存儲(chǔ)器需求將回溫 傳三星提早啟用新廠

存儲(chǔ)器需求將回溫 傳三星提早啟用新廠

「韓國(guó)先驅(qū)報(bào)」報(bào)導(dǎo),今年第一季DRAM和NAND存儲(chǔ)器芯片價(jià)格重挫,但三星電子并未停止投資,甚至預(yù)期明年存儲(chǔ)器需求將會(huì)回溫,擬提早啟用位于平澤市(Pyeongtaek)的存儲(chǔ)器二廠,以因應(yīng)目前的市況、率先出擊。

明年3月啟動(dòng)平澤二廠

報(bào)導(dǎo)指出,外界原先預(yù)期平澤二廠會(huì)到2020年6月才開始營(yíng)運(yùn),但三星電子考慮到目前市場(chǎng)低迷和明年需求可望回溫,近期積極與平澤市各方開會(huì)討論存儲(chǔ)器二廠的水電供給細(xì)節(jié),似乎計(jì)劃將平澤二廠營(yíng)運(yùn)的時(shí)間提前至明年3月份;業(yè)界人士透露,平澤二廠將用于生產(chǎn)最高科技的DRAM芯片,可被應(yīng)用于折疊式智能手機(jī)等高端設(shè)備。

生產(chǎn)最高科技DRAM芯片

一名三星內(nèi)部人士表示,新廠的啟用時(shí)程尚未正式宣布,將根據(jù)市場(chǎng)情況進(jìn)行調(diào)整,當(dāng)初的時(shí)程是去年年初時(shí)為平澤二廠破土動(dòng)工時(shí)設(shè)定的,但現(xiàn)在的市場(chǎng)狀態(tài)已截然不同。一名三星高階主管表示:「公司預(yù)期市場(chǎng)需求將在下半年反彈,明年將繼續(xù)快速成長(zhǎng)。即將營(yíng)運(yùn)的新工廠將在供需平衡上發(fā)揮關(guān)鍵作用,三星希望率先采取行動(dòng)?!?/p>

平澤區(qū)將再打造2間工廠

三星平澤廠區(qū)占地廣大,總面積達(dá)289萬平方公尺,約相當(dāng)于400個(gè)足球場(chǎng)。緊鄰平澤二廠的「平澤一廠」是當(dāng)今世界上最大的存儲(chǔ)器工廠,未來三星還打算在廠區(qū)內(nèi)再打造兩間存儲(chǔ)器工廠,預(yù)計(jì)接下來很快就會(huì)宣布兩座新廠動(dòng)工的時(shí)間。

正在考慮收購(gòu)恩智浦? 三星否認(rèn)傳聞

正在考慮收購(gòu)恩智浦? 三星否認(rèn)傳聞

日前,三星電子被傳有意收購(gòu)汽車電子供應(yīng)商恩智浦。

韓國(guó)媒體InvestChosun報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部正在評(píng)估對(duì)恩智浦發(fā)起收購(gòu),由副會(huì)長(zhǎng)李在镕助手、總裁Chung Hyun-ho和副總裁Ahn Joong-hy領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)正審核該項(xiàng)目,收購(gòu)金額將高達(dá)50萬億韓元(約合443億美元)。

對(duì)此,今日彭博社消息稱,三星電子方面否認(rèn)關(guān)于考慮收購(gòu)恩智浦的報(bào)道。

現(xiàn)金儲(chǔ)備充足,被傳收購(gòu)半導(dǎo)體大廠

今年年初,市場(chǎng)分析指出,截至2018年年底,三星電子現(xiàn)金保有額超過100萬億韓元(885.3億美元),創(chuàng)下該公司成立以來新高,投行伯恩斯坦分析師預(yù)測(cè),到2019年年底,三星的現(xiàn)金儲(chǔ)備將突破119萬億韓元(約合1050億美元)。業(yè)界認(rèn)為,三星電子或?qū)?dòng)用手上這筆龐大的現(xiàn)金,以實(shí)現(xiàn)公司的對(duì)外投資和并購(gòu)。

三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕曾表示,三星電子目標(biāo)2030年成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭,業(yè)界認(rèn)為其有高度可能積極并購(gòu)。報(bào)道稱,三星電子將考慮收購(gòu)海外非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體企業(yè),潛在收購(gòu)名單包括恩智浦、賽靈思、英飛凌。近日由于格芯傳出正在考慮出售,亦被認(rèn)為是三星電子收購(gòu)備選對(duì)象之一。

值得一提的是,李在镕曾表示將汽車芯片等業(yè)務(wù)列為關(guān)鍵戰(zhàn)略。近兩年,三星電子在汽車電子領(lǐng)域動(dòng)作頻頻,2017年以80億美元收購(gòu)了世界音響巨頭哈曼,當(dāng)時(shí)三星電子表示,哈曼對(duì)三星的吸引力在于汽車互聯(lián)業(yè)務(wù),該交易將幫助三星電子進(jìn)軍汽車電子領(lǐng)域;2018年10月,三星電子發(fā)布兩大汽車芯片品牌Exynos Auto和ISOCELL Auto。

若三星電子欲通過收購(gòu)進(jìn)一步擴(kuò)大汽車電子業(yè)務(wù),那么恩智浦作為全球最大的汽車電子供應(yīng)商,確實(shí)有可能成為收購(gòu)對(duì)象。

存儲(chǔ)器跌價(jià),尋找市場(chǎng)新出路

盡管三星電子目前已否認(rèn)了收購(gòu)傳聞,但業(yè)界認(rèn)為其后續(xù)仍有可能對(duì)半導(dǎo)體大廠展開收購(gòu),因?yàn)槠渥畲蟮氖杖雭碓创鎯?chǔ)器業(yè)務(wù)正面臨著價(jià)格不斷下滑的挑戰(zhàn),三星電子有必要考慮新的戰(zhàn)略發(fā)展出路。

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查,DRAM整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌,由于供過于求的市況,DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià),2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%,是繼2011年以來單季最大跌幅。

三星電子作為全球最大的存儲(chǔ)器廠商,存儲(chǔ)器價(jià)格下跌對(duì)其的影響在業(yè)績(jī)報(bào)告中已有所反映。數(shù)據(jù)顯示,2018年第四季度三星電子營(yíng)業(yè)收入同比下降10%、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比下降29%,三星電子表示主要受存儲(chǔ)芯片需求下降的影響。

一方面面臨著存儲(chǔ)器需求不振、價(jià)格大幅下跌的市況,另一方面面臨著SK海力士、美光等對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng),業(yè)界認(rèn)為三星電子在保持存儲(chǔ)器市場(chǎng)地位的同時(shí),亦開始強(qiáng)調(diào)晶圓代工、汽車電子等非存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展。

去年底,李在镕曾與韓國(guó)總統(tǒng)文在寅見面,就三星芯片戰(zhàn)略問題進(jìn)行會(huì)談。當(dāng)時(shí),李在镕表示,當(dāng)前的芯片市場(chǎng)已不同往日,但他表示對(duì)三星電子在芯片市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位充滿信心。業(yè)界認(rèn)為,三星電子為尋找存儲(chǔ)器、手機(jī)以外的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn),今年將有較大可能積極進(jìn)行企業(yè)并購(gòu)。

集成電路入列湖北省十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)  將設(shè)立專項(xiàng)基金

集成電路入列湖北省十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè) 將設(shè)立專項(xiàng)基金

日前,湖北省政府新聞辦召開《湖北省十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展意見》(以下簡(jiǎn)稱“《意見》”)政策解讀發(fā)布會(huì),會(huì)上針對(duì)十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)提出具體實(shí)施舉措,并制定年度行動(dòng)計(jì)劃。

湖北省十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)包括集成電路、地球空間信息、新一代信息技術(shù)、智能制造、汽車、數(shù)字、生物、康養(yǎng)、新能源與新材料、航天航空等,每個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)又涵蓋若干細(xì)分領(lǐng)域。會(huì)議指出,由于湖北省此前已先后出臺(tái)多項(xiàng)政策,為避免重復(fù),《意見》在產(chǎn)業(yè)選擇上不搞面面俱到,而是突出特色和重點(diǎn),在實(shí)施舉措上強(qiáng)調(diào)可操作性。

《意見》對(duì)十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)作了明確規(guī)劃,集成電路方面提出要重點(diǎn)發(fā)展存儲(chǔ)芯片、光通信芯片和衛(wèi)星導(dǎo)航芯片;以武漢為核心發(fā)展區(qū),建設(shè)武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地、國(guó)家先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、武漢光谷集成電路產(chǎn)業(yè)園,籌建長(zhǎng)江芯片研究院等。力爭(zhēng)到2022年,主營(yíng)業(yè)務(wù)收入1000億元以上。

根據(jù)《意見》,推進(jìn)十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展共有十大實(shí)施舉措,包括抓專項(xiàng)規(guī)劃編制、抓支持資金籌措等?!兑庖姟烦雠_(tái)后,目前湖北省已經(jīng)開展和正在推進(jìn)的有六項(xiàng)專項(xiàng)工作,如專項(xiàng)推介、專項(xiàng)基金等,將按照“一個(gè)產(chǎn)業(yè)一個(gè)專項(xiàng)基金”的要求,努力推動(dòng)形成十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)基金群,還要建立十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目庫,五年內(nèi)十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)的儲(chǔ)備項(xiàng)目投資總規(guī)模力爭(zhēng)超過10萬億元。

圍繞著十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè),《意見》提出要著力打造一批新興產(chǎn)業(yè)集群,壯大光谷“芯屏端網(wǎng)”等現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)集群等。湖北省經(jīng)濟(jì)信息化廳黨組成員陶紅兵表示,湖北省“芯屏端網(wǎng)”世界級(jí)產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)得到較快發(fā)展,目前擁有“芯屏端網(wǎng)”相關(guān)企業(yè)近400家,產(chǎn)業(yè)規(guī)模3000多億元,“芯”方面包括有長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢新芯等一批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)。

湖北省2019年政府工作報(bào)告中亦指出,要大力實(shí)施“一芯驅(qū)動(dòng)、兩帶支撐、三區(qū)協(xié)同”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略,推動(dòng)集成電路等十大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,全力推進(jìn)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目建設(shè),加快打造“芯屏端網(wǎng)”等世界級(jí)先進(jìn)制造業(yè)產(chǎn)業(yè)集群,集中力量推進(jìn)武漢新芯二期等重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。

BIWIN佰維攜工控SSD等產(chǎn)品亮相德國(guó)紐倫堡國(guó)際嵌入式展

BIWIN佰維攜工控SSD等產(chǎn)品亮相德國(guó)紐倫堡國(guó)際嵌入式展

2019年2月26日-28日,BIWIN佰維攜全系列工控SSD等產(chǎn)品閃耀亮相德國(guó)嵌入式展Ebedded World 2019紐倫堡會(huì)議中心3號(hào)館519展位。德國(guó)紐倫堡國(guó)際嵌入式展是嵌入式系統(tǒng)業(yè)界重要的年度盛會(huì)之一,也是全球規(guī)模最大的嵌入式展會(huì),今年也是佰維的第5年連續(xù)參展。此次展會(huì)上佰維主要為業(yè)界帶來了面向?qū)挏丶?jí)工業(yè)應(yīng)用、軌道交通、網(wǎng)絡(luò)安全、加固型工業(yè)應(yīng)用等不同場(chǎng)景下的存儲(chǔ)解決方案,產(chǎn)品類型涉及工控級(jí)SSD,存儲(chǔ)芯片,存儲(chǔ)卡、內(nèi)存以及客制化存儲(chǔ)服務(wù)。

寬溫場(chǎng)景下,暢享高速
-40℃~85℃讀速仍可達(dá)3000MB/s

BIWIN 佰維寬溫級(jí)M.2 PCIe SSD集成溫度傳感器,在數(shù)據(jù)高吞吐情況下自動(dòng)檢測(cè)SSD溫度是否正常,動(dòng)態(tài)溫度調(diào)節(jié)功能可在維持SSD較小降低性能的同時(shí)降低SSD的發(fā)熱,從而實(shí)現(xiàn)寬溫工作環(huán)境下的高速讀寫。

BIWIN M.2 PCIe SSD為2280規(guī)格,采用高品質(zhì)閃存顆粒,數(shù)據(jù)傳輸通道為PCIe 3.0 x4,理論帶寬高達(dá)32Gbps,連續(xù)讀寫速度分別為3000MB/s(讀?。?700MB/s(寫入),隨機(jī)讀取IOPS可達(dá)150K,高速的讀寫性能可滿足工業(yè)和醫(yī)療等數(shù)據(jù)密集型領(lǐng)域的需求。

軌道交通系列SSD
支持異常斷電保護(hù)20000次!

佰維軌道交通系列SSD通過內(nèi)置電源偵測(cè)芯片實(shí)時(shí)監(jiān)控供電情況,一旦發(fā)現(xiàn)異常立即啟用斷電保護(hù)模塊,利用鉭電容儲(chǔ)存的電量持續(xù)供電,為 DRAM 中緩存的數(shù)據(jù)可靠地傳輸?shù)介W存提供充足的時(shí)間,從而有效避免因意外斷電造成無法認(rèn)盤或固件丟失等重大故障發(fā)生,確保固件程序安全,進(jìn)而確保存儲(chǔ)數(shù)據(jù)安全,為車載監(jiān)控、車載多媒體、車載控制系統(tǒng)等提供了可靠性保障,支持異常斷電保護(hù)20000次。

同時(shí),針對(duì)軌道交通應(yīng)用特點(diǎn),BIWIN佰維采用耐插拔的SSD連接器,通過算法優(yōu)化,可保持高密度工作的情況下兼具平穩(wěn)與持續(xù)高速的讀寫,從而支持更高像素的多個(gè)高清攝像頭錄制,并提供高達(dá)1TB的容量選擇。

優(yōu)化Firmware算法
持續(xù)安全讀寫,助力網(wǎng)安應(yīng)用

針對(duì)網(wǎng)安市場(chǎng)的應(yīng)用環(huán)境,客戶的攝像機(jī)和錄像存儲(chǔ)設(shè)備往往就近部署在道路附近,由于主干道路面車流量較大,容易產(chǎn)生灰塵與振動(dòng),針對(duì)于此,不僅要求存儲(chǔ)硬盤抗震、防塵、穩(wěn)定性好,更要有7*24小時(shí)的持續(xù)工作能力。

佰維通過優(yōu)化FW,均衡“寫入優(yōu)化”、“垃圾回收”、“磨損均衡”等SSD主要內(nèi)部工作的效率,并學(xué)習(xí)、適應(yīng)不同流數(shù)據(jù)的特性,調(diào)整這些“均衡”。從而達(dá)到穩(wěn)定滿盤寫入性能和減小碎片搬移(降低寫放大)的目的適用于視頻監(jiān)控系統(tǒng)。有效降低寫入放大系數(shù),提高了SSD在7*24小時(shí)使用壓力下的耐用度,同時(shí)保證讀寫效率和數(shù)據(jù)安全。

多重加固型防護(hù)設(shè)計(jì)
讓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)固若湯金

不同于消費(fèi)類SSD的設(shè)計(jì)思路追求性能,節(jié)約成本,能省的物料絕不多用一顆,工業(yè)級(jí)SSD則把可靠性放到首位,能用10層板絕不會(huì)減少到8層板。正是基于這樣的思路,BIWIN佰維針對(duì)有強(qiáng)固型需求的工業(yè)級(jí)應(yīng)用,從芯片開始加固,使用底部填充膠對(duì)芯片底部進(jìn)行完全填充,然后加熱后固化,底部填充膠不僅可以起到PCB和芯片之間牢固粘連的作用,還能把芯片管腳之間的空氣完全排出,防止芯片管腳氧化,同時(shí)也可以起到防水的作用.

有了堅(jiān)固的機(jī)身還不夠,SATA連接器亦采用特殊定制的加固SATA接口,使其不管受到任何方向的沖擊或震動(dòng)后,都不會(huì)出現(xiàn)接觸不良;最后再對(duì)外殼進(jìn)行加固,多管齊下,滿足客戶工業(yè)級(jí)強(qiáng)固型存儲(chǔ)方案的需求。

完整的產(chǎn)品線布局
迅速為客戶匹配最適合的工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方案

邊緣計(jì)算以及存儲(chǔ)容量增加是不爭(zhēng)的事實(shí),隨著行業(yè)變革開始向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)和工業(yè) 4.0發(fā)展,這一趨勢(shì)將會(huì)更加明顯,儲(chǔ)存行為也變得多樣且復(fù)雜,衍生出云存儲(chǔ)和邊緣存儲(chǔ)等,單一的存儲(chǔ)產(chǎn)品線已難以概全、通用于所有設(shè)備系統(tǒng)。

BIWIN佰維維持產(chǎn)品線的完整度以滿足客戶不同的需求,同時(shí),針對(duì)不同應(yīng)用領(lǐng)域的需求我們梳理出相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)解決方案方案。從而滿足不同應(yīng)用領(lǐng)域在斷電保護(hù),加密支持,寫入保護(hù),安全刪除以及長(zhǎng)期供應(yīng)等需求,無論是高寬帶要求的數(shù)據(jù)采集還是高IOPS的在線應(yīng)用,或者極端高溫或低溫等惡劣環(huán)境下的應(yīng)用,均可為客戶提供有效的存儲(chǔ)解決方案。

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三星開始量產(chǎn)512GB的eUFS 3.0手機(jī)儲(chǔ)存芯片

三星開始量產(chǎn)512GB的eUFS 3.0手機(jī)儲(chǔ)存芯片

三星電子(Samsung Electronics)宣布開始量產(chǎn)全球首批基于eUFS 3.0的512GB手機(jī)儲(chǔ)存芯片,它的連續(xù)讀取速度達(dá)到每秒2,100MB,是1TB eUFS 2.1的2.1倍,為STAT固態(tài)硬盤(SSD)的4倍,更是尋常microSD卡的20倍。

聯(lián)合電子裝置技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)在去年1月公布了通用快閃存儲(chǔ)器UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn),每通道最高的傳輸速率為每秒11.6Gb,三星繼之于去年發(fā)表了嵌入式UFS(eUFS)解決方案,但直至二月底才宣布量產(chǎn)。

三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8個(gè)第五代512Gb V-NAND芯片,亦整合了高效能控制器,提供每秒2100MB的連續(xù)讀取速度及每秒410MB的連續(xù)寫入速度,更勝今年1月量產(chǎn)的1TB eUFS 2.1模塊,該模塊的連續(xù)讀取速度為每秒1,000MB,連續(xù)寫入速度則是每秒260MB。

三星表示,以512GB eUFS 3.0傳送一部Full HD畫質(zhì)的電影到PC上大概只需3秒鐘,而它的寫入速度則與SSD相當(dāng)。

除了在二月開始量產(chǎn)512GB及128GB的eUFS 3.0儲(chǔ)存芯片之外,三星亦預(yù)計(jì)于今年下半年開始生產(chǎn)1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。

WD 發(fā)布UFS 3.0 iNAND EU511 閃存產(chǎn)品

WD 發(fā)布UFS 3.0 iNAND EU511 閃存產(chǎn)品

最近存儲(chǔ)芯片也推出了最新的規(guī)格由 UFS 2.0 /2.1 提升到 UFS 3.0,SEQ 讀寫速度堪比 SSD。Western Digital(WD)宣布推出新一代 iNAND 嵌入式閃存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-Layer 3D NAND 閃存,寫入速度達(dá)到 750 MB/s,足足比上代快了一倍。宣稱為未來的 5G 設(shè)備提供更好的體驗(yàn)。

Western Digital 官方?jīng)]有公布具體的芯片類型,但估計(jì)不會(huì)是 QLC,3D TLC 的機(jī)會(huì)比較大,因?yàn)榻衲?1 月底 Toshiba 也同樣推出了 UFS 3.0 閃存,而且是 96-Layer 3D TLC 閃存,按常理兩家推出的產(chǎn)品步伐都大致相約。

Western Digital EU511 閃存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 規(guī)范,而 UFS 3.0 單通道雙向頻寬為 11.6 Gbps,因此雙通道的理論最高值就是 23.2 Gbps,約為 2.9GB/s。

容量方面,iNAND EU511 最低提供 64 GB,最高可達(dá) 512 GB,而且憑借自家的 Smart SLC Generation 6 技術(shù),提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入速度,較現(xiàn)行技術(shù)提升 75% 隨機(jī)讀取與 25% 隨機(jī)寫入,同時(shí)符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道。而目前 Western Digital iNAND EU511 閃存已經(jīng)開始給OEM客戶出樣。

避開與大廠正面交鋒  南亞科、華邦電攻利基型產(chǎn)品

避開與大廠正面交鋒 南亞科、華邦電攻利基型產(chǎn)品

全球第二大存儲(chǔ)器芯片大廠SK海力士昨天宣布2022年起將在未來10年內(nèi)投資120兆韓圓擴(kuò)建存儲(chǔ)器規(guī)模,震撼全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)稱,臺(tái)系南亞科、華邦電等存儲(chǔ)器芯片廠不投入擴(kuò)產(chǎn)軍備競(jìng)賽,而是擴(kuò)大利基型存儲(chǔ)器布局,避開與大廠正面交鋒。不過未來價(jià)格動(dòng)向,仍得密切注意韓國(guó)業(yè)者增產(chǎn)進(jìn)度。

SK海力士已打算在龍川在增設(shè)存儲(chǔ)器廠,聚焦在 DRAM 和次世代存儲(chǔ)器。近期三大廠包括三星、美光及SK海力士都考量DRAM價(jià)格急跌,決定縮減今年資本支出,SK海力士再度宣布大手筆擴(kuò)建案,業(yè)界高度關(guān)注。

首顆國(guó)產(chǎn)40nm工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)主控芯片小批量生產(chǎn)

首顆國(guó)產(chǎn)40nm工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)主控芯片小批量生產(chǎn)

1月21日,南通廣播電視臺(tái)主辦的江海明珠網(wǎng)發(fā)布新聞稱,江蘇華存電子科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江蘇華存”)的40納米工業(yè)級(jí)嵌入式存儲(chǔ)主控芯片已開始小批量生產(chǎn)。

兩個(gè)月前(2018年11月21日),江蘇華存正式對(duì)外發(fā)布其國(guó)內(nèi)自研首顆嵌入式40納米工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)主控芯片HC5001及應(yīng)用存儲(chǔ)解決方案,重點(diǎn)面向是在機(jī)器人、人工智能、機(jī)頂盒、汽車電子等應(yīng)用市場(chǎng)。

據(jù)介紹,HC5001兼具高兼容性和高穩(wěn)定度,支持第5.1版內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)等,40納米工藝制程亦滿足了高效能低功耗的嵌入式存儲(chǔ)eMMC裝置硬盤,在糾錯(cuò)率、連續(xù)讀取速度、待機(jī)電流等核心指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際水平,可使國(guó)內(nèi)該類主控芯片成本下降20%,操作功耗下降15%。

江海明珠網(wǎng)消息顯示,目前江蘇華存的研發(fā)及測(cè)試生產(chǎn)線已搭建完成,其HC5001芯片已于陸續(xù)開始下線,目前產(chǎn)品已開始小批量生產(chǎn),并打入十多家廠商。

從2014年嵌入式存儲(chǔ)eMMC裝置硬盤的第5.1版規(guī)格公布以來,eMMC裝置硬盤在2017年已經(jīng)占據(jù)消費(fèi)型移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)超過90%的規(guī)模,基本被美日韓廠商所壟斷,國(guó)內(nèi)eMMC高階存儲(chǔ)主控芯片仍處于一片空白,江蘇華存成功完成了國(guó)產(chǎn)率為零的突破。

資料顯示,江蘇華存正式注冊(cè)成立于2017年9月,是一家專注于存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)和存儲(chǔ)解決方案研發(fā)生產(chǎn)的公司,并致力于高階存儲(chǔ)產(chǎn)品主控芯片的設(shè)計(jì)與制造。該公司獲得政府性基金投資扶持,南通招商江?;稹⒛贤苿?chuàng)投基金分別投入6000萬元、2000萬元。

江海明珠網(wǎng)報(bào)道稱,江蘇華存圍繞存儲(chǔ)器主控設(shè)計(jì)申請(qǐng)了184項(xiàng)專利,有10項(xiàng)已獲得授權(quán),其中美國(guó)專利8項(xiàng),目前正在投入研發(fā)大數(shù)據(jù)與計(jì)算機(jī)級(jí)存儲(chǔ)器12納米固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片,其董事長(zhǎng)、總經(jīng)理李庭育表示這款芯片將于2020年初面世。

近期,工信部發(fā)布2018年工業(yè)強(qiáng)基工程重點(diǎn)產(chǎn)品、工藝“一條龍”應(yīng)用計(jì)劃示范企業(yè)和示范項(xiàng)目(第一批)公示名單,江蘇華存的存儲(chǔ)主控芯片設(shè)計(jì)被列為快閃存儲(chǔ)器(3D NAND Flash)產(chǎn)業(yè)鏈制造環(huán)節(jié)示范企業(yè)。

迎接人工智能與大數(shù)據(jù)帶來商機(jī),應(yīng)材:材料工程突破為關(guān)鍵

迎接人工智能與大數(shù)據(jù)帶來商機(jī),應(yīng)材:材料工程突破為關(guān)鍵

在人工智能 (AI) 已經(jīng)成為產(chǎn)業(yè)不可逆的趨勢(shì)下,就連臺(tái)積電前董事長(zhǎng)張忠謀都表示,未來 AI 的發(fā)展將成為帶動(dòng)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)發(fā)展的重要關(guān)鍵。因此,市場(chǎng)上大家都在期待,藉由 AI 發(fā)展所帶來的新應(yīng)用與商機(jī)。只是,在 AI 需要大量運(yùn)算效能與能源,而整個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)展也面臨極限發(fā)展的情況之下,材料工程技術(shù)的突破就成為未來 AI 普及化前的其中關(guān)鍵。

材料工程解決方案大廠應(yīng)用材料 (Applied Materials) 指出,根據(jù)《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》表示,當(dāng)前數(shù)據(jù)之于這個(gè)世紀(jì)的重要性,猶如石油之于上個(gè)世紀(jì),是成長(zhǎng)與變革的動(dòng)力,而透過科技也為許多產(chǎn)業(yè)帶來改變。因此,藉由人工智能與大數(shù)據(jù)的結(jié)合,給市場(chǎng)帶來無限的機(jī)會(huì),卻也帶來空前的挑戰(zhàn)。所以,而是否能掌握 AI 與大數(shù)據(jù)帶來的龐大商機(jī),關(guān)鍵在于新技術(shù)和新策略上。

應(yīng)用材料臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸日前在于媒體的聚會(huì)中表示,AI 與大數(shù)據(jù)的結(jié)合帶動(dòng)了 4 個(gè)主要的趨勢(shì)與挑戰(zhàn),這也是企業(yè)是否能在 AI 與大數(shù)據(jù)時(shí)代掌握致勝先機(jī)的關(guān)鍵。其中,包括了物聯(lián)網(wǎng)普及和工業(yè) 4.0 產(chǎn)生超大量的數(shù)據(jù)資料、現(xiàn)有的空間不足以應(yīng)付快速增加數(shù)據(jù)量的處理及儲(chǔ)存、靠著新的運(yùn)算模式及架構(gòu),以及邊緣運(yùn)算、云端技術(shù)和低功耗的每瓦效能,才能將數(shù)據(jù)成功轉(zhuǎn)換成價(jià)值、以及 AI 與物聯(lián)網(wǎng)快速匯流,連接性是最大關(guān)鍵,也是決定運(yùn)作是否流暢的重要因素等。

而因?yàn)橛辛?4 個(gè)趨勢(shì)與挑戰(zhàn),使得在 AI 與大數(shù)據(jù)時(shí)代中啟動(dòng)了「硬件復(fù)興」的各種資源投入,不但使得論是傳統(tǒng)科技領(lǐng)導(dǎo)大廠、新創(chuàng)公司或軟件公司,都投入大量的資源、押寶不同的技術(shù)領(lǐng)域、聚焦應(yīng)用的客制化及最佳化,專注于硬件的設(shè)計(jì)以及投資發(fā)展。另外,在在計(jì)算機(jī)運(yùn)算處理器部分,人工智能需要大量、快速的存儲(chǔ)器存取及平行運(yùn)算,才能提升巨量資料處理能力,這時(shí)繪圖處理器(GPU)及張量處理器(TPU)會(huì)比傳統(tǒng)運(yùn)算架構(gòu)更適合處理人工智能的應(yīng)用。而且,為了使人工智能潛力完全開發(fā),其效能 / 功耗比即運(yùn)算效能需達(dá)到目前 的1,000 倍 ,已成為現(xiàn)階段技術(shù)層面亟需突破的關(guān)鍵。

再加上 AI 與大數(shù)據(jù)需要邊緣及云端創(chuàng)新,大量的資料儲(chǔ)存+高效能運(yùn)算因運(yùn)而生。而且在是當(dāng)傳統(tǒng)摩爾定律下的 2D 微縮越來越慢的情況下,材料工程的創(chuàng)新就成為解決問題的其中一項(xiàng)關(guān)鍵。余定陸進(jìn)一步表示,材料工程的創(chuàng)新未來將建構(gòu)在 PPAC(效能、功耗與單位面積)的 5 個(gè)面向革新上,包括新架構(gòu)、新結(jié)構(gòu) / 3D、新材料、微縮的新方法以及先進(jìn)封裝等。

余定陸舉例表示,原有 2D NAND 的技術(shù)應(yīng)用在實(shí)體和成本上已達(dá)到極限,為了能讓每?jī)?chǔ)存單元(cell)的容量再往上增加, 3D NAND 技術(shù)采用層層堆棧的方式,來減少 2D NAND 儲(chǔ)存單元距離過近時(shí),可能產(chǎn)生的干擾問題。此外,3D NAND 有倍增的容量與可靠度,更是過去的 2D NAND 無法比擬的 。

此外,先進(jìn)封裝可以優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)的效能。過去 DRAM 封裝是采用印刷電路板(PCB)的方式,目前則采用硅通孔封裝技術(shù)(TSV),可將邏輯和存儲(chǔ)器的同質(zhì)和異構(gòu)集成緊密地結(jié)合在一起,垂直堆棧的 3D 儲(chǔ)存器芯片顯著減小了 PCB 級(jí)的電路板尺寸和布線復(fù)雜性,大大降低成本、節(jié)省一半的電力及延長(zhǎng)芯片使用壽命。另一種系統(tǒng)級(jí)封裝,運(yùn)用小芯片(chiplet)多元模塊整合,可提供時(shí)間、成本與良率的效益。

余定陸還表示, 傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)架構(gòu)的馮諾伊曼(Von Neumann)思維有一個(gè)主要問題,當(dāng)處理大量資料運(yùn)算,單一中央處理器與存儲(chǔ)器間的資料運(yùn)算規(guī)則和傳輸速度,限制了整體效率與計(jì)算時(shí)間,無法滿足實(shí)際實(shí)時(shí)應(yīng)用情境。但利用神經(jīng)形態(tài)(Neuromorphic)思維,進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)分散架構(gòu)及平行運(yùn)算與學(xué)習(xí),可加速人工智能計(jì)算,達(dá)到傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)架構(gòu)無法達(dá)成的連接性。

在 AI? 與大數(shù)據(jù)的結(jié)合將帶來無限機(jī)會(huì)的時(shí)代中, 因應(yīng)復(fù)雜性、應(yīng)用性和在時(shí)間方面都面臨很大的困難,而且互連性和材料創(chuàng)新速度上面臨的挑戰(zhàn),也需要新的策略來克服的情況下,需要藉由材料工程創(chuàng)新、硬件的復(fù)興以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)間深度連結(jié)來解決。

500億元項(xiàng)目落戶!湖南益陽將添20條存儲(chǔ)芯片測(cè)封裝生產(chǎn)線、一座晶圓廠

500億元項(xiàng)目落戶!湖南益陽將添20條存儲(chǔ)芯片測(cè)封裝生產(chǎn)線、一座晶圓廠

日前,湖南省益陽市赫山區(qū)迎來“開門紅”,成功簽約總投資超500億元的五夷·萬微科技生態(tài)芯城項(xiàng)目,這是益陽市赫山區(qū)今年引進(jìn)的第一個(gè)項(xiàng)目,也是其近年來投資金額最大的一個(gè)項(xiàng)目。

據(jù)了解,五夷·萬微科技生態(tài)芯城項(xiàng)目由湖南五夷實(shí)業(yè)投資有限公司和湖南南粵基金管理有限公司投資,項(xiàng)目總規(guī)劃用地約4215畝,將打造成為半導(dǎo)體和芯片研發(fā)的集散地,具有科技特色的產(chǎn)業(yè)園,集半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的產(chǎn)業(yè)核心區(qū),以及產(chǎn)業(yè)互聯(lián)、場(chǎng)景互聯(lián)、智慧互聯(lián)、生態(tài)互聯(lián)、交通互聯(lián)的5S智慧城市。

該項(xiàng)目的建設(shè)內(nèi)容包括產(chǎn)業(yè)、公共建設(shè)配套、城鎮(zhèn)化三部分,其中該產(chǎn)業(yè)部分將分兩個(gè)階段完成,其中第一階段為核心產(chǎn)業(yè)建設(shè),總投資500.5億元、總占地約800畝,擬建成工業(yè)生產(chǎn)區(qū)、產(chǎn)品研發(fā)區(qū)、行政辦公區(qū)、居住休閑區(qū)、倉(cāng)儲(chǔ)保稅區(qū)等五大功能區(qū),建設(shè)期限為7年,建成投產(chǎn)后最低年產(chǎn)值可達(dá)433.4億元;第二階段為上下游產(chǎn)業(yè)入駐及軍民融合產(chǎn)業(yè)園等建設(shè)。

第一階段核心產(chǎn)業(yè)建設(shè)也將分兩期實(shí)施:一期計(jì)劃投資276億元,規(guī)劃用地400畝,主要建設(shè)約20萬平方米廠房、20條存儲(chǔ)芯片測(cè)封裝生產(chǎn)線以及5萬平方米配套設(shè)施,建設(shè)時(shí)間3.5年;二期計(jì)劃投資224.5億元,規(guī)劃用地400畝,主要建設(shè)約30萬平方米廠房(一座晶圓工廠),建設(shè)時(shí)間為3.5年。

益陽市委副書記黎石秋表示,該項(xiàng)目作為先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè),是支撐益陽市未來經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力,必將對(duì)赫山乃至益陽優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、培育新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)提供強(qiáng)勁支撐、注入強(qiáng)勁動(dòng)能。