全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高,臺(tái)積電三星等各顯神通

全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高,臺(tái)積電三星等各顯神通

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新統(tǒng)計(jì),2018年全球晶圓代工產(chǎn)值再創(chuàng)新高,有望突破600億美元大關(guān),年成長(zhǎng)達(dá)5%(2017年成長(zhǎng)8.1%)。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)自2017年便開始呈現(xiàn)「一位難求」,客戶排隊(duì)等產(chǎn)能景象,整體產(chǎn)業(yè)榮景延伸至2018上半年,部分晶圓代工廠商甚至在2018上半年交出2位數(shù)年成長(zhǎng)幅度。在2018下半年,客戶需求開始趨緩,眾多制程產(chǎn)品市場(chǎng)表現(xiàn)不如預(yù)期(尤以28nm節(jié)點(diǎn)最明顯)。

成熟制程產(chǎn)品穩(wěn)健發(fā)展

自2017年開始,市場(chǎng)呈現(xiàn)8寸晶圓代工產(chǎn)能比12寸代工產(chǎn)能更加緊缺局勢(shì),可想而知,成熟制程技術(shù)的應(yīng)用需求依然處在穩(wěn)健成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),其中包含電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)、指紋識(shí)別、影像感測(cè)與MCU等眾多應(yīng)用,制成節(jié)點(diǎn)從40/45nm開始一路往上涵蓋至0.25/0.35/0.5μm等技術(shù)。

事實(shí)上,晶圓代工產(chǎn)業(yè)的二把手和三把手,格芯和聯(lián)電皆于2018年相繼宣布放棄競(jìng)逐先進(jìn)制程技術(shù),轉(zhuǎn)而將資源集中于12/14nm以上產(chǎn)品市場(chǎng),可想而知,在物聯(lián)網(wǎng)大趨勢(shì)下,已有部分晶圓代工廠商改采穩(wěn)扎穩(wěn)打的市場(chǎng)策略,將深耕相對(duì)成熟的制程產(chǎn)品。

臺(tái)積電大談10nm以下先進(jìn)制程商機(jī)

相較格芯和聯(lián)電,晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭臺(tái)積電則持續(xù)于產(chǎn)業(yè)內(nèi)維持其先進(jìn)芯片代工技術(shù)的身分地位。

2018年領(lǐng)先同業(yè)量產(chǎn)7nm技術(shù)后便立即籌劃7nm升級(jí)版,預(yù)計(jì)2019年將EUV引入7nm產(chǎn)品并量產(chǎn),臺(tái)積電為保持未來5年領(lǐng)導(dǎo)地位,已明確規(guī)劃和投資臺(tái)南廠區(qū),期望分別于2020年與2022年量產(chǎn)更先進(jìn)的5nm和3nm技術(shù)。

從臺(tái)積電公開資料中可得知,2018上半年便已有不少客戶將產(chǎn)品從10nm轉(zhuǎn)投至更高技術(shù)規(guī)格的7nm,顯現(xiàn)出市場(chǎng)對(duì)更高規(guī)格技術(shù)需求。

三星成晶圓代工先進(jìn)制程技術(shù)關(guān)鍵廠商

除了上述3間重點(diǎn)「純」晶圓代工廠商于2018下半年接連發(fā)布重大策略外,英特爾和三星一直以來也是晶圓代工產(chǎn)業(yè)中值得關(guān)注的廠商。

英特爾和三星雖然都是IDM廠商,但因自身有與臺(tái)積電相匹配的先進(jìn)制程技術(shù),一直以來也是Fabless芯片設(shè)計(jì)廠商重點(diǎn)關(guān)注的潛力供應(yīng)商,但隨著英特爾因長(zhǎng)年耕耘晶圓代工市場(chǎng)無果而漸進(jìn)式退出,三星將成為客戶在10nm以下產(chǎn)品的唯二選擇。

從數(shù)月前SFF Japan 2018發(fā)布進(jìn)度觀察,三星將于2018~2020年依序完成7nm、5/4nm與3nm,以實(shí)現(xiàn)反超臺(tái)積電的目標(biāo)。

10大事件回顧2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

10大事件回顧2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

時(shí)光飛逝,我們結(jié)束2018年、迎來嶄新的2019年?;仡欉^去一年,伴隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興市場(chǎng)日益崛起,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可謂機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。在這辭舊迎新之際,全球半導(dǎo)體觀察盤點(diǎn)出2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有較大關(guān)注度和影響力、以及具有產(chǎn)業(yè)趨向性的十大標(biāo)志性事件,助產(chǎn)業(yè)人士回顧過去、展望未來。

01 ? 高通終止收購恩智浦

2018年7月26日,歷時(shí)21個(gè)月的高通收購恩智浦交易案正式宣告失敗。

2016年10月,高通、恩智浦聯(lián)合宣布,雙方已達(dá)成最終協(xié)議并說經(jīng)董事會(huì)一致批準(zhǔn),高通將以380億美元收購恩智浦已發(fā)行的全部股票,約合每股110美元。隨后該收購案相繼得到了美國、歐盟、韓國等全球8個(gè)國家監(jiān)管部門批準(zhǔn),但遲遲未獲中國商務(wù)部批準(zhǔn)。

為了得到中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn),高通與恩智浦一再延遲交易有效期。按照原計(jì)劃,這次收購將于2018年4月25日完成交易,一再推遲至5月25日、7月20日,最終確定7月25日為最后期限。但截至美國時(shí)間7月25日23:59,由于尚未接到中國監(jiān)管機(jī)構(gòu)審批通過的消息,高通終止收購恩智浦。

點(diǎn)評(píng):在特殊時(shí)代背景下,這一收購案最終“流產(chǎn)”可以說是注定的。

02 ? 臺(tái)積電標(biāo)志性事件

作為全球最大的晶圓代工廠,臺(tái)積電的一舉一動(dòng)均備受矚目,在此盤點(diǎn)臺(tái)積電過去一年里的三大標(biāo)志性事件。

產(chǎn)線感染病毒

8日3日,臺(tái)積電遭到電腦病毒入侵,新竹總部Fab12廠區(qū)的內(nèi)部電腦最先遭到病毒感染,并于當(dāng)晚10時(shí)透過內(nèi)網(wǎng)蔓延至中科Fab15廠、南科Fab14廠,導(dǎo)致這三大廠區(qū)產(chǎn)線停機(jī)。
臺(tái)積電稱,此次病毒感染的原因?yàn)樾聶C(jī)臺(tái)在安裝軟件的過程中操作失誤,因此病毒在新機(jī)臺(tái)連接到公司內(nèi)部電腦網(wǎng)絡(luò)時(shí)發(fā)生病毒擴(kuò)散的情況。

臺(tái)積電第三季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,病毒事件影響臺(tái)灣廠區(qū)部分電腦系統(tǒng)及廠房機(jī)臺(tái),相關(guān)晶圓生產(chǎn)也受到波及,所有受影響機(jī)臺(tái)都已在8月6日恢復(fù)正常,第3季認(rèn)列電腦病毒感染相關(guān)損失25.96億新臺(tái)幣。

點(diǎn)評(píng):若真是裝軟件過程中操作失誤所致,那么對(duì)于各晶圓廠來說,針對(duì)相關(guān)流程的梳理再優(yōu)化將是必須長(zhǎng)期堅(jiān)持的一項(xiàng)重要工作;另外,也警示大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才培訓(xùn)方面容不得半點(diǎn)馬虎,尤其在當(dāng)前大批產(chǎn)線落地并陸續(xù)導(dǎo)入量產(chǎn)的時(shí)期,人員的流動(dòng)將更加頻繁,人才的篩選培訓(xùn)需更加嚴(yán)格。

南京廠量產(chǎn)

10月31日,臺(tái)積電(南京)晶圓十六廠舉行開幕暨量產(chǎn)典禮,宣布南京12英寸廠正式量產(chǎn)。該廠采用16納米制程,是目前中國大陸制程技術(shù)最先進(jìn)的晶圓代工廠,目前月產(chǎn)能為1萬片,預(yù)計(jì)在2020年達(dá)到2萬片的規(guī)模。

2015年底,臺(tái)積電決定到南京投資。2016年3月28日,臺(tái)積電正式與南京市政府簽約,并于同年7月7日進(jìn)行動(dòng)土、2017年9月12日舉行進(jìn)機(jī)典禮。據(jù)悉南京廠是臺(tái)積電建廠最快、上線最快、最美、最宏偉、最有特色的廠區(qū)。

點(diǎn)評(píng):雖然臺(tái)積電南京廠規(guī)劃產(chǎn)能并不高,但是在承接大陸客戶訂單轉(zhuǎn)移方面作用明顯,不排除其后期更多的產(chǎn)能擴(kuò)增計(jì)劃;另外,基于TSMC的品牌效應(yīng),對(duì)于產(chǎn)業(yè)鏈配套的引進(jìn)意義非凡,未來南京在全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的地位會(huì)越來越高。

15年來首建8英寸廠

12月6日,臺(tái)積電在供應(yīng)鏈論壇上宣布,由于8英寸需求相當(dāng)強(qiáng)勁,臺(tái)積電將在臺(tái)南6廠新增1座8英寸新廠,專門提供特殊制程。這是繼2003年臺(tái)積電在大陸上海松江蓋8英寸廠后,再次打算增建8英寸廠產(chǎn)能。

點(diǎn)評(píng):臺(tái)積電再建8英寸產(chǎn)線,一方面說明了8英寸覆蓋產(chǎn)品領(lǐng)域廣,市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)動(dòng)能強(qiáng)勁;另一方面,也說明本土替代空間仍然較大,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在規(guī)劃的時(shí)候并不一定都需要上來就切入12英寸,事實(shí)上,成熟的8英寸產(chǎn)線能更多綁定市場(chǎng)訂單,同時(shí)也能給予本土對(duì)應(yīng)設(shè)備及材料廠商更好的支持。

03 ? 紫光集團(tuán)股權(quán)改革

9月4日,紫光集團(tuán)實(shí)際控制人清華控股分別與高鐵新城、海南聯(lián)合簽署附生效條件的《股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》,分別向后兩者轉(zhuǎn)讓所持有的紫光集團(tuán)30%、6%股權(quán),同時(shí)三方簽署《共同控制協(xié)議》對(duì)紫光集團(tuán)實(shí)施共同控制。不過,上述股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議于10月25日終止。

同時(shí),10月25日清華控股與深圳市政府國產(chǎn)委全資子公司深投控及紫光集團(tuán)共同簽署了《合作框架協(xié)議》,擬向深投控轉(zhuǎn)讓紫光集團(tuán)36%股權(quán),深投控以現(xiàn)金支付對(duì)價(jià)。本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后,紫光集團(tuán)第一大股東北京健坤持股49%,第二大股東深投控持股36%,第三大股東清華控股持股15%。

公告稱,清華控股和深投控應(yīng)在簽署36%股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議的當(dāng)天,簽署《一致行動(dòng)協(xié)議》或作出其他安排,約定本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后由清華控股和深投控一致行動(dòng)或作出類似安排,達(dá)到將紫光集團(tuán)納入深投控合并報(bào)表范圍的條件,以實(shí)現(xiàn)深投控對(duì)紫光集團(tuán)的實(shí)際控制。

點(diǎn)評(píng):作為校企改革先鋒,紫光集團(tuán)的這一股權(quán)變化將有利于實(shí)現(xiàn)混合所有制,通過體制變革激發(fā)企業(yè)活力,為紫光集團(tuán)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化管理提供機(jī)會(huì),尤其是紫光集團(tuán)已獲得較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的集成電路行業(yè),市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,對(duì)相關(guān)人才極度渴求,這將有利于紫光集團(tuán)引入專業(yè)的管理人才和技術(shù)人才。

04 ? 瑞薩67億美元收購IDT

9月11日,瑞薩電子與IDT宣布雙方已簽署最終協(xié)議,瑞薩電子將以每股49.00美元的價(jià)格,總股權(quán)價(jià)值約67億美元全現(xiàn)金交易方式收購IDT所有流通股份。該交易已獲得雙方董事會(huì)一致批準(zhǔn),預(yù)計(jì)在獲得IDT股東和相關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)后,將于2019年上半年完成。交易若完成,將成為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)史上最大規(guī)模的并購案。

瑞薩電子表示,IDT的模擬混合信號(hào)產(chǎn)品包括傳感器、高性能互聯(lián)、射頻和光纖以及無線電源,與瑞薩電子MCU、SoC和電源管理IC相結(jié)合,為客戶提供綜合全面的解決方案,滿足從物聯(lián)網(wǎng)到大數(shù)據(jù)處理日益增長(zhǎng)的信息處理需求。此外,IDT的內(nèi)存互聯(lián)和專用電源管理產(chǎn)品有利于瑞薩電子在不斷發(fā)展的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)業(yè)務(wù)增長(zhǎng),并加強(qiáng)其在產(chǎn)業(yè)和汽車市場(chǎng)的影響力。

點(diǎn)評(píng):隨著近年來智能網(wǎng)聯(lián)汽車市場(chǎng)的發(fā)展,模擬IC的需求也越來越大,全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體廠商都紛紛布局汽車市場(chǎng),瑞薩大手筆收購IDT可以看作是對(duì)汽車芯片或者是自動(dòng)駕駛汽車市場(chǎng)的加碼。

05 ? 阿里成立平頭哥半導(dǎo)體

2017年云棲大會(huì)上,阿里巴巴宣布成立達(dá)摩院進(jìn)行基礎(chǔ)科學(xué)和顛覆式技術(shù)創(chuàng)新研究,研究范圍涵蓋量子計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)、基礎(chǔ)算法、芯片技術(shù)、傳感器技術(shù)、嵌入式系統(tǒng)等多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

2017年10月11日,達(dá)摩院正式注冊(cè)成立,并組建了芯片技術(shù)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行AI芯片的自主研發(fā)。2018年4月,達(dá)摩院宣布正在研發(fā)一款神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片Ali-NPU,預(yù)計(jì)于明年下半年面世,并全資收購自主嵌入式CPU IP Core公司中天微。

今年9月云棲大會(huì)上,阿里巴巴CTO、達(dá)摩院院長(zhǎng)張建鋒宣布,阿里將把此前收購的中天微和達(dá)摩院自研芯片業(yè)務(wù)整合成一家獨(dú)立的芯片公司,推進(jìn)云端一體化的芯片布局。該公司由馬云拍板決定取名“平頭哥半導(dǎo)體有限公司”,目前阿里巴巴達(dá)摩院旗下已注冊(cè)成立3家“平頭哥”全資子公司。

點(diǎn)評(píng):在成長(zhǎng)為龐大的商業(yè)帝國之后,阿里入局芯片產(chǎn)業(yè)已在情理之中,據(jù)說“平頭哥”是馬云親自命名,無論未來結(jié)果如何,其互聯(lián)網(wǎng)的基因從一開始就“深入骨髓”,希望阿里芯片事業(yè)真的像“平頭哥”所代表的的寓意一樣,頑強(qiáng)執(zhí)著、勇敢逐夢(mèng)!

06 ? 聯(lián)電格芯放棄高端制程

今年8月中旬,晶圓代工大廠聯(lián)電宣布不再投資12nm以下的先進(jìn)工藝,將專注于改善公司的投資回報(bào)率,未來經(jīng)營(yíng)策略將著重在成熟制程。據(jù)悉這一決定是由聯(lián)電聯(lián)席CEO王石、簡(jiǎn)山杰調(diào)研一年后作出的,聯(lián)電將徹底改變以往的增長(zhǎng)策略,不再盲目追趕先進(jìn)技術(shù)。聯(lián)電表示,未來還會(huì)投資研發(fā)14nm及改良版的12nm工藝,不過更先進(jìn)的7nm及未來的5nm等工藝不會(huì)再大規(guī)模投資了。

在聯(lián)電宣布上述消息不久后,全球第二大晶圓代工格芯(GLOBALFOUNDRIES)也于8月28日宣布,為支持公司戰(zhàn)略調(diào)整,將擱置7納米FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時(shí),格芯一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

點(diǎn)評(píng):半導(dǎo)體制程技術(shù)演進(jìn)到7nm/5nm,不僅僅是開發(fā)難度呈指數(shù)級(jí)上升,對(duì)企業(yè)來講,更是成本、市場(chǎng)不確定性等高風(fēng)險(xiǎn),市場(chǎng)化機(jī)制下,企業(yè)若因?yàn)槌袚?dān)過高的風(fēng)險(xiǎn)而失去盈利信心和能力,企業(yè)最終可能會(huì)走向破產(chǎn),所以以“舍”求“得”未必不是更好的經(jīng)營(yíng)策略。

07 ? 中芯14納米獲重大進(jìn)展

2017年10月,中芯國際延攬三星電子及臺(tái)積電的前高層梁孟松來擔(dān)任聯(lián)席首席執(zhí)行長(zhǎng)的職務(wù),希望其指導(dǎo)中芯國際在加速14nm FinFET制程的發(fā)展進(jìn)程。

8月9日,中國大陸最大晶圓代工廠商中芯國際在發(fā)布2018年第二季度財(cái)報(bào)時(shí)表示,中芯國際最新一代14nm FinFET工藝研發(fā)完成,正進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。中芯國際執(zhí)行副總裁李智在第二十一屆中國集成電路制造年會(huì)上表示,中芯國際14nm制程將于2019年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)悉,進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段實(shí)際上是邀請(qǐng)芯片設(shè)計(jì)公司將其芯片設(shè)計(jì)的圖紙放到中芯國際的14nm產(chǎn)線上流片,看看目前的14nm工藝有哪些需要改進(jìn)的地方,通過雙方的合作生產(chǎn)出一款合格的14nm制程邏輯芯片。

點(diǎn)評(píng):首先,14nm工藝流片,對(duì)本土foundry來說,實(shí)現(xiàn)了從0到1的突破,但是真正實(shí)現(xiàn)多IP要求的14nm芯片制造工藝仍然面臨很大挑戰(zhàn),中芯國際在對(duì)應(yīng)IP儲(chǔ)備方面仍有大量工作要做。

08 ? 海思發(fā)布7納米芯片

8月31日,華為海思發(fā)布7nm制程芯片麒麟980。

根據(jù)官方介紹,麒麟980此次實(shí)現(xiàn)了TSMC 7nm制造工藝在手機(jī)芯片上首發(fā),相比業(yè)界普遍采用的 10nm 制造工藝,性能可提升 20%,能效提升 40%,晶體管密度提升到 1.6 倍,在不到 1 平方厘米面積內(nèi)集成了69億晶體管。

點(diǎn)評(píng):海思麒麟980的意義并不在于制程更高、性能更強(qiáng)、GPU更能打,作為華為旗下半導(dǎo)體平臺(tái)其在芯片領(lǐng)域的某些核心技術(shù)已經(jīng)開始引領(lǐng)潮流,這才是值得稱道的地方,也說明華為自研芯片的路是走對(duì)了。

09 ? 長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布Xtacking技術(shù)

8月6日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。

據(jù)官方介紹,采用XtackingTM技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路,這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝,以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后,創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路,而且只增加了有限的成本。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtacking TM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)。該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

點(diǎn)評(píng):隨著3DNAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高,外圍電路可能占到芯片整體面積的50%以上,XtackingTM技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上,可實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。長(zhǎng)江存儲(chǔ)XtackingTM主要是對(duì)傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)的突破,從這層面來看,殊為不易。

10 ? 中微5nm設(shè)備通過臺(tái)積電驗(yàn)證

臺(tái)積電對(duì)外宣布將于2019年第二季度進(jìn)行5納米制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),預(yù)計(jì)于2020年量產(chǎn)。12月中旬,國產(chǎn)刻蝕機(jī)龍頭企業(yè)中微半導(dǎo)體向媒體表示,中微半導(dǎo)體自主研制的5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米制程生產(chǎn)線。

5納米相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑(約為0.1毫米)的二萬分之一,方寸間近乎極限的操作對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度提出超高要求,中微半導(dǎo)體5納米等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證,突破了“卡脖子”技術(shù),讓國產(chǎn)刻蝕機(jī)躋身國際第一梯隊(duì)。

點(diǎn)評(píng):對(duì)外,中微半導(dǎo)體逐漸切入全球一流客戶,贏得了在國際市場(chǎng)上的重要地位;對(duì)內(nèi),其刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)已擴(kuò)展覆蓋到介質(zhì)刻蝕、深硅刻蝕,對(duì)國內(nèi)其他對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)壓力越來越大。然而,中微半導(dǎo)體的成功可復(fù)制性并不強(qiáng)。

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全球晶圓代工走向新分水嶺

全球晶圓代工走向新分水嶺

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競(jìng)賽如火如荼來到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無限期停止7nm及以下先進(jìn)制程發(fā)展。一直以來,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為延續(xù)摩爾定律每隔18~24個(gè)月集成電路便為晶體管數(shù)目和性能將翻倍提升而努力,10nm及以下先進(jìn)制程成本有多高?讓晶圓代工老二、老三的GlobalFoundries和聯(lián)電紛紛打消發(fā)展念頭。

一直以來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)奉摩爾定律為圭臬,努力將線寬縮小,以便在芯片上塞入更多晶體管,雖然晶圓代工價(jià)格也因制程微縮而隨之上升,但越精細(xì)的制程技術(shù)除了能切割出更多芯片外,也能提升產(chǎn)品效能和降低功耗,在良率控制得宜下,往往還是能獲得追求極致產(chǎn)品表現(xiàn)的客戶采用,且隨著經(jīng)驗(yàn)累積和設(shè)備攤提,將會(huì)讓現(xiàn)下先進(jìn)制程技術(shù)成本持續(xù)下探,進(jìn)而吸引更多新產(chǎn)品和新應(yīng)用導(dǎo)入。

但在物理極限下,先進(jìn)制程微縮變得越來越困難,技術(shù)難度提高讓晶圓代工廠的資本支出跟著增加,關(guān)鍵的微影制程為持續(xù)微縮瓶頸所在,相關(guān)設(shè)備成本也最為高昂,使得投入的晶圓代工廠商與客戶減少。

晶圓代工廠商的最大難關(guān)-微影技術(shù)

微影技術(shù)透過紫外光當(dāng)光源,將繪制在光罩上的電路圖形微縮投影至涂布光阻的晶圓上,再經(jīng)過曝光顯影蝕刻去除光阻等過程,在晶圓產(chǎn)生集成電路。隨著制程微縮線寬縮小,光罩也變得更為精細(xì),光源波長(zhǎng)也需變短,以避免繞射效應(yīng)產(chǎn)生。

過去紫外光波長(zhǎng)一路從365nm進(jìn)展到目前以ArF氣體雷射達(dá)到193nm,ArF 193nm曝光機(jī)原理上可制作的最小線寬為48nm,加上浸潤(rùn)式微影與多重曝光的搭配,眾晶圓代工廠的制程辛苦走到7nm節(jié)點(diǎn),采用多重曝光技術(shù)僅能做單一方向微縮,無法做2個(gè)方向的微縮,影響單位面積下所能容納的晶體管數(shù)量,加以所需光罩?jǐn)?shù)與制程數(shù)大幅增加,以往隨著制程微縮,每芯片成本隨之下降情況已不復(fù)見。

當(dāng)制程微縮圖形變得復(fù)雜,曝光次數(shù)需增加,光罩成本也就跟著飆高;根據(jù)eBeam Initiative調(diào)查,廠商到7~10nm節(jié)點(diǎn)光罩層數(shù)平均來到76層,甚至有廠商來到逾100層,這也代表光罩成本激增,到7nm制程節(jié)點(diǎn)已非一般中小型IC設(shè)計(jì)廠商所能負(fù)擔(dān)。
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波長(zhǎng)更短的極紫外光(EUV)成為7nm以下制程的另一解方,以Samsung已導(dǎo)入EUV 的7nm LPP制程為例,光罩模塊總數(shù)減少約20%。

昂貴的解方EUV

EUV雖能減少光罩,并能降低生產(chǎn)周期(Cycle Time)和晶圓缺陷問題,但EUV設(shè)備所費(fèi)不貲,ArF浸潤(rùn)式曝光機(jī)價(jià)格已要價(jià)約5,600~6,200萬美元,EUV曝光機(jī)價(jià)格1臺(tái)更是上看1.2億美元,大幅墊高晶圓代工廠商資本支出,而EUV波長(zhǎng)極短,能量很容易被材料吸收,光罩須重新設(shè)計(jì)為反射式,成本也較為昂貴,EUV光源要達(dá)到250W和每小時(shí)單位產(chǎn)出125片(WPH),才能達(dá)到半導(dǎo)體廠商量產(chǎn)最低要求,目前ASML已突破此要求,但相較目前浸潤(rùn)式曝光機(jī)可達(dá)每小時(shí)250片(WPH)的產(chǎn)出而言,仍有很大努力空間。

EUV本身也還有光罩薄膜和光阻劑等挑戰(zhàn)待突破,因此臺(tái)積電目前7nm制程仍使用193i進(jìn)行四重曝光(4P4E),預(yù)估第二代7nm制程才會(huì)在部分Layer使用EUV。

IC設(shè)計(jì)與品牌商同樣面對(duì)的成本高墻

除了光罩,IP授權(quán)與人事研發(fā)成本隨著最先進(jìn)制程導(dǎo)入,成本更是節(jié)節(jié)升高,綜合EETAsia與Semico估計(jì),一般SoC IP授權(quán)與人事費(fèi)用約1.5億美元,而7nm將較10nm多出23%來到1.84億美元,5nm節(jié)點(diǎn)更將來到2~2.5億美元。

對(duì)IC制造與IC設(shè)計(jì)商而言,7nm以下制程越來越少有廠商玩得起。

從終端芯片來看,可能對(duì)芯片成本的提升更有感,以每年搭載最先進(jìn)制程芯片的Apple iPhone為例,2018年新機(jī)iPhone XS Max搭載7nm制程A12 Bionic處理器,成本來到72美元,較2017年搭載10nm制程的A11 Bionic再貴上8%;而光芯片成本已直逼中階智能型手機(jī)80~120美元整體BOM Cost。
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智能型手機(jī)的行動(dòng)運(yùn)算、服務(wù)器、繪圖與資料中心等領(lǐng)域,仍受益于芯片微縮計(jì)算機(jī)運(yùn)算效能提升與耗電降低的好處,但當(dāng)成本也節(jié)節(jié)升高,并不是所有廠商都奮不顧身投入.

目前宣告產(chǎn)品采用7nm的廠商Apple、Samsung、華為、NVIDIA與AMD等廠商若非前幾大智能型手機(jī)品牌就是CPU/GPU重要大廠,為了產(chǎn)業(yè)上的領(lǐng)先地位,價(jià)格敏感度也較低,也有較大生產(chǎn)量,才能分?jǐn)偣庹?、設(shè)計(jì)與制造等成本;當(dāng)客戶群集中在少數(shù),對(duì)非前幾大晶圓代工廠商而言,持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)制程的投資,后續(xù)產(chǎn)能若無法填補(bǔ),將面臨極大的財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn),這也是為何聯(lián)電和GlobalFoundries紛紛在這場(chǎng)奈米競(jìng)賽停止腳步,以獲利為優(yōu)先。

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強(qiáng)攻 10 納米節(jié)點(diǎn) 英特爾以色列擴(kuò)廠獲1.85億美元補(bǔ)助

強(qiáng)攻 10 納米節(jié)點(diǎn) 英特爾以色列擴(kuò)廠獲1.85億美元補(bǔ)助

雖然日前處理器大廠英特爾(intel)宣布,為了解決 14 納米產(chǎn)能不足的問題,預(yù)計(jì)針對(duì)旗下包括在以色列的 3 座晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)。不過,早在這個(gè)計(jì)劃之前,英特爾在 2018 年 5 月時(shí)就已經(jīng)宣布,計(jì)劃在以色列擴(kuò)建工廠,并已提交相關(guān)申請(qǐng)。如今,以色列政府針對(duì)英特爾準(zhǔn)備投資 50 億美元的擴(kuò)廠計(jì)劃,同意給予 7 億謝克爾 (約 1.85 億美元) 的政府補(bǔ)助。

事實(shí)上,英特爾是以色列最大的雇主和出口商之一,英特爾的許多新技術(shù)都是在以色列研發(fā)的。另外,英特爾也是科技領(lǐng)域在以色列的最大投資者,其投資金額約為 350 億美元。而為了吸引英特爾繼續(xù)投資,以色列政府提供了一系列優(yōu)惠政策,包括占投資總額 20% 到 30% 的政府補(bǔ)助、降低公司稅、土地征用優(yōu)先權(quán)以及開發(fā)成本補(bǔ)貼等措施。

而對(duì)以色列所提出的相關(guān)優(yōu)惠措施,英特爾也計(jì)劃在 2018 年至 2020 年之間,將在以色列投資 50 億美元,其主要為擴(kuò)大在以色列南部 Kiryat Gat 半導(dǎo)體工廠的產(chǎn)能。Kiryat Gat 半導(dǎo)體工廠的擴(kuò)建工程將在 2019 年啟動(dòng),到 2020 年完工。英特爾之前已表示,計(jì)劃把該工廠的生產(chǎn)制程技術(shù)由現(xiàn)階段的 22 納米,升級(jí)到 10 納米,生產(chǎn)更小、處理速度更快的處理器。

位于以色列南部 Kiryat Gat 的英特爾半導(dǎo)體工廠,英特爾曾經(jīng)在 2014 年投資了 60 億美元來進(jìn)行升級(jí)。其中,5% 為以色列政府補(bǔ)助,而且獲得了 5% 的 10 年企業(yè)租稅優(yōu)惠。后來,在 2016 年到 2017 年期間,英特爾又投資了 60 億美元用于該工廠擴(kuò)建和升級(jí)。

對(duì)于英特爾而言,以色列是重要的發(fā)展據(jù)點(diǎn)之一。在巔峰時(shí)期,英特爾在以色列總共有 3 座半導(dǎo)體工廠。最早的 Fab 8 廠位于耶路撒冷,但是在 2007 年因?yàn)楫?dāng)?shù)鬲q太教徒持續(xù)反對(duì)其在安息日進(jìn)行生產(chǎn)作業(yè),使得英特爾最后放棄該廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,最終因設(shè)備老舊而停產(chǎn)。至于,另 2 座半導(dǎo)體工廠位于以色列南部 Kiryat Gat 。

受惠于這 2 座半導(dǎo)體工廠的興建,使得原來只有數(shù)千人口和一座紡織廠的 Kiryat Gat,躍升成為一個(gè) 5 萬人口的高科技重鎮(zhèn),同時(shí)吸引了惠普(HP)等一批跨國企業(yè)進(jìn)駐。

而英特爾除了現(xiàn)存的 2 座半導(dǎo)體工廠之外,還在 Haifa、 Yakum、耶路撒冷和佩塔提克瓦等 4 個(gè)城市設(shè)有 4 個(gè)研發(fā)中心,直接雇員超過一萬人。其中,Haifa研究中心是英特爾在美國本土以外規(guī)模最大的研發(fā)中心。也因?yàn)橛⑻貭柵c以色列有如此深厚的合作關(guān)系,也使得相關(guān)投資在以色列持續(xù)進(jìn)行中。

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英特爾放棄對(duì)外晶圓代工業(yè)務(wù),不見得有利臺(tái)積電轉(zhuǎn)單

英特爾放棄對(duì)外晶圓代工業(yè)務(wù),不見得有利臺(tái)積電轉(zhuǎn)單

日前,市場(chǎng)傳出為了能填補(bǔ) 14 納米制程的產(chǎn)能缺口,處理器龍頭英特爾(intel)在進(jìn)行旗下 3 座位于包括美國俄勒岡州、愛爾蘭以及以色列的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)之外,還將關(guān)閉對(duì)外定制化晶圓代工業(yè)務(wù)。有相關(guān)人士看好此舉,在英特爾退出晶圓代工市場(chǎng)的情況下,有機(jī)會(huì)對(duì)龍頭臺(tái)積電造成轉(zhuǎn)單效應(yīng)。不過,目前市場(chǎng)分析師表示,原本英特爾晶圓代工市占比例本來就不高,所以轉(zhuǎn)單效應(yīng)其實(shí)有限。

根據(jù)外媒的報(bào)導(dǎo),過去一段時(shí)間以來,英特爾對(duì)無晶圓廠的 IC 設(shè)計(jì)公司開放定制化的晶圓代工服務(wù)是個(gè)錯(cuò)誤決定。因?yàn)檫@不但影響了英特爾在處理器方面的核心競(jìng)爭(zhēng)力,還因?yàn)槌绦蛏系腻e(cuò)誤,導(dǎo)致近期 14 納米產(chǎn)能不足,使得個(gè)人電腦產(chǎn)業(yè)蒙受處理器缺少所帶來沖擊的結(jié)果。因此,英特爾為了填補(bǔ) 14 納米制程的產(chǎn)能空缺,決定關(guān)閉對(duì)外晶圓代工業(yè)務(wù),專心將珍貴的產(chǎn)能用于自身的產(chǎn)品量產(chǎn)上。

而在此計(jì)劃傳出之后,有人看好在英特爾退出晶圓代工市場(chǎng)之后,將有機(jī)會(huì)為臺(tái)積電帶來轉(zhuǎn)單效益。對(duì)此,市場(chǎng)分析師表示,全球主要 IC 設(shè)計(jì)廠商在保護(hù)自家技術(shù)的考量下,下單給英特爾代工的本來就不多。

即便英特爾退出晶圓代工市場(chǎng),釋出的市占率極其有限。此外,以臺(tái)積電在全球晶圓代工市占率 55% 來看,就算拿到英特爾釋出的代工訂單,頂多額外增加 1 到 2 個(gè)百分點(diǎn)的市占率,貢獻(xiàn)度不大。

而值得注意的是,目前英特爾本來就有部分低端的芯片組是委外由臺(tái)積電來代工生產(chǎn)的。若未來英特爾不再對(duì)外承接晶圓代工訂單,在優(yōu)先填補(bǔ)自家工廠產(chǎn)能利用率的考量下,這些訂單有可能會(huì)回流,兩相抵銷后,將使得臺(tái)積電的受惠程度更加降低。

所以,由這些角度來觀察,英特爾放棄晶圓代工業(yè)務(wù),除了是想解決 14 納米制程產(chǎn)能不足的問題之外,也為提前為下一世代 10 納米制程進(jìn)入量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。如此一來,未來英特爾在晶圓制造的部份,藉由產(chǎn)能與制成的優(yōu)化,可以完全達(dá)到配合設(shè)計(jì)端的目標(biāo)。在雙方磨合更好的情況下,制程進(jìn)度有機(jī)會(huì)加快,反而將會(huì)為臺(tái)積電帶來壓力。

3納米之爭(zhēng)!三星2020年量產(chǎn) 臺(tái)積電建廠環(huán)評(píng)過關(guān)應(yīng)戰(zhàn)

3納米之爭(zhēng)!三星2020年量產(chǎn) 臺(tái)積電建廠環(huán)評(píng)過關(guān)應(yīng)戰(zhàn)

根據(jù)19日臺(tái)灣地區(qū)環(huán)保署所召開的環(huán)評(píng)大會(huì)決議,晶圓代工龍頭臺(tái)積電預(yù)計(jì)斥資新臺(tái)幣6,000億元,于南科興建3納米廠的計(jì)劃,在經(jīng)濟(jì)部能源局、水利署、以及臺(tái)電掛保障,在供電與供水都將無虞的情況下,環(huán)評(píng)委員已決議通過南科園區(qū)環(huán)境差異變更計(jì)劃。

臺(tái)積電3納米新廠之前已確定落腳南科,而南科管理局也向環(huán)保署提出環(huán)境差異變更計(jì)劃,將變更園區(qū)用水量、污水放流量、污水廠處理容量及用電量等。不過,對(duì)于之前環(huán)保團(tuán)體提出質(zhì)疑的電力與水利供給疑慮,包括能源局、水利署、臺(tái)電表示,供電方面,包括再生能源以及發(fā)電機(jī)組都已汰舊換新情況下,供應(yīng)臺(tái)積電3納米廠所需的75萬千瓦用電將無虞。

另外,在供水部分,水利署則是表示,開源措施都能順利完工,加上再生水發(fā)展等應(yīng)對(duì)下,供水也沒問題。因此,整個(gè)環(huán)評(píng)大會(huì)在歷時(shí)2個(gè)小時(shí)說明之下,環(huán)評(píng)委員最后決議南科園區(qū)環(huán)境差異變更計(jì)劃審核修正通過。而且,經(jīng)濟(jì)部和臺(tái)南市政府得配合此案量產(chǎn)用電時(shí)程,協(xié)助優(yōu)先滿足該案再生能源發(fā)電。

事實(shí)上,臺(tái)積電總裁魏哲家此前在供應(yīng)鏈論壇上表示,3納米將成為帶領(lǐng)推動(dòng)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)能。而預(yù)計(jì)在環(huán)評(píng)順利通過后,將按照原本臺(tái)積電的規(guī)劃,這座3納米廠將在2020年建廠,2021年開始安裝,之后預(yù)估經(jīng)過18個(gè)月的認(rèn)證,在2022年底到2023年初開始量產(chǎn)。

不過,此前臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,韓國三星已經(jīng)放話,目前旗下的3納米廠已經(jīng)完成相關(guān)認(rèn)證,目前正在進(jìn)行相關(guān)制程的優(yōu)化中,預(yù)計(jì)在2020年正式量產(chǎn),正式超車臺(tái)積電。因此,面對(duì)三星的來勢(shì)洶洶,臺(tái)積電3納米制程的發(fā)展就成為攸關(guān)勝負(fù)的關(guān)鍵。如今建廠環(huán)評(píng)通過,兩家公司的競(jìng)爭(zhēng)再次白熱化,究竟是先馳得點(diǎn),還是后發(fā)先至,未來還有待觀察。

臺(tái)積電動(dòng)作頻頻 晶圓代工產(chǎn)業(yè)將有何影響

臺(tái)積電動(dòng)作頻頻 晶圓代工產(chǎn)業(yè)將有何影響

臺(tái)積電于一年一度的供應(yīng)鏈論壇中發(fā)布眾多訊息,包含各界最關(guān)注的先進(jìn)制程狀態(tài),7nm仍為臺(tái)積電重點(diǎn)成長(zhǎng)產(chǎn)品線,隨著越來越多國際芯片大廠導(dǎo)入,未來7nm將會(huì)持續(xù)擴(kuò)產(chǎn);而5nm產(chǎn)品為臺(tái)積電下一個(gè)成長(zhǎng)支柱,預(yù)計(jì)于2019年第二季進(jìn)入試產(chǎn),并在2020年開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。由于臺(tái)積電在晶圓代工產(chǎn)業(yè)市占過半,其一舉一動(dòng)都是晶圓代工產(chǎn)業(yè)的關(guān)注焦點(diǎn)。

15年來首次擴(kuò)產(chǎn) 8寸成為新應(yīng)用訂單

臺(tái)積電除了在供應(yīng)鏈大會(huì)上公布先進(jìn)制程進(jìn)度外,也宣布將新建8寸廠,由于臺(tái)積電沒有針對(duì)此一計(jì)劃多做解釋,市場(chǎng)揣測(cè)長(zhǎng)年為臺(tái)積電代工8寸產(chǎn)品的世界先進(jìn),可能會(huì)受到不小沖擊。

觀察半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年產(chǎn)能建置布局,大部分?jǐn)U產(chǎn)計(jì)劃皆鎖定12寸產(chǎn)品(即便是原本用于8寸產(chǎn)品的成熟制程),此次臺(tái)積電預(yù)計(jì)擴(kuò)產(chǎn)的8寸廠,主要是針對(duì)特殊制程產(chǎn)品線而建,與世界先進(jìn)現(xiàn)下專注的顯示驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片等產(chǎn)品有一定差異,因此該計(jì)劃對(duì)世界先進(jìn)的影響應(yīng)不至于如外界擔(dān)心的顯著。

臺(tái)積電降價(jià)搶單 對(duì)其他代工廠商造成壓力

臺(tái)積電最近于8寸及12寸產(chǎn)品,皆傳出有針對(duì)2019年的優(yōu)惠價(jià)格,并積極與客戶討論2019年訂單狀況,事實(shí)上,眾多芯片客戶進(jìn)入庫存調(diào)整階段,進(jìn)而影響包含臺(tái)積電在內(nèi)的眾晶圓代工廠商現(xiàn)下及2019年訂單。臺(tái)積電身為晶圓代工技術(shù)與質(zhì)量的領(lǐng)導(dǎo)廠商,當(dāng)其罕見以下降代工價(jià)格來爭(zhēng)取訂單時(shí),也將迫使其他晶圓代工廠商同樣面臨降價(jià)壓力,此外,由于臺(tái)積電擁有業(yè)內(nèi)最成熟的先進(jìn)制程技術(shù),此次臺(tái)積電爭(zhēng)取市占的動(dòng)作,可能會(huì)進(jìn)一步讓依賴臺(tái)積電先進(jìn)制程技術(shù)的客戶,加大采購臺(tái)積電的成熟制程產(chǎn)品。

英特爾計(jì)劃關(guān)閉晶圓代工服務(wù)

英特爾計(jì)劃關(guān)閉晶圓代工服務(wù)

近日,就在處理器龍頭英特爾 (intel) 宣布,將擴(kuò)產(chǎn)旗下 3 座晶圓廠的產(chǎn)能以解決當(dāng)前14 納米產(chǎn)能不足的問題后,現(xiàn)在市場(chǎng)上傳出,在目前產(chǎn)能不足的情況下,英特爾將進(jìn)一步關(guān)閉對(duì)外客制化的晶圓代工業(yè)務(wù)。

根據(jù)專業(yè)半導(dǎo)體論壇 《SemiWiki》 指出,過去一段時(shí)間以來,英特爾對(duì)無晶圓廠的IC設(shè)計(jì)公司開放客制化的晶圓代工服務(wù)是個(gè)錯(cuò)誤的決定,因?yàn)檫@不但造成了英特爾在處理器方面的核心競(jìng)爭(zhēng)力,還因?yàn)槌绦蛏系腻e(cuò)誤,導(dǎo)致了近期 14 納米產(chǎn)能不足,使得個(gè)人計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)蒙受處理器缺少所帶來沖擊的結(jié)果。

論壇中進(jìn)一步指出,生態(tài)系統(tǒng)是代工業(yè)務(wù)的一切,與時(shí)間、金錢和技術(shù)緊密相連,而英特爾過去似乎大大低估了這 3 件事。就以英特爾之前為 Altera 代工的事情來說,Altera 是英特爾客制化代工業(yè)務(wù)的最大受益者。因?yàn)?,Altera 在此之前都是交由臺(tái)積電的 28 納米制程所代工,但是在臺(tái)積電為 Xilinx 提供了與 Altera 相同的代工服務(wù)之后,Altera 與臺(tái)積電的關(guān)系逐漸惡化,后來在 14 納米制程的產(chǎn)品上轉(zhuǎn)向了英特爾的懷抱,并最終被英特爾高價(jià)收購。

然而,在英特爾為 Altera 進(jìn)行代工之后,Altera 旗下的 14納米制程芯片就是英特爾 14 納米制程所生產(chǎn)的第一個(gè)產(chǎn)品,其優(yōu)先級(jí)是最高的。而這樣的優(yōu)先代工順序,則是使得英特爾自己設(shè)計(jì)的芯片,在 14 納米制程上做了多次的延誤,反而協(xié)助了 Altera的 14 納米制程芯片優(yōu)先生產(chǎn)。

另外,因?yàn)橛⑻貭?14 納米制程在 FPGA在密度和性能方面,都超過了由臺(tái)積電提供 Xilinx 的 16 納米制程產(chǎn)品,使得 Altera 的 14 納米制程芯片成為一款非常有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。因此,在這樣順序錯(cuò)置的情況下,讓英特爾當(dāng)前的 14 納米制程產(chǎn)生的不足的情況,進(jìn)一步影響到了當(dāng)前市場(chǎng)上處理器的供應(yīng)。

而為了填補(bǔ)當(dāng)前 14 納米產(chǎn)能的缺口,英特爾決定將位于美國俄勒岡州、以及位于愛爾蘭與以色列的 3 座晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

另外,在未來在合適的條件下也會(huì)將一些生產(chǎn)交給外部代工廠,這部分也就是外傳與臺(tái)積電合作的部分。因此,大規(guī)模進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)后,現(xiàn)在又傳出將結(jié)束對(duì)外晶圓代工服務(wù)的業(yè)務(wù),這會(huì)不會(huì)是意味著英特爾正透過產(chǎn)能的優(yōu)化,讓準(zhǔn)備在 2019 年計(jì)劃推出的 10 納米制程能夠準(zhǔn)時(shí),甚至是提前上路,則有待后續(xù)的進(jìn)一步觀察。

終結(jié)14nm產(chǎn)能不足危機(jī),英特爾宣布擴(kuò)建三座晶圓廠產(chǎn)能

終結(jié)14nm產(chǎn)能不足危機(jī),英特爾宣布擴(kuò)建三座晶圓廠產(chǎn)能

今年Q3季度英特爾突然曝出了14nm產(chǎn)能危機(jī),這件事不僅影響了英特爾自己的產(chǎn)品路線圖,還導(dǎo)致整個(gè)PC業(yè)界也受到了負(fù)面影響,筆記本、主板甚至存儲(chǔ)市場(chǎng)都不同程度下滑。為了解決14nm產(chǎn)能危機(jī),英特爾早前已經(jīng)宣布額外增加15億美元的資本支出,提高14nm產(chǎn)能。本周一,英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)能,未來將大大緩解供應(yīng)不足的問題,將供應(yīng)時(shí)間縮短60%以上。

在14nm晶圓廠上,英特爾最初是規(guī)劃了三座晶圓廠率先升級(jí)14nm工藝,包括美國本土俄勒岡州的D1X晶圓廠、亞利桑那州的Fab 42晶圓廠及愛爾蘭的Fab 24晶圓廠,不過Fab 42晶圓廠升級(jí)14nm工藝的計(jì)劃前幾年被擱置了,不過去年英特爾宣布投資70億美元升級(jí)Fab 42晶圓廠,但這個(gè)是面向未來的7nm工藝的,工廠還在建設(shè)期。

終結(jié)14nm產(chǎn)能不足危機(jī),英特爾宣布擴(kuò)建三座晶圓廠產(chǎn)能

英特爾在全球的產(chǎn)能分布,綠色的是封測(cè)工廠,藍(lán)色的是晶圓廠

本周一,英特爾宣布了最新動(dòng)向,除了Fab 42工廠建設(shè)以及新墨西哥州的新一代存儲(chǔ)芯片工廠之外,還提到擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)能,目前正在處于制造場(chǎng)地?cái)U(kuò)建的早期規(guī)劃階段,預(yù)計(jì)2019年展開更多建設(shè)活動(dòng)。

英特爾表示擴(kuò)建額外的工廠空間可以幫助英特爾更快速響應(yīng)市場(chǎng)需求,將供應(yīng)所需的時(shí)間縮短60%。

此外,英特爾還提到在自己生產(chǎn)之外還會(huì)有選擇地使用代工廠,言外之意就是證實(shí)了之前的外包部分芯片給臺(tái)積電等代工廠的消息,不過目前依然沒有詳情。

對(duì)于這次的官方聲明,聯(lián)系前不久英特爾日本總裁所說的“2019年底一定會(huì)解決產(chǎn)能不足的問題”的表態(tài),看起來英特爾擴(kuò)建14nm產(chǎn)能的動(dòng)作才是剛剛開始,英特爾現(xiàn)在只是擴(kuò)建工廠而非新建工廠,但也要幾個(gè)月時(shí)間才能完成基礎(chǔ)設(shè)施及設(shè)備安裝工作,14nm產(chǎn)能看樣子還要短缺一段時(shí)間。

8英寸產(chǎn)能擴(kuò)充除了臺(tái)積電還有哪些晶圓廠?

8英寸產(chǎn)能擴(kuò)充除了臺(tái)積電還有哪些晶圓廠?

根據(jù)韓國媒體《ETnews》的報(bào)道指出,近年來在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及車用電子需求的帶動(dòng)下,晶圓制造的產(chǎn)能需求開始由12英寸廠轉(zhuǎn)移到8英寸廠上,這也促成了晶圓龍頭臺(tái)積電在日前宣布,將在南科興建一座新的8英寸廠,也滿足當(dāng)前市場(chǎng)上的需求。

報(bào)道指出,因?yàn)?英寸廠適用于各項(xiàng)產(chǎn)品的小量生產(chǎn)。因此,在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及車用電子小量多樣的產(chǎn)品需求情況下,使得臺(tái)積電決定繼2003年在上海建立8英寸廠之后,15年首次在臺(tái)灣建立新8英寸廠的產(chǎn)能。

臺(tái)積電總裁魏哲家對(duì)此表示,8英寸廠的產(chǎn)能可以滿足某些特定要求的客戶需求。就目前的市場(chǎng)狀況來說,使用在傳感器及微控制器(MCU)中包括模擬芯片,液晶顯示器(LCD)驅(qū)動(dòng)IC,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)芯片等件對(duì)于8英寸晶圓廠的產(chǎn)能需求最大。因此,臺(tái)積電在南科新蓋的8英寸廠產(chǎn)能將在2020年完工,并投入生產(chǎn)的行列。

事實(shí)上,除了臺(tái)積電的8英寸廠廠能因?yàn)槭袌?chǎng)的需求提高,加上一直與臺(tái)積電有合作關(guān)系,供應(yīng)其8英寸廠產(chǎn)能的世界先進(jìn),預(yù)計(jì)在2019年第2季與臺(tái)積電停止合作關(guān)系,使得臺(tái)積電的8英寸產(chǎn)產(chǎn)能吃緊之外,聯(lián)電方面近期也在董事會(huì)上通過,將以增加資本支出的方式,提升在蘇州8英寸廠的產(chǎn)能。

至于中芯國際,也已于2018年7月開始,在天津8英寸廠中再開設(shè)新工廠,這將使得未來的產(chǎn)能為從當(dāng)前的每月45,000片,增加到每月150,000片。韓國三星電子也傳出相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,預(yù)計(jì)在2018年底前,將8英寸廠的產(chǎn)能提高到每月300,000片。

報(bào)道進(jìn)一步指出,市場(chǎng)的需求帶動(dòng)了全球8英寸晶圓的競(jìng)爭(zhēng)。因?yàn)椋噍^12英寸廠用于大規(guī)模量化生產(chǎn)的產(chǎn)品,例如移動(dòng)處理器上。8英寸廠則是適用于定制化、小量生產(chǎn)的低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品上。而且,這樣的生產(chǎn)特性,在目前物聯(lián)網(wǎng)與汽車電子越來越普及的情況下,開始受到了重視。