在當(dāng)前包含物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化、人工智能、自動(dòng)駕駛、5G通訊等新科技逐漸普及的情況下，帶動(dòng)了半導(dǎo)體的成長(zhǎng)，并使得芯片需求大幅提升。而為了迎接這些挑戰(zhàn)，導(dǎo)入新的材料增加效能，在延續(xù)摩爾定律過程中，材料技術(shù)不斷演進(jìn)，且應(yīng)用的材料本質(zhì)也開始改變。而特用化學(xué)原料暨先進(jìn)科技材料龍頭供應(yīng)商英特格（Entegris Inc.）即透過運(yùn)用科學(xué)為基礎(chǔ)，以提供解決方案，并協(xié)助半導(dǎo)體客戶在先進(jìn)制程上應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)。

英特格技術(shù)長(zhǎng)James O’Neill指出，英特格成立迄今已經(jīng)有50年歷史，去年整體營(yíng)收達(dá)16億美元。而在當(dāng)前新的材料、芯片、形狀都與過去不同，對(duì)于半導(dǎo)體制程來說都是很復(fù)雜的挑戰(zhàn)。

舉例來說，從28納米轉(zhuǎn)換到7納米，復(fù)雜程度是過去的兩倍。技術(shù)要驗(yàn)證得要更快，所以整個(gè)生產(chǎn)周期時(shí)間都是更短的。這也表示我們?cè)诓捎孟冗M(jìn)制程時(shí)，要達(dá)成較佳的良率更為困難，產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)就在于如何快速達(dá)到好的良率。這也就是英特格的優(yōu)勢(shì)所在。

James O’Neill表示，要提高良率重點(diǎn)之一是污染控制，從28納米到7納米，對(duì)于金屬雜質(zhì)容忍程度已經(jīng)減少1,000倍，而晶圓致命微粒則縮小將近4倍，這點(diǎn)非常重要，因?yàn)橹灰s質(zhì)或微粒等污染的容忍程度有了細(xì)微變動(dòng)，對(duì)晶圓廠獲利都會(huì)造成很大的影響。整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系中，每個(gè)步驟都要顧慮污染控制，包括工廠中怎么制作和包裝化學(xué)品、如何運(yùn)送與在工廠中使用與儲(chǔ)存，每個(gè)步驟都相當(dāng)重要。英特格有各項(xiàng)產(chǎn)品和解決方案，確保整個(gè)制程、輸送時(shí)不受污染。

James O’Neill進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，因?yàn)槲g刻技術(shù)的大幅進(jìn)步，現(xiàn)在半導(dǎo)體廠開始導(dǎo)入的是極紫外光EUV設(shè)備及技術(shù)。而英特格在EUV制程的污染控制與光罩盒是市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，旗下的過濾技術(shù)能確保材料放在pattern上維持潔凈度。此外，

半導(dǎo)體制程中，運(yùn)用EUV的光蝕刻技術(shù)可再進(jìn)一步細(xì)分成好幾個(gè)步驟，這使得英特格不僅提供光罩盒，還有特殊化學(xué)品、過濾器、過濾技術(shù)，以及制程中各方面需要的材料和污染控制，惟有英特格能夠提供最廣泛的解決方案。

James O’Neill也證實(shí)，因?yàn)槟壳叭虬雽?dǎo)體廠僅有3家晶圓代工廠，包括臺(tái)積電、三星及英特爾有能力持續(xù)推進(jìn)先前制程，尤其龍頭臺(tái)積電預(yù)計(jì)2020年將開始量產(chǎn)6納米，以及更加先進(jìn)的5納米制成，帶動(dòng)臺(tái)灣未來的導(dǎo)體業(yè)樂觀前景。而因此，英特格確定與這3家廠商進(jìn)行合作，持續(xù)提供相關(guān)解決方案給客戶，以滿足在先進(jìn)制程上的需求。

控制半導(dǎo)體制程上污染，英特格確定與三大半導(dǎo)體廠合作最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

5G及IoT終端需求發(fā)展，SiP系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)提高了人類生活的便利性

「Semicon Taiwan 2019」展會(huì)期間，特別針對(duì)半導(dǎo)體的未來發(fā)展趨勢(shì)舉行「科技智庫(kù)領(lǐng)袖高峰會(huì)」，封測(cè)大廠日月光執(zhí)行長(zhǎng)吳田玉為半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)的前世今生及未來發(fā)展方向提出見解。

由于半導(dǎo)體摩爾定律限制，使得線寬不斷微縮、晶體管密度逐步升高，人們從早期的個(gè)人計(jì)算機(jī)發(fā)展并搭配QFP(Quad Flat Package)導(dǎo)線架封裝方法，演進(jìn)至現(xiàn)今5G通訊及IoT的SiP(System in Package)系統(tǒng)級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)。

摩爾定律貢獻(xiàn)于終端產(chǎn)品演進(jìn)，發(fā)現(xiàn)它不只帶動(dòng)半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，也引領(lǐng)封裝技術(shù)的逐步提升，遂逐步將終端應(yīng)用推向智慧化，而5G及IoT應(yīng)用正開啟人類生活的新視野。日月光集團(tuán)特別在5G通訊應(yīng)用上，將藍(lán)牙芯片及MCU(微控制器)藉由SiP封裝技術(shù)整合為一。

在IoT部分，則利用長(zhǎng)距離無線通訊(LoRa)芯片搭配MCU進(jìn)行封裝。透過上述異質(zhì)整合SiP封裝技術(shù)，使得真無線藍(lán)牙耳機(jī)及遠(yuǎn)距離傳輸傳感器等相關(guān)終端產(chǎn)品應(yīng)用變得更加多元，提高人類生活的便利性。

異質(zhì)整合能力是決定未來封測(cè)技術(shù)發(fā)展的重要指標(biāo)

面對(duì)現(xiàn)階段半導(dǎo)體封測(cè)技術(shù)之發(fā)展，異質(zhì)整合能力將是評(píng)估廠商未來發(fā)展性的重要指標(biāo)。針對(duì)異質(zhì)整合的發(fā)展特性，將有以下幾個(gè)評(píng)估要點(diǎn)：考量整體的機(jī)械性質(zhì)、元件結(jié)構(gòu)間的熱能變化，以及適當(dāng)材料及程序操作，還有芯片彼此間的互通有無等。

由于必須考量上述因素，在目前摩爾定律限制下，廠商面對(duì)整體系統(tǒng)的異質(zhì)整合程度時(shí)，必須衡量自身先進(jìn)制程及封裝技術(shù)能力，因此對(duì)于現(xiàn)行半導(dǎo)體制造與封測(cè)代工廠來說，亟需投入相關(guān)封測(cè)技術(shù)之研發(fā)(如2.5D/3D封裝、SiP、FOWLP等)，以實(shí)現(xiàn)終端應(yīng)用之封裝需求。

▲2.5D封裝技術(shù)演進(jìn)圖，source：日月光

值得一提，日月光特別針對(duì)AI之FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯閘陣列)芯片，試圖從傳統(tǒng)FCBGA封裝方式，逐步衍生至極低線寬比、極高接腳密度之2.5D封裝技術(shù)，藉此提升自身異質(zhì)整合的能力。

跟隨摩爾定律發(fā)展脈絡(luò)，異質(zhì)整合助力IC封測(cè)發(fā)展最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

臺(tái)積電副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律還是活躍存在，未來30年半導(dǎo)體制程新節(jié)點(diǎn)將帶來益處，強(qiáng)調(diào)存儲(chǔ)器、邏輯元件和感測(cè)元件的系統(tǒng)整合。

黃漢森指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透過芯片特性界定每一個(gè)世代，現(xiàn)在7納米和5納米制程已無法形容未來半導(dǎo)體科技的核心，他認(rèn)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)該要采用新制度，衡量科技新進(jìn)展，預(yù)測(cè)科技進(jìn)步的方式。

他表示，7納米晶圓制程去年開始量產(chǎn)，5納米制程相關(guān)生態(tài)圈已準(zhǔn)備就緒，未來將有3納米制程，隨著晶圓制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)步，未來也有可能發(fā)展2納米甚至是1納米。

黃漢森指出，摩爾定律還是活躍存在，隨著元件密度越高，成本效益越好，不過若要預(yù)測(cè)下一個(gè)世代半導(dǎo)體科技發(fā)展，可能要提出新的方式。

展望未來30年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)指標(biāo)，黃漢森表示，新的節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)將帶來益處，透過半導(dǎo)體創(chuàng)新達(dá)到目的地，他預(yù)期未來30年新指標(biāo)，可能是存儲(chǔ)器、邏輯元件和感測(cè)元件整合，帶動(dòng)電晶體效能和存儲(chǔ)器進(jìn)展，系統(tǒng)高度整合，透過新的節(jié)點(diǎn)獲益。

摩爾定律（Moore’s law）是指積體電路上可容納的電晶體數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也提升一倍，近年，由于電晶體尺寸縮小速度趨緩，業(yè)界對(duì)于摩爾定律是否已到盡頭的爭(zhēng)論不斷。

臺(tái)積電：摩爾定律仍活躍 未來晶圓可能1納米最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先進(jìn)技術(shù)研發(fā)中心有限公司副總經(jīng)理秦舒表示，摩爾定律的延伸受到物理極限、巨額資金投入等多重壓力，迫切需要新的技術(shù)延續(xù)工藝進(jìn)步，通過先進(jìn)封裝集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高密度集成、體積微型化和更低的成本，使得“后摩爾定律”得以繼續(xù)。

而采用以TSV為核心的高密度三維集成技術(shù)(3D IC）是未來封裝領(lǐng)域的主導(dǎo)技術(shù)，3D IC與CMOS技術(shù)和特色工藝一起，構(gòu)成后摩爾時(shí)代集成電路發(fā)展的三大支撐技術(shù)。

封裝要貼近技術(shù)發(fā)展的需求，封裝要貼近市場(chǎng)的需求和應(yīng)用的需求，而面向物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G、毫米波、光電子領(lǐng)域的特色制造技術(shù)和定制化封裝工藝，是實(shí)現(xiàn)中國(guó)集成電路特色引領(lǐng)的戰(zhàn)略選擇。過去我們談封裝，大家看的比較多是我有幾條腿引出來，現(xiàn)在都是定制化了，不是給你幾條腿，現(xiàn)在多一點(diǎn)的是128條腿，甚至可以做到幾千個(gè)腳、幾千個(gè)引線，這就是定制化設(shè)置，根據(jù)需求設(shè)置，這就是封裝貼近技術(shù)發(fā)展的需求。

現(xiàn)在應(yīng)用很多，也相應(yīng)的要求封裝多元化。比如人工智能、高性能計(jì)算，要求封裝的類型是3D SRAM的ASIC，還有終端可擴(kuò)展計(jì)算系統(tǒng)。比如數(shù)據(jù)中心，需要的封裝是包含HBM、ASIC和3D SRAM的大尺寸2.5D封裝，包含L3緩存分區(qū)的分離芯片的3D ASIC，包含多個(gè)光纖陣列的硅光子MCM。比如汽車電子，需求是駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）雷達(dá)設(shè)備的扇出封裝，電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中使用的MCU、電源管理系統(tǒng)的WB和IGBT封裝模組。比如5G射頻、毫米波，對(duì)于封裝的要求是包含多款異質(zhì)芯片的多芯片模組（例如LNA、PA、Switch和濾波器等），包含TSV Last工藝的3D集成以及集成天線和被動(dòng)元器件需求。

TSV先進(jìn)封裝市場(chǎng)預(yù)測(cè)。預(yù)計(jì)2022年TSV高端產(chǎn)品晶圓出片量為60多萬(wàn)片；盡管數(shù)量有限，但由于晶片價(jià)值高，仍能產(chǎn)生高收入。而高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）正在成為大帶寬應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。智能手機(jī)中成像傳感器的數(shù)量不斷增加，計(jì)算需求不斷增長(zhǎng)，促使3D SOC市場(chǎng)擴(kuò)增。預(yù)計(jì)未來五年，12寸等效晶圓的出貨數(shù)量將以20％的CAGR增加，從2016年的1.3M增加到2022年的4M。TSV在低端產(chǎn)品中的滲透率將保持穩(wěn)定，其主要增長(zhǎng)來源是智能手機(jī)前端模塊中的射頻濾波器不斷增加，以支持5G移動(dòng)通信協(xié)議中使用的不同頻帶。

2.5D Interposer市場(chǎng)前景。TSV Interposer是一種昂貴而復(fù)雜的封裝工藝技術(shù)，成本是影響2.5D市場(chǎng)應(yīng)用的關(guān)鍵因素，需要進(jìn)一步降低封裝或模塊的總體成本。2016年到2022年，3D硅通孔和2.5D市場(chǎng)復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)20%；截至2022年，預(yù)計(jì)投產(chǎn)400萬(wàn)片晶圓。其市場(chǎng)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力主要來自高端圖形應(yīng)用、高性能計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心對(duì)3D存儲(chǔ)器應(yīng)用的需求增長(zhǎng)，以及指紋識(shí)別傳感器、環(huán)境光傳感器、射頻濾波器和LED等新應(yīng)用的快速發(fā)展；由于TSV Less 低成本技術(shù)的發(fā)展，2021年TSV Interposer市場(chǎng)的增速放緩，部分TSV Less技術(shù)將逐步替代TSV Interposer以實(shí)現(xiàn)2.5D；但部分市場(chǎng)預(yù)測(cè)，TSV Less技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化將會(huì)延遲；同時(shí)，為滿足高性能計(jì)算市場(chǎng)，對(duì)TSV Interposer的需求持續(xù)增長(zhǎng)。TSV Interposer將繼續(xù)主導(dǎo)2.5D市場(chǎng)，像TSMC&UMC這樣的參與者將擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足市場(chǎng)需求?？傮w來看，TSV Interposer 仍具有強(qiáng)勁的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

總結(jié)來看，目前約75%左右的異質(zhì)異構(gòu)集成是通過有機(jī)基板進(jìn)行集成封裝，這其中大部分是SiP。余下的約25%是采用其他基板實(shí)現(xiàn)異質(zhì)異構(gòu)集成，這其中包含了硅轉(zhuǎn)接板、fanout RDL以及陶瓷基板等。隨著集成電路制造工藝節(jié)點(diǎn)的不斷提高，成本卻出現(xiàn)了拐點(diǎn)，無論從芯片設(shè)計(jì)、制造的難度，還是成本，多功能系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)越來越需要SiP和異質(zhì)異構(gòu)集成。隨著人工智能和5G的發(fā)展，系統(tǒng)追求更高的算力、帶寬，芯片的尺寸和布線密度也都在不斷提高，使得2.5D封裝的需求開始增加。2.5D系統(tǒng)集成封裝涉及的技術(shù)和資源包含前道晶圓工藝、中道封裝工藝和后道組裝工藝，是很復(fù)雜的集成工藝，目前掌握全套技術(shù)的公司較少。

先進(jìn)封裝技術(shù)使得后摩爾定律得以繼續(xù)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近日，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司聯(lián)席CEO趙海軍表示，摩爾紅利和市場(chǎng)細(xì)分是未來發(fā)展兩大動(dòng)力。

趙海軍說，集成電路具有周期性，一是在經(jīng)濟(jì)發(fā)展過程中每四五年有一個(gè)周期，二是每一年都有周期。今年預(yù)計(jì)是整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的“小年”，主要原因有三個(gè)：一是去年和前年存儲(chǔ)器價(jià)格漲得太高，現(xiàn)在價(jià)格在回落到比較合理的價(jià)位。二是今年大家都熱切等待著5G、人工智能的出現(xiàn)，很多市場(chǎng)都不投入新的產(chǎn)品，因?yàn)榻衲晖度刖褪且粋€(gè)過渡期。三是國(guó)際貿(mào)易波動(dòng)的影響，有人急著轉(zhuǎn)移產(chǎn)業(yè)鏈，這些都對(duì)我們行業(yè)產(chǎn)生了影響。但中國(guó)的情況可能與全球的情況有所不同。

現(xiàn)在集成電路行業(yè)有幾個(gè)特點(diǎn)，第一是整個(gè)集成電路的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)是由手機(jī)驅(qū)動(dòng)，同樣的邏輯電路，以前主要是電腦驅(qū)動(dòng)發(fā)展，現(xiàn)在是手機(jī)驅(qū)動(dòng)發(fā)展，手機(jī)里面里的CPU芯片即AP，它的運(yùn)算速度、功能架構(gòu)、密度和耗能在驅(qū)動(dòng)集成電路發(fā)展，過去臺(tái)積電、三星、英特爾這樣的公司有非常成功的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。

第二是英特爾在2011年成功打造了22納米的FinFET技術(shù)，這之后它的器件基本保持22納米，所以很多企業(yè)從22納米、14納米，一直做到7納米，因?yàn)槠渲袥]有太大區(qū)別。

第三是市場(chǎng)生態(tài)在發(fā)生變化，手機(jī)能力在演進(jìn)，手機(jī)正在變成一個(gè)數(shù)據(jù)處理中心；人工智能在發(fā)展，要實(shí)現(xiàn)比較理想的性能，需要用到7納米，目前7納米以上實(shí)現(xiàn)的人工智能受到了極大限制，但是7納米以下有新的推動(dòng)力；在5G影響下，物聯(lián)網(wǎng)也會(huì)和5G一起發(fā)展起來。

趙海軍說，全球代工業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)是技術(shù)、生態(tài)、平臺(tái)都在發(fā)展，所以現(xiàn)在談集成電路制造不談工藝技術(shù)，而是將設(shè)計(jì)、工藝與封裝連在一起談。

未來的發(fā)展有兩個(gè)動(dòng)力：第一個(gè)是摩爾紅利還在，用戶用同樣的錢可以買到更好的性能、更多的功能。這樣可以在第二年用同樣的1000元買到比今年更好的手機(jī)，這是靠摩爾定律實(shí)現(xiàn)的紅利，如果技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)，一直發(fā)展到1納米摩爾紅利還存在。

第二個(gè)巨大的推動(dòng)力是產(chǎn)品市場(chǎng)的細(xì)致劃分，原來八寸長(zhǎng)的不能做CPU，現(xiàn)在也在蓬勃發(fā)展?，F(xiàn)在同時(shí)建的八寸的生產(chǎn)線有十幾條，原因是做不同的東西要求越來越極致，生態(tài)、設(shè)計(jì)和制造會(huì)捆綁在一起，無論存量還是增量，代工來者不拒。因?yàn)槭袌?chǎng)無窮大，像快餐店一樣，誤打誤撞也可以取得成功。

趙海軍說，縱觀國(guó)內(nèi)代工的發(fā)展歷史，我選擇了一個(gè)詞是“因?yàn)檫x擇，所以不同”。在19年的發(fā)展歷程中，以中芯國(guó)際為例，存儲(chǔ)器廠做了一年半以后廢掉，因?yàn)楦冗M(jìn)的產(chǎn)品和技術(shù)出現(xiàn)了，舊廠沒有用了，得不到用戶認(rèn)可。2011年以后，中國(guó)的代工技術(shù)逐漸成熟，也有自己的PDK、IP等，使中國(guó)的設(shè)計(jì)公司也可以來這里代工。

大家相信中國(guó)的集成電路一定出現(xiàn)野蠻的生長(zhǎng)時(shí)期，做的辦法就是“面多了加水，水多了加面”。國(guó)內(nèi)的代工廠有四個(gè)選擇，做領(lǐng)導(dǎo)者，做變革者，做跟隨者或者利基者，國(guó)內(nèi)基本選擇的都是做快速的跟隨者。實(shí)現(xiàn)的方式是爭(zhēng)取做大客戶、大平臺(tái)、大技術(shù)、大幾率事件的第二供應(yīng)商，做成以后再實(shí)現(xiàn)在細(xì)分市場(chǎng)做第一供應(yīng)商。戰(zhàn)略跟隨的方法就是產(chǎn)能、低價(jià)、高質(zhì)、快速。? ?

未來驅(qū)動(dòng)代工業(yè)的發(fā)展主要是四個(gè)領(lǐng)域，分別是移動(dòng)通信、數(shù)據(jù)流、互聯(lián)網(wǎng)或者是萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)、電動(dòng)汽車。未來的主流是先進(jìn)工廠，目前手機(jī)里面約有14-15個(gè)集成塊，只有一個(gè)CPU和三個(gè)存儲(chǔ)器的四個(gè)集成塊是由最先進(jìn)的技術(shù)驅(qū)動(dòng)發(fā)展的。其他的都是成熟技術(shù)，而之所以成熟技術(shù)沒有表現(xiàn)出成長(zhǎng)，是因?yàn)樵瓉淼南冗M(jìn)技術(shù)不斷地變?yōu)槌墒旒夹g(shù)，成熟技術(shù)是跟隨先進(jìn)技術(shù)在發(fā)展。實(shí)際上去年的新工廠就是今年的成熟工廠。

趙海軍說，中國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，今年大約占45%-47%。國(guó)內(nèi)已經(jīng)有了這么大的需求量，但國(guó)內(nèi)已經(jīng)有的供給還是非常小的。所以這里可以看到，一方面說明我們前途巨大，另一方面也說明有一些根深蒂固本質(zhì)上的原因在阻礙著，要想更大就要克服這些阻礙。

第一個(gè)阻礙是最先進(jìn)的技術(shù)，先進(jìn)制程已經(jīng)變成了小眾群體，是VIP俱樂部，這個(gè)俱樂部要有錢、有技術(shù)，最重要的是做到兩點(diǎn)，一是準(zhǔn)時(shí)交付，二是綁定客戶。

中芯國(guó)際目前在北京、天津、上海、深圳設(shè)有基地，在國(guó)外也建立了銷售處。每月12英寸生產(chǎn)量是10萬(wàn)片，8英寸是25萬(wàn)片。中芯國(guó)際可以從設(shè)計(jì)服務(wù)開始，一直到最后封裝、測(cè)試，為生態(tài)合作伙伴一次性做好，這對(duì)中國(guó)國(guó)內(nèi)的上千家設(shè)計(jì)公司來講是非常必要的。

趙海軍：摩爾紅利和市場(chǎng)細(xì)分是未來發(fā)展兩大動(dòng)力最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基于其不斷邁向功能復(fù)雜化、產(chǎn)品極小化的趨勢(shì)，同時(shí)持續(xù)對(duì)物理極限展開技術(shù)挑戰(zhàn)，因此在自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)與傳感器、機(jī)器人、大數(shù)據(jù)分析與智慧管理等不同面向，成熟度均領(lǐng)先于其他制造相關(guān)產(chǎn)業(yè)。對(duì)這個(gè)產(chǎn)業(yè)來說，除了如臺(tái)積電創(chuàng)辦人張忠謀所言，降低“生產(chǎn)周期”至關(guān)重要；藉由能自我檢測(cè)并調(diào)校的智能設(shè)備，讓產(chǎn)線不斷優(yōu)化，更是每家業(yè)者追求的目標(biāo)。

在5G、AI人工智能等發(fā)展浪潮下，IC應(yīng)用邁向多元化與極致效能。需求帶動(dòng)技術(shù)成長(zhǎng)，而技術(shù)成長(zhǎng)也引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需的設(shè)備相應(yīng)升級(jí)。當(dāng)工業(yè)4.0的概念逐漸落實(shí)，設(shè)備智能化也從單純的硬件升級(jí)走向軟硬整合，以達(dá)到即時(shí)資料采集及分析，并協(xié)助決策。

設(shè)備智能化的相關(guān)解決方案包含以下領(lǐng)域：運(yùn)動(dòng)控制與機(jī)器視覺、設(shè)備預(yù)防性維護(hù)、內(nèi)部閘道協(xié)定、邊緣運(yùn)算、遠(yuǎn)端控制與工業(yè)網(wǎng)絡(luò)等。為了將AI與機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)導(dǎo)入設(shè)備，以及隨之而來的更多數(shù)據(jù)及運(yùn)算需求，具備高速及高效傳輸速率的PCIe匯流排技術(shù)在工業(yè)領(lǐng)域重要性不斷提升；搭配以PC-Based為基礎(chǔ)的控制系統(tǒng)與自動(dòng)化解決方案，得以整合并滿足更多復(fù)雜設(shè)備的需求。

以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)后段的測(cè)試、組裝、封裝等制程為例，由于封裝速度大躍進(jìn)，在達(dá)到高度精確的同時(shí)，還得保有高產(chǎn)能，因此需要更精準(zhǔn)的運(yùn)動(dòng)控制視覺檢測(cè)系統(tǒng)，還必須易于安裝與維護(hù)，讓產(chǎn)線隨時(shí)處在最佳狀態(tài)。

運(yùn)動(dòng)控制

運(yùn)動(dòng)控制是自動(dòng)化的核心技術(shù)，透過對(duì)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的位置、速度等進(jìn)行即時(shí)管理，能使設(shè)備按照預(yù)期的軌跡和規(guī)定的參數(shù)進(jìn)行動(dòng)作。

而目前基于乙太網(wǎng)的現(xiàn)場(chǎng)匯流排的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)EtherCAT（乙太網(wǎng)控制自動(dòng)化技術(shù)），由于具備極短的通訊周期與精確的同步時(shí)間，在自動(dòng)化控制領(lǐng)域中成為主流。

EtherCAT的解決方案包含PCI/PCIe運(yùn)動(dòng)控制卡搭配工業(yè)電腦、PAC模組化控制器，以及一體式控制器等，能應(yīng)付不同制造場(chǎng)景。其中像是研華科技（Advantech）推出的PCIE-1203L-64AE運(yùn)動(dòng)控制卡，因?yàn)榫邆湟韵乱?guī)格，成為分散式EtherCAT解決方案中的強(qiáng)力產(chǎn)品，包括：667MHz雙核ARM處理器、2個(gè)EtherCAT端口供給高性能的運(yùn)動(dòng)和I/O應(yīng)用、支援通用運(yùn)動(dòng)軟件開發(fā)套件（SDK）可快速開發(fā)應(yīng)用程序、最多支援64軸運(yùn)動(dòng)控制、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)移動(dòng)、2軸線性插補(bǔ)，并且支援可編程加速/減速率以及可編程中斷等。

機(jī)器視覺與影像擷取

機(jī)器視覺則因?yàn)橛幸龑?dǎo)（定位）、量測(cè)、檢測(cè)、與判讀條碼/光學(xué)字元識(shí)別（OCR）等用途，在納米等級(jí)的半導(dǎo)體制程中，不但能協(xié)助機(jī)器手臂定位加工，也能提升檢測(cè)品質(zhì)，并在最后IC成品裝料打包時(shí)記錄生產(chǎn)批量?jī)?nèi)容，讓效率不會(huì)受人力波動(dòng)及疏失影響而減低。研華科技專為工業(yè)和視覺應(yīng)用而設(shè)計(jì)的PCIE-1154-AE影像擷取卡，具有4個(gè)PCIe以及4個(gè)USB 3.0端口可以擴(kuò)充，配備Fresco FL1100 USB 3.0主機(jī)控制器和5 Gbps的獨(dú)立頻寬，還可供應(yīng)1500 mA電流，以確保外部工廠自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用的USB相機(jī)穩(wěn)定供電。

資料采集

而為了監(jiān)控設(shè)備狀態(tài)、并且隨時(shí)能夠進(jìn)行調(diào)校、優(yōu)化流程甚至是進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)，則需要藉由傳感器和平臺(tái)上的量測(cè)軟件，將偵測(cè)到的各種參數(shù)轉(zhuǎn)為數(shù)位訊號(hào)，透過USB、PCI、PCIe或乙太網(wǎng)等匯流排送到主機(jī)中進(jìn)行分析處理。如PCIE-1816-AE的多重功能卡，可用于不同類別的資料（訊號(hào)）采集，其具備16個(gè)類比輸入，最高達(dá)1 MS/s、16位分辨率，支援A/O的類比和數(shù)位觸發(fā)器以及AO波形生成，還有24個(gè)可編程的數(shù)位I/O線，以及4K樣本FIFO存儲(chǔ)器。

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁入后摩爾定律時(shí)代，復(fù)雜制程迫使終端設(shè)備必須愈趨智慧化，PC-Based控制系統(tǒng)與分散式運(yùn)算架構(gòu)因強(qiáng)大的效能、高開放性與運(yùn)算能力，讓PCIe模組化解決方案得以滿足系統(tǒng)整合商與工廠經(jīng)營(yíng)者的升級(jí)需求，幫助設(shè)備更聰明。

后摩爾定律時(shí)代，半導(dǎo)體制程智慧化刻不容緩最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近年來，對(duì)于在過去50年推動(dòng)半導(dǎo)體制程前進(jìn)的摩爾定律是否能繼續(xù)前行這個(gè)話題，一直備受爭(zhēng)議。但除了英特爾外，晶圓代工龍頭臺(tái)積電亦是摩爾定律的忠實(shí)推動(dòng)者。日前，臺(tái)積電高管發(fā)表博客，再次表態(tài)將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律，喊話“摩爾定律未死”。

臺(tái)積電全球營(yíng)銷主管Godfrey Cheng在官網(wǎng)發(fā)表博客，表示摩爾定律實(shí)際上被誤稱為一種定律，因?yàn)樗鼫?zhǔn)確地將其描述為歷史觀察和未來預(yù)測(cè)半導(dǎo)體器件或芯片中晶體管數(shù)量的指導(dǎo)。這些觀察和預(yù)測(cè)在過去幾十年中基本上都是正確的。但在我們即將邁入新的十年之際，一些人似乎認(rèn)為摩爾定律已死。

Godfrey Cheng在博文中解釋了摩爾定律的由來及相關(guān)知識(shí)，言語(yǔ)中強(qiáng)調(diào)摩爾定律未死。他舉例表示，計(jì)算性能并沒有因?yàn)閱蝹€(gè)晶體管的時(shí)鐘速度而提高，而是通過在一個(gè)計(jì)算問題上投入更多的晶體管來提高計(jì)算性能，而在同一區(qū)域內(nèi)壓縮更多晶體管的方法是密度，即指給定二維區(qū)域內(nèi)晶體管的數(shù)量。

他指出，之所以關(guān)心芯片面積，是因?yàn)樾酒杀九c芯片面積成正比。摩爾在1965年的論文中明確指出，每個(gè)組件的制造成本與芯片上晶體管的總數(shù)之間存在關(guān)系。有些人認(rèn)為摩爾定律已死，因?yàn)樗麄冋J(rèn)為晶體管不肯能再繼續(xù)縮小了，Godfrey Cheng在文中談及了一些計(jì)算問題以及關(guān)于如何改進(jìn)密度等問題。

值得一提的是，Godfrey Cheng提到臺(tái)積電近期推出的5nm極紫外EUV制程技術(shù)（N5P）。N5P是臺(tái)積電5nm制程的增強(qiáng)版，采用FEOL和MOL優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片運(yùn)行速度提高7%，或在相同頻率下將功耗降低15%。他表示臺(tái)積電的N5P工藝擴(kuò)大了他們?cè)谙冗M(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，該工藝將提供世界上最高的晶體管密度和最強(qiáng)的性能。

Godfrey Cheng進(jìn)一步表示，在了解了臺(tái)積電的技術(shù)路線圖后，他可以很有把握地說，臺(tái)積電在未來多年將繼續(xù)開拓創(chuàng)新，將繼續(xù)縮小單個(gè)晶體管的體積，并繼續(xù)提高密度。在未來的幾個(gè)月、幾年里，將可聽到更多臺(tái)積電向新節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的消息。

事實(shí)上，目前臺(tái)積電對(duì)外公布的技術(shù)路線規(guī)劃已到2nm。6月18日，臺(tái)積電在上海舉辦2019中國(guó)技術(shù)論壇，臺(tái)積電總裁魏家哲介紹了先進(jìn)工藝的發(fā)展規(guī)劃。如今，臺(tái)積電7nm制程已量產(chǎn)，而其規(guī)劃量產(chǎn)的工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)來到5nm，研發(fā)方面則推進(jìn)到3nm，近期還官宣2nm研發(fā)啟動(dòng)。

根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電5nm工藝將于明年上半年量產(chǎn)；3nm工藝方面，臺(tái)積電表示進(jìn)展順利，已有早期客戶參與進(jìn)來，有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)；2nm工藝新廠設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹的南方科技園，預(yù)計(jì)2024年投產(chǎn)。

據(jù)了解，臺(tái)積電2nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track（金屬單元高度）和3nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch（晶體管柵極間距）縮小到30nm，Metal Pitch（金屬間距）縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

除了先進(jìn)制程外，Godfrey Cheng還提及了系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)，這也是延續(xù)摩爾定律的一個(gè)重要方向。他表示，臺(tái)積電已經(jīng)能通過先進(jìn)的封裝技術(shù)將邏輯內(nèi)核與存儲(chǔ)器緊密集成，將利用先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)密度，進(jìn)一步增加晶體管的密度。

Godfrey Cheng表示，摩爾定律是關(guān)于增加密度，除了通過先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)密度，臺(tái)積電將繼續(xù)在晶體管級(jí)別增加密度，有許多路徑可用于未來的晶體管密度改進(jìn)，“摩爾定律并未死亡”。

商務(wù)合作請(qǐng)加微信：izziezeng

加入集邦半導(dǎo)體交流群，請(qǐng)加微信：DRAMeXchange2019

摩爾定律已死？或許還有其他走向最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

“摩爾定律未死！”這句話如果是Intel公司說的，一點(diǎn)都沒有懸念，畢竟摩爾定律的提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人，50多年來Intel也是摩爾定律最堅(jiān)定的捍衛(wèi)者。不過今天這句話是臺(tái)積電而非Intel說的，他們也要繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律。

臺(tái)積電全球營(yíng)銷主管Godfrey Cheng今天在官網(wǎng)發(fā)表博客，解釋了摩爾定律的由來及內(nèi)容，這些是老生常談的話題了，而他的意思就是強(qiáng)調(diào)摩爾定律沒死，只不過現(xiàn)在繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律的是臺(tái)積電而非其他公司了（Intel聽到臺(tái)積電如此表態(tài)不知道是什么滋味）。

Godfrey Cheng提到了臺(tái)積電最近宣布的N5P工藝，這是臺(tái)積電5nm工藝的增強(qiáng)版，優(yōu)化了前端及后端工藝，可在同等功耗下帶來7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低15％。

Godfrey Cheng表示臺(tái)積電的N5P工藝擴(kuò)大了他們?cè)谙冗M(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，該工藝將提供世界上最高的晶體管密度，還有最強(qiáng)的性能。

N5P工藝還不是臺(tái)積電的重點(diǎn)，Godfrey Cheng表示未來幾個(gè)月、幾年里還會(huì)看到臺(tái)積電公布的最新進(jìn)展，他們會(huì)繼續(xù)縮小晶體管并提高密度。

除了先進(jìn)工藝之外，Godfrey Cheng還重點(diǎn)提到了臺(tái)積電在系統(tǒng)級(jí)封裝上的路線圖，這也是延續(xù)摩爾定律的一個(gè)重要方向，下圖就是臺(tái)積電展示的一個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝芯片，總面積高達(dá)2500mm2，是世界上最大的芯片，包括2個(gè)600mm2的核心及8組HBM內(nèi)存，后者核心面積也有75mm2。

最后，Godfrey Cheng這篇文章還是給即將開始的Hotchips國(guó)際會(huì)議預(yù)熱，臺(tái)積電的首席研究員Philip Wong博士會(huì)在這次會(huì)議上發(fā)表“下一個(gè)半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)給我們帶來什么”的演講，屆時(shí)會(huì)公布更多信息。

臺(tái)積電：摩爾定律未死 我們的5nm工藝密度、性能最強(qiáng)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

處理器大廠美商超微（AMD）執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐（Lisa Su）在美西時(shí)間8日正式發(fā)表第二代EPYC服務(wù)器處理器，是業(yè)界首款采用7納米打造的服務(wù)器處理器。蘇姿豐表示，超微仍會(huì)與臺(tái)積電等晶圓代工廠合作持續(xù)進(jìn)行制程微縮，摩爾定律仍然有效，只是推進(jìn)的速度變慢。

蘇姿豐強(qiáng)調(diào)，要在制程微縮時(shí)獲得效能提升，可以透過創(chuàng)新芯片架構(gòu)、異質(zhì)整合平臺(tái)、小芯片（Chiplet）系統(tǒng)級(jí)封裝等創(chuàng)新方法來達(dá)到目標(biāo)。根據(jù)超微提供資料，7納米Zen 2架構(gòu)每執(zhí)行緒能較14納米Zen架構(gòu)高出32%，其中增加幅度的60%來自于架構(gòu)創(chuàng)新帶來的每時(shí)脈周期（IPC）提升，另外40%則來自于提高運(yùn)算時(shí)脈及采用7納米制程。

摩爾定律是否已經(jīng)失效，是近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最常被提及的議題。然而2004年90納米推出之后，歷經(jīng)65納米、45納米等制程微縮，至2012年的22納米為止，仍然符合摩爾定律。但22納米到2015年進(jìn)入14納米，至今再進(jìn)入10納米或7納米，摩爾定律的推進(jìn)已經(jīng)明顯放慢。

但制程微縮卻讓半導(dǎo)體生產(chǎn)成本大幅增加，以250平方公厘（mm2）的芯片來看每mm2的成本變化，若以45納米為基準(zhǔn)的1，7納米的每mm2成本已接近增加4倍，而若再微縮進(jìn)入5納米，每mm2成本將增加5倍。然而理論上制程微縮應(yīng)可讓芯片尺寸縮小，但因?yàn)楣δ苷显?，不論是處理器或繪圖芯片，制程持續(xù)微縮反而看到芯片尺寸持續(xù)變大。

在此一情況下，摩爾定律的推進(jìn)能夠帶來效益提升自然受到限制。蘇姿豐認(rèn)為，創(chuàng)新芯片架構(gòu)、異質(zhì)整合平臺(tái)、小芯片系統(tǒng)級(jí)封裝等創(chuàng)新方法，就可以在制程微縮情況下，帶來更多的效能提升或是功耗降低。

以超微第二代EPYC服務(wù)器處理器來看，采用Zen 2創(chuàng)新架構(gòu)并搭配7納米制程，再以小芯片方式將I/O芯片組等異質(zhì)芯片整合在同一封裝中，可達(dá)到最高64核心的單芯片。至于異質(zhì)芯片之間則透過Infinity Fabric芯片互連技術(shù)及PCIe Gen 4高速匯流排傳輸協(xié)定，確保處理器及系統(tǒng)本身可達(dá)到更高運(yùn)算效能目標(biāo)。

AMD執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐：摩爾定律推進(jìn)明顯放慢最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。

近期電子科技大學(xué)張波教授提出“特色工藝將成為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的機(jī)遇”，由于有獨(dú)特的見解，已引發(fā)業(yè)界的贊許。

特色工藝這個(gè)詞有些“新”，但是經(jīng)張波教授的解釋，它原是摩爾定律的三個(gè)方向之一，英語(yǔ)叫“More Than Moore”，之前的譯名為“超越摩尓定律”。

張波教授把“特色工藝”稱為“非尺寸依賴”， 是指器件價(jià)值或者性能的提升，不完全靠尺寸縮小，而是通過功能的增加。

實(shí)際上定律延續(xù)50多年來，半導(dǎo)體業(yè)的驅(qū)動(dòng)力有兩個(gè)，一個(gè)是尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大，顯然尺寸縮小起主要作用。

由于定律有自身的局限性，在那個(gè)時(shí)代它只能預(yù)測(cè)到晶體管的密度要增加，成本可下降，實(shí)際上它無法揭示隨之而來的功耗增大及晶體管的性能提高等。所以近期指出定律的另一個(gè)方向，”非尺寸依賴”具有指導(dǎo)意義。

為什么特色工藝成香餑餑

全球半導(dǎo)體業(yè)在2000年時(shí)銷售額達(dá)2000億美元，至2013年，經(jīng)過13年時(shí)間達(dá)到3000億美元，然而僅用了4年時(shí)間，至2017年時(shí)己上升到4000億美元，而2018年達(dá)到4700億美元，非?？赡茉?020年時(shí)達(dá)到5000億美元。它反映全球電子產(chǎn)品市場(chǎng)中硅含量的急速提升及價(jià)值鏈的體現(xiàn)。

但是從另一方面觀察，由于定律不可避免的趨向物理極限，IC設(shè)計(jì)成本的急速飆升，全球能夠繼續(xù)追蹤尺寸縮小的廠商數(shù)量越來越少，導(dǎo)致依賴工藝尺寸縮小的推動(dòng)力減弱。所以半導(dǎo)體業(yè)界試圖開辟另一個(gè)戰(zhàn)場(chǎng)，所謂特色工藝其理在其中。

依業(yè)界的觀點(diǎn)，特色工藝主要指模擬、RF、功率及MEMS，以及近期非?；馃岬?.5D、3D的堆疊封裝等。在未來20年中它非常可能成為主要推動(dòng)力之一。

按現(xiàn)在的認(rèn)識(shí)，特色工藝可能集中于8英寸硅片，及少部分的12英寸硅片中，從工藝尺寸覆蓋可能在28nm以上。顯然這個(gè)分界線逐步在改變，在2000年時(shí)12英寸硅片剛興起時(shí)，這個(gè)分界線是90nm。如今8英寸硅片逐步升級(jí)也己擴(kuò)展到65nm。這一切取決于經(jīng)濟(jì)因素，因?yàn)樯?jí)8英寸設(shè)備要投資，以及90nm以下的光刻機(jī)需要重新購(gòu)買，增加了成本。

如果采用8英寸硅片設(shè)備作特色工藝，有它的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：1)，設(shè)備的折舊期已過，節(jié)省成本；2)，250nm-130nm工藝相對(duì)成熟穩(wěn)定；3)，設(shè)備的軟件升級(jí)較少受原廠控制等。

張波教授總結(jié)特色工藝具有市場(chǎng)分散，品種眾多、與應(yīng)用關(guān)系強(qiáng)，且無壟斷企業(yè)等特點(diǎn)。

但是仔細(xì)羅列全球摸擬，RF，功率及MEMS等全球前十位廠商中，發(fā)現(xiàn)排在前列的都是歷史悠久的資深老廠，如歐洲的NXP、Infineon及STMicron及日本的Sony、東芝、三菱、富士通、瑞薩、及美國(guó)的TI、Microsemi、及ON Semi等。其中許多廠商至今仍堅(jiān)守8英寸，甚至6英寸硅片，但是有舉足輕重的地位。

據(jù)SEMI 2015年數(shù)據(jù)，2016年全球8英寸硅片的市場(chǎng)份額，模擬占11%，分立器件14%，邏輯加微處理器21%，存儲(chǔ)器占3%，代工占47%及MEMS加其它占4%。

另?yè)?jù)SEMI 2016年數(shù)據(jù)，2017年全球晶圓產(chǎn)能為每月1790萬(wàn)片(8inch計(jì))，其中8英寸產(chǎn)能為月產(chǎn)520萬(wàn)片，約占不到1/3，其中前十大8英寸廠的產(chǎn)能占總產(chǎn)能的54%。

特色工藝在中國(guó)

據(jù)廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)總經(jīng)理王匯聯(lián)的數(shù)據(jù)，2018年中國(guó)在建及規(guī)劃Fab產(chǎn)線總共33條，包括21條12英寸線、11條8英寸線，其中特色工藝線16條、邏輯產(chǎn)線9條、存儲(chǔ)產(chǎn)線8條。SEMI數(shù)據(jù)顯示中國(guó)晶圓產(chǎn)能2019年占到全球16%，到2020年將增至20%。

其中的趨勢(shì)是中芯國(guó)際，代工業(yè)的領(lǐng)頭羊，除了在國(guó)家資金等支持下，開發(fā)14nm及以下邏輯制程工藝之外，積極擴(kuò)充它的8英寸產(chǎn)能，包括天津，深圳，寧波，紹興等地，而原本生存得很滋潤(rùn)的華虹，華潤(rùn)微電子，士蘭等，卻由8英寸延伸至12英寸，目的都是為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化，跨入特色工藝中。

實(shí)際上企業(yè)的決策才是最真實(shí)的反映，它們的感覺十分靈敏及深刻。那么多條特色工藝生產(chǎn)線的興建，至少反映現(xiàn)階段它可能適合于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的需要。

因?yàn)閺漠a(chǎn)業(yè)利益出發(fā)，現(xiàn)階段由中芯國(guó)際，華力微積極跟蹤14nm及以下邏輯制程，以及由長(zhǎng)江存儲(chǔ)做3D NAND閃存，合肥長(zhǎng)鑫做19nmDRAM等都是很有必要，首先要解決“0”到“1”的突破問題，具備能力之后才逐步擴(kuò)充產(chǎn)能。顯然這段路十分崎嶇，投資巨大及周期長(zhǎng)，技術(shù)難度高，未來產(chǎn)品市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力將經(jīng)受考驗(yàn)。

而絕大部分的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)，它們首要任務(wù)是求生存，能實(shí)現(xiàn)盈利，所以讓它們?nèi)プ粉櫠?，或者嘗試存儲(chǔ)器的IDM模式量產(chǎn)是不客觀的。所以它們紛紛轉(zhuǎn)向選擇特色工藝可能是必由之路。

分析中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在代工業(yè)中8英寸制程與全球的先進(jìn)水平接近，有一定優(yōu)勢(shì)，但是在非邏輯制程中，如模擬、高壓、MEMS、包括IDM模式的產(chǎn)品等方面可能差距較大。

另?yè)?jù)張波教授的資料，采用特色工藝可能有助于提高國(guó)產(chǎn)化率。因?yàn)橹袊?guó)進(jìn)口集成電路的均價(jià)只有7毛五，不足一美元。其中進(jìn)口了大量每塊價(jià)值達(dá)數(shù)百美元的高端CPU，同時(shí)也大量進(jìn)口了不需要先進(jìn)工藝的分立器件、電源管理IC、微控制器等。因此釆用特色工藝，國(guó)產(chǎn)替代的空間非常巨大。

顯然在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展不可能有一條“捷徑”，做特色工藝是機(jī)遇與風(fēng)險(xiǎn)同在。因?yàn)閷?duì)手都十分強(qiáng)大，經(jīng)驗(yàn)豐富，而我們是“追趕者”，從先天性方面不存在優(yōu)勢(shì)，僅僅是由于市場(chǎng)機(jī)會(huì)多，產(chǎn)品分散，與應(yīng)用結(jié)合強(qiáng)，而中國(guó)擁有全球最大的市場(chǎng)，具這樣的優(yōu)勢(shì)地位有可能讓我們從中分得一杯羹。

企業(yè)成功的要素取決于市場(chǎng)空間，技術(shù)能力及時(shí)機(jī)，關(guān)鍵要有一位強(qiáng)有力的CEO。

近期貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的影響不可小視，一個(gè)是電子產(chǎn)業(yè)鏈有部分外移出中國(guó)，另一個(gè)是美國(guó)的封鎖持續(xù)加緊等，導(dǎo)致中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要維持年均增長(zhǎng)率達(dá)20%可能有一定難度。不過事物有它的“兩重性”，有時(shí)“壞事”也可能變成“好事”，如貿(mào)易戰(zhàn)下促使部分人才加速回流，以及在外壓力下能激發(fā)斗志，更加團(tuán)結(jié)，有可能取得更大的成績(jī)。

莫大康：特色工藝穩(wěn)步推進(jìn)最先出現(xiàn)在北京中代科技有限公司。