臺(tái)積電40納米超低功耗技術(shù)協(xié)助Ambiq Micro創(chuàng)佳績(jī)

臺(tái)積電40納米超低功耗技術(shù)協(xié)助Ambiq Micro創(chuàng)佳績(jī)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電不僅在先進(jìn)制程發(fā)展快速,在成熟制程中也有所斬獲。日前,臺(tái)積電宣布,極低功耗半導(dǎo)體研發(fā)廠商Ambiq采用臺(tái)積電的40納米超低功耗(40ULP)技術(shù),其所生產(chǎn)的Apollo3 Blue無(wú)線系統(tǒng)單芯片締造了領(lǐng)先全球的最佳功耗表現(xiàn)。

臺(tái)積電指出,藉由Ambiq的亞閾值功率優(yōu)化技術(shù)(Subthreshold Power Optimized Technology,SPOT)平臺(tái)與臺(tái)積電的40ULP低操作電壓(low-Vdd)制程,具備TurboSPOTTM技術(shù)的Apollo3 Blue樹(shù)立了能源效率的新標(biāo)準(zhǔn),將ARM Cortex M4F核心的運(yùn)算能力提升到96MHz,操作功耗降至6uA/MHz以下,來(lái)支援電池供電的裝置產(chǎn)品。

Apollo3 Blue卓越的性能讓Ambiq的業(yè)務(wù)延伸到電池供電的智慧家庭裝置以及隨時(shí)保持開(kāi)啟且聲控的應(yīng)用,如遙控器與耳戴裝置等產(chǎn)品等嶄新的市場(chǎng)。

Apollo3 Blue為Ambiq基于SPOT技術(shù)的Apollo系列產(chǎn)品線增添了許多新功能,包括整合式DMA引擎、QSPI介面以及支援超低功耗類比手表指針管理的先進(jìn)步進(jìn)馬達(dá)控制器。

Apollo3 Blue擁有前所未見(jiàn)的節(jié)能效率及麥克風(fēng)輸入設(shè)計(jì),打造出Ambiq Voice-on-SPOTTM參考平臺(tái)的核心,對(duì)于想把隨時(shí)保持開(kāi)啟的語(yǔ)音助理整合功能與指令識(shí)別加到電池供電裝置的客戶而言,相當(dāng)符合它們的需求。

為了增加設(shè)計(jì)的靈活性并且連結(jié)手機(jī)與云端,Apollo3 Blue專用的第二核心能夠支援超低功耗BLE5連結(jié)平臺(tái),提供優(yōu)異的射頻傳輸量與充足的資源支援使用者應(yīng)用。

臺(tái)積電40ULP技術(shù)藉由低漏電電晶體來(lái)進(jìn)行節(jié)能,其中包括閘極及接面在內(nèi)的所有漏電路徑皆經(jīng)過(guò)仔細(xì)的優(yōu)化。

為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用,臺(tái)積電亦提供超低漏電電晶體(eHVT)及超低漏電(ULL)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的單位元,低操作電壓解決方案結(jié)合了數(shù)種不同臨界電壓電晶體與完備的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu),包括支援0.7伏操作電壓并具備時(shí)序簽核方法的標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)、支援低操作電壓的優(yōu)化設(shè)計(jì)流程以及涵蓋低操作電壓且具有準(zhǔn)確性與寬廣范圍的SPICE模型。

此外,臺(tái)積電卓越的制造能力協(xié)助客戶在最小的制程變動(dòng)之下進(jìn)行設(shè)計(jì),突破功耗的極限來(lái)支援以電池供電的產(chǎn)品。

繼具有高度競(jìng)爭(zhēng)力的40ULP之后,臺(tái)積電進(jìn)一步擴(kuò)展低電壓組合至22ULL來(lái)支援極低功耗的應(yīng)用,提供更佳的射頻與加強(qiáng)的類比功能,以及低漏電eHVT裝置與超低漏電靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的單位元。

此項(xiàng)技術(shù)進(jìn)一步支援低電壓設(shè)計(jì),將操作電壓降至0.6伏,并且搭配芯片上的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)來(lái)實(shí)現(xiàn)低漏電嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案,支援物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應(yīng)用。

7納米搶單大戰(zhàn)正式開(kāi)打 三星首次戰(zhàn)勝臺(tái)積電

7納米搶單大戰(zhàn)正式開(kāi)打 三星首次戰(zhàn)勝臺(tái)積電

臺(tái)積電大客戶全球繪圖芯片龍頭英偉達(dá)(Nvidia)2日證實(shí),已與三星達(dá)成晶圓代工協(xié)議,委托生產(chǎn)下一代7納米繪圖處理器(GPU)芯片。臺(tái)積電不評(píng)論單一客戶與訂單動(dòng)態(tài)。

這是三星首次在7納米搶走臺(tái)積電大客戶訂單,也是臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀退休之后,經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)第一次面臨大客戶轉(zhuǎn)投對(duì)手懷抱的狀況。英偉達(dá)轉(zhuǎn)單之后,臺(tái)積電仍握有蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、海思、超微等大廠7納米訂單,但市場(chǎng)仍憂心,英偉達(dá)“變心”后,未來(lái)對(duì)臺(tái)積電營(yíng)收仍會(huì)有一定程度影響。

業(yè)界解讀,三星出手搶臺(tái)積電大客戶訂單,意味這兩家重量級(jí)半導(dǎo)體業(yè)者在先進(jìn)制程腳步比拼、技術(shù)到位之后,搶單大戰(zhàn)正式開(kāi)打。

臺(tái)積電向來(lái)不評(píng)論單一客戶與訂單動(dòng)態(tài),預(yù)計(jì)于7月18日的法說(shuō)會(huì)說(shuō)明營(yíng)運(yùn)展望。臺(tái)積電先前多次公開(kāi)表態(tài),對(duì)今年7納米和采用極紫外光(EUV)微影設(shè)備量產(chǎn)的7納米強(qiáng)化版接單信心十足,預(yù)估全年?duì)I收占比將逾25%。

先前市場(chǎng)便傳出,三星積極爭(zhēng)取英偉達(dá)7納米訂單,但未獲證實(shí)。韓國(guó)先鋒報(bào)2日?qǐng)?bào)導(dǎo),英偉達(dá)韓國(guó)主管Yoo Eung-Joon在記者會(huì)上表示,該公司先進(jìn)的一批GPU生產(chǎn)將下單給三星,以三星的7納米極紫外光制程生產(chǎn),證實(shí)傳聞為真。

據(jù)了解,臺(tái)積電目前7納米產(chǎn)能滿載,客戶好評(píng)不斷,三星是以提出價(jià)格優(yōu)惠方式,搶到英偉達(dá)訂單,但未獲證實(shí)。先鋒報(bào)則披露,英偉達(dá)正與韓國(guó)企業(yè)強(qiáng)化合作關(guān)系,已和現(xiàn)代Mobis合作研發(fā)自駕車技術(shù),另與當(dāng)?shù)氐谌箅娦艠I(yè)者樂(lè)金Uplus攜手合作,推出支援5G的“GeForce Now”云端游戲服務(wù)。

Yoo Eung-Joon強(qiáng)調(diào),三星以7納米生產(chǎn)英偉達(dá)下一代GPU“意義重大”,不過(guò),他并未未透露三星確切的產(chǎn)量,只表示這批生產(chǎn)“為數(shù)可觀”。至于英偉達(dá)是否計(jì)劃給三星進(jìn)一步的晶圓代工訂單,他不予置評(píng)。

臺(tái)積電何麗梅卸財(cái)務(wù)長(zhǎng)職務(wù)轉(zhuǎn)負(fù)責(zé)歐亞業(yè)務(wù)

臺(tái)積電何麗梅卸財(cái)務(wù)長(zhǎng)職務(wù)轉(zhuǎn)負(fù)責(zé)歐亞業(yè)務(wù)

晶圓代工龍頭臺(tái)積電于1日發(fā)布重大訊息指出,現(xiàn)任資深副總經(jīng)理暨財(cái)務(wù)長(zhǎng)兼發(fā)言人的何麗梅,將自2019年9月1日起專職負(fù)責(zé)歐亞業(yè)務(wù),其兼任的財(cái)務(wù)長(zhǎng)及發(fā)言人職務(wù),將由現(xiàn)任副財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭接任。

根據(jù)臺(tái)積電公告指出,這項(xiàng)新的人事案待8月底前完成法定任命程序后,何麗梅將轉(zhuǎn)為負(fù)責(zé)歐亞業(yè)務(wù),至于原財(cái)務(wù)長(zhǎng)及發(fā)言人職務(wù),則將由黃仁昭接任,預(yù)計(jì)于9月1日起正式生效。

掌控臺(tái)積電財(cái)務(wù)大權(quán)的何麗梅,是目前臺(tái)積電男性高端主管的經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)中,唯一的女性資深副總,同時(shí)也是公司內(nèi)女性主管中職位最高者。

過(guò)去,曾經(jīng)在外商氰胺公司擔(dān)任會(huì)計(jì)的何麗梅,任職7年時(shí)間內(nèi)磨練出深厚英文、財(cái)務(wù)專業(yè)能力。1990年起到德碁半導(dǎo)體工作,最后擔(dān)任并財(cái)務(wù)長(zhǎng)職務(wù)。1999年,何麗梅再轉(zhuǎn)戰(zhàn)臺(tái)積電當(dāng)會(huì)計(jì)處處長(zhǎng),直到2003年被創(chuàng)辦人張忠謀拔擢為副總經(jīng)理暨財(cái)務(wù)長(zhǎng),兼任公司發(fā)言人至今。

三星搶奪臺(tái)積電全球?qū)氉?半導(dǎo)體代工雙雄短時(shí)難現(xiàn)

三星搶奪臺(tái)積電全球?qū)氉?半導(dǎo)體代工雙雄短時(shí)難現(xiàn)

今年三星宣布的133萬(wàn)億韓元投資,將用于增強(qiáng)自己在芯片設(shè)計(jì)(System LSI)、芯片制造(Foundry)業(yè)務(wù)上的競(jìng)爭(zhēng)力;臺(tái)積電本身也在拓展業(yè)務(wù),產(chǎn)品線已涵蓋了大部分的產(chǎn)品,同時(shí)持續(xù)深耕類似芯片領(lǐng)域。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié),其中以制造環(huán)節(jié)的技術(shù)最為高精尖,如今最大的玩家當(dāng)屬臺(tái)積電,緊隨其后的就是三星。近日,三星在晶圓代工領(lǐng)域頻頻發(fā)力,急欲擴(kuò)大半導(dǎo)體業(yè)務(wù)規(guī)模。

6月中旬,就有消息稱三星從臺(tái)積電搶來(lái)了高通驍龍865的訂單,驍龍865將由三星生產(chǎn),也有傳言稱英偉達(dá)的新一代GPU也將由臺(tái)積電轉(zhuǎn)向三星代工。原因就是三星想通過(guò)低價(jià)攻勢(shì)搶奪訂單。

從目前的市場(chǎng)份額來(lái)看,臺(tái)積電依然占據(jù)著晶圓代工的半壁江山。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的2019年Q2季度全球TOP10晶圓代工廠榜單中,臺(tái)積電以75.53億美元的營(yíng)收位居第一,市場(chǎng)份額達(dá)到了49.2%;三星以27.73億美元的營(yíng)收位列第二,市場(chǎng)份額18%。

但是,三星野心很大。4月24日,三星電子宣布,將在2030年前,在包括代工服務(wù)在內(nèi)的邏輯芯片業(yè)務(wù)上投資133兆韓元(約1158億美元)。而邏輯芯片是臺(tái)積電的強(qiáng)項(xiàng),三星希望超越臺(tái)積電,坐上全球第一大芯片代工廠的寶座。

對(duì)于三星的挑戰(zhàn),臺(tái)積電內(nèi)部人士向21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示:“我們嚴(yán)陣以待?!?/p>

三星的野望

三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直都是其利潤(rùn)支柱和技術(shù)基石,從三星創(chuàng)立開(kāi)始韓國(guó)就鼎立支持三星的發(fā)展,助力其進(jìn)入存儲(chǔ)芯片、CMOS圖像傳感器的全球第一梯隊(duì)。尤其是在存儲(chǔ)領(lǐng)域,三星在2018年位居全球營(yíng)收排行榜第一位。

然而,當(dāng)前存儲(chǔ)芯片的行情卻在下滑,從去年開(kāi)始,內(nèi)存市場(chǎng)就持續(xù)走低。同行的美光在去年第三財(cái)季中,收入和利潤(rùn)同比大幅下滑。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的調(diào)查顯示,2019年Q1,由于市場(chǎng)供過(guò)于求,DRAM產(chǎn)業(yè)的大部分交易已改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals),價(jià)格也在2月份出現(xiàn)大幅下滑,季度降幅已從最初估計(jì)的25%調(diào)整至近30%,這將是自2011年以來(lái)單季最大跌幅。

面對(duì)變化的市場(chǎng)需求和貿(mào)易環(huán)境以及終端市場(chǎng)的天花板,三星也欲強(qiáng)化內(nèi)存之外的半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì),擴(kuò)大營(yíng)收規(guī)模。

2005年,三星電子開(kāi)始進(jìn)入12英寸邏輯工藝晶圓代工領(lǐng)域,但直到2010年拿下蘋(píng)果訂單營(yíng)收才開(kāi)始好轉(zhuǎn),此前每年的代工收入還不到4億美元。然而好景不長(zhǎng),2014年之后,由于三星自身的工藝良率等問(wèn)題,以及臺(tái)積電的技術(shù)優(yōu)勢(shì),蘋(píng)果A系列訂單又回到了臺(tái)積電手中。

到了2017年,三星電子分拆出晶圓代工部門(mén),讓其獨(dú)立發(fā)展,并進(jìn)行巨額投資。至此,三星已經(jīng)下決心讓獨(dú)立的晶圓代工部門(mén)和只專注代工的臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng)。它的政策也很激進(jìn),就是直接用低價(jià)的方式來(lái)?yè)寠Z客戶。

據(jù)了解,今年三星宣布的133萬(wàn)億韓元投資,將用于增強(qiáng)自己在芯片設(shè)計(jì)(System LSI)、芯片制造(Foundry)業(yè)務(wù)上的競(jìng)爭(zhēng)力。這些投資主要分為兩大部分,其中73萬(wàn)億韓元用于韓國(guó)本土研發(fā),60萬(wàn)億韓元用于生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

三星表示,這筆巨額投資將帶領(lǐng)三星不僅僅穩(wěn)居全球內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)頭羊,也將在2030年左右成為全球邏輯芯片的領(lǐng)導(dǎo)者。截至2018年底,三星電子晶圓代工產(chǎn)線主要有4條,包括4條12英寸和1條8英寸產(chǎn)線。

整體來(lái)看,由于行業(yè)需求下滑,不論臺(tái)積電還是三星,2019年的營(yíng)收都在下滑。但是由于三星的攻勢(shì),在整體份額上臺(tái)積電微微下滑,2018年底,臺(tái)積電的市場(chǎng)份額為50.8%,如今為49.2%,近幾年臺(tái)積電基本維持在50%以上的份額。但是,目前三星和臺(tái)積電之間的體量、產(chǎn)能差距依舊很大。

臺(tái)積電嚴(yán)陣以待

三星和臺(tái)積電的爭(zhēng)奪還在繼續(xù),但是在7nm工藝上,臺(tái)積電已經(jīng)率先量產(chǎn)。接下來(lái),臺(tái)積電明年就要量產(chǎn)6nm、5nm,另外3nm已在規(guī)劃之中。4月18日,在臺(tái)積電召開(kāi)第一季度財(cái)報(bào)會(huì)議中,臺(tái)積電指出3nm技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入全面開(kāi)發(fā)的階段。

按照三星此前的計(jì)劃,三星于2018下半年投產(chǎn)7nm,同時(shí)5nm及以下的先進(jìn)制程也在規(guī)劃中。從最新制程量產(chǎn)的情況看,臺(tái)積電還是領(lǐng)先于三星。

前述臺(tái)積電內(nèi)部人士告訴記者,在臺(tái)積電的發(fā)展歷史中,有兩個(gè)重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn),其一是12英寸0.13微米的工藝時(shí)期,臺(tái)積電研發(fā)成功,由此甩開(kāi)聯(lián)電,更上一層樓。

其二個(gè)節(jié)點(diǎn)就是28nm工藝,一舉超越了其他的同行。當(dāng)時(shí)28nm HKMG制程,在技術(shù)上有g(shù)ete-first和gate-last之爭(zhēng),一開(kāi)始臺(tái)積電也先研究gete-first,但是之后發(fā)現(xiàn)存在問(wèn)題,于是轉(zhuǎn)向了gate-last。當(dāng)外界得知臺(tái)積電的變化后,臺(tái)積電一度遭到質(zhì)疑和否定,但最終事實(shí)證明gate-last才是適合的方向。

對(duì)于三星在晶圓代工上的競(jìng)爭(zhēng),他談道:“自聯(lián)電、格羅方德相繼放棄先進(jìn)制程市場(chǎng)后,臺(tái)積電難以獨(dú)食此一代工大餅,三星的存在對(duì)晶圓代工產(chǎn)業(yè)會(huì)是利大于弊,未來(lái)先進(jìn)制程的大餅都會(huì)盡落于此雙巨頭。”

談及三星爭(zhēng)奪高通訂單的情況,臺(tái)積電內(nèi)部人士也告訴記者,就算高通轉(zhuǎn)移了一部分訂單到三星,高通仍有大部分訂單在臺(tái)積電手中,影響并不大。臺(tái)積電對(duì)自身技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能調(diào)節(jié)能力信心滿滿。

陳彥尹則認(rèn)為:“先進(jìn)制程的代工客戶相對(duì)集中于智能手機(jī)、運(yùn)算電腦上的高效能芯片,‘倘若’三星真取得高通訂單,雖對(duì)臺(tái)積電是一不小的打擊。但也會(huì)容易驅(qū)使其他先進(jìn)制程客戶再次傾向臺(tái)積電?!?/p>

事實(shí)上,不論是臺(tái)積電還是三星,就地理位置而言,同在亞洲的技術(shù)俯沖帶上,面對(duì)的地區(qū)市場(chǎng)小。如果說(shuō)臺(tái)積電、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)是全球半導(dǎo)體的技術(shù)閥門(mén),那么就亞洲來(lái)說(shuō),三星、韓國(guó)是半導(dǎo)體的另一扇門(mén),交織在美國(guó)市場(chǎng)和中國(guó)市場(chǎng)之間。而三星和臺(tái)積電的爭(zhēng)奪戰(zhàn),也將影響新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)秩序。

臺(tái)積電秀自研4核心芯片 7納米制程最高頻率達(dá)4GHz

臺(tái)積電秀自研4核心芯片 7納米制程最高頻率達(dá)4GHz

臺(tái)積電在晶圓代工的能力全球皆認(rèn)可,而且憑借著先進(jìn)的技術(shù),拿下了全球近半的晶圓代工市占率。不過(guò),也因?yàn)樵诰A代工上的豐富經(jīng)驗(yàn),如今臺(tái)積電也介入自行研發(fā)設(shè)計(jì)芯片的行列。根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo),日前臺(tái)積電就展出一款為高效能運(yùn)算 (HPC) 所設(shè)計(jì)的芯片,該芯片所采用的 Arm Cortex A72 核心其頻率可高達(dá) 4GHz。

報(bào)導(dǎo)指出,臺(tái)積電日前在日本東京所舉行的大型集成電路設(shè)計(jì)研討會(huì) (VLSI Symposium 2019) 當(dāng)中,展示了一款臺(tái)積電自行設(shè)計(jì)的一顆芯片,并將其稱之為 ?This?。據(jù)了解,該款芯片具備雙芯片架構(gòu),而單一個(gè)芯片中都具備 4 個(gè) Arm Cortex A72 核心,以及內(nèi)建 6MB 的 L3 快取存儲(chǔ)器。整個(gè)芯片組以 7 奈米制程技術(shù)所打造,芯片面積為 4.4 mm x 6.2 mm (27.28 mm2), 并且使用晶圓級(jí)先進(jìn)扇形封裝 (CoWos)。

報(bào)導(dǎo)表示,臺(tái)積電的該款芯片組特點(diǎn)是采用埠實(shí)體層技術(shù),將其中的兩個(gè)芯片進(jìn)行互聯(lián)。而每個(gè)芯片組內(nèi)的 4 個(gè) Arm Cortex A72 核心,搭配兩個(gè) 1MB L2 快取存儲(chǔ)器,在使用電壓在 1.2V 的情況下,可以達(dá)到 4.0GHz 的頻率。不過(guò),在實(shí)際的測(cè)試中,當(dāng)電壓提高到 1.375V 之際,更可將頻率拉升到 4.2GHz。

另外,在設(shè)備連接方面,臺(tái)積電還開(kāi)發(fā)了名為 LIPINCON 的互聯(lián)技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)可以讓芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到 8Gb/s。而透過(guò)這項(xiàng)技術(shù),臺(tái)積電可以將多個(gè) ?This? 芯片進(jìn)行封裝連結(jié),這使得在運(yùn)作上能獲得更強(qiáng)的性能。不過(guò),針對(duì) ?This? 的兼容性方面,目前臺(tái)積電并沒(méi)說(shuō)明更多的內(nèi)容。只是,?This?的超強(qiáng)功能為的是將應(yīng)用在高效能運(yùn)算領(lǐng)域。所以,想要看到 ?This? 在手機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)上表演,當(dāng)前是沒(méi)有機(jī)會(huì)了。

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng),得制程者得天下?

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng),得制程者得天下?

近日有消息稱,英偉達(dá)下一代安培架構(gòu)GPU及高通下一代處理器將采用三星7nm EUV工藝,三星或?qū)⒋蚱婆_(tái)積電在7nm節(jié)點(diǎn)一家獨(dú)大的局面。在更高端制程節(jié)點(diǎn)上,三星在2019三星代工論壇發(fā)布了新一代3nm GAA(閘極全環(huán)),臺(tái)積電則宣布正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā),預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。英偉達(dá)、高通為何考慮轉(zhuǎn)向三星?除了制程數(shù)字,還有哪些要素將影響芯片巨頭對(duì)代工廠商的抉擇?

不把雞蛋放在一個(gè)籃子里

三星一直對(duì)EUV技術(shù)“念念不忘”,如今,這份執(zhí)念似乎有了“回響”。在2018年,三星因?yàn)镋UV技術(shù)研發(fā)難度大,無(wú)法立刻量產(chǎn),眼睜睜看著臺(tái)積電憑借7nm DUV技術(shù)“包圓”7nm 代工市場(chǎng)。而近期產(chǎn)業(yè)鏈消息稱,英偉達(dá)綜合代工報(bào)價(jià)和生產(chǎn)序列,將采用三星7nm EUV工藝生產(chǎn)安培架構(gòu)GPU,預(yù)計(jì)2020年投產(chǎn)。高通下一代旗艦SoC驍龍865也將轉(zhuǎn)向三星的7nm EUV。加上此前IBM宣布采用三星7nm EUV加工Power處理器,以及預(yù)計(jì)采用自家工藝的三星Exynos 9825,三星在7nm市場(chǎng)展現(xiàn)強(qiáng)勢(shì)姿態(tài)。

在7nm EUV節(jié)點(diǎn),臺(tái)積電已經(jīng)傳出量產(chǎn)消息,高通、英偉達(dá)為何考慮從臺(tái)積電轉(zhuǎn)向三星?多位專家向記者表示,對(duì)第二供貨商和降低成本的需求,是各大芯片巨頭考慮三星的主要因素。

有業(yè)內(nèi)人士向《中國(guó)電子報(bào)》記者指出,對(duì)任何產(chǎn)品、技術(shù)來(lái)說(shuō),如果只有單一的供應(yīng)商,對(duì)于買方客戶是不利的,不僅會(huì)壓縮買方的議價(jià)空間,也不利于供應(yīng)鏈安全。在這種情況下,買房客戶往往會(huì)基于成本、價(jià)格、技術(shù)、競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系等因素,選擇第二家供應(yīng)商,促進(jìn)良性競(jìng)爭(zhēng)。目前來(lái)看,三星7nm EUV能滿足英偉達(dá)、高通的要求。

制程數(shù)字不是唯一訴求

三星與臺(tái)積電的制程之爭(zhēng)由來(lái)已久,但從客戶選擇來(lái)看,制程數(shù)字從不是唯一的考慮因素。例如,蘋(píng)果A9處理器采用三星14nm和臺(tái)積電16nm雙供應(yīng)。從制程數(shù)字來(lái)看,三星領(lǐng)先于臺(tái)積電,但用戶普遍反映臺(tái)積電16nm效能更好,之后蘋(píng)果也選擇完全采用臺(tái)積電工藝生產(chǎn)。Gartner半導(dǎo)體和電子研究副總裁盛陵海向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,除了制程數(shù)字,路線圖、服務(wù)、產(chǎn)能、質(zhì)量都會(huì)影響客戶對(duì)代工廠商的選擇。

性能、功耗,正在成為芯片尤其是移動(dòng)芯片制造的重中之重。英偉達(dá)CEO黃仁勛曾在演講中表示,英偉達(dá)更看重芯片的性能、能效,而不僅僅是面積大小。李珂也向記者指出,隨著4K/8K的普及,手機(jī)越做越大,相比縮小芯片面積,性能的提升與功耗的降低更為重要。

代工廠商的技術(shù)積累與生態(tài)構(gòu)建,也直接影響“奪單”能力。以臺(tái)積電、三星為例,李珂向記者表示,臺(tái)積電在產(chǎn)業(yè)生態(tài)具有先發(fā)優(yōu)勢(shì),技術(shù)、工藝、IP積累相對(duì)充足,與7nm設(shè)備、材料等上下游廠商建立了合作關(guān)系。三星在7nm節(jié)點(diǎn)是后來(lái)者,但近幾年借DRAM漲價(jià)的勢(shì)頭營(yíng)收猛漲,能夠支持先進(jìn)工藝的長(zhǎng)期大規(guī)模投入,已經(jīng)有了與臺(tái)積電開(kāi)展競(jìng)爭(zhēng)的勢(shì)頭。

封裝技術(shù)是代工廠商的另一條護(hù)城河,頂尖的代工廠商往往具備頂尖的封裝技術(shù)。陳彥尹向記者表示,先進(jìn)封裝對(duì)客戶來(lái)說(shuō)是很重要的評(píng)估項(xiàng)目,臺(tái)積電的CoWoS和后續(xù)的InFO、SOW等先進(jìn)封裝技術(shù)都是吸引客戶的抓手。Digitimes研究顯示,臺(tái)積電2.5D CoWoS工藝技術(shù),通過(guò)采用硅中介層技術(shù),大幅提升I/O引腳數(shù),從而提升封裝IC的性能,AI芯片的關(guān)鍵封裝技術(shù)。英偉達(dá)GP100、谷歌TPU 2.0等標(biāo)志性AI芯片產(chǎn)品都采用了CoWoS封裝技術(shù)。而臺(tái)積電的InFO晶圓級(jí)封裝,提升了7nm FinFET技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力,是奪得蘋(píng)果A10處理器訂單的關(guān)鍵因素。

3nm以下仍有剛需

在今年4月三星、臺(tái)積電連續(xù)宣布最新制程計(jì)劃時(shí),提及的數(shù)字還是7、6、5nm,在三星公布3nm技術(shù)路線后,臺(tái)積電直接下探到2nm,逼近摩爾定律極限。如果說(shuō)在7、6、5nm還有蘋(píng)果、高通等大廠能夠跟進(jìn),在3、2、1nm節(jié)點(diǎn),能夠跟隨代工廠商繼續(xù)微縮制程的客戶企業(yè)將十分有限。

三星計(jì)劃2021年量產(chǎn)3nm GAA工藝,與7nmFinFET相比,3nm芯片面積能減少45%左右,同時(shí)減少耗電量50%,并將性能提高35%。三星方面稱,已經(jīng)將3nm工程設(shè)計(jì)套件發(fā)送給半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè),共享人工智能、5G移動(dòng)通信、無(wú)人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)等創(chuàng)新應(yīng)用的核心半導(dǎo)體技術(shù)。臺(tái)積電的3nm和2nm預(yù)計(jì)于2022年和2024年投產(chǎn),臺(tái)積電副總經(jīng)理陳平指出,無(wú)論是智能手機(jī)、高性能計(jì)算機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品,都需要各種各樣且越來(lái)越先進(jìn)的工藝技術(shù)加持。

高端、專業(yè)化領(lǐng)域,仍然對(duì)計(jì)算能力提升有著持續(xù)的需求,但消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品能否繼續(xù)下探制程,以規(guī)?;a(chǎn)攤薄成本,則變得難以預(yù)測(cè)。對(duì)代工廠商來(lái)說(shuō),誰(shuí)能率先與客戶開(kāi)發(fā)出具備經(jīng)濟(jì)效益的量產(chǎn)模式,就有機(jī)會(huì)在“極限”制程站穩(wěn)腳跟。李珂向記者指出,從應(yīng)用角度來(lái)說(shuō),3、2nm的產(chǎn)品類別有存儲(chǔ)器、大規(guī)模超算CPU、高端FPGA,消費(fèi)類產(chǎn)品很難大規(guī)模應(yīng)用2、3nm器件。陳彥尹則認(rèn)為,包含手機(jī)、高速電腦等高效能應(yīng)用,是先進(jìn)制程的剛性需求,先進(jìn)制程必然持續(xù)演進(jìn)。

晶圓代工從不是簡(jiǎn)單的數(shù)字游戲。在臺(tái)積電、三星的爭(zhēng)奪歷史上,臺(tái)積電曾憑借效能和封裝優(yōu)勢(shì),從三星手里“奪得”蘋(píng)果;而產(chǎn)能排隊(duì)問(wèn)題,也曾讓高通從臺(tái)積電轉(zhuǎn)向三星。效能、成本、配套技術(shù)、生產(chǎn)序列、生態(tài)積累、競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系等種種因素,都會(huì)左右芯片巨頭的選擇。能同時(shí)占據(jù)技術(shù)制高點(diǎn)和市場(chǎng)制高點(diǎn),才是最后的贏家。

臺(tái)積電秀自研4核心芯片 7納米制程最高頻率達(dá)4GHz

臺(tái)積電秀自研4核心芯片 7納米制程最高頻率達(dá)4GHz

臺(tái)積電在晶圓代工的能力全球皆認(rèn)可,而且憑借著先進(jìn)的技術(shù),拿下了全球近半的晶圓代工市占率。不過(guò),也因?yàn)樵诰A代工上的豐富經(jīng)驗(yàn),如今臺(tái)積電也介入自行研發(fā)設(shè)計(jì)芯片的行列。根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)導(dǎo),日前臺(tái)積電就展出一款為高效能運(yùn)算 (HPC) 所設(shè)計(jì)的芯片,該芯片所采用的 Arm Cortex A72 核心其頻率可高達(dá) 4GHz。

報(bào)導(dǎo)指出,臺(tái)積電日前在日本東京所舉行的大型集成電路設(shè)計(jì)研討會(huì) (VLSI Symposium 2019) 當(dāng)中,展示了一款臺(tái)積電自行設(shè)計(jì)的一顆芯片,并將其稱之為 ?This?。據(jù)了解,該款芯片具備雙芯片架構(gòu),而單一個(gè)芯片中都具備 4 個(gè) Arm Cortex A72 核心,以及內(nèi)建 6MB 的 L3 快取存儲(chǔ)器。整個(gè)芯片組以 7 奈米制程技術(shù)所打造,芯片面積為 4.4 mm x 6.2 mm (27.28 mm2), 并且使用晶圓級(jí)先進(jìn)扇形封裝 (CoWos)。

報(bào)導(dǎo)表示,臺(tái)積電的該款芯片組特點(diǎn)是采用埠實(shí)體層技術(shù),將其中的兩個(gè)芯片進(jìn)行互聯(lián)。而每個(gè)芯片組內(nèi)的 4 個(gè) Arm Cortex A72 核心,搭配兩個(gè) 1MB L2 快取存儲(chǔ)器,在使用電壓在 1.2V 的情況下,可以達(dá)到 4.0GHz 的頻率。不過(guò),在實(shí)際的測(cè)試中,當(dāng)電壓提高到 1.375V 之際,更可將頻率拉升到 4.2GHz。

另外,在設(shè)備連接方面,臺(tái)積電還開(kāi)發(fā)了名為 LIPINCON 的互聯(lián)技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)可以讓芯片之間的數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到 8Gb/s。而透過(guò)這項(xiàng)技術(shù),臺(tái)積電可以將多個(gè) ?This? 芯片進(jìn)行封裝連結(jié),這使得在運(yùn)作上能獲得更強(qiáng)的性能。不過(guò),針對(duì) ?This? 的兼容性方面,目前臺(tái)積電并沒(méi)說(shuō)明更多的內(nèi)容。只是,?This?的超強(qiáng)功能為的是將應(yīng)用在高效能運(yùn)算領(lǐng)域。所以,想要看到 ?This? 在手機(jī)或個(gè)人計(jì)算機(jī)上表演,當(dāng)前是沒(méi)有機(jī)會(huì)了。

臺(tái)積電3納米環(huán)評(píng)初審過(guò)關(guān) 2納米或在2025年前問(wèn)世

臺(tái)積電3納米環(huán)評(píng)初審過(guò)關(guān) 2納米或在2025年前問(wèn)世

為迎接臺(tái)積電3納米廠研發(fā)及先期量產(chǎn),中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)環(huán)保署11日初審?fù)ㄟ^(guò)竹科寶山用地?cái)U(kuò)建計(jì)劃。另臺(tái)積電在會(huì)中首度透露,預(yù)計(jì)把5年后的2納米廠研發(fā)及量產(chǎn)都落腳在竹科,以避免研發(fā)人才散掉或外流的風(fēng)險(xiǎn)。

新竹科學(xué)園區(qū)自2000年后,面臨土地飽和問(wèn)題,為打造半導(dǎo)體人才聚落,臺(tái)積電盼以竹科作為未來(lái)先進(jìn)制程重要基地,擴(kuò)大新竹園區(qū)范圍,預(yù)計(jì)在新竹園區(qū)南側(cè)、新竹縣寶山鄉(xiāng)分作東側(cè)園區(qū)及西側(cè)社區(qū)兩部分?jǐn)U建,總面積約33公頃,可望引進(jìn)產(chǎn)業(yè)活動(dòng)人口約2,300人。

有環(huán)評(píng)委員認(rèn)為,寶山基地并不適合再興建廠房,除地形是山坡地,還要考慮用水、交通等問(wèn)題,會(huì)中一度建議臺(tái)積電應(yīng)把3納米研發(fā)廠房移至他處。

臺(tái)積電廠務(wù)處資深處長(zhǎng)莊子壽回應(yīng)表示,目前研發(fā)(RD)廠就在寶山基地右側(cè),但現(xiàn)有RD廠只能做到5納米,3納米以下廠房標(biāo)準(zhǔn)、高度,必須配合新規(guī)定而擴(kuò)大廠房。

他強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電RD工程師約有7,000位,必須把這些工程師人才留在新竹,倘若比照其他同業(yè)把RD廠搬去臺(tái)南,“人才可能會(huì)散掉”。

3納米量產(chǎn)廠房在南科是塵埃落定的計(jì)劃,莊子壽說(shuō),未來(lái)如何把RD工程師轉(zhuǎn)換到先進(jìn)2納米廠才是重點(diǎn),因準(zhǔn)備土地要花3到5年時(shí)間,從現(xiàn)在考慮到5年后,也就是說(shuō),假設(shè)2納米廠須放在新竹,才能把部分工程師從研發(fā)轉(zhuǎn)換到工廠。

莊子壽強(qiáng)調(diào),寶山用地雖是竹科過(guò)去30年來(lái)沒(méi)辦法使用的土地,但臺(tái)中7納米廠開(kāi)發(fā),讓臺(tái)積電對(duì)山坡地建廠比較有經(jīng)驗(yàn),想大膽嘗試使用寶山用地,是為了科技產(chǎn)業(yè)布局,考量要把臺(tái)積電7,000名半導(dǎo)體制程研發(fā)人才繼續(xù)留在新竹工作,擬嚐試用較高成本,開(kāi)發(fā)這塊基地。

最后環(huán)評(píng)小組決議,建議通過(guò)新竹寶山用地環(huán)境影響評(píng)估審查,開(kāi)發(fā)單位須針對(duì)集水范圍土壤液化潛勢(shì)、河川水質(zhì)評(píng)估、施工營(yíng)運(yùn)期間交通沖擊等再作補(bǔ)充說(shuō)明,全案交由環(huán)評(píng)大會(huì)審查。

竹科寶山用地?cái)U(kuò)建計(jì)劃因具山坡高低差坡地開(kāi)發(fā)問(wèn)題,及對(duì)新竹市交通沖擊等問(wèn)題,先前在環(huán)評(píng)小組會(huì)議二度都未過(guò)關(guān)。臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀先前曾表示,3納米制程將在2年內(nèi)開(kāi)發(fā)成功,即使有“摩爾定律”失效挑戰(zhàn),2納米仍可能在2025年前問(wèn)世。

韓媒:三星搶下英偉達(dá)7納米GPU訂單 因代工價(jià)格更便宜

韓媒:三星搶下英偉達(dá)7納米GPU訂單 因代工價(jià)格更便宜

根據(jù)韓國(guó)媒體《KoreaBusiness》的報(bào)導(dǎo),三星已確定從臺(tái)積電手中搶下NVIDIA(英偉達(dá))下一代代號(hào)Ampere的GPU代工生產(chǎn)訂單。而三星之所以能夠拿下英偉達(dá) Ampere GPU的訂單,其主要原因就在于三星提出的價(jià)錢(qián)較臺(tái)積電更為便宜。

報(bào)導(dǎo)指出,英偉達(dá)一直是臺(tái)積電的大客戶與長(zhǎng)期合作伙伴,目前英偉達(dá)旗下的12納米制程GPU產(chǎn)品就是由臺(tái)積電生產(chǎn)。不過(guò)因?yàn)橛ミ_(dá)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD已經(jīng)推出7納米制程的GPU產(chǎn)品,因此英偉達(dá)急需一家晶圓代工廠來(lái)協(xié)助生產(chǎn)下一代,而且是旗下的首款7納米制程GPU產(chǎn)品與之競(jìng)爭(zhēng)。

此前市場(chǎng)以為基于之前的合作關(guān)系,英偉達(dá)會(huì)選定臺(tái)積電繼續(xù)做為合作伙伴,但讓市場(chǎng)專家意想不到的是,英偉達(dá)最后選擇的是三星做為其7納米產(chǎn)品代工廠商。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,對(duì)于三星之所以能夠搶下英偉達(dá)的7納米GPU代工訂單,主要原因在于三星提供更低廉的價(jià)格。事實(shí)上,因?yàn)檫^(guò)去虛擬貨幣的挖礦市場(chǎng)崩盤(pán),造成GPU的生產(chǎn)過(guò)剩,使英偉達(dá)面臨營(yíng)運(yùn)上的壓力。

在這種情況下,有更低廉價(jià)格代工廠承接訂單,對(duì)于現(xiàn)階段的英偉達(dá)來(lái)說(shuō)變得十分重要,加上過(guò)去三星也曾經(jīng)以14納米制程為英偉達(dá)代工生產(chǎn)GTX 1050系列、Tegra和Pascal架構(gòu)的芯片,因此這次的合作能順利獲得雙方的認(rèn)可。

至于三星之所以能提供較臺(tái)積電更為便宜的價(jià)格給予英偉達(dá),在于三星推出了一種特殊規(guī)格的光罩,適合少量多樣的產(chǎn)品生產(chǎn)應(yīng)用,而且僅是臺(tái)積電多層光罩(MLM)價(jià)格的60%,能大幅降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

來(lái)源:TechNews科技新報(bào)

臺(tái)積電5月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣804.4億元

臺(tái)積電5月?tīng)I(yíng)收新臺(tái)幣804.4億元

6月10日,全球晶圓代工龍頭廠商臺(tái)積電公布其5月?tīng)I(yíng)收情況。數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電5月實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約為新臺(tái)幣804.4億元,環(huán)比增長(zhǎng)7.7%,同比下降0.7%。2019年1月至5月,臺(tái)積電累計(jì)營(yíng)收總額為3738.4億新臺(tái)幣,同比下降9.0%。

根據(jù)此前材測(cè),臺(tái)積電預(yù)估第二季度營(yíng)收約達(dá)75.5到76.5億美元,環(huán)比增長(zhǎng)6-8 %,毛利率介于43%~45%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率在31%~33%。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在6月5日股東會(huì)上指出,高端智能手機(jī)需求不佳,影響臺(tái)積電上半年?duì)I運(yùn),下半年可望有較好的成長(zhǎng)性,第三季度、第四季度營(yíng)收將逐季上揚(yáng),下半年?duì)I收表現(xiàn)將比上半年好,且將優(yōu)于去年同期。