針對外國媒體報導，晶圓代工龍頭臺積電將在15日宣布將到美國設廠生產，并落腳美國亞利桑那州周一事，臺積電15日上午開盤前以新聞稿證實該項計劃。臺積電指出，新建于美國亞利桑那州的新晶圓廠將以5納米制程為主，月產能達20,000片，預計將直接提供1,600個工作機會，2021年動工，2024年正式量產。

臺積電針對赴美設置新廠的相關聲明如下:

臺積公司今(15)日宣布在與美國聯(lián)邦政府及亞利桑那州的共同理解和其支持下，有意于美國興建且營運一座先進晶圓廠。此座將設立于亞利桑那州的廠房將采用臺積公司的5納米制程技術生產半導體芯片，規(guī)劃月產能為20,000片晶圓，將直接創(chuàng)造超過1,600個高科技專業(yè)工作機會，并間接創(chuàng)造半導體產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中上千個工作機會。該晶圓廠將于2021年動工，于2024年開始量產。

2021年至2029年，臺積公司于此專案上的支出（包括資本支出）約120億美元。此先進晶圓廠不僅能使臺積公司為客戶和伙伴提供更好的服務，也為臺積公司提供了更多吸引全球人才的機會。此專案對于充滿活力及具有競爭力的美國半導體生態(tài)系統(tǒng)來說具有重要的策略性意義，它使具業(yè)界領先地位的美國公司能于美國境內生產其最先進的半導體產品，同時又能受惠于世界級的半導體晶圓制造服務公司及其生態(tài)系統(tǒng)的地理鄰近性。

臺積公司期待與美國當局及亞利桑那州于此專案上繼續(xù)維持鞏固的伙伴關系，此專案需要臺積公司大量的資本和技術投資，而美國強健的投資環(huán)境及其優(yōu)秀的人才使得此專案及未來于美國的投資對臺積公司來說極具吸引力。美國采行具前瞻性的投資政策為其業(yè)界領先的半導體技術營運創(chuàng)造出具全球競爭力的環(huán)境，此環(huán)境對于本專案的成功至關重要。這也使臺積公司對此項投資及未來與其供應鏈伙伴投資的成功皆充滿信心。

臺積公司目前在美國華盛頓州卡馬斯市設有一座晶圓廠，并在德州奧斯汀市、加州圣何西市皆設有設計中心。此座位于亞利桑那州的廠房將成為臺積公司在美國的第二個生產基地。

5月12日，晶圓代工龍頭企業(yè)臺積電召開董事會，核準新一輪資本預算以及一項人員職位調整。

臺積電公告顯示，5月12日董事會核準資本預算約57.4億美元，內容包括：1. 廠房興建及廠務設施工程；2. 建置及升級先進制程產能；3. 建置特殊制程產能；4. 2020年第三季研發(fā)資本預算與經常性資本預算。

此外，臺積電董事會這次還核準資本預算約6475萬美元，以支應2020年下半年之資本化租賃資產；核準募集不超過新臺幣600億元（約20億美元）無擔保普通公司債，以支應產能擴充及/或污染防治相關支出之資金需求。

今年2月，臺積電董事會核準67.421億美元資本預算，亦表示將用于廠房興建及廠務設施工程；建置及升級先進制程產能；建置特殊制程產能；建置先進封裝產能；以及2020年第二季研發(fā)資本預算與經常性資本預算。

根據臺積電管理層此前預估，臺積電2020年的資本預算將在150億美元至160億美元之間。

在先進制程方面，臺積電的5納米制程預計將于今年量產。近日，媒體曝光一份臺積電5納米制程工藝的客戶名單，蘋果和華為海思將是臺積電5納米制程的首批客戶，產品分別為蘋果A14處理器、華為海思麒麟1000。3納米制程方面，臺積電預計2021年進入風險試產階段、2022年量產；臺積電近日還表示，2納米制程進入尋求技術路徑。

此外，本次臺積電董事還核準一項人員職位調整，擢升公司研發(fā)組織技術發(fā)展副總經理侯永清為資深副總經理。近期，有媒體稱臺積電啟動中生代接班計劃，此前已調整了業(yè)界視為下一梯隊接班人選的兩名資深副總經理秦永沛和王建光的執(zhí)掌項目。

臺積電官網介紹稱，侯永清于1997年加入臺積電，主要負責公司的設計技術與設計生態(tài)系統(tǒng)開發(fā)，2011年8月至2018年7月?lián)卧O計暨技術平臺副總經理，2018年8月起擔任研發(fā)組織技術發(fā)展副總經理。

根據國外科技網站《91Mobiles》的報導指出，移動處理器龍頭高通(Qualcomm)將在2020年底推出新一代旗艦級智能手機移動處理器驍龍(Snapdragon)875，該款處理器將采用臺積電的5納米制程技術來打造，將成高通首款5納米制程的移動處理器。

報導中表示，高通2019年推出驍龍865移動處理器，將不會有升級版，也就是不會像驍龍855那樣推出驍龍855+，因此之后不會有驍龍865+，使得驍龍875將會是驍龍865真正的后繼產品。而對于即將搭載在非蘋陣營主要手機廠商的旗艦款智能手機上，高通的驍龍875當前研發(fā)已經進入最后階段，這一移動處理器的內部代號為SM8350。

另外，針對相關的規(guī)格，報導指出驍龍875將采用Arm v8 Cortex技術所構建的Kryo 685 CPU，其他方面包括Adreno 660 GPU、Adreno 665 VPU、Adreno 1095 DPU以及高通的安全處理單元（SPU250）等。

在對外連結的部分，驍龍875將支援3G、4G和5G的網絡連接。其中，5G的部分，將同時支援毫米波和sub-6 GHz頻段。不過，目前還不確定高通是否會在驍龍875上整合新推出的X60 5G基帶芯片。只是，在當前5G持續(xù)發(fā)展下，高通若決定將X60 5G基帶整合進移動處理器中，而非同當前的驍龍865采外掛5G基帶的方式，這似乎也是合理的決定。

至于，在制程技術方面，報導則是表示，高通驍龍875將采用目前最先進的5納米制程技術來打造，這一制程技術能使芯片能有更好的性能、更好的能效以及更優(yōu)異的能耗，而代工商將會是臺積電。

最后在推出時間上，則是預計高通的驍龍年度高峰會若能維持在年底舉行，驍龍875就將在2020年底推出；不過，如果峰會受疫情影響延后，則驍龍875也有可能延遲到2021年年初推出。

根據《彭博社》報導，消息人士透露，蘋果目前正計劃于2021年開始銷售搭載自家處理器的Mac電腦。此外，蘋果也藉由當前開發(fā)新一代iPhone A14處理器的基礎，也正在開發(fā)3款預計運用在Mac上的處理器。消息人士表示，第一款Mac筆電專用的蘋果自研處理器，將比當前的iPhone和iPad處理器處理速度要快得多。

報導指出，消息人士透露，蘋果準備于2021年推出至少一款搭載自研處理器的Mac筆電，而蘋果也預計將從目前的采用英特爾處理器的Mac筆電中，轉移更多數量的Mac筆電來采用自研的處理器。另外，報導還表示，蘋果新款的自研Mac筆電處理器將會由長期的合作伙伴臺積電來進行代工，而且會是以先進的5納米制程來生產。只是，包括蘋果、英特爾與臺積電對此事都拒絕做出評論。

報導進一步指出，消息人士指稱，蘋果的第一款自研Mac處理器中將會內建8個高性能核心，代號為Firestorm。另外，還將配有4個節(jié)能核心，代號Icestorm。因此，預計蘋果正在開發(fā)內建12個核心以上的Mac筆電專用處理器，以因應未來的使用需求。

最后，報導還提到，蘋果也已經著手開始設計第二代Mac筆電處理器，該處理器計劃采用將在2021年之后才會推出，預計采用搭載在新的iPhone上的處理器架構。而對于這樣的作法，消息人士表示，這顯示了蘋果希望把Mac、iPhone和iPad的處理器放在同一個開發(fā)周期當中，以便能在同一時間內進行產品的更新?lián)Q代。

根據國外科技網站《anandtech》的報導，由歐盟委員會所資助的法國半導體新創(chuàng)企業(yè)SiPearl日前宣布，已獲得代號為Zeus的ARM下一代的Neoverse處理器核心IP授權許可。未來，將透過這個IP授權，開發(fā)針對超級電腦所使用的高效能運算芯片，使歐盟能在高效能運算芯片上獨立自主。

而值得注意的是，該款預定于2022年推出，被稱之為“Rhea”的高效能芯片，預計將采用臺積電的6納米制程所打造，也等于臺積電的先進制程又有了新客戶的訂單。

報導指出，SiPearl是2020年1月份才剛創(chuàng)立的新創(chuàng)企業(yè)，營業(yè)重點在于針對歐盟超級電腦所需要的高效能運算芯片進行開發(fā)，而歐盟之前已經對該公司注資約620萬歐元(約新臺幣1.96億元)。而為了這樣的目的，日前才會與全球半導體矽智財權廠商Arm簽屬IP授權協(xié)議。未來將透過此授權協(xié)議，在高性能、安全、且具擴展性的Arm新一代Neoverse平臺上，藉由強大的ARM軟硬體生態(tài)系統(tǒng)，開發(fā)出新的高效能且低功號的芯片。

至于，會選擇Arm架構來開發(fā)芯片，據了解自然也與當前X86架構芯片兩大龍頭公司英特爾與AMD都是美國公司有重要的關系。加上目前Arm架構已逐步由過去多數為智能手機所采用，進一步進展到包括筆電、服務器市場上。因此，未來如果SiPearl順利推出?Rhea?芯片，這也是繼亞馬遜Graviton 2芯片發(fā)展成功以及Ampere宣布推出Altra平臺之后，Arm架構服務器生態(tài)系統(tǒng)的又一次重大進展。

報導進一步指出，SiPearl與Arm簽屬的該項技術授權協(xié)議中，除了將可使用代號Zeus的核心之外，還包含更新一代，代號Ares的Neoverse N1的核心IP授權。其中，代號Ares的Neoverse N1的核心，將有機會成為Arm的Cortex-A77行動核心的基礎。另外，值得注意的是，在EPI網站上還詳述了該計劃的發(fā)展路線圖，并在Zeus核心描述旁加上了“N6”的注釋，這象徵著“Rhea”芯片將藉由臺積電的6納米制程來生產打造，這意味著臺積電的先進制程上又有新的客戶訂單加入。

據韓國《亞洲經濟新聞》報道，中國臺灣晶圓代工廠商臺積電繼三星電子后也宣布6nm半導體制程量產，兩家晶圓代工廠商再次打響工藝之爭。

三星電子上月宣布其位于華城的多層極紫外光刻（EUV）半導體生產線V1已開始批量生產。V1生產線目前正采用7nm和6nm工藝技術。據中國IT媒體透露，華為面向中端5G市場的移動設備處理器麒麟820將交由三星電子6nm生產線代工，并計劃在2020年下半年完成4nm工藝開發(fā)及產品設計。另據美國IT媒體AnandTech報道，中國集成電路設計公司紫光展銳近期推出了面向5G智能手機的T7520八核系統(tǒng)芯片（SoC），該芯片集成5G調制解調器，將使用臺積電6nmEUV工藝制程，預計將于今年開始出貨。

據悉，三星電子已領先臺積電成功開發(fā)了業(yè)界首個3nm制程工藝，預計將于2022年開啟大規(guī)模量產。目前三星電子已經成功攻克了3nm工藝所使用的GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞式柵極技術）工藝技術，而臺積電在近期公布了將投資150億美元用于研發(fā)3nm工藝。

4月21日，晶圓代工龍頭臺積電上傳股東會年報，年報中首度提到2納米制程技術進展，去年領先半導體產業(yè)進行2納米制程技術研發(fā)，針對2納米以下技術進行探索性研究；至于EUV專案，去年也取得持續(xù)性進展，可加快先進技術學習速度與制程開發(fā)，將逐步邁向全面生產制造就緒。

臺積電表示，每2年半導體運算能力增加1倍的摩爾定律，技術挑戰(zhàn)日益困難，研發(fā)組織努力讓臺積電能夠提供客戶率先上市、且先進的技術和設計解決方案，幫助客戶取得產品成功。

隨著2019年7納米強效版技術量產，及5納米技術成功試產，臺積電研發(fā)組織持續(xù)推動技術創(chuàng)新，以維持業(yè)界的領導地位。臺積電表示，當公司采用三維電晶體第六代技術平臺開發(fā)3納米技術時，也已開始開發(fā)領先半導體業(yè)界的2納米技術，并針對2納米以下的技術進行探索性研究。

5納米方面，臺積電表示，雖然半導體產業(yè)逼近硅晶物理極限，5納米制程仍遵循摩爾定律，顯著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前靜態(tài)隨機存取(SRAM)存儲器及邏輯電路良率均符合預期，已達成去年進入試產的目標。

相較5納米制程技術，臺積電3納米制程技術大幅提升芯片密度及降低功耗，并維持相同芯片效能，今年研發(fā)著重于基礎制程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善，及可靠性評估，將持續(xù)進行3納米制程技術全面開發(fā)。

微影技術方面，臺積電去年研發(fā)重點在5納米技術轉移、3納米技術開發(fā)與2納米以下技術開發(fā)的先期準備。5納米技術已順利移轉，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產問題。

針對3納米技術開發(fā)，極紫外光(EUV)微影技術展現(xiàn)優(yōu)異光學能力，與符合預期的芯片良率，研發(fā)單位正致力于極紫外光技術，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺積電表示，今年在2納米及更先進制程上，將著重于改善極紫外光技術的品質與成本。

臺積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩(wěn)定度上，有持續(xù)性進展，光源功率穩(wěn)定與改善，得以加快先進技術學習速度與制程開發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護膜及相關光罩基板，也都展現(xiàn)顯著進步，極紫外光技術正逐步邁向全面生產制造就緒。

上周，臺積電在2020年第1季法人說明會上宣布，其3納米制程將在2021年試產，并在2022年下半年正式量產，同時宣布3納米制程將仍采仍采原有的FinFET（鰭式場效電晶體），不采用與競爭對手三星相同的GAA（環(huán)繞閘極電晶體）。而為何臺積電的3納米將持續(xù)采FinFET的原因，是不是因為良率或成本的因素。對此，臺積電并沒有給答案。

臺積電原定在4月29日于北美技術論壇發(fā)表的相關3納米技術細節(jié)，目前因疫情的關系，將延后到8月召開。因此，預計臺積電3納米制程仍采原有的FinFET，不采用與競爭對手三星相同的GAA的原因，屆時會有比較清楚的了解。不過，對臺積電3納米的效能，現(xiàn)在國外媒體已有所報導，指稱臺積電3納米制程的每平方公厘電晶體數量可能低于3億個，也就是約在2.5億個。

根據國外科技媒體《Gizchina》報導指出，過去采用臺積電7納米EUV加強版制程的華為麒麟990處理器，芯片大小為113.31平方公厘，電晶體數量為103億個，平均每平方公厘約為9,000萬個。而在3納米制程技術的電晶體數量至少為7納米制程的3倍情況下，將使得3納米制程芯片的電晶體數量將大約為每平方公厘2.5億個左右，而這樣的先進制程足以將過去的Pentium 4處理器縮小到如一根針大小。

報導進一步指出，之前臺積電總裁魏哲家就曾經表示，3納米制程是在5納米制程之后，在制程技術的完整世代技術跨越，相較第一代5納米制程技術，第一代的3納米制程技術的電晶體密度將提升約70%，預算速度提升10%到15%，能耗降低15%，使得芯片的整體性能提升25%~30%，這使得3納米制程技術將進一步達成臺積電在芯片制造技術方面的領導地位。

之前，外媒曾經在2019年10月報導表示，臺積電生產3納米制程的工廠已經開始建設，工廠占地50~80公頃，預計花費195億美元。對此，在日前臺積電的法說會上，魏哲家也強調3納米制程技術的研發(fā)正在按計劃進行中，預計2021年進行試產，而最終的目標是在2022年下半年大規(guī)模量產。而對于3納米制程將仍采仍采原有FinFET，不采與競爭對手三星相同的GAA，雖然外傳臺積電是基于成本與良率因素，但臺積電并沒有明確說明。不過此問題預計延后于8月舉行的北美技術論壇將明確公布。

新冠疫情加上貿易戰(zhàn)對于全球半導體業(yè)產生巨大的影響，眾多市場分析公司已經下調今年的增長預測。但是臺積電于4月16日公布2020年第一季度業(yè)績，卻反而亮麗。其一季度營收、凈利潤均超市場預期。臺積電公告顯示，其本季度營收為3106億新臺幣，同比增長42%，環(huán)比下滑2.1%。

值得注意的是在本季度中臺積電凈利潤達到1169.9億新臺幣，均同比增長90.6%，并創(chuàng)下季度獲利歷史新高，每股凈利4.51元優(yōu)于預期。毛利率則為51.8%，此前給出的指引為48.5%-50.5%。

根據財報顯示，在2020年第一季度，其7納米晶圓的銷售占晶圓總銷售額的35%，10納米晶圓占0.5%，以及16納米晶圓占19%。先進晶圓（即16納米和以下的晶圓）占總晶圓收入的55%。

盡管新冠疫情帶來了眾多的不確定性影響，全球半導體業(yè)的下降態(tài)勢可能無法避免，但是由于5G和HPC等相關應用的大趨勢仍將在未來幾年中繼續(xù)推動先進技術的強勁需求。

據分析，能持續(xù)堅挺它的Q1業(yè)績可能有如下因素：

1)7納米等先進技術處于全球的壟斷地位，訂單無明顯縮減

2)電子產業(yè)與旅游，餐飲等不同，雖有所影響，但并沒有那么嚴重

3)手機芯片等價值在產業(yè)鏈中價值占比不高，如蘋果的A11應用處理器芯片，釆用7納米，每片成本64美元(之前的14納米芯片是26美元)，而Apple 11 Pro Max的BOM是490.5美元

當路透社報道稱，面對美國可能祭出的更多限制，華為正在逐步將芯片的代工從臺積電轉移到中芯國際。

按慣例臺積電是不會直接評論競爭對手的，而此次臺積電CEO魏哲家稱，不認為中芯會因此而擴大市占率，且臺積電并未失去市場份額。

由此有可能透出如下含義：

1)臺積電非常自信，有能力保持華為訂單的占9.6%份額；

2)可能低估中芯國際的實力；

3)美方可能不會過度的改變現(xiàn)在的規(guī)則。

企業(yè)的實力決定一切，臺積電幾乎已達到登峰造極地步，它的3納米生產線仍可能按計劃挺進，預計今年的資本投入高達150-160億美元，及研發(fā)費用占營收的8%，近28億美元。因此表明企業(yè)要有遠大目標是十分必要。