4月22日，格芯官網(wǎng)宣布將其位于美國紐約州East Fishkill的300mm (12英寸) Fab 10晶圓廠賣給安森美半導(dǎo)體。

安森美4.3億美元收購格芯Fab 10

格芯與安森美半導(dǎo)體宣布，他們已就安森美半導(dǎo)體收購格芯位于紐約East Fishkil的300mm晶圓廠達(dá)成最終協(xié)議。這次收購總代價(jià)為4.3億美元，其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時(shí)支付，并且將在2022年底支付3.3億美元。

交易完成后，安森美半導(dǎo)體將獲得該工廠的全面運(yùn)營控制權(quán)，該工廠的員工也將過渡到安森美半導(dǎo)體。該交易的完成須經(jīng)監(jiān)管部門批準(zhǔn)和其他慣例成交條件。

此外，該協(xié)議允許安森美半導(dǎo)體在幾年內(nèi)在East Fishkill工廠增加300mm的生產(chǎn)，并允許格芯將其眾多技術(shù)轉(zhuǎn)移到該公司另外三個(gè)規(guī)模的300mm工廠。格芯將為安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)300mm晶圓，直至2022年底。安森美半導(dǎo)體首批300mm晶圓生產(chǎn)預(yù)計(jì)將于2020年開始。

收購協(xié)議還包括技術(shù)轉(zhuǎn)讓和開發(fā)協(xié)議以及技術(shù)許可協(xié)議，這提供了經(jīng)驗(yàn)豐富的300mm制造和開發(fā)團(tuán)隊(duì)，使安森美半導(dǎo)體晶圓工藝從200mm轉(zhuǎn)換為300mm。安森美半導(dǎo)體還將立即獲得先進(jìn)的CMOS功能，包括45納米和65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。這些流程將成為安森美半導(dǎo)體未來技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)。

對于這次收購，安森美半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官凱斯杰克遜表示，收購格芯East Fishkill 300mm晶圓廠是格芯在電源和模擬半導(dǎo)體領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位的又一重大舉措。他表示，這起收購將增加未來幾年的額外容量，以支持公司電力和模擬產(chǎn)品的增長，實(shí)現(xiàn)增量制造效率，并加快實(shí)現(xiàn)目標(biāo)財(cái)務(wù)模式的進(jìn)程。

“我對這次收購為兩家公司的客戶、股東和員工創(chuàng)造機(jī)會(huì)感到非常興奮，并期待在未來幾年與格芯成功合作?！?/p>

格芯進(jìn)一步精簡版圖、優(yōu)化資產(chǎn)

自去年以來，格芯開始了一系列的收縮性調(diào)整。

2018年8月，格芯宣布將擱置7納米FinFET項(xiàng)目，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。 格芯副總裁兼大中華區(qū)總經(jīng)理白農(nóng)后來在活動(dòng)上表示，在擱置7nm研發(fā)后，格芯的新發(fā)展方向是將研發(fā)注重于提供有差異化和特色的專項(xiàng)工藝平臺(tái)和產(chǎn)品。

2018年10月，格芯與成都合作伙伴簽署了投資合作協(xié)議修正案，宣布將取消對成熟工藝技術(shù)（180nm/130nm）的原項(xiàng)目一期投資。同時(shí)將修訂項(xiàng)目時(shí)間表，以更好地調(diào)整產(chǎn)能，滿足基于中國的對差異化產(chǎn)品的需求，包括格芯的22FDX技術(shù)。

2019年1月，世界先進(jìn)與格芯宣布，世界先進(jìn)將購買格芯公司位于新加坡Tampines的Fab 3E 8英寸晶圓廠廠房、廠務(wù)設(shè)施、機(jī)器設(shè)備及MEMS智財(cái)權(quán)及業(yè)務(wù)。此交易金額總計(jì)2.36億美元，預(yù)計(jì)2019年12月31日交割。格芯表示，這是格芯全球制造藍(lán)圖優(yōu)化策略的一部分。

對于新加坡Fab 3E廠的出售，格芯表示這是基于戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型做出的決策，以持續(xù)關(guān)注技術(shù)投資，為客戶提供最大的價(jià)值，可使格芯能夠精簡在全球制造業(yè)的版圖，將新加坡業(yè)務(wù)的重點(diǎn)放在擁有明顯差異化的技術(shù)上，如射頻、嵌入式儲(chǔ)存器和高級(jí)模擬功能。

如今再將紐約300mm晶圓廠出售，格芯方面表示，這是將格芯打造成世界領(lǐng)先專業(yè)代工廠的的一個(gè)變個(gè)性步驟，能夠進(jìn)一步優(yōu)化格芯的全球資產(chǎn)，加強(qiáng)對差異化技術(shù)的投資、推動(dòng)增長。

格芯這一連串調(diào)整，有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這或是意味著格芯的財(cái)務(wù)狀況不太樂觀，業(yè)界亦猜測格芯接下來仍有可能出售。不過，前不久格芯曾公開否認(rèn)將出售新加坡Fab廠，并嚴(yán)正聲明稱，“任何關(guān)于出售Fab 7廠和出售格芯的傳聞均為無稽之談”，并強(qiáng)調(diào)其目前財(cái)務(wù)狀況穩(wěn)定。

而格芯大股東的阿布達(dá)比穆巴達(dá)拉投資公司主事者阿布達(dá)比王儲(chǔ)穆罕默德(Sheikh Mohamed bin Zayed)亦曾在參訪格芯新加坡廠區(qū)后表示，格芯將一如既往地是穆巴達(dá)拉核心投資組合中不可或缺的一部分。

從數(shù)據(jù)上看，臺(tái)積電遙遙領(lǐng)先，但格芯與聯(lián)電的市占率差距已不大，格芯可謂前有王者后有強(qiáng)敵，其最終憑借收縮戰(zhàn)線、精簡版圖、專注差異化以實(shí)現(xiàn)破局，或是逐漸退出晶圓代工市場，則有待時(shí)間驗(yàn)證了。

根據(jù) 《美聯(lián)社》 的報(bào)導(dǎo)，全球晶圓代工大廠格芯 （GlobalFoundries)22日晚間宣布，與半導(dǎo)體大廠安森美 (ON Semiconductor) 達(dá)成最終協(xié)議，將格芯位于美國紐約州 East Fishkill 的 12 寸晶圓廠 Fab 10 出售給賣給安森美半導(dǎo)體，其出售的最終價(jià)格價(jià)格為 4.3 億美元 。

根據(jù)報(bào)導(dǎo)指出，在 4.3 億美元的出售金額中，1億美元將以立即支付，其余的 3.3 億元?jiǎng)t是在 2022 年底之前支付，屆時(shí)安森美將獲得該工廠的完全控制權(quán)，同時(shí)完成所有相關(guān)員工的轉(zhuǎn)移。格芯表示，隨著 12 寸晶圓廠 Fab 10 的出售，格芯除了可以獲得 4.3 億美元的現(xiàn)金之外，還可以將技術(shù)和精力轉(zhuǎn)移到其他剩余的 3 座 12 寸晶圓廠上，以優(yōu)化全球資產(chǎn)布局，強(qiáng)化差異化技術(shù)。

另一方面，從格芯手中取得這座 12 寸晶圓廠之后，安森美半導(dǎo)體將獲得 12 寸晶圓的制造能力，提升過去只有生產(chǎn) 8 寸晶圓的技術(shù)，同時(shí)立即從格芯獲得相關(guān)的制成技術(shù)和授權(quán)協(xié)議，尤其是 65 納米、45 納米等制程技術(shù)，將成為該公司其未來發(fā)展的重要基礎(chǔ)。

據(jù)了解，格芯出售給安森美半導(dǎo)體的這座位于紐約州 12 寸晶圓廠，過去曾經(jīng)屬于 IBM。2014 年 10 月，格芯收購了 IBM 的全半導(dǎo)體技術(shù)業(yè)務(wù)之后，這座工廠和位于佛蒙特州 Essex Junction 的另一座工廠都在此時(shí)歸屬格芯。只是，格芯沒想到的是，該工廠不過易主短短 4 年多的時(shí)間，此時(shí)又再度出售。而對于此工廠，格芯則將于 2020 年開始，為安森美生產(chǎn)制造 12 寸晶圓，一直到 2022 年底交易全部完成之后，屆時(shí)就完全由安森美半導(dǎo)體自己負(fù)責(zé)營運(yùn)。

事實(shí)上，自 2018 年 6 月份開始，格芯就啟動(dòng)全球了撙節(jié)計(jì)劃，其中包括了大規(guī)模的裁員。另外，包括興建中的中國成都 12 寸晶圓廠的第 2 期興建計(jì)劃暫時(shí)停止之外，格芯也在 2018 年 8 月份宣布，無限期停止 7 納米及其以下先進(jìn)制程的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有 14/12 納米 FinFET 制程和 22/12 納米 FD-SOI 制程的發(fā)展。

另外，在 2019 年 2 月初，格芯又以 2.36 億美元 (約新臺(tái)幣 72.9 億元) 的價(jià)格，將位于新加坡的 12 寸晶圓廠 Fab 3E 賣給世界先進(jìn)之后，市場又傳出格芯正在為其位于新加坡伍德蘭的 12 寸晶圓廠 Fab 7 尋找買家。不過，隨后格芯否認(rèn)了該傳聞。只是，在一連串出售旗下資產(chǎn)的動(dòng)作之后，市場開始傳言格芯有意整體打包出售。

一直以來，格芯現(xiàn)金流不佳的情況，退出晶圓代工市場的傳聞始終不斷，甚至點(diǎn)名韓國三星有意接手。只是，日前格芯大股東的阿布達(dá)比穆巴達(dá)拉投資公司主事者阿布達(dá)比王儲(chǔ)穆罕默德 (Sheikh Mohamed bin Zayed)? 在參訪格芯新加坡廠區(qū)后表示，將會(huì)對格芯鼎力支持以破除出售的謠言。不過，在當(dāng)前格芯于市場上獲利艱難，而且其他競爭對手又幾乎瓜分大部分市場的情況下，格芯還能維持多久，也引起市場的持續(xù)關(guān)注。

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4月18日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電2018年業(yè)績報(bào)告出爐。臺(tái)積電表示，2018年是公司達(dá)成許多里程碑的一年，營收、凈利與每股盈余連續(xù)七年創(chuàng)下紀(jì)錄，并成功量產(chǎn)7納米制程，并領(lǐng)先其他同業(yè)至少一年。

數(shù)據(jù)顯示，2018年臺(tái)積電全年合并營收為新臺(tái)幣10314.7億元，同比增長5.5%；稅后凈利為新臺(tái)幣3511.3億元，同比增長2.3%。若以美元計(jì)算，臺(tái)積電2018年全年合并營收為342億美元，同比增長6.5%；稅后凈利為116.4億美元，同比增長3.3%

毛利率方面，臺(tái)積電2018年毛利率為48.3%，前一年為50.6%；營業(yè)利益率為37.2%，前一年為39.4%；稅后純益率為34.0%，較前一年的稅后純益率35.1%減少了1.1個(gè)百分點(diǎn)。臺(tái)積電在報(bào)告中有提及，硅芯片價(jià)格上漲對其2018年的毛利率產(chǎn)生了負(fù)面影響。

臺(tái)積電表示，2018年主要成就包括：晶圓出貨量同比增長2.9%，達(dá)1080萬片12吋約當(dāng)晶圓量；先進(jìn)制程技術(shù)（28納米及以下更先進(jìn)制程）的銷售金額占整體晶圓銷售金額的63%，高于前一年的58%；提供261種不同的制程技術(shù)，為481個(gè)客戶生產(chǎn)10436種不同產(chǎn)品；連續(xù)9年在專業(yè)集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域之占有率持續(xù)成長，已達(dá)到56%。

在工藝制程方面，臺(tái)積電表示其7納米制程在2018年快速量產(chǎn)，已完成超過40件客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，并預(yù)計(jì)于2019年取得超過100件新的客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。第二代7納米制程技術(shù)（N7+）亦于2018年8月進(jìn)入試產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)將于2019年進(jìn)入量產(chǎn)，N7+將成為業(yè)界第一個(gè)商用極紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）微影制程技術(shù)。

同時(shí)，臺(tái)積電還表示其5納米制程技術(shù)的開發(fā)進(jìn)度十分符合預(yù)期，預(yù)計(jì)于2019年第二季進(jìn)入試產(chǎn)，客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案計(jì)劃于2019年上半年開始進(jìn)行，且預(yù)計(jì)將在2020年上半年達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。臺(tái)積電預(yù)期看到很多的客戶采用其5納米制程技術(shù)來為他們的產(chǎn)品建立領(lǐng)導(dǎo)地位。此外臺(tái)積電還提及，其3納米制程技術(shù)也已進(jìn)入全面開發(fā)的階段。

展望2019年，臺(tái)積電表示面對全球經(jīng)濟(jì)疲軟及國際間貿(mào)易緊張局勢所帶來業(yè)務(wù)上的逆風(fēng)，公司將致力于強(qiáng)化業(yè)務(wù)的基本體質(zhì)并加速技術(shù)的差異化，也將強(qiáng)化網(wǎng)絡(luò)安全以及機(jī)密信息保護(hù)措施。臺(tái)積電看好5G及AI持續(xù)的產(chǎn)業(yè)大趨勢，將會(huì)驅(qū)動(dòng)未來半導(dǎo)體業(yè)的成長。

就在16日一早，韓國晶圓代工廠三星宣布發(fā)展完成 5 納米制程，并且推出 6 納米制程，并準(zhǔn)備量產(chǎn) 7 納米制程的同時(shí)，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也在傍晚宣布，推出 6 納米 (N6) 制程技術(shù)，除大幅強(qiáng)化目前領(lǐng)先業(yè)界的 7 納米 (N7) 技術(shù)之外，還協(xié)助客戶在效能與成本之間取得高度競爭力的優(yōu)勢，同時(shí)藉由 N7 技術(shù)設(shè)計(jì)的直接移轉(zhuǎn)而達(dá)到加速產(chǎn)品上市的目標(biāo)。

根據(jù)臺(tái)積電的指出，藉由目前試產(chǎn)中的 7 納米加強(qiáng)版 (N7+) 使用極紫外光 (EUV) 微影技術(shù)所獲得的新能力，臺(tái)積電的 N6 技術(shù)的邏輯密度較 N7 技術(shù)增加 18%。同時(shí)，N6 技術(shù)的設(shè)計(jì)法則與臺(tái)積公司通過考驗(yàn)的 N7 技術(shù)完全兼容，使得 7 納米完備的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)能夠被再使用。因此，N6 提供客戶一個(gè)具備快速設(shè)計(jì)周期，且只需使用非常有限的工程資源的無縫升級(jí)路徑，支援客戶采用此項(xiàng)嶄新的技術(shù)來達(dá)成產(chǎn)品的效益。

臺(tái)積電進(jìn)一步指出，延續(xù) 7 納米家族在功耗及效能上的領(lǐng)先地位，支援多樣化的產(chǎn)品應(yīng)用，包括高階到中階行動(dòng)產(chǎn)品、消費(fèi)性應(yīng)用、人工智能、網(wǎng)通、5G 基礎(chǔ)架構(gòu)、繪圖處理器、以及高效能運(yùn)算。臺(tái)積電預(yù)估， N6 技術(shù)預(yù)計(jì)于 2020 年第1季進(jìn)入試產(chǎn)，提供客戶更多具成本效益的優(yōu)勢。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，臺(tái)積電的 N6 技術(shù)將會(huì)比目前的 N7 進(jìn)一步延續(xù)臺(tái)積電的領(lǐng)先地位，提供客戶更高的效能與成本效益。另外，臺(tái)積電建立于在 7 納米技術(shù)廣泛成功的基礎(chǔ)之上，使得臺(tái)積電深具信心使客戶也能夠藉由現(xiàn)今完備的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，迅速的從此項(xiàng)新技術(shù)之中獲取更高的產(chǎn)品價(jià)值。

雖然，目前三星目前也宣稱已經(jīng)完成 5 納米制程的研發(fā)，并準(zhǔn)備好對客戶提供樣品，同時(shí)在 6 納米制程上已經(jīng)成功流片，7 納米制程則即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。但是相比之下，臺(tái)積電 5 納米制程腳步更快，目前已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段，加上現(xiàn)在有6納米制程將在 2020 年第 1 季加入陣容，所以臺(tái)積電與三星在? 5，6，7 等制程節(jié)點(diǎn)上的競爭，似乎進(jìn)入白熱化狀態(tài)。不過，有市場人士表示，三星之前在 2018 年就已經(jīng)宣布完成 7 納米的量產(chǎn)準(zhǔn)備，但是卻是直到 2019 年才因?yàn)楫a(chǎn)線完成，能夠真正進(jìn)入生產(chǎn)的階段。如今的 5 納米，6 納米制程是不是也有這樣的情況，也值得后續(xù)觀察。

4月10日，全球晶圓代工大廠臺(tái)積電發(fā)布其3月營收報(bào)告。報(bào)告顯示，臺(tái)積電3月合并營收約為新臺(tái)幣797.22億元，環(huán)比增長30.9%、同比下降23.1%；累計(jì)1-3月，臺(tái)積電營收約為新臺(tái)幣2187.40億元，同比下降11.8%。

起初，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2019年第一季度合并營收預(yù)計(jì)介于73億美元至74億美元之間；毛利率預(yù)計(jì)介于43%至45%之間。不過后來受光阻原料事件影響，臺(tái)積電下調(diào)第一季度業(yè)績，預(yù)估第一季度營收將介于70億美元至71億美元之間（折合新臺(tái)幣營收介于2156～2186億元之間），毛利率將介于41％至43％之間。

從公布的數(shù)據(jù)來看，臺(tái)積電2019年首季營收雖然較去年有所下降，但仍達(dá)成了下調(diào)后的業(yè)績目標(biāo)。由于第一季度報(bào)廢的晶圓將于第二季度補(bǔ)足，此外傳聞華為第二季度向臺(tái)積電追加訂單，業(yè)界預(yù)測臺(tái)積電第二季度的營收和毛利率有望回升。

晶圓代工龍頭臺(tái)積電計(jì)劃在今年啟動(dòng)全球首座5納米晶圓廠，近日宣布制程進(jìn)入試產(chǎn)階段，雖然因景氣狀況傳出廠房投片速度可能放緩，供應(yīng)鏈相關(guān)人士表示，臺(tái)積電仍在全力推動(dòng)5納米晶圓廠生產(chǎn)狀態(tài)。

據(jù)《MIT科技評(píng)論中文網(wǎng)》引述供應(yīng)鏈透露，隨著全球半導(dǎo)體環(huán)境增長放緩，臺(tái)積電5納米廠之后投片速度可能會(huì)因此放慢，然而，盡管受到2019年半導(dǎo)體行業(yè)放緩，以及智能型手機(jī)市場需求日漸疲軟等因素影響，導(dǎo)致臺(tái)積電放緩今年?duì)I收預(yù)期，其對于先進(jìn)工藝的投資卻沒有停止。

臺(tái)積電的5納米晶圓廠計(jì)劃自2018年啟動(dòng)后，動(dòng)員5000多名工作人員趕工，目前已建置完成并進(jìn)入安裝機(jī)臺(tái)階段，宣布正式進(jìn)入試產(chǎn)，符合公司在第2季進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的目標(biāo)，計(jì)劃2020年進(jìn)入量產(chǎn)。

供應(yīng)鏈相關(guān)人士表示，「5納米制程的機(jī)臺(tái)幾乎以平均1.5小時(shí)搬入一臺(tái)的速度進(jìn)場」，顯示臺(tái)積電正全力推動(dòng)5納米晶圓廠進(jìn)入生產(chǎn)狀態(tài)。

另外，負(fù)責(zé)5納米制程「關(guān)鍵18廠」的內(nèi)部人事安排也是明顯征兆。廠長由曾任中科15廠長，負(fù)責(zé)7、28納米制程的劉曉強(qiáng)擔(dān)任，兩位副廠長則由曾任南科14廠，專注12、16納米制程技術(shù)的楊懷德、林俞谷出任，盼能借鏡7納米以及16納米的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，有效提升制程的效益。

臺(tái)積電表示，在開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open innovation Platform, OIP)下推出的5納米設(shè)計(jì)架構(gòu)完整版本，目標(biāo)鎖定5G、人工智能領(lǐng)域，盼未來能在相關(guān)應(yīng)用的帶領(lǐng)之下，將潛在客戶應(yīng)用范圍延伸至蘋果、華為、Nvidia、AMD等公司。

臺(tái)積電積極推動(dòng)高端工藝技術(shù)。盡管三星(Samsung)在導(dǎo)入EUV技術(shù)至7納米制程的速度領(lǐng)先全球，其量產(chǎn)速度卻不如預(yù)期，加上關(guān)鍵客戶數(shù)量掌控的不足，成為三星在晶圓代工業(yè)務(wù)上的致命傷。

而近期臺(tái)積電5納米晶圓廠的啟動(dòng)，驅(qū)使三星加速5納米制程布局，宣布攜手ARM并協(xié)議共同優(yōu)化7納米以及5納米的技術(shù)，其中5納米LPE制程將帶來更小的芯片及更低的功耗。

作為晶圓代工的兩大龍頭，臺(tái)積電與三星在先進(jìn)工藝制程的纏斗也持續(xù)延伸至3納米技術(shù)上。

2018年底，臺(tái)積電宣布其斥資將近200億美元的3納米晶圓廠正式通過環(huán)評(píng)標(biāo)準(zhǔn)，預(yù)計(jì)2020年開工興建、隔年試產(chǎn)，并在2022至2023年間進(jìn)入量產(chǎn)，成為第一座為3納米工藝而建造的廠房。

盡管三星宣布已完成3納米性能驗(yàn)證，并積極將量產(chǎn)目標(biāo)設(shè)置在2020年，但依其過去放話領(lǐng)先7納米量產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)，外界對于該公司實(shí)際的進(jìn)度仍存有疑惑。

隨著晶圓代工廠的投片量回升，加上韓國SK海力士無錫廠第二期自4月開始進(jìn)入量產(chǎn)階段，硅晶圓第二季需求明顯止穩(wěn)，下半年將進(jìn)入成長復(fù)甦階段。

硅晶圓大廠環(huán)球晶圓上半年依長約出貨，調(diào)整產(chǎn)品組合后平均出貨價(jià)格仍略高于去年下半年，由于半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈中的硅晶圓庫存維持在4周的正常水平，第二季硅晶圓價(jià)格無跌價(jià)壓力，下半年?duì)I運(yùn)優(yōu)于上半年，樂觀看待今年會(huì)比去年好。

環(huán)球晶去年合并營收年增27.8%達(dá)590.64億元（新臺(tái)幣，下同），營業(yè)利益年增137.1%達(dá)175.78億元，歸屬母公司稅后凈利年增158.4%達(dá)136.31億元，同步創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，每股凈利31.18元，賺逾3個(gè)股本。環(huán)球晶董事會(huì)決議今年每普通股擬配發(fā)25元現(xiàn)金股利，穩(wěn)坐半導(dǎo)體類股股利王寶座，以3日收盤價(jià)330.5元計(jì)算，現(xiàn)金殖利率高達(dá)7.6%。

雖然第一季半導(dǎo)體市場需求降溫，硅晶圓市場不免受到影響，但包括日本、韓國、臺(tái)灣等硅晶圓供應(yīng)商仍對今年抱持樂觀看法。日本大廠SUMCO日前出席美系外資投資論壇時(shí)指出，全球硅晶圓去年庫存水位降至2周新低，今年以來雖上升至4周水平，但仍是正常季節(jié)性水平，至于大陸業(yè)者開出的8吋硅晶圓產(chǎn)能仍未見到獲得半導(dǎo)體廠認(rèn)證通過，對市場供需影響十分有限。

環(huán)球晶圓第一季雖面臨客戶庫存修正導(dǎo)致出貨放緩，但并沒有立即性的降價(jià)壓力，目前出貨仍依長約維持穩(wěn)定。環(huán)球晶圓80～85%產(chǎn)能已被客戶長約包下，其中包括90%的12吋硅晶圓、80%的8吋硅晶圓以及低于50%的6吋硅晶圓。且因?yàn)榻陙砗炗喌拈L約有不錯(cuò)的價(jià)格保證，所以預(yù)估今年全年平均出貨價(jià)格仍會(huì)較去年高出3～5%幅度。

環(huán)球晶圓公告2月合并營收僅月減9.0%達(dá)47.27億元，較去年同期成長10.1%，累計(jì)前2個(gè)月合并營收99.25億元，較去年同期成長9.9%，并為歷年同期新高。環(huán)球晶董事長徐秀蘭日前指出，雖然今年訂單熱度較去年降溫，但因長約在手所以產(chǎn)能利用率維持滿載，第一季營運(yùn)成果不會(huì)讓大家失望，第二季展望不差，下半年需求將回升。

業(yè)界指出，美中貿(mào)易紛爭對半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈的負(fù)面影響已明顯降低，晶圓代工廠第二季投片量已見回升，約較第一季增加10～15%幅度。存儲(chǔ)器廠雖有減產(chǎn)動(dòng)能，但SK海力士無錫廠第二期將在4月開始投片量產(chǎn)，下半年又是存儲(chǔ)器市場旺季，投片量預(yù)估會(huì)在第二季回升。整體來看，硅晶圓需求第二季止穩(wěn)，下半年將見回升。

3月31日，國內(nèi)晶圓代工大廠中芯國際宣布出售其意大利8英寸晶圓廠LFoundry。

公告顯示，3月29日，中芯國際全資附屬公司SMIC Shanghai (Cayman) Corporation擬向江蘇中科君芯科技有限公司（以下簡稱“中科君芯”）出售目標(biāo)公司中芯國際香港（國際）有限公司100%股份，出售代價(jià)為1.13億美元。

目標(biāo)集團(tuán)包括目標(biāo)公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目標(biāo)公司為于香港注冊成立有限公司，主要從事攝像頭芯片的開發(fā)及生產(chǎn)，其擁有占LFoundry70%已發(fā)行及流通在外企業(yè)資本的限額。該公司于2016年7月收購LFoundry 70%的企業(yè)資本。

資料顯示，LFoundry是一家專業(yè)晶圓代工廠，總部位于古歐洲的中心意大利阿韋扎諾，主要提供最先進(jìn)的模擬制造服務(wù)，晶圓月產(chǎn)量超過4萬片。該工廠擁有先進(jìn)的200mm生產(chǎn)線和150nm和110 nm工藝制程，提供MPW和MLM服務(wù)。

SMIC Sofia 為設(shè)計(jì)服務(wù)中心，開發(fā)汽車相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)平臺(tái)，由目標(biāo)公司全資擁有；LF Sofia EOOD從事開發(fā)設(shè)計(jì)及技術(shù)解決方案，專注于生產(chǎn)感測器及集成電路，由LFoundry全資擁有。Consorzio Delta Ti Research從事納米技術(shù)板塊的研發(fā)，LFoundry擁有其50%權(quán)益。

甩掉包袱，聚集先進(jìn)制程及特色工藝

事實(shí)上，LFoundry是中芯國際前兩年收購而來。

2016年7月，中芯國際以4900萬歐元的價(jià)格收購LFoundry 70%的企業(yè)資本。當(dāng)時(shí)中芯國際表示，這是中芯國際在全球戰(zhàn)略上邁出的重要一步，雙方將實(shí)現(xiàn)在技術(shù)、產(chǎn)品、人才、市場方面的優(yōu)勢互補(bǔ)。彼時(shí)業(yè)界亦認(rèn)為收購LFoundry對中芯國際而言可增產(chǎn)增量，是個(gè)不錯(cuò)的選擇。

那么如今時(shí)隔不過兩年多，中芯國際為何要出售LFoundry？對于這次交易的理由，中芯國際表示，本公司基于自身運(yùn)營與未來整體發(fā)展的考慮，決定出售目標(biāo)集團(tuán)。該交易的好處在于使管理層可以集中著眼于公司的未來發(fā)展，以及從該業(yè)務(wù)投資中獲得正面投資回報(bào)。

業(yè)界認(rèn)為，對于中芯國際而言，這或是甩包袱減負(fù)。某不具名的業(yè)內(nèi)人士表示，一來歐洲市場并不是中芯國際的主場、占比較小，二來LFoundry持續(xù)虧損，數(shù)據(jù)顯示，2018年度及2017年度分別虧損810萬美元及1490萬美元，出售LFoundry的行為并不難理解。

在他看來，如今全球半導(dǎo)體市場不景氣，中芯國際適當(dāng)收縮一下或是好事，而且目前主戰(zhàn)場國內(nèi)仍有很多產(chǎn)能急需填滿，還不如把LFoundry賣掉然后押注到主戰(zhàn)場來。

中芯國際稱，目標(biāo)集團(tuán)于2018年12月31日的未經(jīng)審核資產(chǎn)總值為256.2百萬美元，基于扣減凈資產(chǎn)賬面值的代價(jià)，這次交易預(yù)期將錄得交易收益77.0百萬美元（未經(jīng)審核）。經(jīng)計(jì)及相關(guān)交易成本約2百萬美元后，交易的所得款項(xiàng)凈額將約為174百萬美元，本公司有意將其用于先進(jìn)制程工藝技術(shù)及特色成熟工藝。

根據(jù)剛發(fā)布的2018年業(yè)績報(bào)告，中芯國際現(xiàn)已完成了28納米HKC+以及14納米FinFET技術(shù)的研發(fā)，并開始相關(guān)客戶導(dǎo)入的工作，預(yù)計(jì)于2019年內(nèi)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。此外，中芯國際也成功開發(fā)出了國內(nèi)第一套14納米級(jí)光罩，具備了國內(nèi)最先進(jìn)的光罩生產(chǎn)能力，今年可為客戶 提供14納米光罩制造服務(wù)。

在持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)制程的同時(shí)，中芯國際在特色工藝方面亦在不斷布局，其中芯寧波特種工藝N1項(xiàng)目已于2018年11月正式投產(chǎn)，N2項(xiàng)目亦已開工建設(shè)；此外，聚集微機(jī)電（MEMS）和功率器件等特色工藝的中芯集成（紹興）項(xiàng)目亦預(yù)計(jì)將于今年設(shè)備搬入。

中科君芯轉(zhuǎn)型IDM

這次的買方——中科君芯成立于2011年，是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業(yè)。

據(jù)了解，中科君芯是國內(nèi)率先國內(nèi)率先開發(fā)出溝槽柵場截止型（Trench FS）技術(shù)并真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)，其IGBT芯片、單管和模塊產(chǎn)品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應(yīng)用于感應(yīng)加熱、逆變焊機(jī)、工業(yè)變頻、新能源等領(lǐng)域。

上述業(yè)內(nèi)人士指出，中科君芯此番收購LFoundry，無疑是為了從芯片設(shè)計(jì)向IDM轉(zhuǎn)型。該人士指出，在國內(nèi)IGBT芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，中科君芯的設(shè)計(jì)能力較強(qiáng)，LFoundry在這方面原本就有所積累，收購LFoundry可助其大幅提升競爭力，并進(jìn)一步提升工藝技術(shù)、積累經(jīng)驗(yàn)。

不過，該人士亦認(rèn)為，中科君芯的主要客戶在國內(nèi)、LFoundry工廠位于歐洲，后續(xù)若能將LFoundry搬回國內(nèi)或是更好。

但無論如何，這起交易若最終得以實(shí)現(xiàn)，中國IGBT產(chǎn)業(yè)將誕生一家新的本土IDM廠商。根據(jù)公告，該交易預(yù)計(jì)于今年6月底完成。

3月31日，中芯國際公告，2019年3月29日，公司全資附屬SMIC Shanghai (Cayman) Corporation作為賣方，擬向江蘇中科君芯科技出售賣方全資附屬中芯國際香港(國際)100%股本，代價(jià)為約1.13億美元。

目標(biāo)集團(tuán)包括目標(biāo)公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目標(biāo)公司為于香港注冊成立有限公司，主要從事攝像頭芯片的開發(fā)及生產(chǎn)，其擁有占LFoundry 70%已發(fā)行及流通在外企業(yè)資本的限額。

公司于2016年7月收購LFoundry 70%的企業(yè)資本。LFoundry為根據(jù)意大利法律注冊成立的有限公司，主要從事攝像頭芯片的開發(fā)及生產(chǎn)。Marsica及ISAR各自擁有占LFoundry 15%已發(fā)行及流通在外企業(yè)資本的限額。SMIC Sofia為設(shè)計(jì)服務(wù)中心，開發(fā)汽車相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)平臺(tái)，由目標(biāo)公司全資擁有。LF Sofia EOOD從事開發(fā)設(shè)計(jì)及技術(shù)解決方案，專注于生產(chǎn)感測器及集成電路，由LFoundry全資擁有。Consorzio Delta Ti Research從事納米技術(shù)板塊的研發(fā)，LFoundry擁有其50%權(quán)益。

目標(biāo)集團(tuán)截至2018年12月31日止財(cái)政年度及2017年12月31日止財(cái)政年度的除稅前或除稅后虧損凈額(未經(jīng)審核)分別為810萬美元及1490萬美元。目標(biāo)集團(tuán)于2018年12月31日的未經(jīng)審核資產(chǎn)總值為2.56億美元。

基于扣減凈資產(chǎn)帳面值的代價(jià)，預(yù)期公司將錄得交易收益7700萬美元(未經(jīng)審核)。經(jīng)計(jì)及相關(guān)交易成本約200萬美元后，交易的所得款項(xiàng)凈額將約為1.74億美元。公司有意將交易的所得款項(xiàng)凈額用于先進(jìn)制程工藝技術(shù)及特色成熟工藝。

公告稱，公司基于自身運(yùn)營與未來整體發(fā)展的考慮，決定出售目標(biāo)集團(tuán)。該交易的好處在于使管理層可以集中著眼于公司的未來發(fā)展，以及從該業(yè)務(wù)投資中獲得正面投資回報(bào)。

3月38日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布2018年度業(yè)績報(bào)告。在被業(yè)界認(rèn)為市場不太景氣的“艱難”一年里，華虹半導(dǎo)體卻交出了一份不錯(cuò)的成績單。展望2019年，華虹半導(dǎo)體將迎來無錫工廠的量產(chǎn)，進(jìn)入新的發(fā)展階段。

回顧2018年：需求旺盛，業(yè)績創(chuàng)新高

數(shù)據(jù)顯示，2018年華虹半導(dǎo)體銷售收入、毛利率、年內(nèi)溢利和凈資產(chǎn)收益率均再創(chuàng)歷史新高。其中，銷售收入9.3億美元，同比增長15.1%；年內(nèi)溢利創(chuàng)1.86億美元，占銷售收入的20%，同比增長27.8%；毛利率33.4%，同比增長0.3%。

華虹半導(dǎo)體表示，2018年度的優(yōu)秀業(yè)績來源于全球消費(fèi)電子、工業(yè)電子和汽車電子等半導(dǎo)體市場對本公司差異化技術(shù)需求的持續(xù)增長、技術(shù)的創(chuàng)新、技術(shù)組合的持續(xù)優(yōu)化以及公司產(chǎn)能的擴(kuò)充。

從技術(shù)類型看，2018年嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是華虹半導(dǎo)體的第一大營收來源，營收占比38.7%，營收同比增長15.8%，主要來自智能卡芯片和MCU兩大類。智能卡芯片方面，90納米嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是國內(nèi)新一代銀行IC卡技術(shù)，其2018年度銀行卡芯片出貨量同比增長超100%，創(chuàng)歷史新高，是該技術(shù)平臺(tái)營收的主要增長點(diǎn)，也是未來幾年?duì)I收的主力點(diǎn)，MCU方面則利潤豐厚。

分立器件是華虹半導(dǎo)體技術(shù)平臺(tái)的第二大營收來源，營收占比33.4%，營收同比增長40.5%，出貨量同比增長16%，其中中高壓分立器件技術(shù)營收占比超過50%，是該公司營收和研發(fā)的重點(diǎn)。

從客戶類型看，2018年華虹半導(dǎo)體來自無廠芯片設(shè)計(jì)公司和系統(tǒng)公司的營業(yè)收入占比為77.5%，同比增長16.0%，營收增長主要來自中國區(qū)的無廠芯片設(shè)計(jì)公司客戶群；來自整合器件制造商的營業(yè)收入占比為22.5%，同比增長12.3%。

從區(qū)域市場看，2018年中國區(qū)仍然是華虹半導(dǎo)體營收最大的市場，營收占比為56.4%，營收同比增長17.7%；其次為美國區(qū)，營收占比17.4%，營收同比增長14.2%；亞洲其他區(qū)域的營收增長最快，同比增長23.1%；歐洲區(qū)營收同比增長9.1%；日本區(qū)營收則同比下滑8.5%。

從終端市場看，2018年華虹半導(dǎo)體的營業(yè)收入中最大的是消費(fèi)電子市場，營收占比64.3%，營收同比增長7.1%；工業(yè)和汽車電子市場是其2018年第二大終端市場營收來源，營收占比20.2%，營收同比增長78.7%。

在產(chǎn)能方面，2018年華虹半導(dǎo)體現(xiàn)有三個(gè)廠區(qū)產(chǎn)能均略有提升，晶圓制造月產(chǎn)能合計(jì)17.4萬片，產(chǎn)能利用率達(dá)99.2%；運(yùn)營晶圓201.6萬片，同比增長7.9%，是其營收增長的重要原因。華虹半導(dǎo)體表示，2018年度晶圓出貨量首次突破200萬片，實(shí)現(xiàn)了自2014年上市以來出貨量140萬片至今9.5%的年復(fù)合增長率。

對于華虹半導(dǎo)體這一份漂亮的成績單，一位不愿具名的業(yè)內(nèi)人士表示并不意外。在他看來，一方面是8英寸晶圓代工需求旺盛、訂單一直在排隊(duì)中，而且華虹半導(dǎo)體去年還新增了產(chǎn)能；另一方面華虹半導(dǎo)體在特色工藝領(lǐng)域的技術(shù)和工藝均很強(qiáng)，就純晶圓代工廠而言，華虹半導(dǎo)體在該領(lǐng)域的競爭對手并不多。

該人士預(yù)估，2019年華虹半導(dǎo)體的成績將依舊優(yōu)秀。

展望2019年：繼續(xù)聚焦差異化 迎無錫工廠量產(chǎn)

展望2019年，華虹半導(dǎo)體認(rèn)為，基于更多終端應(yīng)用衍生的需求、更多集成電路設(shè)計(jì)公司的蓬勃發(fā)展與IDM公司持續(xù)委托晶圓代工的趨勢，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)預(yù)期將持續(xù)健康的增長，增速高于同期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增速。

對于2019年的發(fā)展計(jì)劃，華虹半導(dǎo)體表示將繼續(xù)聚焦8英寸差異化技術(shù)的研發(fā)和優(yōu)化，聚焦物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、5G以及其他新興市場，進(jìn)一步優(yōu)化現(xiàn)有95納米和90納米等嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)，追求更高效低耗的新型IGBT技術(shù)，完善0.13微米R(shí)F-SOI射頻技術(shù)，并致力研發(fā)90納米BCD技術(shù)。

此外，華虹半導(dǎo)體還表示，由于全球分立器件需求旺盛，公司計(jì)劃未來一到兩年擴(kuò)充每月約2萬片200mm晶圓產(chǎn)能，進(jìn)一步滿足客戶和市場需求。

值得一提的是，2019年華虹半導(dǎo)體還將迎來無錫工廠的量產(chǎn)。華虹無錫已于2018年底主體結(jié)構(gòu)全面封頂，預(yù)計(jì)將于2019年第二季度末完成廠房和潔凈室的建設(shè)，下半年開始搬入設(shè)備，并于2019年第四季度開始300mm晶圓的量產(chǎn)。

為加快實(shí)現(xiàn)華虹無錫的順利投產(chǎn)、風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)和上量，華虹半導(dǎo)體在2018年就啟動(dòng)了55nm邏輯工藝及相關(guān)IP的研發(fā)，預(yù)計(jì)2019年下半年開始導(dǎo)入客戶，同時(shí)開始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲(chǔ)單元，功能驗(yàn)證已通過，為未來55納米嵌入式閃存技術(shù)量產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

華虹半導(dǎo)體表示，華虹無錫是公司產(chǎn)能的升級(jí)，也是公司發(fā)展的新階段和新的里程碑。