在當前包含物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化、人工智能、自動駕駛、5G通訊等新科技逐漸普及的情況下，帶動了半導(dǎo)體的成長，并使得芯片需求大幅提升。而為了迎接這些挑戰(zhàn)，導(dǎo)入新的材料增加效能，在延續(xù)摩爾定律過程中，材料技術(shù)不斷演進，且應(yīng)用的材料本質(zhì)也開始改變。而特用化學(xué)原料暨先進科技材料龍頭供應(yīng)商英特格（Entegris Inc.）即透過運用科學(xué)為基礎(chǔ)，以提供解決方案，并協(xié)助半導(dǎo)體客戶在先進制程上應(yīng)對各種挑戰(zhàn)。

英特格技術(shù)長James O’Neill指出，英特格成立迄今已經(jīng)有50年歷史，去年整體營收達16億美元。而在當前新的材料、芯片、形狀都與過去不同，對于半導(dǎo)體制程來說都是很復(fù)雜的挑戰(zhàn)。

舉例來說，從28納米轉(zhuǎn)換到7納米，復(fù)雜程度是過去的兩倍。技術(shù)要驗證得要更快，所以整個生產(chǎn)周期時間都是更短的。這也表示我們在采用先進制程時，要達成較佳的良率更為困難，產(chǎn)業(yè)的重點就在于如何快速達到好的良率。這也就是英特格的優(yōu)勢所在。

James O’Neill表示，要提高良率重點之一是污染控制，從28納米到7納米，對于金屬雜質(zhì)容忍程度已經(jīng)減少1,000倍，而晶圓致命微粒則縮小將近4倍，這點非常重要，因為只要雜質(zhì)或微粒等污染的容忍程度有了細微變動，對晶圓廠獲利都會造成很大的影響。整個半導(dǎo)體生態(tài)系中，每個步驟都要顧慮污染控制，包括工廠中怎么制作和包裝化學(xué)品、如何運送與在工廠中使用與儲存，每個步驟都相當重要。英特格有各項產(chǎn)品和解決方案，確保整個制程、輸送時不受污染。

James O’Neill進一步強調(diào)，因為蝕刻技術(shù)的大幅進步，現(xiàn)在半導(dǎo)體廠開始導(dǎo)入的是極紫外光EUV設(shè)備及技術(shù)。而英特格在EUV制程的污染控制與光罩盒是市場領(lǐng)導(dǎo)者，旗下的過濾技術(shù)能確保材料放在pattern上維持潔凈度。此外，

半導(dǎo)體制程中，運用EUV的光蝕刻技術(shù)可再進一步細分成好幾個步驟，這使得英特格不僅提供光罩盒，還有特殊化學(xué)品、過濾器、過濾技術(shù)，以及制程中各方面需要的材料和污染控制，惟有英特格能夠提供最廣泛的解決方案。

James O’Neill也證實，因為目前全球半導(dǎo)體廠僅有3家晶圓代工廠，包括臺積電、三星及英特爾有能力持續(xù)推進先前制程，尤其龍頭臺積電預(yù)計2020年將開始量產(chǎn)6納米，以及更加先進的5納米制成，帶動臺灣未來的導(dǎo)體業(yè)樂觀前景。而因此，英特格確定與這3家廠商進行合作，持續(xù)提供相關(guān)解決方案給客戶，以滿足在先進制程上的需求。

臺積電副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律還是活躍存在，未來30年半導(dǎo)體制程新節(jié)點將帶來益處，強調(diào)存儲器、邏輯元件和感測元件的系統(tǒng)整合。

黃漢森指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透過芯片特性界定每一個世代，現(xiàn)在7納米和5納米制程已無法形容未來半導(dǎo)體科技的核心，他認為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該要采用新制度，衡量科技新進展，預(yù)測科技進步的方式。

他表示，7納米晶圓制程去年開始量產(chǎn)，5納米制程相關(guān)生態(tài)圈已準備就緒，未來將有3納米制程，隨著晶圓制程節(jié)點進步，未來也有可能發(fā)展2納米甚至是1納米。

黃漢森指出，摩爾定律還是活躍存在，隨著元件密度越高，成本效益越好，不過若要預(yù)測下一個世代半導(dǎo)體科技發(fā)展，可能要提出新的方式。

展望未來30年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)指標，黃漢森表示，新的節(jié)點出現(xiàn)將帶來益處，透過半導(dǎo)體創(chuàng)新達到目的地，他預(yù)期未來30年新指標，可能是存儲器、邏輯元件和感測元件整合，帶動電晶體效能和存儲器進展，系統(tǒng)高度整合，透過新的節(jié)點獲益。

摩爾定律（Moore’s law）是指積體電路上可容納的電晶體數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也提升一倍，近年，由于電晶體尺寸縮小速度趨緩，業(yè)界對于摩爾定律是否已到盡頭的爭論不斷。

近日，華進半導(dǎo)體封裝先進技術(shù)研發(fā)中心有限公司副總經(jīng)理秦舒表示，摩爾定律的延伸受到物理極限、巨額資金投入等多重壓力，迫切需要新的技術(shù)延續(xù)工藝進步，通過先進封裝集成技術(shù)，實現(xiàn)高密度集成、體積微型化和更低的成本，使得“后摩爾定律”得以繼續(xù)。

而采用以TSV為核心的高密度三維集成技術(shù)(3D IC）是未來封裝領(lǐng)域的主導(dǎo)技術(shù)，3D IC與CMOS技術(shù)和特色工藝一起，構(gòu)成后摩爾時代集成電路發(fā)展的三大支撐技術(shù)。

封裝要貼近技術(shù)發(fā)展的需求，封裝要貼近市場的需求和應(yīng)用的需求，而面向物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G、毫米波、光電子領(lǐng)域的特色制造技術(shù)和定制化封裝工藝，是實現(xiàn)中國集成電路特色引領(lǐng)的戰(zhàn)略選擇。過去我們談封裝，大家看的比較多是我有幾條腿引出來，現(xiàn)在都是定制化了，不是給你幾條腿，現(xiàn)在多一點的是128條腿，甚至可以做到幾千個腳、幾千個引線，這就是定制化設(shè)置，根據(jù)需求設(shè)置，這就是封裝貼近技術(shù)發(fā)展的需求。

現(xiàn)在應(yīng)用很多，也相應(yīng)的要求封裝多元化。比如人工智能、高性能計算，要求封裝的類型是3D SRAM的ASIC，還有終端可擴展計算系統(tǒng)。比如數(shù)據(jù)中心，需要的封裝是包含HBM、ASIC和3D SRAM的大尺寸2.5D封裝，包含L3緩存分區(qū)的分離芯片的3D ASIC，包含多個光纖陣列的硅光子MCM。比如汽車電子，需求是駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）雷達設(shè)備的扇出封裝，電動汽車和混合動力汽車中使用的MCU、電源管理系統(tǒng)的WB和IGBT封裝模組。比如5G射頻、毫米波，對于封裝的要求是包含多款異質(zhì)芯片的多芯片模組（例如LNA、PA、Switch和濾波器等），包含TSV Last工藝的3D集成以及集成天線和被動元器件需求。

TSV先進封裝市場預(yù)測。預(yù)計2022年TSV高端產(chǎn)品晶圓出片量為60多萬片；盡管數(shù)量有限，但由于晶片價值高，仍能產(chǎn)生高收入。而高帶寬存儲器（HBM）正在成為大帶寬應(yīng)用的標準。智能手機中成像傳感器的數(shù)量不斷增加，計算需求不斷增長，促使3D SOC市場擴增。預(yù)計未來五年，12寸等效晶圓的出貨數(shù)量將以20％的CAGR增加，從2016年的1.3M增加到2022年的4M。TSV在低端產(chǎn)品中的滲透率將保持穩(wěn)定，其主要增長來源是智能手機前端模塊中的射頻濾波器不斷增加，以支持5G移動通信協(xié)議中使用的不同頻帶。

2.5D Interposer市場前景。TSV Interposer是一種昂貴而復(fù)雜的封裝工藝技術(shù)，成本是影響2.5D市場應(yīng)用的關(guān)鍵因素，需要進一步降低封裝或模塊的總體成本。2016年到2022年，3D硅通孔和2.5D市場復(fù)合年增長率達20%；截至2022年，預(yù)計投產(chǎn)400萬片晶圓。其市場增長驅(qū)動力主要來自高端圖形應(yīng)用、高性能計算、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心對3D存儲器應(yīng)用的需求增長，以及指紋識別傳感器、環(huán)境光傳感器、射頻濾波器和LED等新應(yīng)用的快速發(fā)展；由于TSV Less 低成本技術(shù)的發(fā)展，2021年TSV Interposer市場的增速放緩，部分TSV Less技術(shù)將逐步替代TSV Interposer以實現(xiàn)2.5D；但部分市場預(yù)測，TSV Less技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化將會延遲；同時，為滿足高性能計算市場，對TSV Interposer的需求持續(xù)增長。TSV Interposer將繼續(xù)主導(dǎo)2.5D市場，像TSMC&UMC這樣的參與者將擴大產(chǎn)能以滿足市場需求。總體來看，TSV Interposer 仍具有強勁的市場優(yōu)勢。

總結(jié)來看，目前約75%左右的異質(zhì)異構(gòu)集成是通過有機基板進行集成封裝，這其中大部分是SiP。余下的約25%是采用其他基板實現(xiàn)異質(zhì)異構(gòu)集成，這其中包含了硅轉(zhuǎn)接板、fanout RDL以及陶瓷基板等。隨著集成電路制造工藝節(jié)點的不斷提高，成本卻出現(xiàn)了拐點，無論從芯片設(shè)計、制造的難度，還是成本，多功能系統(tǒng)的實現(xiàn)越來越需要SiP和異質(zhì)異構(gòu)集成。隨著人工智能和5G的發(fā)展，系統(tǒng)追求更高的算力、帶寬，芯片的尺寸和布線密度也都在不斷提高，使得2.5D封裝的需求開始增加。2.5D系統(tǒng)集成封裝涉及的技術(shù)和資源包含前道晶圓工藝、中道封裝工藝和后道組裝工藝，是很復(fù)雜的集成工藝，目前掌握全套技術(shù)的公司較少。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基于其不斷邁向功能復(fù)雜化、產(chǎn)品極小化的趨勢，同時持續(xù)對物理極限展開技術(shù)挑戰(zhàn)，因此在自動化、物聯(lián)網(wǎng)與傳感器、機器人、大數(shù)據(jù)分析與智慧管理等不同面向，成熟度均領(lǐng)先于其他制造相關(guān)產(chǎn)業(yè)。對這個產(chǎn)業(yè)來說，除了如臺積電創(chuàng)辦人張忠謀所言，降低“生產(chǎn)周期”至關(guān)重要；藉由能自我檢測并調(diào)校的智能設(shè)備，讓產(chǎn)線不斷優(yōu)化，更是每家業(yè)者追求的目標。

在5G、AI人工智能等發(fā)展浪潮下，IC應(yīng)用邁向多元化與極致效能。需求帶動技術(shù)成長，而技術(shù)成長也引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需的設(shè)備相應(yīng)升級。當工業(yè)4.0的概念逐漸落實，設(shè)備智能化也從單純的硬件升級走向軟硬整合，以達到即時資料采集及分析，并協(xié)助決策。

設(shè)備智能化的相關(guān)解決方案包含以下領(lǐng)域：運動控制與機器視覺、設(shè)備預(yù)防性維護、內(nèi)部閘道協(xié)定、邊緣運算、遠端控制與工業(yè)網(wǎng)絡(luò)等。為了將AI與機器學(xué)習(xí)技術(shù)導(dǎo)入設(shè)備，以及隨之而來的更多數(shù)據(jù)及運算需求，具備高速及高效傳輸速率的PCIe匯流排技術(shù)在工業(yè)領(lǐng)域重要性不斷提升；搭配以PC-Based為基礎(chǔ)的控制系統(tǒng)與自動化解決方案，得以整合并滿足更多復(fù)雜設(shè)備的需求。

以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后段的測試、組裝、封裝等制程為例，由于封裝速度大躍進，在達到高度精確的同時，還得保有高產(chǎn)能，因此需要更精準的運動控制視覺檢測系統(tǒng)，還必須易于安裝與維護，讓產(chǎn)線隨時處在最佳狀態(tài)。

運動控制

運動控制是自動化的核心技術(shù)，透過對機械運動部件的位置、速度等進行即時管理，能使設(shè)備按照預(yù)期的軌跡和規(guī)定的參數(shù)進行動作。

而目前基于乙太網(wǎng)的現(xiàn)場匯流排的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)EtherCAT（乙太網(wǎng)控制自動化技術(shù)），由于具備極短的通訊周期與精確的同步時間，在自動化控制領(lǐng)域中成為主流。

EtherCAT的解決方案包含PCI/PCIe運動控制卡搭配工業(yè)電腦、PAC模組化控制器，以及一體式控制器等，能應(yīng)付不同制造場景。其中像是研華科技（Advantech）推出的PCIE-1203L-64AE運動控制卡，因為具備以下規(guī)格，成為分散式EtherCAT解決方案中的強力產(chǎn)品，包括：667MHz雙核ARM處理器、2個EtherCAT端口供給高性能的運動和I/O應(yīng)用、支援通用運動軟件開發(fā)套件（SDK）可快速開發(fā)應(yīng)用程序、最多支援64軸運動控制、點對點移動、2軸線性插補，并且支援可編程加速/減速率以及可編程中斷等。

機器視覺與影像擷取

機器視覺則因為有引導(dǎo)（定位）、量測、檢測、與判讀條碼/光學(xué)字元識別（OCR）等用途，在納米等級的半導(dǎo)體制程中，不但能協(xié)助機器手臂定位加工，也能提升檢測品質(zhì)，并在最后IC成品裝料打包時記錄生產(chǎn)批量內(nèi)容，讓效率不會受人力波動及疏失影響而減低。研華科技專為工業(yè)和視覺應(yīng)用而設(shè)計的PCIE-1154-AE影像擷取卡，具有4個PCIe以及4個USB 3.0端口可以擴充，配備Fresco FL1100 USB 3.0主機控制器和5 Gbps的獨立頻寬，還可供應(yīng)1500 mA電流，以確保外部工廠自動化和醫(yī)療應(yīng)用的USB相機穩(wěn)定供電。

資料采集

而為了監(jiān)控設(shè)備狀態(tài)、并且隨時能夠進行調(diào)校、優(yōu)化流程甚至是進行預(yù)防性維護，則需要藉由傳感器和平臺上的量測軟件，將偵測到的各種參數(shù)轉(zhuǎn)為數(shù)位訊號，透過USB、PCI、PCIe或乙太網(wǎng)等匯流排送到主機中進行分析處理。如PCIE-1816-AE的多重功能卡，可用于不同類別的資料（訊號）采集，其具備16個類比輸入，最高達1 MS/s、16位分辨率，支援A/O的類比和數(shù)位觸發(fā)器以及AO波形生成，還有24個可編程的數(shù)位I/O線，以及4K樣本FIFO存儲器。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入后摩爾定律時代，復(fù)雜制程迫使終端設(shè)備必須愈趨智慧化，PC-Based控制系統(tǒng)與分散式運算架構(gòu)因強大的效能、高開放性與運算能力，讓PCIe模組化解決方案得以滿足系統(tǒng)整合商與工廠經(jīng)營者的升級需求，幫助設(shè)備更聰明。

近年來，對于在過去50年推動半導(dǎo)體制程前進的摩爾定律是否能繼續(xù)前行這個話題，一直備受爭議。但除了英特爾外，晶圓代工龍頭臺積電亦是摩爾定律的忠實推動者。日前，臺積電高管發(fā)表博客，再次表態(tài)將繼續(xù)推進摩爾定律，喊話“摩爾定律未死”。

臺積電全球營銷主管Godfrey Cheng在官網(wǎng)發(fā)表博客，表示摩爾定律實際上被誤稱為一種定律，因為它更準確地將其描述為歷史觀察和未來預(yù)測半導(dǎo)體器件或芯片中晶體管數(shù)量的指導(dǎo)。這些觀察和預(yù)測在過去幾十年中基本上都是正確的。但在我們即將邁入新的十年之際，一些人似乎認為摩爾定律已死。

Godfrey Cheng在博文中解釋了摩爾定律的由來及相關(guān)知識，言語中強調(diào)摩爾定律未死。他舉例表示，計算性能并沒有因為單個晶體管的時鐘速度而提高，而是通過在一個計算問題上投入更多的晶體管來提高計算性能，而在同一區(qū)域內(nèi)壓縮更多晶體管的方法是密度，即指給定二維區(qū)域內(nèi)晶體管的數(shù)量。

他指出，之所以關(guān)心芯片面積，是因為芯片成本與芯片面積成正比。摩爾在1965年的論文中明確指出，每個組件的制造成本與芯片上晶體管的總數(shù)之間存在關(guān)系。有些人認為摩爾定律已死，因為他們認為晶體管不肯能再繼續(xù)縮小了，Godfrey Cheng在文中談及了一些計算問題以及關(guān)于如何改進密度等問題。

值得一提的是，Godfrey Cheng提到臺積電近期推出的5nm極紫外EUV制程技術(shù)（N5P）。N5P是臺積電5nm制程的增強版，采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片運行速度提高7%，或在相同頻率下將功耗降低15%。他表示臺積電的N5P工藝擴大了他們在先進工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢，該工藝將提供世界上最高的晶體管密度和最強的性能。

Godfrey Cheng進一步表示，在了解了臺積電的技術(shù)路線圖后，他可以很有把握地說，臺積電在未來多年將繼續(xù)開拓創(chuàng)新，將繼續(xù)縮小單個晶體管的體積，并繼續(xù)提高密度。在未來的幾個月、幾年里，將可聽到更多臺積電向新節(jié)點邁進的消息。

事實上，目前臺積電對外公布的技術(shù)路線規(guī)劃已到2nm。6月18日，臺積電在上海舉辦2019中國技術(shù)論壇，臺積電總裁魏家哲介紹了先進工藝的發(fā)展規(guī)劃。如今，臺積電7nm制程已量產(chǎn)，而其規(guī)劃量產(chǎn)的工藝節(jié)點已經(jīng)來到5nm，研發(fā)方面則推進到3nm，近期還官宣2nm研發(fā)啟動。

根據(jù)規(guī)劃，臺積電5nm工藝將于明年上半年量產(chǎn)；3nm工藝方面，臺積電表示進展順利，已有早期客戶參與進來，有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)；2nm工藝新廠設(shè)在中國臺灣新竹的南方科技園，預(yù)計2024年投產(chǎn)。

據(jù)了解，臺積電2nm工藝是一個重要節(jié)點，Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch（晶體管柵極間距）縮小到30nm，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

除了先進制程外，Godfrey Cheng還提及了系統(tǒng)級封裝技術(shù)，這也是延續(xù)摩爾定律的一個重要方向。他表示，臺積電已經(jīng)能通過先進的封裝技術(shù)將邏輯內(nèi)核與存儲器緊密集成，將利用先進封裝實現(xiàn)的系統(tǒng)級密度，進一步增加晶體管的密度。

Godfrey Cheng表示，摩爾定律是關(guān)于增加密度，除了通過先進封裝實現(xiàn)的系統(tǒng)級密度，臺積電將繼續(xù)在晶體管級別增加密度，有許多路徑可用于未來的晶體管密度改進，“摩爾定律并未死亡”。

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“摩爾定律未死！”這句話如果是Intel公司說的，一點都沒有懸念，畢竟摩爾定律的提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人，50多年來Intel也是摩爾定律最堅定的捍衛(wèi)者。不過今天這句話是臺積電而非Intel說的，他們也要繼續(xù)推動摩爾定律。

臺積電全球營銷主管Godfrey Cheng今天在官網(wǎng)發(fā)表博客，解釋了摩爾定律的由來及內(nèi)容，這些是老生常談的話題了，而他的意思就是強調(diào)摩爾定律沒死，只不過現(xiàn)在繼續(xù)推動摩爾定律的是臺積電而非其他公司了（Intel聽到臺積電如此表態(tài)不知道是什么滋味）。

Godfrey Cheng提到了臺積電最近宣布的N5P工藝，這是臺積電5nm工藝的增強版，優(yōu)化了前端及后端工藝，可在同等功耗下帶來7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低15％。

Godfrey Cheng表示臺積電的N5P工藝擴大了他們在先進工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢，該工藝將提供世界上最高的晶體管密度，還有最強的性能。

N5P工藝還不是臺積電的重點，Godfrey Cheng表示未來幾個月、幾年里還會看到臺積電公布的最新進展，他們會繼續(xù)縮小晶體管并提高密度。

除了先進工藝之外，Godfrey Cheng還重點提到了臺積電在系統(tǒng)級封裝上的路線圖，這也是延續(xù)摩爾定律的一個重要方向，下圖就是臺積電展示的一個系統(tǒng)級封裝芯片，總面積高達2500mm2，是世界上最大的芯片，包括2個600mm2的核心及8組HBM內(nèi)存，后者核心面積也有75mm2。

最后，Godfrey Cheng這篇文章還是給即將開始的Hotchips國際會議預(yù)熱，臺積電的首席研究員Philip Wong博士會在這次會議上發(fā)表“下一個半導(dǎo)體工藝節(jié)點會給我們帶來什么”的演講，屆時會公布更多信息。

近期電子科技大學(xué)張波教授提出“特色工藝將成為中國半導(dǎo)體業(yè)的機遇”，由于有獨特的見解，已引發(fā)業(yè)界的贊許。

特色工藝這個詞有些“新”，但是經(jīng)張波教授的解釋，它原是摩爾定律的三個方向之一，英語叫“More Than Moore”，之前的譯名為“超越摩尓定律”。

張波教授把“特色工藝”稱為“非尺寸依賴”， 是指器件價值或者性能的提升，不完全靠尺寸縮小，而是通過功能的增加。

實際上定律延續(xù)50多年來，半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)動力有兩個，一個是尺寸縮小，另一個是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小起主要作用。

由于定律有自身的局限性，在那個時代它只能預(yù)測到晶體管的密度要增加，成本可下降，實際上它無法揭示隨之而來的功耗增大及晶體管的性能提高等。所以近期指出定律的另一個方向，”非尺寸依賴”具有指導(dǎo)意義。

為什么特色工藝成香餑餑

全球半導(dǎo)體業(yè)在2000年時銷售額達2000億美元，至2013年，經(jīng)過13年時間達到3000億美元，然而僅用了4年時間，至2017年時己上升到4000億美元，而2018年達到4700億美元，非?？赡茉?020年時達到5000億美元。它反映全球電子產(chǎn)品市場中硅含量的急速提升及價值鏈的體現(xiàn)。

但是從另一方面觀察，由于定律不可避免的趨向物理極限，IC設(shè)計成本的急速飆升，全球能夠繼續(xù)追蹤尺寸縮小的廠商數(shù)量越來越少，導(dǎo)致依賴工藝尺寸縮小的推動力減弱。所以半導(dǎo)體業(yè)界試圖開辟另一個戰(zhàn)場，所謂特色工藝其理在其中。

依業(yè)界的觀點，特色工藝主要指模擬、RF、功率及MEMS，以及近期非?；馃岬?.5D、3D的堆疊封裝等。在未來20年中它非?？赡艹蔀橹饕苿恿χ弧?/p>

按現(xiàn)在的認識，特色工藝可能集中于8英寸硅片，及少部分的12英寸硅片中，從工藝尺寸覆蓋可能在28nm以上。顯然這個分界線逐步在改變，在2000年時12英寸硅片剛興起時，這個分界線是90nm。如今8英寸硅片逐步升級也己擴展到65nm。這一切取決于經(jīng)濟因素，因為升級8英寸設(shè)備要投資，以及90nm以下的光刻機需要重新購買，增加了成本。

如果采用8英寸硅片設(shè)備作特色工藝，有它的獨特優(yōu)勢：1)，設(shè)備的折舊期已過，節(jié)省成本；2)，250nm-130nm工藝相對成熟穩(wěn)定；3)，設(shè)備的軟件升級較少受原廠控制等。

張波教授總結(jié)特色工藝具有市場分散，品種眾多、與應(yīng)用關(guān)系強，且無壟斷企業(yè)等特點。

但是仔細羅列全球摸擬，RF，功率及MEMS等全球前十位廠商中，發(fā)現(xiàn)排在前列的都是歷史悠久的資深老廠，如歐洲的NXP、Infineon及STMicron及日本的Sony、東芝、三菱、富士通、瑞薩、及美國的TI、Microsemi、及ON Semi等。其中許多廠商至今仍堅守8英寸，甚至6英寸硅片，但是有舉足輕重的地位。

據(jù)SEMI 2015年數(shù)據(jù)，2016年全球8英寸硅片的市場份額，模擬占11%，分立器件14%，邏輯加微處理器21%，存儲器占3%，代工占47%及MEMS加其它占4%。

另據(jù)SEMI 2016年數(shù)據(jù)，2017年全球晶圓產(chǎn)能為每月1790萬片(8inch計)，其中8英寸產(chǎn)能為月產(chǎn)520萬片，約占不到1/3，其中前十大8英寸廠的產(chǎn)能占總產(chǎn)能的54%。

特色工藝在中國

據(jù)廈門半導(dǎo)體投資集團總經(jīng)理王匯聯(lián)的數(shù)據(jù)，2018年中國在建及規(guī)劃Fab產(chǎn)線總共33條，包括21條12英寸線、11條8英寸線，其中特色工藝線16條、邏輯產(chǎn)線9條、存儲產(chǎn)線8條。SEMI數(shù)據(jù)顯示中國晶圓產(chǎn)能2019年占到全球16%，到2020年將增至20%。

其中的趨勢是中芯國際，代工業(yè)的領(lǐng)頭羊，除了在國家資金等支持下，開發(fā)14nm及以下邏輯制程工藝之外，積極擴充它的8英寸產(chǎn)能，包括天津，深圳，寧波，紹興等地，而原本生存得很滋潤的華虹，華潤微電子，士蘭等，卻由8英寸延伸至12英寸，目的都是為了實現(xiàn)產(chǎn)品差異化，跨入特色工藝中。

實際上企業(yè)的決策才是最真實的反映，它們的感覺十分靈敏及深刻。那么多條特色工藝生產(chǎn)線的興建，至少反映現(xiàn)階段它可能適合于中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的需要。

因為從產(chǎn)業(yè)利益出發(fā)，現(xiàn)階段由中芯國際，華力微積極跟蹤14nm及以下邏輯制程，以及由長江存儲做3D NAND閃存，合肥長鑫做19nmDRAM等都是很有必要，首先要解決“0”到“1”的突破問題，具備能力之后才逐步擴充產(chǎn)能。顯然這段路十分崎嶇，投資巨大及周期長，技術(shù)難度高，未來產(chǎn)品市場的競爭力將經(jīng)受考驗。

而絕大部分的中國半導(dǎo)體企業(yè)，它們首要任務(wù)是求生存，能實現(xiàn)盈利，所以讓它們?nèi)プ粉櫠?，或者嘗試存儲器的IDM模式量產(chǎn)是不客觀的。所以它們紛紛轉(zhuǎn)向選擇特色工藝可能是必由之路。

分析中國半導(dǎo)體業(yè)在代工業(yè)中8英寸制程與全球的先進水平接近，有一定優(yōu)勢，但是在非邏輯制程中，如模擬、高壓、MEMS、包括IDM模式的產(chǎn)品等方面可能差距較大。

另據(jù)張波教授的資料，采用特色工藝可能有助于提高國產(chǎn)化率。因為中國進口集成電路的均價只有7毛五，不足一美元。其中進口了大量每塊價值達數(shù)百美元的高端CPU，同時也大量進口了不需要先進工藝的分立器件、電源管理IC、微控制器等。因此釆用特色工藝，國產(chǎn)替代的空間非常巨大。

顯然在市場競爭中，對于中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不可能有一條“捷徑”，做特色工藝是機遇與風(fēng)險同在。因為對手都十分強大，經(jīng)驗豐富，而我們是“追趕者”，從先天性方面不存在優(yōu)勢，僅僅是由于市場機會多，產(chǎn)品分散，與應(yīng)用結(jié)合強，而中國擁有全球最大的市場，具這樣的優(yōu)勢地位有可能讓我們從中分得一杯羹。

企業(yè)成功的要素取決于市場空間，技術(shù)能力及時機，關(guān)鍵要有一位強有力的CEO。

近期貿(mào)易戰(zhàn)對于中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的影響不可小視，一個是電子產(chǎn)業(yè)鏈有部分外移出中國，另一個是美國的封鎖持續(xù)加緊等，導(dǎo)致中國半導(dǎo)體業(yè)要維持年均增長率達20%可能有一定難度。不過事物有它的“兩重性”，有時“壞事”也可能變成“好事”，如貿(mào)易戰(zhàn)下促使部分人才加速回流，以及在外壓力下能激發(fā)斗志，更加團結(jié)，有可能取得更大的成績。