“2020年注定是艱難的一年，經歷了中美貿易緊張局勢不斷升級，疫情全球蔓延。對于身處疫情爆發(fā)最中心武漢的長江存儲而言，種種磨難的感受尤為深刻。幸運的是在公司全體員工和合作伙伴的攜手努力下，長江存儲實現(xiàn)了疫情期間不停產、零感染的目標。”6月27日，在SEMICON CHINA 2020的開幕主題演講中，長江存儲聯(lián)席首席技術官程衛(wèi)華表示，“在積極復工復產的同時，我們也在思考，如何審時度勢，加強企業(yè)自身的內功?！?/p>

雖然疫情對人們生活造成了很大影響，但是對半導體產業(yè)，尤其是存儲產業(yè)而言，則帶來了一些新需求趨勢。程衛(wèi)華指出，首先，疫情期間在家辦公、遠程會議成為常態(tài)化，使得各大企業(yè)需要升級服務器以確保遠程辦公的工作效率。其次，學校、培訓機構停課，與此同時優(yōu)質的網課、在線教育平臺如雨后春筍不斷涌現(xiàn)，消費者更愿意為優(yōu)質的服務買單。最后，線下的影院經歷了前所未有的寒冬，而短視頻直播行業(yè)興起；手機和電腦的消費出現(xiàn)了短期的放緩，但是手機游戲、新互聯(lián)網應用和娛樂體感、健身、VR/AR等終端需求增長。這些都說明科技的發(fā)展不會因為疫情而停下腳步，新的生活方式和創(chuàng)新應用正在不斷的走進我們的生活。

“一大批優(yōu)秀的創(chuàng)新企業(yè)和新興業(yè)務不斷涌現(xiàn)，未來線上和線下的業(yè)務布局將得以重構，最終達到新的平衡。”他表示，“半導體技術存儲行業(yè)作為全球科技產業(yè)鏈的必不可少的一環(huán)，將不斷創(chuàng)新來支持和滿足新的應用需求，通過產業(yè)鏈的協(xié)作，讓科技創(chuàng)造更美好的生活?！?/p>

在這些新興應用的驅動下，對3D NAND閃存技術和市場的需求變化也非常明顯。首先是消費級市場的變化推動著閃存技術的需求，比如便攜式體感游戲機對閃存市場的推動；索尼PS5將機械硬盤升級為固態(tài)硬盤，使得NAND閃存需求瞬間飆升。其次云業(yè)務對SSD的需求推動也非常明顯。在武漢疫情期間，紫光集團旗下的新華三為雷神山、火神山醫(yī)院建設捐贈了數(shù)千套網路設備，并協(xié)助在第一時間完成了測試調試，大數(shù)據(jù)技術和網絡通訊技術的為遠程會診、遠程醫(yī)療創(chuàng)造必要的條件，為兩個醫(yī)院搶救患者贏得了寶貴的時間。這些應用就云業(yè)務推動閃存需求一個很好的例子。

“在更多的云業(yè)務和數(shù)據(jù)信息服務高速發(fā)展的推動下，企業(yè)級SSD市場雖然在今年下半年會有一個小幅的波動，但總體仍會一路保持上漲的態(tài)勢。”程衛(wèi)華指出，“另一方面，隨著QLC技術的成熟及其成本成本優(yōu)勢，大容量低成本的SSD產品將被廣泛應用于海量數(shù)據(jù)服務。接下來，企業(yè)級SSD、個人電腦、智能手機將是未來NAND閃存市場的主要驅動力，預計到2024年，SSD需求將占整體閃存總量的57.7%，智能手機需求則占27%?！?/p>

長江存儲3D NAND技術進展

對長江存儲而言，市場容量足夠大，機會也足夠多，而且還有很多高速率低延時的應用還沒有被充分開發(fā)出來。“長江存儲的加入，一方面將通過技術創(chuàng)新為市場帶來活力，另一方面對應全球數(shù)據(jù)存儲需求的增長，貢獻一份中國的力量，促進行業(yè)良性健康發(fā)展?！背绦l(wèi)華強調。

去年9月份，長江存儲基于Xtacking技術的64層TLC閃存正式量產，成功的走出了一條從研發(fā)、設計、制造的高端芯片IDM創(chuàng)新思路。目前長江存儲正在建立系統(tǒng)解決方案，通過投入系統(tǒng)解決方案的研發(fā)，提升對產能科技的理解，積累經驗，將閃存產品的從研發(fā)到市場的需求各個環(huán)節(jié)一路大成。使用長江存儲64層TLC產品的方案將于下半年陸續(xù)推出，包括SATA SSD、PCIe SSD、eMMC、UFS等產品。

除了上述64層TLC閃存和系統(tǒng)解決方案，長江存儲按照既定規(guī)劃，在今年4月份推出了128層TLC/QLC 3D NAND的兩款產品。X2-6070是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。兩款產品均采用長存自主研發(fā)的Xtacking堆棧架構的2.0版本。

目前與長江存儲合作的企業(yè)當中，包括了國科微、江波龍、威剛、群聯(lián)、聯(lián)蕓科技、慧榮等優(yōu)質合作伙伴，共同推動長江存儲64層 TLC產品應用。隨著產業(yè)鏈的日趨成熟、完善，各個品牌基于長江之處閃存芯片的產品將不斷推出。

加強知識產權建設、致力構建IDM模式

程衛(wèi)華強調，目前長江存儲取得的成績，一方面得益于全球產業(yè)鏈的協(xié)同和對知識產權體系的重視，另外一方面得益于致力成為國際化IDM企業(yè)。他指出，中國半導體產業(yè)的發(fā)展離不開全球產業(yè)鏈的合作、協(xié)同，國際合作的大趨勢不可逆，沒有任何一個國家，任何一個企業(yè)能夠獨善其身。如果沒有當前這種全球規(guī)模的創(chuàng)新協(xié)作、協(xié)同，集成電路產業(yè)絕對不會有今天大家所看到的蓬勃發(fā)展。在國際合作的背景下，長江存儲也十分重視知識產權體系的建立和保護?！敖刂聊壳盀橹?，長江存儲申請了超過2100個專利，同時也獲得了業(yè)內超過1600項交叉授權，良性的競爭將帶動持續(xù)的創(chuàng)新和研發(fā)投入?！?/p>

此外，長江存儲還在從技術創(chuàng)新、質量及可靠性、量產和成本效益、全球化合作等方面致力構建IDM模式，形成核心競爭力。

“中國半導體產業(yè)的發(fā)展，IDM模式已經被證明是存儲器企業(yè)發(fā)展的必由之路。因為存儲器比較特殊，它的設計、工藝、測試和參數(shù)優(yōu)化、系統(tǒng)解決方案都是相互影響的。所以必須在這個生態(tài)中進行協(xié)作，才能做出一個最佳方案來?！?/p>

程衛(wèi)華指出，為了實現(xiàn)IDM這個目標，長江存儲將從以下幾個方面來努力。首先要打造先進的管理模式和智能制造體系，其中包括強化內部的制度流程建設，運用大數(shù)據(jù)分析和自動化提高研發(fā)效率，生產效率，供應鏈管理效益，以及客戶；其次，加強自身的人才梯隊建設，給團隊中的年輕人機會，信任他，磨練他們，引導他們，讓他們成長起來，形成敢打硬仗、能打勝仗的核心隊伍；最后重視產業(yè)鏈的上下游合作和品牌建設，芯片制造企業(yè)扮演一個紐帶的角色，把設備制造商和零部件制造商團結起來，可以把對設備工藝性能的需求，在項目啟動階段就充分的與設備供應商溝通，讓他們做有針對性的研發(fā)和創(chuàng)新。“在形成創(chuàng)新的合作的商業(yè)模式，形成一套方法論之后，我們將它從注入到品牌內涵中，形成自己的特色?！彼麖娬{。

臺系存儲器模組廠宇瞻今日除息2.55元（新臺幣，下同），開盤參考價44.05元，股價開高0.15元為44.2元。公司第一季獲利攀高，第二季受到全球疫情擴大、封城等影響，業(yè)績動能趨緩。

宇瞻第一季受惠低價庫存以及市場需求熱絡，第一季營收19.64億元，毛利率年增6.31個百分點至21.63%，每股獲利1.53元，創(chuàng)下單季新高。

但第二季以來，歐美疫情擴大、各地封城等阻礙銷售通路，致業(yè)績趨緩。4月營收6.11億元，比3月高點月減15%，年減1.78%。5月營收降至5.06億元，月減17.11%且年減17.35%。使得前5月營收轉為比去年同期下滑。1-5月營收30.82億元，較2019年同期減少3.03%。

展望下半年旺季效應是否展現(xiàn)，存儲器制造廠南亞科表示，受惠于遠端上班、視訊會議等帶動，今年上半年DRAM需求成長，但下半年還得觀察疫情及全球經濟情況。

整體來看，存儲器產業(yè)隨著居家辦公、虛擬教學與在線購物等趨勢，帶動的資料中心、網通及筆電需求動能，可望延續(xù)至第三季，合約價也有機會持續(xù)向上，不過，下半年不確定性仍高，仍須觀察美中貿易戰(zhàn)、肺炎疫情對總體經濟環(huán)境的影響。

重慶市政府網消息顯示，3月5日江津區(qū)舉行招商引資項目“云簽約”活動，共簽約項目18個，協(xié)議投資額55.2億元，涉及半導體制造、新能源汽車、消費品工業(yè)等多個領域。其中，大數(shù)據(jù)存儲（中國）控股有限公司（以下簡稱“大數(shù)據(jù)存儲公司”）將滾動投資20億元，在江津綜保區(qū)打造存儲器半導體制造基地項目。

據(jù)大數(shù)據(jù)存儲公司執(zhí)行長鄭翰鴻介紹，該公司由臺灣精英電腦共同創(chuàng)始人許明仁先生及其團隊聯(lián)合發(fā)起，現(xiàn)擁有存儲器領域各類發(fā)明專利100余項，具備包括芯片設計、封裝測試、模塊設計集成三方面的核心能力，擁有自有存儲器品牌“芯智能”，重點關注物聯(lián)網、大數(shù)據(jù)、人工智能應用等相關的芯片研發(fā)與生產。

報道稱，大數(shù)據(jù)存儲公司將在江津綜保區(qū)打造的大數(shù)據(jù)存儲器半導體制造+研發(fā)設計項目，項目滾動總投資20億元，其中項目一期投資額不低于8億元，開展內存顆粒、閃存顆粒、固態(tài)硬盤等存儲器半導體產業(yè)鏈生產以及智能終端產品制造。同時，擬建設“大數(shù)據(jù)存儲半導體”重慶總部和研發(fā)中心，落地各項專利不少于20個，研發(fā)并量產100%完全自主設計的固態(tài)硬盤主控芯片與智能終端產品。

格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現(xiàn)多重下線生產。格芯樹立業(yè)界里程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯(lián)網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進階制程節(jié)點上是經濟有效的選擇。

格芯的eMRAM，讓設計師能夠擴展現(xiàn)有的物聯(lián)網和微控制器單元架構，以取得28nm以下技術節(jié)點的功耗和密度優(yōu)勢，并作為大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。

格芯的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器（eNVM），已通過五項嚴格的實際回焊測試，在-40℃到125℃的溫度測試范圍，展現(xiàn)出10萬次循環(huán)耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過AEC-Q100質量等級2之驗證標準。該解決方案的開發(fā)正在進行中，期望可以在明年通過符合AEC-Q100質量等級1解決方案之驗證標準。

格芯汽車與工業(yè)多市場部門資深副總暨總經理Mike Hogan表示，格芯致力于透過穩(wěn)定、功能多元的解決方案讓FDX平臺與眾不同，進而讓客戶以高性能和低功耗之應用來開發(fā)創(chuàng)新產品。格芯的差異化eMRAM，部署在業(yè)界最先進的FDX平臺上，為易于整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能夠提供新一代超高性能、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。

格芯與設計合作伙伴今起提供客制化設計套件，其中包含可插式套件、4到48兆位硅驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援內建測試功能。

eMRAM是一項可擴充的功能，預計將在FinFET和未來的FDX平臺上應用，是eNVM的進階規(guī)劃。格芯位于德國德勒斯登Fab1的先進12吋晶圓生產線，將會采用MRAM來支援22FDX的批量生產。

未來十年，存儲市場仍將繼續(xù)追求存儲的密度、速度和需求的平衡點。盡管各個廠家的技術側重點不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲器）對 3D XPoint 之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。在今年的國際電子設備會議（IEDM）上，該公司宣布了 BiCS 閃存系列和即將推出的 XL-Flash 技術，并且附上了一份展現(xiàn)未來愿景的幻燈片。

動態(tài)隨機存儲器（DRAM）、閃存（Flash）和“存儲級內存”（SCM），是當前市面上的三大發(fā)展方向，鎧俠也對英特爾和美光的 3D XPoint 長期愿景進行了展望。

過去幾十年，閃存的浮柵和電荷陷阱技術，已經歷多次變化。新開發(fā)的存儲器，其狀態(tài)取決于單元中介質的電阻或自旋，而不是電壓。

傳統(tǒng)上很容易將每個單元視作不同值的“0”或“1”。但隨著材料類型的發(fā)展，每個單元已能夠容納更多的狀態(tài)（SLC、MLC、TLC、QLC 等）。

此舉能夠輕松獲得倍增的容量，但也對檢測電路的精準度提出了更高的要求，通?？稍黾訂卧笮　⒒蚪档涂傮w密度來實現(xiàn)。

鎧俠當前的 BiCS 閃存技術，依賴于在塔中堆疊多層浮柵單元，然后在 xy 方向重復該設計以增加容量。目前，該公司已大量推出 TLC 和 QLC 產品，并希望打造面向特殊應用的每單元 5 比特位產品。

BiCs 系列產品的設計層數(shù)也在不斷增加，從 32 層增加到 48 層，再到 64 層和 96 層，預計將來會增加 128 層以上。與其它方法相比，層數(shù)的添加，還是相對更加容易的。

此外，鎧俠還在開發(fā)一種名叫 XL-Flash 的新型閃存。傳統(tǒng)閃存以“頁面”和“塊”的方式工作，而存儲類內存以“比特位”的方式工作。

這意味著，盡管 DRAM 可訪問每個比特位并對其進行修改，但在閃存中，這意味著任何寫操作都需要一次寫入整個頁面，寫入的損耗也成倍更大。

3D 堆疊式存儲單元的工作方式與閃存有所不同，以 3D XPoint 為例，其使用相變材料來改變存儲單元的電阻，并可以通過電子選擇器開關進行訪問。

通過交替改變字線和位線的方向來構建存儲器，以保留 SCM 的比特位可尋址特性。如需堆疊更多的層數(shù)，也只需添加額外的字線和位線，以及其間的單元。

即便如此，鎧俠仍不看好 3D XPoint 的前景。首先是相對于層數(shù)的每比特位成本，層數(shù)的增加會帶來更高的復雜性，控制電路會損失一部分面積，產能損失的影響也更大。

相比之下，3D NAND 技術要成熟得多，市面上已大量上市 90 多層的產品，且無人否認層數(shù)堆疊是一種行之有效的方法，因其面積上的損失幾乎為零、產量的損失也極低。

在制造過程中，3D NAND 的某些蝕刻和填充步驟，可一次覆蓋很多層。相比之下，3D 堆疊 SCM 技術，仍未充分擴展到單層設備之外的市場。

鎧俠數(shù)據(jù)顯示，盡管其 BiCS 閃存在經過 10 層時會降低到每比特成本的漸近值，但與單層方案相比，3D 堆棧 SCM 最多只能將 4-5 的成本降低到每比特成本的 60％（之后就開始飆升）。

原因是后者未能受益于數(shù)十年改進的復雜工藝，導致每層的成本增加、面積的損失、以及產量的下跌。為構建 3D 堆棧存儲器，這是一個艱苦的過程。每多一步驟，良率也就更低。

如上方公式所示：其中 n 為層數(shù)，Cf 為公共層的成本，Cv 是每增加一層的成本，A 是添加一層造成的面積損失，Y 是單層的產量損失。

有鑒于此，鎧俠在會議上指出，在 3D SCM 的情況下，12 層左右的每比特位成本還是相當?shù)?。但若層?shù)增加到 NAND 閃存一樣多（以 64 層 SCM 為例），單層每比特位成本就暴增到 50 倍了。

即便強力推動對 3D 堆疊式 SCM 的支持，當今 4 層以上的堆疊預測成本也已經過高，且未考慮到潛在發(fā)展的這項技術在未來的變數(shù)。

綜上所述，SCM 確實可在內存領域提供超大的數(shù)據(jù)池，每 GB 成本較 DRAM 低很多。但長期看來，在未來很長一段時間內，閃存仍將在行業(yè)內占主導地位。

2019年即將結束，在此辭舊迎新之際，我們將通過盤點熱點事件共同回顧2019年半導體產業(yè)發(fā)展局勢。受國際貿易環(huán)境影響，2019年上半年半導體產業(yè)仍處低迷，下半年逐漸呈現(xiàn)回暖復蘇態(tài)勢?？v觀全球，中國半導體產業(yè)仍表現(xiàn)活躍，國產化持續(xù)大力發(fā)展，并取得階段性成績；國際方面，“貿易戰(zhàn)”、“并購整合”等成為關鍵詞……

圍繞2019年半導體產業(yè)發(fā)展情況，全球半導體觀察選出了十大重量級的代表性新聞事件，助業(yè)界人士回顧2019、展望2020——

日本加強對韓國半導體材料出口管制?

2019年，日本與韓國在貿易方面關系惡化。7月1日，日本政府宣布加強高純度氟化氫、氟化聚酰亞胺、光刻膠這三種關鍵半導體材料對韓國的出口管制，要求日本企業(yè)向韓國客戶出口上述三種半導體材料時需申請許可證

8月7日，日本再頒布政令，在簡化出口審批手續(xù)的貿易對象“白名單”中刪除韓國，該政令于8月28日起正式施行。韓國亦對于日本的做法作出回應，8月12日韓國政府決定將日本從本國“白名單”中剔除，9月生效。

雖然日本對韓國加強出口管制及兩國相互將對方從“白名單”中剔除，都只是讓相關廠商增加作業(yè)而并非禁止出口，但日本把持著全球過半的半導體材料市場，這次貿易紛爭仍讓韓國相關廠商十分擔憂，同時亦向韓國及全球各國半導體產業(yè)敲響了警鐘。

大基金二期成立，重點投資裝備材料領域

大基金系為促進國家集成電路產業(yè)發(fā)展而設立，投資領域覆蓋集成電路設計、制造、封裝測試等全產業(yè)鏈。繼2014年成立的首期基金投資完畢后，2019年迎來大基金二期。

國家企業(yè)信用信息公示系統(tǒng)顯示，國家集成電路產業(yè)投資基金二期股份有限公司（大基金二期）于10月22日在北京市工商行政管理局正式注冊成立。根據(jù)資料，大基金二期注冊資本2041.5億元人民幣，樓宇光為法定代表人、董事長，丁文武為總經理。

大基金二期共27位股東，包括中華人民共和國財政部、國開金融有限責任公司、中國煙草總公司、上海國盛（集團）有限公司、浙江富浙集成電路產業(yè)發(fā)展有限公司、武漢光谷金融控股集團有限公司、重慶戰(zhàn)略性新興產業(yè)股權投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）、成都天府國集投資有限公司等。

作為國家級戰(zhàn)略性產業(yè)投資基金，大基金對國內集成電路發(fā)展起到重要促進作用，在大基金的引導帶動下，國內集成電路行業(yè)投融資環(huán)境明顯改善。如今大基金二期成立，將有望進一步推動國內集成電路產業(yè)發(fā)展，據(jù)透露二期基金的投資布局重點在集成電路裝備材料領域。

英飛凌斥資101億美元收購賽普拉斯

2019年6月3日，英飛凌官方宣布，英飛凌與賽普拉斯雙方已簽署最終協(xié)議，英飛凌將會以每股23.85美元現(xiàn)金收購賽普拉斯，總價值為90億歐元（約101億美元）。該交易已獲賽普拉斯董事會和英飛凌監(jiān)事會批準，預計將在2019年底或2020年初完成。

英飛凌前身為西門子集團的半導體部門，1999年正式從西門子獨立，在汽車電子、功率半導體、安全芯片等領域均處于全球前列位置；賽普拉斯成立于1982年，主要為汽車、工業(yè)、電子消費品等提供嵌入式解決方案。

英飛凌指出，雙方在技術方面優(yōu)勢高度互補，這將進一步拓展其在汽車、工業(yè)和物聯(lián)網等高速增長市場的市場潛力?！盎?018財年備考營收100億歐元，此交易將使英飛凌成為全球第八大芯片制造商。在原來已具全球領先地位的功率半導體和安全控制器的基礎上，英飛凌更將成為汽車電子市場首屈一指的芯片供應商?！?/p>

多年來半導體行業(yè)兼并整合不斷，英飛凌和賽普拉斯兩家老牌半導體企業(yè)的合并對行業(yè)的影響無疑是不小。業(yè)界認為，兩者合并將影響汽車電子市場格局，催生新一家汽車電子巨頭。

三國殺結束！英特爾出售智能手機調制解調器業(yè)務

2019年，蘋果、高通、英特爾三者之間在調制解調器方面的糾葛，最后以蘋果收購英特爾大部分智能手機調制解調器業(yè)務告終。

4月17日，歷經了長達兩年專利大戰(zhàn)的蘋果與高通聯(lián)合宣布達成協(xié)議，解除雙方在全球范圍內的所有訴訟。根據(jù)和解協(xié)議，蘋果將向高通支付一筆費用，雙方還達成了一份為期六年的全球專利許可協(xié)議，該全球專利許可協(xié)議已在2019年4月11日起生效，包括兩年的延期選擇權和多年芯片組供應協(xié)議。

與此同時，此前為蘋果供應智能手機調制解調器的英特爾宣布，將退出5G智能手機調制解調器業(yè)務?！皩τ谥悄苁謾C調制解調器業(yè)務而言，顯然已經沒有明確的盈利和獲取回報的路徑?！庇⑻貭柟臼紫瘓?zhí)行官司睿博（Bob Swan）表示。

7月26日，蘋果和英特爾宣布已簽署協(xié)議，蘋果將收購英特爾的大部分智能手機調制解調器業(yè)務，該交易價值10億美元，預計于2019年第四季度完成。根據(jù)協(xié)議，大約2200名英特爾員工將加入蘋果，包括知識產權、設備和租賃。英特爾則將保留為非智能手機應用開發(fā)調制解調器的能力，例如個人電腦、物聯(lián)網設備和自動駕駛汽車。

紫光集團宣布進軍DRAM產業(yè)

2019年6月30日，紫光集團微信公眾號發(fā)布聲明，宣布決定組建紫光集團DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。?

事業(yè)群組建完成后，紫光集團開始落地DRAM工廠建設。8月27日，紫光集團與重慶市政府簽署紫光存儲芯片產業(yè)基地項目合作協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業(yè)基金，在重慶建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。在芯片工廠建成前，紫光集團先期在現(xiàn)有芯片工廠內設立產品中試生產線，進行產品生產工藝技術研發(fā)，待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產。

中國兩大存儲廠商取得階段性成果

近年來國內正在大力實現(xiàn)存儲器國產化，2019年長江存儲和長鑫存儲均取得了階段性成果，中國存儲器企業(yè)正式踏上全球市場競爭舞臺。

2019年9月2日，紫光集團旗下長江存儲宣布，公司已開始量產基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，作為中國首款64層3DNAND閃存，該產品亮相IC China 2019。長江存儲表示，其64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品，擁有同代產品中最高的存儲密度，計劃推出集成64層3DNAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。

2019年9月20日，在2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明當時表示，長鑫存儲投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

科創(chuàng)板開板，大批集成電路企業(yè)IPO

2018年11月5日，習近平總書記宣布設立科創(chuàng)板并試點注冊制，集成電路是其重點關注領域之一，吸引了大批集成電路企業(yè)奔赴科創(chuàng)板上市。

2019年7月22日，籌備8個月的科創(chuàng)板正式開板，包括安集科技、中微公司、瀾起科技、華興源創(chuàng)、睿創(chuàng)微納、樂鑫科技等多家集成電路企業(yè)成為首批科創(chuàng)板掛牌上市企業(yè)。隨后，晶晨股份、晶豐明源、芯源微、聚辰股份、華特氣體、華潤微電子、神工股份、硅產業(yè)、華峰測控等亦相繼申請科創(chuàng)板上市并首發(fā)通過。這些企業(yè)涵蓋了集成電路設計、材料、設備、IDM等產業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

除了上述提及的已掛牌上市及過會企業(yè)外，芯原微、敏芯微、力合微等企業(yè)的科創(chuàng)板IPO申請已獲受理；復旦微、華卓精科、蘇州國芯、盛美半導體等企業(yè)亦擬申請科創(chuàng)板上市，現(xiàn)已進入上市輔導階段，預計2020年仍將有一批半導體企業(yè)集中登陸科創(chuàng)板。

中芯國際成功量產14nm制程工藝

作為國內最大、最先進的晶圓制造代工廠，中芯國際的先進制程一直是業(yè)界關注焦點。經攻堅，2019年中芯國際的14nm制程迎來突破性進展。

2019年8月，中芯國際發(fā)布其第二季度業(yè)績報告，報告中宣布其FinFET工藝研發(fā)持續(xù)加速，14nm進入客戶風險量產，預期在2019年底貢獻有意義的營收。隨后，在中芯國際第三季度財報說明會上，中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松表示，14nm制程已經成功量產，流片數(shù)量持續(xù)增加，客戶來自海內外。

梁孟松表示，2020年上半年14nm制程的需求很清晰，下半年則依據(jù)12nm制程和“N+1”的情況而定。中芯國際不會急于14nm制程產能爬坡，將按照既有計劃和客戶需求，初期月產能約在3000片，明年底前將擴大至15000片，謹慎經營以避免出現(xiàn)28nm制程毛利率低的情況。

盡管目前月產能尚小，但對于國內集成電路產業(yè)而言，中芯國際量產14nm制程具有重大意義，據(jù)悉中芯國際的12nm制程正在導入客戶。

松下宣布退出半導體業(yè)務

11月28日，涉足半導體領域數(shù)十年的松下公司宣布將退出半導體市場，同意將旗下半導體業(yè)務相關工廠、設施及股份出售給中國臺灣新唐科技公司（Nuvoton Technology Corp.），交易總價合計約2.5億美元，預計于明年6月完成。

此外，松下也計劃將其與以色列半導體企業(yè)高塔半導體合資的公司高塔松下半導體出售，包括富山縣和新潟縣的3家生產圖像傳感器等半導體產品的工廠。事實上，2019年4月松下已將其部分半導體業(yè)務出售給羅姆半導體。

據(jù)了解，松下于1952年與飛利浦成立合資公司正式進入半導體領域，1990年前后其半導體業(yè)務銷售額上曾躋身世界前10強，但隨著其他國家和地區(qū)半導體產業(yè)崛起，松下半導體業(yè)務經營業(yè)績持續(xù)惡化，多年來一直致力于重組虧損業(yè)務。

業(yè)界認為，此次松下出售半導體業(yè)務是一個標志性事件，意味著日本將終結上世紀末的芯片制造龍頭地位，轉型成為供應半導體設備和材料的供應商，主要服務于中國和韓國的半導體公司，隨著松下的退出，日本半導體產業(yè)的結構調整將告一段落。

中國5G商用正式啟動

2019年被稱為5G元年，全球5G部署進入關鍵階段、商用建設加速。2019年6月6日，工信部正式向中國電信、中國移動、中國聯(lián)通、中國廣電發(fā)放5G商用牌照。緊接著，各運營商開始密集推進5G建設及測試；9月底，三大運營商開啟5G套餐預約。

10月31日，在2019年中國國際信息通信展覽會開幕式上，工信部宣布5G商用正式啟動。隨后，工信部與三大運營商、中國鐵塔聯(lián)合舉行了5G商用啟動儀式，標志著中國正式進入5G商用時代。11月1日，三大運營商正式上線5G商用套餐。

隨著5G商用到來，全球智能手機或將迎5G換機潮，亦將促進人工智能、物聯(lián)網、云計算等新興應用快速落地，半導體產業(yè)將迎來新一輪景氣。作為全球首批啟動5G商用國家之一，中國在這場全球5G建設競逐賽中處于領跑地位并成為，半導體國產化進程有望借此風口走上快車道。

紫光集團官方消息顯示，9月27日，“成都紫光集成電路產業(yè)基金”設立啟動會在四川省成都市天府新區(qū)舉行。

活動上，西藏紫光投資基金董事長鄭鉑代表紫光集團與成都空港興城投資集團、成都天府新區(qū)投資集團、成都產業(yè)投資集團先進制造產業(yè)投資公司、成都交子金融控股集團簽署了《成都紫光集成電路產業(yè)股權投資基金（有限合伙）合伙協(xié)議》。

據(jù)介紹，成都紫光集成電路產業(yè)基金總規(guī)模580.02億元、一期規(guī)模280.02億元，采用“雙GP”模式實施管理，將主要投資紫光成都存儲器制造基地項目，用于支持芯片工廠一期的建設及運營，為紫光成都存儲器制造基地項目發(fā)展按下“快進鍵”。

根據(jù)基金合伙人之一成都空港興城投資集團官方發(fā)布的詳細信息，該基金的一期280.02億元，成都市（市、區(qū)兩級）出資230億元，紫光集團出資50億元；二期300億元由紫光集團于2020年啟動募集、2021年底前全部到位。

具體而言，成都天府新區(qū)投資集團有限公司與成都空港興城投資集團有限公司分別認繳出資額74.75萬元，成都交子金融控股集團有限公司與成都先進制造產業(yè)投資公司分別認繳出資額40.25億元，西藏紫光新業(yè)投資有限公司認繳出資額50億元，西藏紫光投資基金有限責任公司與成都空港產業(yè)興城投資發(fā)展有限公司分別認繳出資額100萬元。

基金期限方面，合伙企業(yè)續(xù)存期限為10年，其中投資期5年，退出期5年；“雙GP”管理模式即由成都空港產業(yè)興城投資發(fā)展有限公司擔任成都方GP，作為執(zhí)行事務合伙人。西藏紫光投資基金有限責任公司擔任紫光方GP，作為普通合伙人。

該基金的核心投資標的——成都紫光集成電路基地項目于2018年10月正式開工，該項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12寸3D NAND存儲器晶圓生產線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產品的研發(fā)、制造和銷售，預計在2022年實現(xiàn)一期10萬片/月的達產目標。

據(jù)紫光集團聯(lián)席總裁王慧軒表示，紫光已在成都落地多個項目。紫光展銳已在成都投資建設其全球三大總部之一及全球研發(fā)基地；紫光旗下新華三集團在成都布局云計算業(yè)務全國運營總部及研發(fā)中心；紫光芯云中心也已在成都落地。

現(xiàn)在成立的成都紫光集成電路產業(yè)基金，將進一步支持紫光成都存儲器制造基地項目建設。