高新區(qū)招商發(fā)展中心主任金燕接受采訪時表示，投資達86億美元的二工廠項目，從談判、簽約、項目落地建設(shè)到18日舉辦竣工儀式，推進速度如此之快，得益于政企雙方高層積極推動，以及雙方多年來信任互惠的合作基礎(chǔ)。

從做產(chǎn)業(yè)到衍生醫(yī)院、學(xué)校、基金等一系列項目，呈現(xiàn)“溢出效應(yīng)”

基于在無錫高新區(qū)良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，SK海力士開始在其他領(lǐng)域進行嘗試——在高新區(qū)簽約建設(shè)海力士醫(yī)院、海力士學(xué)校等民生配套。

海力士學(xué)校計劃在2021年下半年建成開學(xué)，致力于建設(shè)無錫最頂尖的名牌民辦學(xué)校，為該公司員工、新吳區(qū)及該市其他地區(qū)的孩子提供優(yōu)質(zhì)教育資源：一期計劃招收小學(xué)生1000名；二期將建設(shè)初中，計劃招收500名學(xué)生。

海力士醫(yī)院項目計劃在2022年建成開院，致力于建設(shè)全球頂尖醫(yī)療水平的綜合醫(yī)院，為社會提供優(yōu)質(zhì)的醫(yī)療服務(wù)。

除以企業(yè)之力建學(xué)校、醫(yī)院外，SK海力士還成立了“SK海力士幸?；饡保?lián)手無錫市第八人民醫(yī)院，推出配備X光、心電圖、B超等一系列診療設(shè)備的“幸福巴士”，在企業(yè)與社區(qū)提供公益服務(wù)。與此同時，舉辦相關(guān)論壇開展半導(dǎo)體人才培訓(xùn)。

SK海力士的“溢出效應(yīng)”，還體現(xiàn)在拉動服務(wù)業(yè)及集聚相關(guān)半導(dǎo)體配套產(chǎn)業(yè)。受此項目輻射帶動，大批韓國員工來錫就業(yè)，帶火無錫高新區(qū)東亞風情街的日韓餐飲業(yè)；與半導(dǎo)體相關(guān)的配套企業(yè)也紛紛落戶于此，形成集聚效應(yīng)。

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唱響產(chǎn)業(yè)強市“新錫劇” 無錫產(chǎn)業(yè)大項目顯現(xiàn)“溢出效應(yīng)”最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。