攻入車用IGBT  茂矽董座:2019年有信心成長(zhǎng)

攻入車用IGBT 茂矽董座:2019年有信心成長(zhǎng)

晶圓代工廠茂矽2019年將開始搶攻絕緣閘雙極晶體管(IGBT),預(yù)料下半年將開始量產(chǎn)出貨,主打冷氣馬達(dá)、工業(yè)等領(lǐng)域,另外在大股東二極管廠朋程擴(kuò)大新產(chǎn)品投片帶動(dòng)下,茂矽董事長(zhǎng)唐亦仙表示,有信心2019年?duì)I運(yùn)可望勝過2018年表現(xiàn)。

隨著電動(dòng)車市場(chǎng)崛起,朋程也規(guī)劃在2020年進(jìn)入量產(chǎn),業(yè)界預(yù)期,茂矽也可望在2020年順利切入電動(dòng)車供應(yīng)鏈,攻入車用IGBT市場(chǎng)。

茂矽2018年受惠于金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)及二極管等功率半導(dǎo)體需求暢旺帶動(dòng),茂矽產(chǎn)能直至2018年底仍維持滿載水平,帶動(dòng)合并營(yíng)收年成長(zhǎng)13.2%至新臺(tái)幣18.53億元。

供應(yīng)鏈指出,功率半導(dǎo)體2018年需求相當(dāng)火熱,相關(guān)晶圓代工廠產(chǎn)能滿載,帶動(dòng)晶圓代工報(bào)價(jià)紛紛喊漲,漲幅至少有三成水平,茂矽也受惠于這股商機(jī),成為推動(dòng)獲利擺脫衰退的關(guān)鍵因素。

展望2019年,茂矽早已排定1月進(jìn)行歲修,因此法人對(duì)于茂矽2019年第一季業(yè)績(jī)抱持保守看法。不過,進(jìn)入第二季后,法人指出,茂矽即將開始準(zhǔn)備量產(chǎn)非車用IGBT產(chǎn)品,下半年后將開始產(chǎn)能全開,打入冷氣馬達(dá)、工業(yè)等IGBT市場(chǎng)。

臺(tái)積電Fab 14B廠傳晶圓瑕疵,臺(tái)積電回應(yīng):影響評(píng)估中,暫不改本季財(cái)測(cè)

臺(tái)積電Fab 14B廠傳晶圓瑕疵,臺(tái)積電回應(yīng):影響評(píng)估中,暫不改本季財(cái)測(cè)

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息,晶圓代工龍頭臺(tái)積電 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 廠傳出晶圓質(zhì)量瑕疵問題,受影響的數(shù)量有上萬片之多,且將在近期舉行會(huì)議,統(tǒng)計(jì)整個(gè)損失狀況及后續(xù)的處理事宜。對(duì)此,臺(tái)積電的發(fā)言系統(tǒng)表示,目前查證的結(jié)果,F(xiàn)ab 14 B 廠的確有使用不合規(guī)格的化學(xué)原料,造成晶圓生產(chǎn)瑕疵,影響數(shù)量與損失,臺(tái)積電還在第一時(shí)間調(diào)查處理。

根據(jù)供應(yīng)鏈消息,臺(tái)積電 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 廠傳出晶圓質(zhì)量瑕疵。原因在于臺(tái)積電進(jìn)口一批不合規(guī)格的化學(xué)原料,使生產(chǎn)產(chǎn)生晶圓有瑕疵。因生產(chǎn)過程無法檢查出來,生產(chǎn)后才有辦法確認(rèn),預(yù)計(jì)影響的晶圓數(shù)量高達(dá)上萬片,也造成產(chǎn)線短暫停擺。

消息來源還指出,這次受影響的 Fab 14 B 廠,主要為 12 / 16 納米制程,客戶涵蓋 NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、華為海思等重量級(jí)客戶,一旦發(fā)生晶圓質(zhì)量瑕疵,對(duì)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)有不小沖擊。目前處理狀況,臺(tái)積電表示,正估計(jì)受影響晶圓數(shù)量,以及彌補(bǔ)措施,希望能將損害控制到最低。

臺(tái)積電代理發(fā)言人孫又文指出,目前正后續(xù)統(tǒng)計(jì)與處理,也陸續(xù)聯(lián)絡(luò)客戶。臺(tái)積電應(yīng)可有效控制到最低影響,現(xiàn)階段暫時(shí)不會(huì)改變本季財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)。后續(xù)會(huì)不會(huì)對(duì)供應(yīng)商求償,孫又文表示,要看與供應(yīng)商談判后的結(jié)果再來決定。

從 2019 年半導(dǎo)體消化庫存的一年,看整體未來市場(chǎng)發(fā)展

從 2019 年半導(dǎo)體消化庫存的一年,看整體未來市場(chǎng)發(fā)展

目前半導(dǎo)體市場(chǎng)因供過于求,造成通路庫存激增,沖擊整個(gè)市場(chǎng)的供需,使許多市場(chǎng)調(diào)查與投資機(jī)構(gòu)紛紛看淡 2019 年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn),多數(shù)半導(dǎo)體廠商也下修 2019 年資本支出,整體市場(chǎng)處于逆風(fēng)。大家最關(guān)心的,就是目前產(chǎn)能過剩的情況何時(shí)結(jié)束?是否能在短時(shí)間恢復(fù)過去兩年的熱絡(luò)市況。

事實(shí)上,隨著智能型手機(jī)的需求疲軟,汽車與工業(yè)的應(yīng)用需求也減少,虛擬貨幣價(jià)格大跌,使得自 2018 年 11、12 月以來,晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率下滑,以芯片生產(chǎn)的 2 個(gè)月生產(chǎn)周期計(jì)算,后段封測(cè)的稼動(dòng)率,近期也將逐漸跟著出現(xiàn)明顯松動(dòng)的情況。再加上外在環(huán)境,如中美貿(mào)易摩擦的影響,使得整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求不振,讓當(dāng)前的半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)處于消化庫存階段。其中,晶圓代工龍頭臺(tái)積電日前就釋出當(dāng)前產(chǎn)能利用率下滑的訊息,也使得后段封測(cè)業(yè)稼動(dòng)率也松動(dòng),業(yè)界預(yù)估大多數(shù)廠商 2019 年第 1 季營(yíng)收恐將季減 10% 到 15% 的情況,景氣比預(yù)期更平淡。

基于以上的因素,目前大部分市調(diào)機(jī)構(gòu)都認(rèn)為,2019 年全球半導(dǎo)體景氣將走向低成長(zhǎng),也有預(yù)估將走向負(fù)成長(zhǎng)的可能。例如外資大摩──摩根士丹利就指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 2018 年實(shí)際生產(chǎn)增加 22%,但市場(chǎng)僅消化 15% 的增加量,目前還有 7% 過剩產(chǎn)能等待消化,這使得消化庫存將是 2019 年很大的挑戰(zhàn)。因此,預(yù)期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性低潮還未見底,也將 2019 年產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的成長(zhǎng)率,從負(fù)成長(zhǎng) 1%,下修到負(fù)成長(zhǎng) 5%。

而歸咎 2018 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)會(huì)進(jìn)入供過于求的主因,存儲(chǔ)器絕對(duì)是中的關(guān)鍵。因?yàn)橹俺掷m(xù)擴(kuò)產(chǎn)的緣故,使得存儲(chǔ)器供過求,帶動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格下滑,再加上 PC、服務(wù)器與智能型手機(jī)等終端產(chǎn)品的需求成長(zhǎng)疲軟,使得存儲(chǔ)器主要供應(yīng)商營(yíng)收成長(zhǎng)減緩。因此,近期廠商放慢新增產(chǎn)能的腳步,以減緩價(jià)格跌勢(shì)。預(yù)估 2019 年的全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售金額,將出現(xiàn) 4 年來首度下滑。

2019 年全球半導(dǎo)體銷售金額下滑的另一原因,就是智能型手機(jī)對(duì)需求降低所造成,使中國(guó)、南韓制造商減少投資。2009 年到 2018 的半導(dǎo)體景氣周期發(fā)展,主要是依賴技術(shù)進(jìn)步而導(dǎo)致的智能型手機(jī)普及,而智能手機(jī)的普及也帶來了手機(jī)處理器、存儲(chǔ)器、鏡頭等產(chǎn)業(yè)的繁榮。然而,當(dāng)前智能型手機(jī)的滲透率飽和,銷量出現(xiàn)瓶頸,使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也就出現(xiàn)萎縮。

根據(jù)相關(guān)單位統(tǒng)計(jì),盡管 2018 年的全球半導(dǎo)體銷售金額將創(chuàng)歷史新高,達(dá) 621 億美元,比 2017 年增加 9.7%,但 2019 年將出現(xiàn) 4 年來首度下降,至 596 億美元,約減少 4%。即便預(yù)計(jì) 2020 年半導(dǎo)體全球銷售金額將出現(xiàn)反彈,達(dá)到 719 億美元的水平。但是,產(chǎn)業(yè)前景尚不明朗,整體市況依舊不容樂觀看待。

在未來,盡管新應(yīng)用的崛起,例如人工智能、5G 網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)等,可能使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求再次回升。只是,當(dāng)前這些應(yīng)用技術(shù)都還處于剛起步階段,業(yè)界雖對(duì)此抱有很高的期望,但是短期恐怕很難起消化庫存的效果。必須期待半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性下滑結(jié)束,就可能會(huì)因各種新應(yīng)用需求的產(chǎn)生,以更快的速度增長(zhǎng)。所以市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)對(duì)于 2020 年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將有反彈,其原因就是在此。

不過,在當(dāng)前的市場(chǎng)中,雖然智能型手機(jī)的出貨量出現(xiàn)衰退,但是包括指紋辨識(shí)、雙鏡頭、三鏡頭的結(jié)構(gòu)性創(chuàng)新出現(xiàn),仍然維持對(duì)半導(dǎo)體得規(guī)模需求。另外,在穿戴式裝置、智能家電、汽車等其他領(lǐng)域上,需求緩慢提升也維持了半導(dǎo)體整體需求的緩慢擴(kuò)張。而這些產(chǎn)品的應(yīng)用,搭配上未來人工智能、5G 網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等相關(guān)架構(gòu)的建立,有機(jī)會(huì)再推升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向下個(gè)一個(gè)高峰。

只是,值得注意的是,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)本身已顯現(xiàn)出部分發(fā)展周期性終結(jié)的跡象,也就是技術(shù)進(jìn)步難度指數(shù)增加,使得技術(shù)創(chuàng)新下降的情況。例如摩爾定律效應(yīng)的逐步減緩,使得 7 納米以下制程技術(shù)的開發(fā)難度指數(shù)提升,使得格芯、聯(lián)電等企業(yè)都放棄先進(jìn)制程的研發(fā)。因此,如何在現(xiàn)有的技術(shù)上,再向上開展新的半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用,或許今后是整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的重要課題。

5 納米來了!臺(tái)積電確認(rèn)今年上半年流片,明年上半年量產(chǎn)

5 納米來了!臺(tái)積電確認(rèn)今年上半年流片,明年上半年量產(chǎn)

雖然,全球晶圓代工頭臺(tái)積電在日前的 2018 年第 4 季法說會(huì)中,拋出了 2019 年第 1 季營(yíng)收將季衰退 2 成的震撼彈,不過,針對(duì)先進(jìn)制程的演進(jìn)依然按照計(jì)劃進(jìn)行。其中,除了內(nèi)含 EUV 技術(shù)的加強(qiáng)版的 7 納米 + 制程將在 2019 年量產(chǎn)之外,更先進(jìn)的 5 納米制程,日前也傳出在 2019 年上半年流片(Tape out), 2020 年上半年就能正式進(jìn)入量產(chǎn)的消息,如今獲得證實(shí)。

臺(tái)積電日前法說會(huì)中,在 2018 年第 4 季的財(cái)報(bào)部分,營(yíng)收達(dá)到新臺(tái)幣 2897.7 億元(約 94 億美元),較 2017 年同期成長(zhǎng) 4.4%,也較 2018 年第 3 季成長(zhǎng) 11.3%。其中 7 納米制程貢獻(xiàn)了 23% 的營(yíng)收,成為營(yíng)收增長(zhǎng)的主動(dòng)力。

而即便 2018 年臺(tái)積電的全年?duì)I收一舉破兆元大關(guān),再創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄,不過因?yàn)轭A(yù)期 2019 年在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)放緩,再加上智能型手機(jī)市場(chǎng)需求不振的情況下,臺(tái)積電仍保守預(yù)估 2019 年?duì)I收預(yù)期,相較 2018 年將只會(huì)有微幅的成長(zhǎng),達(dá)不到過去 5% 到 10% 的預(yù)估成長(zhǎng)率。不過,對(duì)先進(jìn)制程的發(fā)展,臺(tái)積電并沒有放緩腳步。2019 年除了量產(chǎn)內(nèi)含 EUV 技術(shù)的加強(qiáng)版的 7 納米 + 制程之外,第 2 季 5 納米制程也將按照時(shí)程,進(jìn)入流片的階段,而且預(yù)計(jì) 2020 年上半年正式量產(chǎn)。

雖然,對(duì)于 2019 年第 1 季,臺(tái)積電預(yù)估營(yíng)收將來到 73 億到 74 億美元之間,較 2018 年同期下降了 14%,也較 2018 年第 4 季下滑 22%,這主要是因?yàn)楫a(chǎn)能利用率下降所致。而造成這個(gè)問題很大的一個(gè)原因,就是預(yù)期 2019 年的智能型手機(jī)市場(chǎng)需求依然低迷,加上主力客戶蘋果的 iPhone 賣不動(dòng),已經(jīng)傳來對(duì)供應(yīng)鏈多次砍單的情況。不過,臺(tái)積電在 2019 年的資本支出卻未大幅度的下修,仍維持在 100 億到 110 億美元的高檔。對(duì)此,臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅指出,主要是為了 2020 年 5 納米制程產(chǎn)能的開出所必須進(jìn)行的投資。

因此,就整體發(fā)展方向來看,2019 年臺(tái)積電的投資重點(diǎn)依然是先進(jìn)制程方面,其中包括 7 納米制程,以及未來的 5 納米、3 納米制程等。包括 2019 年將會(huì)量產(chǎn)內(nèi)含 EUV 技術(shù)的加強(qiáng)版的 7 納米 + 制程之外,第 2 季 5 納米制程流片,并預(yù)計(jì) 2020 年上半年正式量產(chǎn)的計(jì)劃都沒有改變,也顯示客戶對(duì)這些先進(jìn)制程的需求仍然存在。

此外,臺(tái)積電也表示,目前已經(jīng)有客戶愿意升級(jí)到 5 納米制程上。不過,臺(tái)積電并沒有具體說明客戶的名字,也沒有透露是哪個(gè)行業(yè)。而考慮到 5 納米制程在芯片研發(fā)、制造上的龐大成本,預(yù)估客戶將脫離不了大公司的規(guī)模。只是目前沒有哪家公司公開過 5 納米產(chǎn)品的藍(lán)圖,如處理器大廠 AMD,現(xiàn)有的產(chǎn)品規(guī)劃也只公開了 7 納米制程的 Zen 3 處理器及 Nex Gen 繪圖芯片部分,而且這些 7 納米制程的產(chǎn)品還要到 2020 年之后才會(huì)上市。因此,誰會(huì)是臺(tái)積電 5 納米制程的首批客戶名單,大家仍在觀察中。

臺(tái)積電2018年業(yè)績(jī)創(chuàng)新高  未來5年押注高性能計(jì)算

臺(tái)積電2018年業(yè)績(jī)創(chuàng)新高 未來5年押注高性能計(jì)算

1月17日,臺(tái)積電召開法說會(huì)公布其2018年第4季度及全年業(yè)績(jī),并對(duì)2019年第1季度及2019年發(fā)展情況作出預(yù)估。2018年臺(tái)積電業(yè)績(jī)?cè)賹懴滦录o(jì)錄,但2019年預(yù)計(jì)首季業(yè)績(jī)將有所下滑,全年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)將放緩、預(yù)計(jì)小幅增長(zhǎng)。

數(shù)據(jù)顯示,2018年第4季度臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)合并營(yíng)收約新臺(tái)幣2897.7億元(合約人民幣635.5億元),環(huán)比增長(zhǎng)11.3%、同比增長(zhǎng)4.4%;稅后純益約新臺(tái)幣999.8億元(合約人民幣219億元),環(huán)比增長(zhǎng)12.3%、同比增長(zhǎng)0.7%;每股收益為新臺(tái)幣3.86元,毛利率為47.7%。

若以美金計(jì)算,臺(tái)積電2018年第4季營(yíng)收為94億美元,環(huán)比增長(zhǎng)10.7%、同比增長(zhǎng)2.0%。

盡管2018年宏觀經(jīng)濟(jì)前景疲弱、某些終端應(yīng)用需求不景氣,但臺(tái)積電營(yíng)收繼續(xù)創(chuàng)下新紀(jì)錄,全年實(shí)現(xiàn)合并營(yíng)收342億美元,同比增長(zhǎng)6.5%,以新臺(tái)幣計(jì)算營(yíng)收則為10314.7億新臺(tái)幣,同比增長(zhǎng)5.5%。

7納米制程立大功

對(duì)于第4季度的業(yè)績(jī)表現(xiàn),臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)了7納米制程出貨的重要驅(qū)動(dòng)作用。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)暨發(fā)言人何麗梅資深副總經(jīng)理表示,臺(tái)積電第4季營(yíng)收受惠于客戶對(duì)臺(tái)積公司7納米制程技術(shù)應(yīng)用在行動(dòng)裝置與高效能運(yùn)算產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁。

數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電7納米制程出貨占其2018年第4季晶圓銷售金額的23%?;仡?018年各個(gè)季度數(shù)據(jù),臺(tái)積電7納米制程出貨在第2季度尚未顯示營(yíng)收占比,第3季度營(yíng)收占比就已來到11%,第4季度營(yíng)收占比23%,超出此前預(yù)期并成為當(dāng)季營(yíng)收貢獻(xiàn)最大的制程,可謂成長(zhǎng)非常迅速。

至于其他制程,10納米制程出貨占第4季晶圓銷售金額的6%;16/20納米制程出貨占全季晶圓銷售金額的21%;28納米制程出貨占全季晶圓銷售金額的17%。總體而言,臺(tái)積電先進(jìn)制程(包含28納米及更先進(jìn)制程)的營(yíng)收達(dá)到其第4季晶圓銷售金額的67%。

縱觀全年,7納米制程出貨占其2018年全年晶圓銷售金額的9%;10納米制程出貨占全年晶圓銷售金額的11%;16/20納米制程出貨占全年晶圓銷售金額的23%;28納米納米制程出貨占全年晶圓銷售金額的20%;先進(jìn)制程(包含28納米及更先進(jìn)制程)的營(yíng)收達(dá)到全年晶圓銷售金額的63%。

相較于2017年,2018年7納米制程加入后,其他制程營(yíng)收占比均呈現(xiàn)不同程度的下滑,但16/20及28納米制程出貨仍是其最主要的收入來源。

消費(fèi)性電子營(yíng)收下滑

從產(chǎn)品類別方面看,通訊類產(chǎn)品一直是臺(tái)積電營(yíng)收占比最大的類別,但隨著產(chǎn)品季節(jié)性變化各類別營(yíng)收占比亦有所波動(dòng)。

具體而言,通訊相關(guān)應(yīng)用占其2018年第4季晶圓銷售金額的64%,環(huán)比增長(zhǎng)27%;工業(yè)用及標(biāo)準(zhǔn)類IC占全季晶圓銷售金額的20%,環(huán)比下降3%;電腦相關(guān)應(yīng)用占全季晶圓銷售金額的11%,環(huán)比下降2%;消費(fèi)性電子相關(guān)應(yīng)用占全季晶圓銷售金額的5%,環(huán)比下降35%。

縱觀全年,通訊相關(guān)應(yīng)用占其2018年晶圓銷售金額的56%,同比增長(zhǎng)1%;工業(yè)用及標(biāo)準(zhǔn)類IC占全年晶圓銷售金額的23%,同比增長(zhǎng)3%;電腦相關(guān)應(yīng)用占全年晶圓銷售金額的14%,同比增長(zhǎng)61%;消費(fèi)性電子相關(guān)應(yīng)用占全年晶圓銷售金額的7%,同比下降17%。

從2018年第4季度及2018年全年看來,臺(tái)積電消費(fèi)性電子類產(chǎn)品營(yíng)收下滑較為明顯,但其預(yù)估2019年消費(fèi)類業(yè)務(wù)微增、工業(yè)類應(yīng)用下滑明顯。

具體的終端應(yīng)用方面,臺(tái)積電法說會(huì)現(xiàn)場(chǎng)透露,2018年智能手機(jī)大約占其晶圓收入的45%,高性能計(jì)算約占32%,物聯(lián)網(wǎng)約占6%,汽車約占5%,數(shù)字電子約占6%。

2019年業(yè)務(wù)將小幅增長(zhǎng)

臺(tái)積電在業(yè)績(jī)報(bào)告及法說會(huì)上還對(duì)2019年第1季及2019年相關(guān)情況作出預(yù)估。

臺(tái)積電預(yù)期2019年第1季度合并營(yíng)收預(yù)計(jì)介于73億美元至74億美元之間(按照1美元兌新臺(tái)幣30.8元計(jì)算),環(huán)比下降21.27至22.34%;毛利率預(yù)計(jì)介于43%至45%之間;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率預(yù)計(jì)介于31%至33%之間;2019財(cái)年資本預(yù)算介于100億美元至110億美元之間。

對(duì)于第1季度的業(yè)績(jī)下滑,臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅在業(yè)績(jī)新聞稿中表示,2019年第1季預(yù)期將因?yàn)檎w經(jīng)濟(jì)衰退,行動(dòng)裝置產(chǎn)品的季節(jié)性因素以及供應(yīng)鏈的庫存水位偏高等不利因素影響而減化公司的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。

縱觀全年,臺(tái)積電方面表示7納米制程會(huì)是支撐公司2019年的成長(zhǎng)動(dòng)能,采用極紫外光(EUV)設(shè)備制造的7納米強(qiáng)化版將在2019年第2季量產(chǎn),7納米+7納米強(qiáng)化版的營(yíng)收比重將超過25%。

2019年臺(tái)積電的資本預(yù)算較預(yù)期收緊了數(shù)億美元,但仍符合市場(chǎng)預(yù)期,其中約80%的資本預(yù)算將用于其他先進(jìn)工藝技術(shù),包括7納米、5納米和3納米;超過10%的資金用于高級(jí)封裝和掩模制作,約10%的資金將用于特殊技術(shù)。

臺(tái)積電CEO魏哲家坦言,2019年將是業(yè)績(jī)放緩的一年,臺(tái)積電預(yù)計(jì)業(yè)務(wù)將小幅增長(zhǎng)(約1%~3%),這低于此前設(shè)下的目標(biāo)5%~10%,但臺(tái)積電對(duì)長(zhǎng)期發(fā)展保持樂觀,預(yù)計(jì)2017年至2021年年增速仍能保持約5%至10%。

此外,魏哲家還作出以下預(yù)估:預(yù)估2019年下半年毛利率將優(yōu)于上半年;預(yù)計(jì)不包括內(nèi)存業(yè)務(wù)在內(nèi)的半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2019年同比增長(zhǎng)1%;今年晶圓代工市場(chǎng)將持平;未來5年,高性能計(jì)算業(yè)務(wù)將是臺(tái)積電收入的最大來源。

臺(tái)積電保守展望今年?duì)I運(yùn) 資本支出目標(biāo)維持不變

臺(tái)積電保守展望今年?duì)I運(yùn) 資本支出目標(biāo)維持不變

晶圓代工龍頭臺(tái)積電即便在 2018 年繳出營(yíng)收再創(chuàng)新高的成績(jī)單,不過,對(duì)于 2019 年首季的營(yíng)運(yùn)展望仍保守看待。臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)何麗梅指出,如果以新臺(tái)幣 30.6 元兌換 1 美元來計(jì)算,2019 年首季營(yíng)收將落在 73 億美元到 74 億美元之間,換算新臺(tái)幣約為 2,233.8 億元到 2,264.4 億元之間。相較于 2018 年第 4 季的? 2,897.7 億元,衰退 21.9% 到 22.9%,創(chuàng)下 2008 年金融海嘯后,史上第三高的單季衰退數(shù)字。

何麗梅指出,針對(duì) 2019 年首季的營(yíng)運(yùn)展望,預(yù)估首季營(yíng)收 73 億美元到 74 億美元,較 2018 年第 4 季,減少 21.27% 到 22.34%,毛利率達(dá) 43% 到 45%,也較 2018 年第 4 季,減少 2.7 到 4.7 個(gè)百分點(diǎn),營(yíng)業(yè)利益率 31% 到 33%,也較前一季減少 4 到 6 個(gè)百分點(diǎn)。而營(yíng)收衰退的關(guān)鍵原因,在于大環(huán)境景氣不佳,以及供應(yīng)鏈庫存水位過高,必須進(jìn)一步調(diào)整庫存有關(guān)。

何麗梅還進(jìn)一步指出,臺(tái)積電 2019 年首季市場(chǎng)需求疲弱的原因,在于智能型手機(jī)季節(jié)性影響,還有供應(yīng)鏈有高庫存的壓力,使得首季半導(dǎo)體供應(yīng)鏈面臨調(diào)整庫存,導(dǎo)致當(dāng)前的整體產(chǎn)能利用率下滑,包括 8 寸廠以及 28 納米的部分都不是很好,連帶影響臺(tái)積電整體的營(yíng)收表現(xiàn)。預(yù)計(jì),庫存調(diào)整必須到 2019 年中才會(huì)回到季節(jié)性的正常水平。

另外,總裁魏哲家也表示,就 2019 年全年來觀察,全年?duì)I收成長(zhǎng)將可能無法達(dá)到過往預(yù)計(jì)的 5% 到 10% 的水平,僅會(huì)微幅的成長(zhǎng)。因此,營(yíng)收有機(jī)會(huì)持續(xù)創(chuàng)高,但是獲利狀況就目前來看就還不清楚。不過,就長(zhǎng)期目標(biāo)來說,臺(tái)積電毛利率以 50% 為目標(biāo),營(yíng)收以美金計(jì),維持年增 5% 到 10% 的目標(biāo)將不會(huì)改變。

魏哲家還指出,2019 年全球經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)會(huì)比 2018 年有所下滑,因此預(yù)估 2019 年半導(dǎo)體產(chǎn)值,扣除存儲(chǔ)器的部分,將僅較 2018 年約成長(zhǎng) 1%。至于,在晶圓代工產(chǎn)值上,將會(huì)與 2018 年持平。因此,臺(tái)積電的微幅成長(zhǎng),仍將高于整體晶圓代工產(chǎn)業(yè)的平均水平。

而在 4 大平臺(tái)上的表現(xiàn)預(yù)期,魏哲家也表示,預(yù)期 IoT 在 2019年 將有 2 位數(shù)百分比的成長(zhǎng),汽車電子方面則是持平,HPC 的產(chǎn)品方面,如果不含虛擬貨幣部分,將會(huì)小幅成長(zhǎng)。但是,加入虛擬貨幣的部分,則將比 2018 年呈現(xiàn)達(dá) 2 位數(shù)百分比的下滑。另外,AI 和 5G 方面,則預(yù)估仍會(huì)有所成長(zhǎng)。

至于,在先進(jìn)制程的發(fā)展方面,臺(tái)積電預(yù)估 2019 年整體 7 納米與 7+ 納米? 制程將占整體營(yíng)收的比重達(dá)到 25%,提升比例的速度高于之前的預(yù)期。而且,為了因應(yīng) 2020 年即將開出的 5 納米制程產(chǎn)能,2019 年預(yù)計(jì)資本支出超過 100 億美元的目標(biāo)也沒有改變。不過,因?yàn)檎w市場(chǎng)狀況的不佳,臺(tái)積電還是會(huì)新臺(tái)幣減少了幾億元的資本支出,但不影響整體資本支出的規(guī)模。而且,未來幾年維持 100 億到 120 億美元的資本支出金額目標(biāo),也將不會(huì)改變。

另外,在南京廠的狀況方面,雖然因?yàn)樘摂M貨幣的需求減少,降低了這部分的產(chǎn)能需求。不過,魏哲家指出,南京廠并非專為虛擬貨幣所打造,還有其他許多的產(chǎn)能需求。因此原訂將產(chǎn)能由每月 1 萬片擴(kuò)增到 2 萬片的計(jì)劃也不會(huì)改變,并且預(yù)計(jì)在 2020 年第 1 季完成。而劉德音也表示,雖然臺(tái)積電不一定要將晶圓廠設(shè)置在固定的某些地方,但是目前臺(tái)積電并沒有規(guī)劃其他地區(qū)建立晶圓廠的計(jì)劃。

最后,針對(duì)中美貿(mào)易摩擦的影響,何麗梅則是指出,直接的影響就是可能數(shù)億美元的市場(chǎng)損失,對(duì)臺(tái)積電來說影響不大。但是非直接的影響因素,可能是造成市場(chǎng)的需求疲弱不振,這方面就可能難以評(píng)估。還有,2019 年的股利發(fā)放政策,雖然預(yù)估會(huì)高于 2018 年。但是會(huì)有多少金額,還必須等到 2 月份董事會(huì)通過之后才能確定。

2019年晶圓代工格局大勢(shì)已定:三星、英特爾難撼臺(tái)積電龍頭地位

2019年晶圓代工格局大勢(shì)已定:三星、英特爾難撼臺(tái)積電龍頭地位

臺(tái)積電身為晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭,自然會(huì)是產(chǎn)業(yè)界專業(yè)人士觀察全球市場(chǎng)的關(guān)鍵風(fēng)向標(biāo),時(shí)間逼近至2019年臺(tái)積電第一場(chǎng)法說會(huì)前,受到全球手機(jī)市場(chǎng)需求疲軟,且電動(dòng)汽車、高效運(yùn)算所需的芯片也因5G、AI生態(tài)系尚在醞釀,讓外界揣測(cè)過往年?duì)I收維持在約10%成長(zhǎng)幅度的臺(tái)積電,2019年將可能無法再維持此神話。

三星、英特爾是否能挑戰(zhàn)臺(tái)積電先進(jìn)制程?

眾所皆知,在聯(lián)電及格芯相繼停止投資10nm以下技術(shù)后,三星及英特爾搖身一變,成為眾多Fabless高效能處理器廠商的重要潛力供應(yīng)商,而三星及英特爾因本身IDM的身份,對(duì)這些Fabless芯片客戶而言,如此的競(jìng)合關(guān)系終究沒有如臺(tái)積電般的「純」晶圓代工廠商來得可信。

再者,從IDM廠商角度出發(fā),當(dāng)以集團(tuán)內(nèi)事務(wù)為優(yōu)先考量,英特爾于2018年缺貨風(fēng)波便是一歷史警惕。

最后,三星官方雖已對(duì)外宣稱其7nm EUV已于2018年量產(chǎn),但最新S10處理器卻僅采用8nm技術(shù),由此可知其7nm技術(shù)并不夠純熟。

綜合上述各廠商狀況觀察,臺(tái)積電無論在技術(shù)和立場(chǎng)上都明顯比三星、英特爾在高階制程的晶圓代工市場(chǎng)中來得有競(jìng)爭(zhēng)力,更合適服務(wù)這些晶圓代工產(chǎn)業(yè)的Fabless芯片客戶。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)持續(xù)往亞洲傾斜

環(huán)顧晶圓代工產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況,在擁有56%絕對(duì)市占的臺(tái)積電領(lǐng)導(dǎo)下,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)與大陸地區(qū)晶圓代工廠商在全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)中已占有不可動(dòng)搖地步,且透過既有的產(chǎn)業(yè)群聚效應(yīng),以及現(xiàn)下各主要晶圓代工廠的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃。

預(yù)測(cè)未來臺(tái)灣地區(qū)與大陸地區(qū)廠商的份額將會(huì)持續(xù)擴(kuò)大,整個(gè)晶圓代工產(chǎn)業(yè)將會(huì)逐步往亞洲地區(qū)傾斜。

拓墣預(yù)估,總部設(shè)立在臺(tái)灣地區(qū)與大陸地區(qū)的晶圓代工廠商市占率總和將達(dá)到78%。

三星7nm工藝確認(rèn)下半年量產(chǎn) 2021年沖3nm GAA量產(chǎn)

三星7nm工藝確認(rèn)下半年量產(chǎn) 2021年沖3nm GAA量產(chǎn)

為了減低近期存儲(chǔ)器降價(jià)帶來的沖擊,全球存儲(chǔ)器龍頭三星逐漸強(qiáng)化晶圓代工業(yè)務(wù),希望有機(jī)會(huì)進(jìn)一步拉近與臺(tái)積電的差距。在先進(jìn)制程的發(fā)展方面,根據(jù)三星高層表示,將在 2019 下半年量產(chǎn)內(nèi)含 EUV技術(shù)的 7 納米制程,而 2021 年量產(chǎn)更先進(jìn)的 3 納米 GAA 制程。

根據(jù)國(guó)外科技網(wǎng)站《Tomshardware》報(bào)導(dǎo),三星晶圓代工業(yè)務(wù)市場(chǎng)副總 Ryan Sanghyun Lee 表示,三星從 2002 年一直在開發(fā)硅納米線金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(Gate-All-Around;GAA )技術(shù),也就是透過使用納米設(shè)備制造 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),可顯著提升晶體管性能。三星準(zhǔn)備在 2021 年量產(chǎn) 3 納米 GAA 制程。

來源:三星

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步表示,關(guān)于三星 3 納米 GAA 制程何時(shí)進(jìn)入量產(chǎn),至今似乎并沒有統(tǒng)一說法。三星晶圓代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 會(huì)議就表示,三星已完成 3 納米制程技術(shù)性能驗(yàn)證,進(jìn)一步優(yōu)化制程后,目標(biāo)是在 2020 年大規(guī)模量產(chǎn)。

不過 3 納米 GAA 制程不論 2020 年還是 2021 年量產(chǎn),都還離現(xiàn)在都還有點(diǎn)遠(yuǎn)。三星 2019 年主推的是內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程,預(yù)計(jì) 2019 下半年量產(chǎn)。盡管三星 2018 年就已經(jīng)宣布內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程能量產(chǎn),實(shí)際上之前所說的量產(chǎn)只是風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),遠(yuǎn)未達(dá)到規(guī)模量產(chǎn)的地步,2019 年底量產(chǎn)才有可能。

只是,在內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程,臺(tái)積電之前也宣布將在 2019 年量產(chǎn),看起來三星也沒有進(jìn)度優(yōu)勢(shì),目前僅能寄望在三星在內(nèi)含 EUV 技術(shù)的 7 納米制程有自己開發(fā)的光罩檢查工具,而在其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手還沒有類似的商業(yè)工具的情況下,能有更好的良率,以及更低的成本。因此 7 納米節(jié)點(diǎn),三星現(xiàn)階段想要超前,似乎還需要一點(diǎn)運(yùn)氣。

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臺(tái)積電2018年?duì)I收同比增長(zhǎng)5.5%

臺(tái)積電2018年?duì)I收同比增長(zhǎng)5.5%

1月10日,全球晶圓代工大廠臺(tái)積電公布其2018年12月營(yíng)收。

數(shù)據(jù)顯示,2018年12月臺(tái)積電合并營(yíng)收約新臺(tái)幣898.31億元,環(huán)比下降8.7%、同比下降0.1%;累計(jì)第4季度營(yíng)收約為新臺(tái)幣2897.7億元,環(huán)比增長(zhǎng)11.3%、同比增長(zhǎng)4.3%,符合預(yù)期。

根據(jù)臺(tái)積電此前預(yù)測(cè),第4季度業(yè)績(jī)將持續(xù)因?yàn)榭蛻魧?duì)于7nm制程技術(shù)的強(qiáng)勁需求而受惠,合并營(yíng)收預(yù)計(jì)介于93.5億美元到94.5億美元之間,毛利率預(yù)計(jì)介于47%到49%之間,營(yíng)業(yè)利益率預(yù)計(jì)介于36%~38%之間。

臺(tái)積電2018年1月至12月全年累計(jì)營(yíng)收約為新臺(tái)幣1.03萬億元,創(chuàng)下歷史新高,同比增長(zhǎng)5.5%。其將于1月17日召開法說會(huì),公布2018年第4季度以及2018年全年業(yè)績(jī)?cè)敿?xì)情況。

SEMI:2020 年 8 寸供給恐過剩

SEMI:2020 年 8 寸供給恐過剩

國(guó)內(nèi)政府積極金援半導(dǎo)體硅晶圓建廠計(jì)劃,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)估,2020 年底中國(guó)大陸整體 8 寸硅晶圓供應(yīng)產(chǎn)能可達(dá)每月 130 萬片,恐造成市場(chǎng)供過于求。

SEMI 表示,在打造一個(gè)強(qiáng)大且自給自足半導(dǎo)體供應(yīng)鏈決心驅(qū)使下,中國(guó)大陸從 2017 年至 2020 年計(jì)劃新建的晶圓廠數(shù)量高居全球之冠。

到 2020 年,大陸晶圓廠裝機(jī)產(chǎn)能將達(dá)每月 400 萬片 8 寸約當(dāng)晶圓,SEMI 指出,自 2015 年的 230 萬片計(jì),年復(fù)合成長(zhǎng)率將約 12%,成長(zhǎng)速度將高過南韓與臺(tái)灣等地區(qū)。

SEMI 表示,中國(guó)大陸晶圓廠投資積極,帶動(dòng)當(dāng)?shù)卦O(shè)備市場(chǎng) 2018 年超越臺(tái)灣地區(qū),成為全球第二大市場(chǎng),僅次于南韓。

隨著半導(dǎo)體制造業(yè)成長(zhǎng),SEMI 指出,中國(guó)的中央和地方政府已將發(fā)展硅晶圓供應(yīng)鏈列為首要任務(wù),金援多項(xiàng)硅晶圓建廠計(jì)劃。

大陸廠商已有能力提供 6 寸以下硅晶圓產(chǎn)品,SEMI 表示,在強(qiáng)大內(nèi)需與國(guó)家補(bǔ)助政策推動(dòng)下,部分廠商已達(dá)成制造大尺寸硅晶圓的關(guān)鍵里程碑。

SEMI 預(yù)估,2020 年底大陸整體 8 寸硅晶圓供應(yīng)產(chǎn)能將達(dá)每月 130 萬片規(guī)模,可能造成市場(chǎng)轉(zhuǎn)為供過于求,12 寸硅晶圓月產(chǎn)量也可望達(dá) 75 萬片水平。