與臺(tái)積電爭晶圓代工頭牌 三星向ASML訂購15臺(tái)EUV設(shè)備

與臺(tái)積電爭晶圓代工頭牌 三星向ASML訂購15臺(tái)EUV設(shè)備

根據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo),為了期望在2030年達(dá)到成為全球第1半導(dǎo)體大廠的目標(biāo),并且力圖在半導(dǎo)體晶圓代工領(lǐng)域超越龍頭臺(tái)積電,搶占未來2到3年因?yàn)?G商用化所帶來的半導(dǎo)體市場需求,三星電子日前已經(jīng)向全球微影曝光設(shè)備大廠ASML訂購15臺(tái)先進(jìn)EUV設(shè)備!

由于微影曝光設(shè)備一直被認(rèn)為是克服半導(dǎo)體制程技術(shù)微縮限制的關(guān)鍵設(shè)備,其單價(jià)高達(dá)1.8億美元。不過,報(bào)導(dǎo)指出,三星電子最近發(fā)出一份意向書(LOI),向ASML購買價(jià)值3兆韓元(約27.5億美元)的EUV設(shè)備,并且預(yù)計(jì)分3年時(shí)間進(jìn)行交貨。市場人士表示,由于三星增加EUV設(shè)備訂單,代表三星即將在晶圓代工生產(chǎn)線上進(jìn)行大規(guī)模投資。

若三星此次訂購消息屬實(shí),其訂購的15臺(tái)EUV設(shè)備將占ASML于2020年總出貨量的一半。2012年,三星電子收購ASML的3%股份,以期望能在取的最新微影曝光設(shè)備。為了超越晶圓代工龍頭臺(tái)積電,在如此大膽的投資基礎(chǔ)上,通過提供技術(shù)競爭力來吸引客戶會(huì)是三星積極采用的方式。

目前,三星電子的客戶包括高通、英偉達(dá)、IBM和SONY。但是,臺(tái)積電方面更是筑起了難以超越的門檻,包括全數(shù)蘋果iPhone處理器的訂單,加上華為海思、AMD、賽靈思等大客戶支持。

之前,臺(tái)積電原本計(jì)劃2019年資本支出將為110億美元,其中八成將投資于7納米以下的更先進(jìn)的制程技術(shù)。但是,在17日的法人說明會(huì)上,臺(tái)積電更加預(yù)計(jì)的資本支出一舉提高到140億美元到150億美元之間,其中增加的15億元經(jīng)費(fèi)經(jīng)用在7納米制程,25億元經(jīng)費(fèi)則將用在5納米制程上。

因?yàn)?,臺(tái)積電目前的7納米+與未來的5納米都將采用EUV技術(shù)。所以,增加出來的資本支出勢必也將會(huì)在EUV設(shè)備上多所著墨,使三星的壓力更加巨大。

根據(jù)統(tǒng)計(jì)資料顯示,2019年第3季全球晶圓代工領(lǐng)域,臺(tái)積電以市占率50.5%穩(wěn)坐龍頭寶座,而近年努力發(fā)展先進(jìn)制程的三星電子,則以18.5%的市占率位居第二。然而,三星積極搶攻市場商機(jī),使得近期頻繁發(fā)布其晶圓代工領(lǐng)域的投資計(jì)劃,就可以了解其企圖心。

整體來說,三星電子計(jì)劃到2030年投資133兆韓元的資金來提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。根據(jù)三星的計(jì)劃,133兆韓元的投資中,有73兆韓元是用于技術(shù)開發(fā),60兆韓元?jiǎng)t是用于興建晶圓廠設(shè)施,這預(yù)計(jì)會(huì)創(chuàng)造1.5萬個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

而三星的目標(biāo)是在2030年時(shí)不僅保持存儲(chǔ)芯片的領(lǐng)先,還要在邏輯芯片領(lǐng)域成為領(lǐng)導(dǎo)者。不過,面對臺(tái)積電持續(xù)增加的研發(fā)與投資支出,三星能否在競爭中有所斬獲,值得大家后續(xù)拭目以待。

7納米制程需求強(qiáng)勁 臺(tái)積電第三季度業(yè)績超預(yù)期

7納米制程需求強(qiáng)勁 臺(tái)積電第三季度業(yè)績超預(yù)期

10月17日,晶圓代工廠商臺(tái)積電發(fā)布其2019年第三季度業(yè)績報(bào)告。臺(tái)積電在上一季度業(yè)績報(bào)告中指出,臺(tái)積電已渡過業(yè)務(wù)周期底部,并開始看到需求增加,預(yù)期第三季的業(yè)績將進(jìn)一步提升。那么,第三季度臺(tái)積電業(yè)績是否如其所言?

報(bào)告顯示,臺(tái)積電第三季度合并營收約臺(tái)幣2930.5億元,同比增長12.6%、環(huán)比增長21.6%;稅后純益約新臺(tái)幣1010.7億元,同比增長13.5%、環(huán)比增長51.4%;每股盈余為新臺(tái)幣3.90元;毛利率為47.6%。

若以美金計(jì)算,臺(tái)積電2019年第三季營收為94.0億美元,同比增長10.7%、環(huán)比增長21.3%。根據(jù)臺(tái)積電此前預(yù)估,第三季度合并營收預(yù)計(jì)介于91億美元到92億美元之間,如今從成績單看來,臺(tái)積電第三季度營收已超出此前預(yù)期。

按制程工藝來看,7 納米制程出貨占臺(tái)積電2019年第三季晶圓銷售金額的27%;10納米制程出貨占全季晶圓銷售金額的2%;16納米制程出貨占全季晶圓銷售金額的22%??傮w而言,先進(jìn)制程(包含16納米及更先進(jìn)制程)的營收達(dá)到全季晶圓銷售金額的51%,較上季度的47%有所增長。

按技術(shù)平臺(tái)來看,臺(tái)積電第三季度智能手機(jī)的營收占比為49%,環(huán)比增長33%;高效能運(yùn)算的營收占比為29%,環(huán)比增長10%;物聯(lián)網(wǎng)的營收占比為9%,環(huán)比增長35%;車用電子的營收占比為4%,環(huán)比增長20%;消費(fèi)性電子營收占比為5%、其他為4%。從數(shù)據(jù)可見,第三季度臺(tái)積電在物聯(lián)網(wǎng)、智能手機(jī)、汽車電子等領(lǐng)域的營收顯著增長。

臺(tái)積電財(cái)務(wù)長暨發(fā)言人黃仁昭副總經(jīng)理表示,第三季營收受惠于客戶采用領(lǐng)先業(yè)界的7納米制程,推出其高端智能型手機(jī)新產(chǎn)品及高效能運(yùn)算應(yīng)用的新產(chǎn)品。臺(tái)積電預(yù)期在高端智能型手機(jī)、5G的初始布建、以及高效能運(yùn)算應(yīng)用相關(guān)產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)下,客戶對于其7納米制程的需求將持續(xù)強(qiáng)勁。

根據(jù)對當(dāng)前業(yè)務(wù)狀況的評估,臺(tái)積電對2019年第四季的業(yè)績展望如下:合并營收預(yù)計(jì)介于102億美元到103億美元之間。若以新臺(tái)幣30.6元兌1美元匯率假設(shè),則毛利率預(yù)計(jì)介于48%到50%之間;營業(yè)利益率預(yù)計(jì)介于37%到39%之間。

從業(yè)績展望可見,臺(tái)積電第四季度營收將比第四季度進(jìn)一步提升。此外,臺(tái)積電2019年的資本支出預(yù)估將介于140億美元到150億美元之間,遠(yuǎn)超出此前預(yù)估的110億美元。

傳三星將代工Facebook AR眼鏡處理器 2021年或挑戰(zhàn)臺(tái)積電

傳三星將代工Facebook AR眼鏡處理器 2021年或挑戰(zhàn)臺(tái)積電

三星在晶圓代工業(yè)務(wù)為了與臺(tái)積電競爭市占率,除了原有的客戶之外,如今再傳出Facebook即將發(fā)展的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)眼鏡上面所裝置的應(yīng)用處理器也將交由三星進(jìn)行代工生產(chǎn),預(yù)計(jì)將采用內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程來生產(chǎn)。而由于目前還在進(jìn)行開發(fā)階段,預(yù)計(jì)最快的大量生產(chǎn)時(shí)間將落在2021年。

根據(jù)韓國媒體《ETnews》的報(bào)導(dǎo),三星為了達(dá)到2030年成為全球第1大半導(dǎo)體企業(yè)的目標(biāo),目前正積極在非存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體產(chǎn)品上布局,其中晶圓代工就是其重要的發(fā)展業(yè)務(wù)。

而三星與Facebook的合作是從最近開始,雙方?jīng)Q定合作進(jìn)行開發(fā)AR眼鏡的應(yīng)用處理器。而該款應(yīng)用處理器將會(huì)利用AR眼鏡所輸入的各項(xiàng)資訊進(jìn)行運(yùn)算,因此體積必須比智能手機(jī)的處理器更小,但是卻需要有同樣高效能的運(yùn)算速度,而這需要先進(jìn)的技術(shù)進(jìn)行開發(fā),因此三星與Facebook才會(huì)進(jìn)行合作。

報(bào)導(dǎo)還強(qiáng)調(diào),因?yàn)樘摂M現(xiàn)實(shí)(VR)與增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)一直是Facebook未來的重要發(fā)展核心業(yè)務(wù)。過去,F(xiàn)acebook就在2013年以23億美元所收購的Oculus上,發(fā)展自家的整體生態(tài)系,其中包括了產(chǎn)品跟內(nèi)容。

之后,F(xiàn)aceboo更透過收購大腦神經(jīng)控制實(shí)驗(yàn)室來強(qiáng)化AR業(yè)務(wù)的發(fā)展,這使得Facebook執(zhí)行長Mark Zuckerberg希望藉由VR及AR的發(fā)展,能在20億用戶的廣大市場中,打造一個(gè)突破實(shí)體疆界的領(lǐng)域,而這時(shí)候AR眼鏡將會(huì)在其中扮演重要的角色。另外,也因?yàn)锳R眼鏡也需要特別的鏡片,這使得Facebook也找上了知名眼鏡商Ray-Ban合作。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,事實(shí)上,此次三星與Facebook的合作,著眼的不只是在協(xié)助Facebook的AR眼鏡生產(chǎn)應(yīng)用處理器,還希望藉由這樣的成功合作,進(jìn)一步拉近與全球一流IT大廠包括蘋果、亞馬遜等公司的合作。

因?yàn)樵贏R眼鏡的發(fā)展上,因?yàn)樘O果及亞馬遜兩家公司都有相關(guān)計(jì)劃。如此,三星希望藉由與這些企業(yè)的合作,以在半導(dǎo)體代工市場中進(jìn)一步與龍頭臺(tái)積電競爭。而除了AR眼鏡所使用的應(yīng)用處理器之外,三星也期望推廣自家生產(chǎn)的圖像傳感器安裝在Facebook的AR眼鏡上。

對于兩家公司的相關(guān)合作時(shí)程,報(bào)導(dǎo)則是引用知情人士的消息指出,因?yàn)镕acebook會(huì)是一項(xiàng)新產(chǎn)品,因此目前兩家公司正處于初期的開發(fā)階段,之后還要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì)等各項(xiàng)流程后,使得目前還不清楚這個(gè)應(yīng)用處理器的架構(gòu)。因此,未來真正到三星晶圓廠大量生產(chǎn)的時(shí)間則是預(yù)定在2021年。不過,三星對于媒體的報(bào)導(dǎo)內(nèi)容,目前則是不愿表示任何意見。

ANSYS旗下半導(dǎo)體套件解決方案獲臺(tái)積電N5P和N6制程認(rèn)證

ANSYS旗下半導(dǎo)體套件解決方案獲臺(tái)積電N5P和N6制程認(rèn)證

就在晶圓代工龍頭臺(tái)積電之前宣布旗下6納米制程將在2020年第1季推出,而更新的5納米制程也將隨之在后的情況下,半導(dǎo)體模擬軟件大廠ANSYS于16日宣布,旗下的半導(dǎo)體套件解決方案已獲臺(tái)積電最新版N5P和N6制程技術(shù)認(rèn)證,未來將有助于滿足雙方共同客戶對于新世代5G、人工智能(AI)、云端和資料中心應(yīng)用創(chuàng)新日益成長的需求。

ANSYS指出,旗下的TotemTM和RedHawkTM系列多物理解決方案,日前獲得臺(tái)積電N5P和N6制程技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證包括對自體發(fā)熱、熱感知電子遷移(Electromigration;EM)和統(tǒng)計(jì)電子遷移預(yù)算分析所需之萃取、電源完整性和可靠度、訊號線電子遷移和熱可靠度分析。這些解決方案支援低耗電和高效能的設(shè)計(jì),功能整合度也更高。

對此,臺(tái)積電設(shè)計(jì)建構(gòu)行銷處資深處長Suk Lee表示,AI、5G、云端和資料中心應(yīng)用需要高效能和低耗電的芯片設(shè)計(jì),臺(tái)積電和ANSYS的長期合作能有效回應(yīng)該需求。臺(tái)積電和生態(tài)系統(tǒng)伙伴合作,致力于幫助客戶成功推動(dòng)芯片創(chuàng)新和提升產(chǎn)品效能。

而ANSYS半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理暨副總裁John Lee也指出,ANSYS的客戶正在解決如5G和AI等重要應(yīng)用中最復(fù)雜的問題。在導(dǎo)入7納米以下FinFET制程節(jié)點(diǎn)后,這些問題的挑戰(zhàn)性變得更高。而運(yùn)用ANSYS的多物理解決方案,幫助雙方共同客戶克服挑戰(zhàn),讓產(chǎn)品一步到位并加速產(chǎn)品上市時(shí)程。

直指臺(tái)積電 三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

直指臺(tái)積電 三星聯(lián)合ARM與新思科技開發(fā)5納米制程優(yōu)化工具

在半導(dǎo)體先進(jìn)制程上的進(jìn)爭,目前僅剩下臺(tái)積電、三星、以及英特爾。不過,因?yàn)橛⑻貭栆宰约汗镜漠a(chǎn)品生產(chǎn)為主,因此,臺(tái)積電與三星的競爭幾乎成為半導(dǎo)體界中熱門的話題。

近幾年來,臺(tái)積電在半導(dǎo)體制程技術(shù)上一路突飛猛進(jìn),但三星也不甘示弱,積極的推進(jìn)各種新制程,但是無論就技術(shù),還是進(jìn)度方面仍然比臺(tái)積電慢了不少。在當(dāng)前臺(tái)積電的7納米加強(qiáng)版EUV制程已量產(chǎn)情況下,三星方面則可能還要一些時(shí)間的努力。

不過,眼下兩家廠商的重點(diǎn)都已經(jīng)不在7納米的身上,而是加速邁向更新的5納米制程上。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),三星、Arm、與新思科技(Synopsys)聯(lián)合宣布,已經(jīng)開發(fā)了一整套優(yōu)化工具和IP,可讓芯片廠商以三星5納米制程,快速生產(chǎn)基于ARM Herculues CPU核心的芯片。

報(bào)導(dǎo)指出,三星5納米制程技術(shù)編號為5LPE,也就是5nm Low Power Early。該制程是三星7納米制程(7LPP),在第二代6納米(6LPP)制程之后,所發(fā)展出的第三代改良版制程。在以EUV極紫外光刻技術(shù)之后的5LPE,號稱邏輯效率將較前一代提升最多25%,或者是在相同性能和密度下,整體的芯片功耗將可降低20%,以及在同等功耗和密度下,性能能夠提升10%。

對此,三星強(qiáng)調(diào)由于制程一脈相承的關(guān)系,芯片廠商可以重新利用三星7納米制程的IP,應(yīng)用在5納米的制程上,以加速在5LPE上的芯片開發(fā)。不過,如果要想發(fā)揮其全部潛力,其新的優(yōu)化工具和IP依舊必不可少。因此,三星宣布與Arm與新思科技的合作,由ARM向三星的5納米制程提供物理IP和POP IP,以進(jìn)一步幫助客戶快速開發(fā)新品。

而根據(jù)三星所公布的資料顯示,三星預(yù)計(jì)2019年下半年完成5納米制程進(jìn)行流片,2020年上半年投入量產(chǎn)。而屆時(shí)臺(tái)積電的新一代6納米制程也進(jìn)入量產(chǎn),更新5納米制程則將緊隨而來,這使得兩者間的競爭還將會(huì)進(jìn)一步地延續(xù)下去。

7納米產(chǎn)能滿載 臺(tái)積電17日法說會(huì)可望報(bào)喜

7納米產(chǎn)能滿載 臺(tái)積電17日法說會(huì)可望報(bào)喜

晶圓代工廠臺(tái)積電法人說明會(huì)即將于17日登場,市場普遍看好臺(tái)積電可望釋出好消息,第4季營收應(yīng)可改寫歷史新高紀(jì)錄,7納米先進(jìn)制程將是主要成長動(dòng)能。

臺(tái)積電今年?duì)I運(yùn)可說是倒吃甘蔗,上半年因美中貿(mào)易摩擦,造成全球經(jīng)濟(jì)情勢混沌不明,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存調(diào)整,需求疲軟,影響臺(tái)積電上半年業(yè)績表現(xiàn)不盡理想,面臨下滑壓力。

隨著供應(yīng)鏈庫存逐步回復(fù)至正常水位,客戶需求回穩(wěn),加上時(shí)序步入傳統(tǒng)旺季,臺(tái)積電第3季營運(yùn)順利好轉(zhuǎn),并重回成長軌跡,季營收一舉躍升至新臺(tái)幣2930.46億元,季增率超過2成,并改寫歷史新高紀(jì)錄,表現(xiàn)令外資法人驚艷,市值超越可口可樂(Coca-Cola)、英特爾(Intel)及迪士尼(Walt Disney)。

除7納米先進(jìn)制程產(chǎn)能滿載外,臺(tái)積電面板驅(qū)動(dòng)IC與電源管理芯片等產(chǎn)品采用的特殊制程,也受惠手機(jī)市場旺季效應(yīng),需求同步升溫。

法人預(yù)期,在蘋果(Apple)與海思需求強(qiáng)勁下,臺(tái)積電第4季7納米制程產(chǎn)能將持續(xù)滿載,并推升整體第4季業(yè)績更上層樓,續(xù)創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。

臺(tái)積電累積前9月總營收新臺(tái)幣7527.48億元,已扭轉(zhuǎn)上半年業(yè)績下滑局面,較去年同期增加1.5%;法人預(yù)期,臺(tái)積電今年總營收應(yīng)可優(yōu)于去年水準(zhǔn),延續(xù)業(yè)績逐年創(chuàng)新高的趨勢。

法人看好,除超微(AMD)7納米產(chǎn)品出貨放量,明年全球5G手機(jī)可望達(dá)1億至2.5億支,臺(tái)積電應(yīng)可受惠,7納米產(chǎn)品將持續(xù)高度成長,并獨(dú)拿蘋果與海思5納米處理器訂單,明年總營收將較今年再成長超過1成水準(zhǔn)。

除第4季營運(yùn)展望外,未來7納米制程貢獻(xiàn)、明年5納米制程進(jìn)展、處理器市場擴(kuò)展情況,以及今年、明年資本支出等議題,都將是臺(tái)積電法說會(huì)市場關(guān)注的重點(diǎn)。

臺(tái)積電ARM青睞的芯粒技術(shù)會(huì)是后摩爾時(shí)代的技術(shù)明星嗎?

臺(tái)積電ARM青睞的芯粒技術(shù)會(huì)是后摩爾時(shí)代的技術(shù)明星嗎?

日前,臺(tái)積電在美國舉辦的開放創(chuàng)新平臺(tái)論壇上,與ARM公司共同發(fā)布了業(yè)界首款采用CoWoS封裝并獲得硅晶驗(yàn)證的7納米芯粒(Chiplet)系統(tǒng)。不同于以往SoC芯片將不同內(nèi)核整合到同一芯片上的作法,臺(tái)積電此次發(fā)布的芯粒系統(tǒng)由兩個(gè)7納米工藝的小芯片組成,每個(gè)小芯片又包含了4個(gè)Cortex- A72處理器,兩顆小芯片間通過CoWoS中介層整合互連。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展,制造工藝已經(jīng)達(dá)到7nm,依靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時(shí)滿足性能、功耗、面積以及信號傳輸速度等多方面的要求。在此情況下,越來越多的半導(dǎo)體廠商開始把注意力放在系統(tǒng)集成層面。而芯粒正是在這一背景下發(fā)展形成的一種解決方案。其依托快速發(fā)展的先進(jìn)封裝技術(shù),可將不同類型、不同工藝的芯片集成在一起,在實(shí)現(xiàn)高效能運(yùn)算的同時(shí),又具備靈活性、更佳良率、及更低成本等優(yōu)勢。

何為芯粒?

近年來,芯粒逐漸成為半導(dǎo)體業(yè)界的熱詞之一。它被認(rèn)為是一種可以延緩摩爾定律失效、放緩工藝進(jìn)程時(shí)間、支撐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)發(fā)展的有效方案。

根據(jù)半導(dǎo)體專家莫大康介紹,芯粒技術(shù)就是像搭積木一樣,把一些預(yù)先生產(chǎn)好的,能實(shí)現(xiàn)特定功能的芯片裸片通過先進(jìn)的封裝技術(shù)集成在一起,形成一個(gè)系統(tǒng)芯片。而這些基本的裸片就是芯粒。從這個(gè)意義上來說,芯粒又是一種新形式的IP復(fù)用。將以往集成于SoC中的軟IP,固化成為芯粒,再進(jìn)行靈活的復(fù)用、整合與集成。未來,以芯粒模式集成的芯片會(huì)是一個(gè)“超級”異構(gòu)系統(tǒng),為IC產(chǎn)業(yè)帶來更多的靈活性和新的機(jī)會(huì)。

日前,中國工程院院士許居衍在發(fā)表題為《復(fù)歸于道:封裝改道芯片業(yè)》的報(bào)告時(shí)曾指出,后摩爾時(shí)代單片同質(zhì)集成向三維多片異構(gòu)封裝集成技術(shù)“改道”是重要趨勢,因?yàn)槿S多片異構(gòu)封裝可以提供更高的帶寬、更低的功率、更低的成本和更靈活的形狀因子。許居衍院士還表示,芯粒的搭積木模式集工藝選擇、架構(gòu)設(shè)計(jì)、商業(yè)模式三大靈活性于一體,有助力活躍創(chuàng)新,可以推動(dòng)微系統(tǒng)的發(fā)展、推進(jìn)芯片架構(gòu)創(chuàng)新、加快系統(tǒng)架構(gòu)創(chuàng)新、加速DSA/DSL發(fā)展、推動(dòng)可重構(gòu)計(jì)算的發(fā)展和軟件定義系統(tǒng)發(fā)展。

大廠重視

由于芯粒技術(shù)在延續(xù)摩爾定律中可以發(fā)展重要作用,因而受到了半導(dǎo)體大廠的高度重視。臺(tái)積電在今年6月份舉辦的2019中國技術(shù)論壇(TSMC2019 Technology Symposium)上,便集中展示了CoWoS、InFO、SoIC等多項(xiàng)先進(jìn)封裝技術(shù)。先進(jìn)封裝正是芯粒技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。在7月初于日本京都舉辦的超大規(guī)模集成電路研討會(huì) (VLSI Symposium)期間,臺(tái)積電展示了自行設(shè)計(jì)的芯粒(chiplet)系列“This”。

而在9月底舉辦的“開放創(chuàng)新平臺(tái)論壇”上,臺(tái)積電與ARM公司共同發(fā)布了業(yè)界首款采用CoWoS封裝的7納米芯粒系統(tǒng)。臺(tái)積電技術(shù)發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示,臺(tái)積電的CoWoS先進(jìn)封裝技術(shù)及LIPINCON互連界面能協(xié)助客戶將大尺寸的多核心設(shè)計(jì)分散到較小的小芯片組,以提供更優(yōu)異良率與經(jīng)濟(jì)效益。

英特爾針對摩爾定律的未來發(fā)展,提出了“超異構(gòu)計(jì)算”概念。這在一定程度上可以理解為通過先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)的模塊級系統(tǒng)集成,即通過先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)芯粒裝配到一個(gè)封裝模塊當(dāng)中。在去年年底舉辦的“架構(gòu)日”上,英特爾首次推出Foveros 3D封裝技術(shù)。在7月份召開的SEMICON West大會(huì)上,英特爾再次推出一項(xiàng)新的封裝技術(shù)Co-EMIB,能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連,并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。

英特爾中國研究院院長宋繼強(qiáng)表示,英特爾在制程、架構(gòu)、內(nèi)存、互連、安全、軟件等諸多層面均具有領(lǐng)先優(yōu)勢,通過先進(jìn)封裝集成到系統(tǒng)中,使高速的互連技術(shù)進(jìn)行超大規(guī)模部署,提供統(tǒng)一的軟件開發(fā)接口以及安全功能。

國內(nèi)在系統(tǒng)集成方面也取得了不錯(cuò)的成績。根據(jù)芯思想研究院主筆趙元闖的介紹,長電科技是中國營收規(guī)模最大的封裝公司,在先進(jìn)封裝技術(shù)和規(guī)?;慨a(chǎn)能力中保持領(lǐng)先,在eWLB、FO、WLCSP、BUMP、ECP、PoP、SiP、PiP等封裝技術(shù)已有多年的經(jīng)驗(yàn)與核心專利的保護(hù),對于芯粒技術(shù)的發(fā)展已奠定了應(yīng)對基礎(chǔ)。

華進(jìn)半導(dǎo)體成功開發(fā)小孔徑TSV工藝,進(jìn)而研發(fā)成功轉(zhuǎn)接板成套工藝,并且可基于中道成熟工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)多顆不同結(jié)構(gòu)或不同功能的芯片系統(tǒng)集成。華天科技開發(fā)成功埋入硅基板扇出型3D封裝技術(shù),該技術(shù)利用TSV作為垂直互聯(lián),可以進(jìn)行異質(zhì)芯片三維集成,互連密度可以大大高于目前的臺(tái)積電InFO技術(shù)。工藝已經(jīng)開發(fā)完成,與國際客戶進(jìn)行的產(chǎn)品開發(fā)進(jìn)展順利。通富微電擁有wafer level先進(jìn)封裝技術(shù)平臺(tái),也擁有wire bond + FC的hybrid封裝技術(shù),還成功開發(fā)了chip to wafer、Fan-out WLP、Fan-out wafer bumping技術(shù)。

挑戰(zhàn)仍存

從本質(zhì)上講,芯粒技術(shù)是一種硅片級別的“復(fù)用”。設(shè)計(jì)一顆系統(tǒng)級芯片,以前的做法是從不同的IP供應(yīng)商購買一些IP、軟核(代碼)或者硬核(版圖),再結(jié)合自研的模塊,集成為一顆芯片,然后在某個(gè)芯片工藝節(jié)點(diǎn)上完成芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的完整流程。未來,某些IP芯片公司可能就不需要自己做設(shè)計(jì)和生產(chǎn)了,只需要購買別人己經(jīng)做好的芯粒,然后再在一個(gè)封裝模塊中集成起來。從這個(gè)意義上講,芯粒也是一種IP,但它是以硅片的形式提供,而不是之前以軟件的形式出現(xiàn)。

但是,作為一種創(chuàng)新,芯粒這種發(fā)展模式現(xiàn)在仍然存在許多挑戰(zhàn)。許居衍院士在報(bào)告中強(qiáng)調(diào),芯粒模式成功的關(guān)鍵在于芯粒的標(biāo)準(zhǔn)或者說是接口。目前芯粒的組裝或封裝尚缺乏統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)。目前各大玩家都有自己的方案,盡管各家的名稱不同,但歸總離不開硅通孔、硅橋和高密度FO技術(shù),不管是裸片堆疊還是大面積拼接,都需要將互連線變得更短,要求互連線做到100%的無缺陷,否則整個(gè)芯片將無法工作。

其次,芯粒的質(zhì)量也十分關(guān)鍵。相對于以往的軟IP形式,芯粒則是經(jīng)過硅驗(yàn)證的裸芯片。如果其中的一顆裸芯片出現(xiàn)問題,整個(gè)系統(tǒng)都會(huì)受影響。因此要保證芯粒100%無故障。第三,散熱問題也十分重要。幾個(gè)甚至數(shù)十個(gè)裸芯片被封裝在一個(gè)有限的空間當(dāng)中,互連線又非常短,這讓散熱問題變得更為棘手。

此外,作為一種新興技術(shù)以及一種新的產(chǎn)業(yè)模式,它的發(fā)展對原有產(chǎn)業(yè)鏈如EDA工具提供商、封測提供商也會(huì)帶來一定影響。中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍演講中指出,因?yàn)椴煌男玖P枰獏f(xié)同設(shè)計(jì),從而為封裝代工公司提供了機(jī)會(huì),未來封裝代工公司可以提供更多的公用IP來支撐芯粒模式。

中芯長電CEO崔東則表示,所謂芯粒,仍是屬于異質(zhì)集成封裝,或3DIC的大范疇,產(chǎn)品成功與否具體還是要從其實(shí)現(xiàn)集成的工藝手段和應(yīng)用來分析,才能看出高下來。這對傳統(tǒng)封測廠應(yīng)該是有巨大沖擊和挑戰(zhàn)。

總之,芯粒是摩爾定律演進(jìn)中出現(xiàn)的一種新的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)模式,它的發(fā)展將為相關(guān)企業(yè)帶來新的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。對企業(yè)來說,就看如何能抓住這樣的發(fā)展機(jī)會(huì)了。

臺(tái)積電與格芯專利侵權(quán)戰(zhàn) 雙方損失如何最小化為觀察重點(diǎn)

臺(tái)積電與格芯專利侵權(quán)戰(zhàn) 雙方損失如何最小化為觀察重點(diǎn)

自格芯2019年8月26日在美國與德國提出對臺(tái)積電的侵權(quán)訴訟后,各界都在關(guān)注臺(tái)積電的應(yīng)對策略。而在美國時(shí)間2019年9月26日,美國國際貿(mào)易委員會(huì)正式基于格芯的侵權(quán)申訴,對包含臺(tái)積電在內(nèi)的22家半導(dǎo)體廠商啟動(dòng)337調(diào)查,似乎也促使臺(tái)積電加快應(yīng)對腳步,采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權(quán)益。

2019年9月30日臺(tái)積電正式對格芯提出侵權(quán)訴訟,至此,過去全球前兩大晶圓代工廠或?qū)⒄綄Σ竟茫破鹗袌鰧﹄p方策略布局的諸多討論,也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)再次增添話題性。

臺(tái)積電提出訴訟反擊格芯,然而和解方案或許對雙方影響最小

根據(jù)臺(tái)積電公布的新聞稿,臺(tái)積電于2019年9月30日在美國、德國及新加坡三地對格芯提出多項(xiàng)專利侵權(quán)訴訟,控告格芯侵犯臺(tái)積電涵蓋成熟及先進(jìn)制程技術(shù)核心功能的25項(xiàng)專利,涉及技術(shù)包括FinFET設(shè)計(jì)、淺溝槽隔離技術(shù)、雙重曝光方法、先進(jìn)密封環(huán)及閘極結(jié)構(gòu),以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等,這些技術(shù)廣泛應(yīng)用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等制程。

此外,臺(tái)積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令,禁止格芯生產(chǎn)及銷售侵權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,以及對非法使用臺(tái)積電半導(dǎo)體專利技術(shù)與銷售侵權(quán)產(chǎn)品的格芯尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償。

對臺(tái)積電而言,提出侵權(quán)訴訟舉動(dòng)不單是臺(tái)面上的反擊,更有機(jī)會(huì)迫使格芯評估彼此在冗長訴訟過程可能造成的損失。

目前臺(tái)積電未公布確切侵權(quán)的專利號碼,但從專利包含的技術(shù)層面來看,與格芯提出的頗有些相似之處,因此在侵權(quán)判斷上可能會(huì)依循相同的邏輯或判斷原則,代表若一項(xiàng)專利侵權(quán)勝訴,相對應(yīng)或類似的另一項(xiàng)專利也有勝訴可能,反之亦然。

如此一來,或許較難定義出絕對的勝利者。假使這類情況出現(xiàn),不管對格芯或臺(tái)積電都將會(huì)是兩面刃,損傷對方戰(zhàn)力的同時(shí)卻不一定能利己,有鑒于此,雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機(jī)會(huì)就可能增加,將彼此的損失做最小化處理方為上策。

臺(tái)積電與格芯訴訟涉及重點(diǎn)制程,若出現(xiàn)利益?zhèn)t競爭對手或有受惠可能

分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來看,格芯瞄準(zhǔn)臺(tái)積電的主要是極具產(chǎn)品競爭力的制程,即28nm、16nm、12nm、10nm及7nm,在2019年第二季占比達(dá)45%,尤其臺(tái)積電7nm業(yè)績良好,產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增,估計(jì)28nm以下制程營收占比將持續(xù)上升,是格芯瞄準(zhǔn)能牽制臺(tái)積電的重要目標(biāo)。

此外,格芯是目前市場上極力推廣SOI相關(guān)產(chǎn)品的廠商之一,在臺(tái)積電鮮少著墨SOI技術(shù)的情況下,或許也希望藉由專利侵權(quán)訴訟效果來提升自家的FD-SOI技術(shù)市占率。

另一方面,臺(tái)積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關(guān)產(chǎn)品,但范圍擴(kuò)及格芯的成熟制程40nm,且在格芯停止研發(fā)7nm制程后,轉(zhuǎn)而力求優(yōu)化12nm制程效能表現(xiàn),因此臺(tái)積電提出有關(guān)FinFET閘極設(shè)計(jì)、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等相關(guān)專利,對格芯也就有著不小的潛在可能影響;倘若專利證實(shí)侵權(quán),等于又進(jìn)一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊(duì)的競爭優(yōu)勢。

值得一提的是,雙方瞄準(zhǔn)的制程范圍影響層面廣且重要性之高,或許也會(huì)讓競爭對手尋找得利的機(jī)會(huì)點(diǎn)。

無論從技術(shù)發(fā)展或營收來看,Samsung與聯(lián)電正好是臺(tái)積電與格芯最主要的競爭對手,若此番訴訟的結(jié)果讓雙方互傷元?dú)?,可能給予Samsung與聯(lián)電追趕的契機(jī),尤其聯(lián)電與格芯在技術(shù)與營收上相近,加上聯(lián)電在日本完成的收購計(jì)劃與格芯 2020年將交割廠房,倘若格芯在法律過程中有所損失,相信會(huì)縮小領(lǐng)先聯(lián)電差距,甚或有被聯(lián)電超越的機(jī)會(huì)。

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臺(tái)積電以EUV推7納米強(qiáng)效版,客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場

臺(tái)積電以EUV推7納米強(qiáng)效版,客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場

臺(tái)積電宣布,其領(lǐng)先業(yè)界導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米強(qiáng)效版(N7+)制程已協(xié)助客戶產(chǎn)品大量進(jìn)入市場。導(dǎo)入EUV微影技術(shù)的N7+奠基于臺(tái)積電成功的7納米制程之上,也為明年首季試產(chǎn)6納米和更先進(jìn)制程奠定良好基礎(chǔ)。

臺(tái)積電N7+的量產(chǎn)速度為史上量產(chǎn)速度最快的制程之一,于2019年第二季開始量產(chǎn),在7納米制程技術(shù)(N7)量產(chǎn)超過一年時(shí)間的情況下,N7+良率與N7已相當(dāng)接近。N7+同時(shí)提供了整體效能的提升,N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%,同時(shí)降低功耗,使其成為業(yè)界下一波產(chǎn)品中更受歡迎的制程選擇。臺(tái)積電亦快速布建產(chǎn)能以滿足多個(gè)客戶對于N7+的需求。

臺(tái)積電表示,N7+的成功經(jīng)驗(yàn)是未來先進(jìn)制程技術(shù)的基石。臺(tái)積電的6納米制程技術(shù)(N6)將于2020年第一季進(jìn)入試產(chǎn),并于年底前進(jìn)入量產(chǎn)。隨著EUV微影技術(shù)的進(jìn)一步應(yīng)用,N6的邏輯密度將比N7提高18%,而N6憑藉著與N7完全相容的設(shè)計(jì)法則,亦可大幅縮短客戶產(chǎn)品上市的時(shí)間。

此外,EUV微影技術(shù)使臺(tái)積公司能夠持續(xù)推動(dòng)芯片微縮。臺(tái)積公司的EUV設(shè)備已達(dá)成熟生產(chǎn)的實(shí)力,EUV設(shè)備機(jī)臺(tái)亦達(dá)大量生產(chǎn)的目標(biāo)。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示,AI和5G的應(yīng)用為芯片設(shè)計(jì)開啟了更多的可能,使其得以許多新的方式改善人類生活,臺(tái)積的客戶充滿了創(chuàng)新及領(lǐng)先的設(shè)計(jì)理念,需要臺(tái)積公司的技術(shù)和制造能力使其實(shí)現(xiàn);在EUV微影技術(shù)上的成功,是臺(tái)積公司不僅能夠具體落實(shí)客戶的領(lǐng)先設(shè)計(jì),亦能使其大量生產(chǎn)的另一個(gè)絕佳證明。

美封殺華為倒數(shù) 臺(tái)系鏈擴(kuò)大在陸布局

美封殺華為倒數(shù) 臺(tái)系鏈擴(kuò)大在陸布局

美國政府封殺華為及其68家關(guān)系企業(yè)的緩沖期進(jìn)入倒數(shù),一般研判美國政府將不會(huì)再延期,華為除擴(kuò)大相關(guān)零組件備貨,也加速自建供應(yīng)鏈腳步,臺(tái)系半導(dǎo)體廠包括臺(tái)積電、日月光、矽品、京元電、矽格和精測等,都配合在中國大陸建置產(chǎn)能,并自本月起陸續(xù)到位。

美國政府給予美國企業(yè)出貨給華為的豁免緩沖期,將于11月19日到期,一般預(yù)料,若美中無法在此之前達(dá)成協(xié)議,恐無法再延期。

美國給華為的寬限期若未展延,沖擊全球經(jīng)濟(jì)及臺(tái)廠供應(yīng)鍵甚深。不過,這幾個(gè)月來,華為也加速自建供應(yīng)鏈,并拉攏臺(tái)廠突圍。

臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)中包括晶圓代工龍頭臺(tái)積電,IC設(shè)計(jì)一哥聯(lián)發(fā)科,封測大廠日月光投控及旗下矽品、京元電、矽格,及晶圓檢測大廠精測,都被要求為華為擴(kuò)大產(chǎn)能,并在大陸布建。

華為加速?zèng)_刺5G基地臺(tái)及5G手機(jī)時(shí)程,旗下芯片廠海思半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)大在臺(tái)積電7納米投片量,也啟動(dòng)5納米芯片明年量產(chǎn)。

臺(tái)積電南京廠決定依既定計(jì)劃預(yù)計(jì)今年12吋月產(chǎn)能由1萬片增至1.5萬片,明年底前增至2萬片,主要制程仍以16和12納米為主,海思7納米以下先進(jìn)制程芯片仍在臺(tái)灣生產(chǎn)。

聯(lián)發(fā)科首顆5G手機(jī)芯片同步在臺(tái)積電追加7納米產(chǎn)能,并提前在明年第1季量產(chǎn)。

矽品位于福建晉江的新廠,本月承接海思7納米新芯片后段封裝已接單出貨,蘇州廠也增建產(chǎn)能承接后段封裝,且在臺(tái)灣展開5納米芯片后段測試,在華為自建供應(yīng)鍵的重要性再度提升。

日月光同步在高雄及蘇州為海思布局高階封測產(chǎn)能,以因應(yīng)海思5G芯片放量需求。

精測也是華為供應(yīng)鏈成員,來自華為營收占比高達(dá)20%至25%。精測上海項(xiàng)目開發(fā)人力 ,被要求增加好幾倍。

京元電敲定在蘇州廠為華為增加建置170臺(tái)先進(jìn)測試設(shè)備,其中110臺(tái)已完成,京元電表示,華為要求另60臺(tái)明年仍要到位;硅格今年也上修資本支出至29.8億元,為配合海思備置5G手機(jī)、基地臺(tái)芯片測試產(chǎn)能,規(guī)劃在大陸蘇州承租既有廠房擴(kuò)產(chǎn),明年第1季到位。