5月12日，晶圓代工龍頭企業(yè)臺(tái)積電召開(kāi)董事會(huì)，核準(zhǔn)新一輪資本預(yù)算以及一項(xiàng)人員職位調(diào)整。

臺(tái)積電公告顯示，5月12日董事會(huì)核準(zhǔn)資本預(yù)算約57.4億美元，內(nèi)容包括：1. 廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程；2. 建置及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能；3. 建置特殊制程產(chǎn)能；4. 2020年第三季研發(fā)資本預(yù)算與經(jīng)常性資本預(yù)算。

此外，臺(tái)積電董事會(huì)這次還核準(zhǔn)資本預(yù)算約6475萬(wàn)美元，以支應(yīng)2020年下半年之資本化租賃資產(chǎn)；核準(zhǔn)募集不超過(guò)新臺(tái)幣600億元（約20億美元）無(wú)擔(dān)保普通公司債，以支應(yīng)產(chǎn)能擴(kuò)充及/或污染防治相關(guān)支出之資金需求。

今年2月，臺(tái)積電董事會(huì)核準(zhǔn)67.421億美元資本預(yù)算，亦表示將用于廠房興建及廠務(wù)設(shè)施工程；建置及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能；建置特殊制程產(chǎn)能；建置先進(jìn)封裝產(chǎn)能；以及2020年第二季研發(fā)資本預(yù)算與經(jīng)常性資本預(yù)算。

根據(jù)臺(tái)積電管理層此前預(yù)估，臺(tái)積電2020年的資本預(yù)算將在150億美元至160億美元之間。

在先進(jìn)制程方面，臺(tái)積電的5納米制程預(yù)計(jì)將于今年量產(chǎn)。近日，媒體曝光一份臺(tái)積電5納米制程工藝的客戶名單，蘋(píng)果和華為海思將是臺(tái)積電5納米制程的首批客戶，產(chǎn)品分別為蘋(píng)果A14處理器、華為海思麒麟1000。3納米制程方面，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2021年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段、2022年量產(chǎn)；臺(tái)積電近日還表示，2納米制程進(jìn)入尋求技術(shù)路徑。

此外，本次臺(tái)積電董事還核準(zhǔn)一項(xiàng)人員職位調(diào)整，擢升公司研發(fā)組織技術(shù)發(fā)展副總經(jīng)理侯永清為資深副總經(jīng)理。近期，有媒體稱臺(tái)積電啟動(dòng)中生代接班計(jì)劃，此前已調(diào)整了業(yè)界視為下一梯隊(duì)接班人選的兩名資深副總經(jīng)理秦永沛和王建光的執(zhí)掌項(xiàng)目。

臺(tái)積電官網(wǎng)介紹稱，侯永清于1997年加入臺(tái)積電，主要負(fù)責(zé)公司的設(shè)計(jì)技術(shù)與設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，2011年8月至2018年7月?lián)卧O(shè)計(jì)暨技術(shù)平臺(tái)副總經(jīng)理，2018年8月起擔(dān)任研發(fā)組織技術(shù)發(fā)展副總經(jīng)理。

5月5日，中芯國(guó)際發(fā)布公告，擬于科創(chuàng)板上市。時(shí)隔兩天，中芯國(guó)際科創(chuàng)板進(jìn)程便迎來(lái)重大進(jìn)展。5月7日，上海證監(jiān)局官網(wǎng)發(fā)布的信息顯示，中芯國(guó)際已接受上市輔導(dǎo)。輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為海通證券與中金公司。

具體來(lái)看，海通證券、中金公司依據(jù)中國(guó)證監(jiān)會(huì)《證券發(fā)行上市保薦業(yè)務(wù)管理辦法》和《中芯國(guó)際集成電路制造有限公司與海通證券股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)協(xié)議》及《中芯國(guó)際集成電路制造有限公司與中國(guó)國(guó)際金融股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市之輔導(dǎo)協(xié)議》的有關(guān)規(guī)定，對(duì)中芯國(guó)際進(jìn)行輔導(dǎo)工作。上海證監(jiān)局披露的中芯國(guó)際首次公開(kāi)發(fā)行股票輔導(dǎo)備案情況報(bào)告表的落款日期為5月6日。

根據(jù)公告，中芯國(guó)際此次發(fā)行不超過(guò)16.86億股股份，扣除費(fèi)用后，約40%的募集資金將用于12英寸芯片SN1項(xiàng)目，剩余的募集資金則用于先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金以及用于補(bǔ)充流動(dòng)資金，資金投入比例分別為40%、20%、40%。

據(jù)了解，12英寸芯片SN1項(xiàng)目由中芯國(guó)際旗下專注于14nm及以下先進(jìn)工藝的中芯南方負(fù)責(zé)建設(shè)運(yùn)營(yíng)，中芯國(guó)際合計(jì)間接持有中芯南方50.1%股權(quán)。按照此前規(guī)劃，中芯南方廠將建成兩條月產(chǎn)能均為3.5萬(wàn)片的集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線（即SN1和SN2）。

12英寸芯片SN1項(xiàng)目位于上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)，主要包括生產(chǎn)廠房、CUB動(dòng)力車間、生產(chǎn)調(diào)度及研發(fā)樓等，主要生產(chǎn)14nm及更先進(jìn)制程芯片。該項(xiàng)目入列2020年上海市重大建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目從規(guī)劃、設(shè)計(jì)、建設(shè)到生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)得到了國(guó)家及上海市政府的高度重視。

中芯國(guó)際成立于2000年，是中國(guó)內(nèi)地技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的集成電路制造企業(yè)，2004年3月分別在美國(guó)紐約證券交易所和香港聯(lián)合交易所上市。集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的2020年第一季全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收排名顯示，中芯國(guó)際排名全球第五，占總市場(chǎng)份額4.5%，僅次于臺(tái)積電、三星、格芯與聯(lián)電。

2019年5月，中芯國(guó)際宣布將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市，業(yè)界曾猜測(cè)其將尋求登陸A股，如今終于迎來(lái)官宣！這次，中芯國(guó)際瞄準(zhǔn)的是科創(chuàng)板。

擬發(fā)行人民幣股份并于科創(chuàng)板上市

5月5日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布公告，4月30日公司董事會(huì)通過(guò)決議案批準(zhǔn)建議進(jìn)行人民幣股份發(fā)行、授出特別授權(quán)及相關(guān)事宜，待股東特別大會(huì)批準(zhǔn)以及必要的監(jiān)管批準(zhǔn)后，公司將向上海證交所申請(qǐng)人民幣股份發(fā)行。

根據(jù)公告，上海證交所形成審核意見(jiàn)后，中芯國(guó)際將向中證監(jiān)申請(qǐng)人民幣股份發(fā)行的注冊(cè)。在人民幣股份發(fā)行經(jīng)中證監(jiān)同意注冊(cè)及完成股份公開(kāi)發(fā)售后，公司將向上海證交所另行申請(qǐng)批準(zhǔn)人民幣股份于科創(chuàng)板上市及交易。人民幣股份將不會(huì)在香港聯(lián)交所上市。

根據(jù)公告，中芯國(guó)際此次人民幣股份的面值為每股0.004美元，擬發(fā)行的人民幣股份的初始數(shù)目不超過(guò)16.86億股股份。人民幣股份將全為新股份，并不涉及現(xiàn)有股份的轉(zhuǎn)換。

中芯國(guó)際表示，扣除發(fā)行費(fèi)用后，本次人民幣股份發(fā)行的募集資金計(jì)劃用于12英寸芯片SN1項(xiàng)目、公司先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金以及補(bǔ)充流動(dòng)資金，資金投入比例分別為40%、20%、40%。

據(jù)了解，12英寸芯片SN1項(xiàng)目由中芯國(guó)際旗下專注于14nm及以下先進(jìn)工藝的中芯南方負(fù)責(zé)建設(shè)運(yùn)營(yíng)，中芯國(guó)際合計(jì)間接持有中芯南方50.1%股權(quán)。按照此前規(guī)劃，中芯南方廠將建成兩條月產(chǎn)能均為3.5萬(wàn)片的集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線（即SN1和SN2）。

12英寸芯片SN1項(xiàng)目位于上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)，主要包括生產(chǎn)廠房、CUB動(dòng)力車間、生產(chǎn)調(diào)度及研發(fā)樓等，主要生產(chǎn)14nm及更先進(jìn)制程芯片。該項(xiàng)目入列2020年上海市重大建設(shè)項(xiàng)目，項(xiàng)目從規(guī)劃、設(shè)計(jì)、建設(shè)到生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)得到了國(guó)家及上海市政府的高度重視。

去年從紐交所退市 現(xiàn)尋求“A股+H股”

中芯國(guó)際成立于2000年，是中國(guó)內(nèi)地技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的集成電路制造企業(yè)，2004年3月分別在美國(guó)紐約證券交易所和香港聯(lián)合交易所上市。集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的2020年第一季全球前十大晶圓代工廠營(yíng)收排名顯示，中芯國(guó)際排名全球第五，占總市場(chǎng)份額4.5%，僅次于臺(tái)積電、三星、格芯與聯(lián)電。

在技術(shù)水平上，中芯國(guó)際已具備從0.35μm到14nm不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的芯片制程工藝。2019年，中芯國(guó)際在先進(jìn)制程研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展，其第一代14nm FinFET技術(shù)進(jìn)入量產(chǎn)，在2019年第四季度貢獻(xiàn)約1%的晶圓收入，預(yù)計(jì)在2020年穩(wěn)健上量。此外，第二代FinFET技術(shù)平臺(tái)持續(xù)客戶導(dǎo)入。

值得一提的是，2019年5月，中芯國(guó)際申請(qǐng)自愿將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市，并撤銷該等美國(guó)預(yù)托證券股份和相關(guān)普通股的注冊(cè)。不過(guò)據(jù)中芯國(guó)際相關(guān)人士當(dāng)時(shí)回應(yīng)，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，中芯國(guó)際是從紐交所退市但不是從美國(guó)退市，而是退到美國(guó)場(chǎng)外交易市場(chǎng)，不影響交易。

對(duì)于從紐交所退市原因，中芯國(guó)際表示出于一些考慮因素，包括中芯國(guó)際美國(guó)預(yù)托證券股份的交易量與其全球交易量相比有限，以及為維持美國(guó)預(yù)托證券股份在紐約證券交易所上市及在美國(guó)證券交易委員會(huì)注冊(cè)并遵守交易法的定期報(bào)告和相關(guān)義務(wù)中所涉及的重大行政負(fù)擔(dān)和成本。

自從紐交所退市后，業(yè)界一直猜測(cè)中芯國(guó)際將尋求在境內(nèi)上市。如今，該傳聞終于得到證實(shí)。

對(duì)于此次人民幣股份發(fā)行并將于科創(chuàng)板上市的理由，中芯國(guó)際董事會(huì)認(rèn)為這將使公司能通過(guò)股本融資進(jìn)入中國(guó)資本市場(chǎng)，并于維持其國(guó)際發(fā)展戰(zhàn)略的同時(shí)改善其資本結(jié)構(gòu)。董事會(huì)認(rèn)為，人民幣股份發(fā)行符合公司及股東的整體利益，有利于加強(qiáng)公司的可持續(xù)發(fā)展。

一位不愿具名的業(yè)內(nèi)人士表示，一方面，在海外上市的國(guó)內(nèi)公司回歸A股是一個(gè)趨勢(shì)，另一方面，中芯國(guó)際的主要目的亦是為了融資。他認(rèn)為，中芯國(guó)際是全球少數(shù)追求先進(jìn)制程的晶圓代工廠之一，在先進(jìn)制程的加持下，中芯國(guó)際在A股應(yīng)該會(huì)獲得合理的溢價(jià)從而擁有較高的估值。

晶圓代工是典型的資本密集、人才密集和技術(shù)密集產(chǎn)業(yè)，中芯國(guó)際正處于追趕國(guó)際晶圓代工先進(jìn)技術(shù)水平階段，資本支出巨大，科創(chuàng)板上市將進(jìn)一步加大其融資力度，亦利于中芯國(guó)際進(jìn)一步加大技術(shù)研發(fā)投入。

中芯國(guó)際此前表示，2020年將啟動(dòng)新一輪資本開(kāi)支計(jì)劃，產(chǎn)能擴(kuò)充將逐步展張。據(jù)披露，中芯國(guó)際2020年計(jì)劃資本開(kāi)支為31億美元，其中20億美元及5億美元將分別用于擁有大部份權(quán)益的上海300mm晶圓廠及擁有大部份權(quán)益的北京300mm晶圓廠的設(shè)備及設(shè)施。

該人士進(jìn)一步指出，中芯國(guó)際若成功在科創(chuàng)板上市，其購(gòu)買國(guó)產(chǎn)設(shè)備、材料等將更為便利，這對(duì)于國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商而言將是個(gè)利好消息。國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際回歸A股，獲得國(guó)內(nèi)資本平臺(tái)支持，對(duì)于整個(gè)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，此舉亦具有重大意義。

5月5日，中芯國(guó)際發(fā)布公告稱，公司于2020年4月30日，董事會(huì)通過(guò)決議案批準(zhǔn)建議進(jìn)行人民幣股份發(fā)行、授出特別授權(quán)及相關(guān)事宜，惟需取決并受限于市況、股東于股東特別大會(huì)批準(zhǔn)以及必要的監(jiān)管批準(zhǔn)。人民幣股份的上市地點(diǎn)為科創(chuàng)板。

公告稱，建議將予發(fā)行的人民幣股份的初始數(shù)目不超過(guò)約16.86億股股份，占不超過(guò)2019年12月31日已發(fā)行股份總數(shù)及本次將予發(fā)行的人民幣股份數(shù)目之和的25%。就不超過(guò)該初始發(fā)行的人民幣股份數(shù)目15%的超額配股權(quán)可被授出。人民幣股份將全為新股份，并不涉及現(xiàn)有股份的轉(zhuǎn)換。

中芯國(guó)際表示，目前科創(chuàng)板募集資金總額未能確定，在扣除發(fā)行費(fèi)用后，約40%用于投資于12英吋芯片SN1項(xiàng)目、約20%用作為公司先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金、約40%用作為補(bǔ)充流動(dòng)資金。

中芯國(guó)際12英寸芯片SN1和SN2廠房建設(shè)項(xiàng)目位于上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)，主要內(nèi)容包括SN1生產(chǎn)廠房、CU8動(dòng)力車間和SO8生產(chǎn)調(diào)度及研發(fā)樓三個(gè)大的單體建筑物及一些配套設(shè)施。

據(jù)中芯國(guó)際官網(wǎng)顯示，公司是中國(guó)內(nèi)地技術(shù)最先進(jìn)、配套最完善、規(guī)模最大、跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的集成電路制造企業(yè)集團(tuán)，提供0.35微米到14納米不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計(jì)，2020年一季度全球十大晶圓代工廠營(yíng)收排名中，中芯國(guó)際排名第五，占總市場(chǎng)份額4.5%。

根據(jù)集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新調(diào)查，受新冠肺炎疫情影響，若導(dǎo)致供應(yīng)鏈斷裂將增加半導(dǎo)體業(yè)者的營(yíng)運(yùn)難度，而商業(yè)活動(dòng)及社會(huì)活動(dòng)力的下降將引發(fā)旺季效應(yīng)遞延或弱化的可能，使得2020年全球晶圓代工產(chǎn)值的成長(zhǎng)幅度將面臨修正。

有別于在疫情爆發(fā)前業(yè)者提出的雙位數(shù)成長(zhǎng)預(yù)估，考量疫情受控時(shí)程遞延及需求復(fù)蘇不明朗，我們認(rèn)為2020年全球晶圓代工市場(chǎng)產(chǎn)值可能下修至5%~9%的個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)，中位數(shù)目前預(yù)估為6.8%。

首先分析晶圓代工業(yè)者2020上半年的訂單狀況：在第一季客戶端保留對(duì)疫情趨緩后市場(chǎng)出現(xiàn)需求反彈的可能性，為避免缺料而并未出現(xiàn)訂單大幅縮減情形，加上承接自2019年第四季末的庫(kù)存回補(bǔ)，基本上支撐晶圓代工業(yè)者2020年第一季營(yíng)收表現(xiàn)。

第二季，我們預(yù)估疫情對(duì)訂單的影響較前一季略為顯著，部分消費(fèi)性產(chǎn)品訂單或?qū)⑦M(jìn)行調(diào)整，而從疫情催生出如遠(yuǎn)距辦公、醫(yī)療應(yīng)用的相關(guān)芯片需求則有增加，因此第二季訂單狀況雖有變動(dòng)但幅度不大，加上去年同期基期低，即便業(yè)者第二季的營(yíng)收出現(xiàn)季度衰退，尚能維持年度成長(zhǎng)。

不過(guò)，對(duì)晶圓代工業(yè)者而言，第二季的訂單在芯片產(chǎn)出后雖有部分營(yíng)收認(rèn)列進(jìn)第三季，但比重相對(duì)有限，此外，考慮疫情受控時(shí)程遞延與需求復(fù)蘇時(shí)程不明朗，客戶可能在第三季評(píng)估較大幅度的訂單縮減以避免累積庫(kù)存，旺季效應(yīng)或有遞延或弱化可能，恐將對(duì)業(yè)者下半年的營(yíng)收造成沖擊。

回歸市場(chǎng)需求面分析，消費(fèi)力衰退恐難以避免，即便晶圓代工業(yè)者冀望由5G基礎(chǔ)建設(shè)、遠(yuǎn)端通訊推升之服務(wù)器或資料中心需求，以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)自動(dòng)化等中長(zhǎng)期支撐動(dòng)能，然而新應(yīng)用的營(yíng)收貢獻(xiàn)比例仍不足以取代傳統(tǒng)大量的消費(fèi)性電子產(chǎn)品，故晶圓代工業(yè)者需視供應(yīng)鏈與市場(chǎng)受疫情沖擊的程度，動(dòng)態(tài)調(diào)整營(yíng)運(yùn)策略與營(yíng)收預(yù)估。

拓墣產(chǎn)業(yè)研究院認(rèn)為，考量旺季效應(yīng)遞延或弱化的可能性，并以疫情不易在下半年即獲得穩(wěn)定控制為前提，對(duì)2020年的晶圓代工產(chǎn)值表現(xiàn)抱持審慎保守的態(tài)度，后續(xù)仍需視疫情的可控時(shí)程與消費(fèi)市場(chǎng)的復(fù)蘇狀況而定。

據(jù)韓國(guó)《亞洲經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣晶圓代工廠商臺(tái)積電繼三星電子后也宣布6nm半導(dǎo)體制程量產(chǎn)，兩家晶圓代工廠商再次打響工藝之爭(zhēng)。

三星電子上月宣布其位于華城的多層極紫外光刻（EUV）半導(dǎo)體生產(chǎn)線V1已開(kāi)始批量生產(chǎn)。V1生產(chǎn)線目前正采用7nm和6nm工藝技術(shù)。據(jù)中國(guó)IT媒體透露，華為面向中端5G市場(chǎng)的移動(dòng)設(shè)備處理器麒麟820將交由三星電子6nm生產(chǎn)線代工，并計(jì)劃在2020年下半年完成4nm工藝開(kāi)發(fā)及產(chǎn)品設(shè)計(jì)。另?yè)?jù)美國(guó)IT媒體AnandTech報(bào)道，中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司紫光展銳近期推出了面向5G智能手機(jī)的T7520八核系統(tǒng)芯片（SoC），該芯片集成5G調(diào)制解調(diào)器，將使用臺(tái)積電6nmEUV工藝制程，預(yù)計(jì)將于今年開(kāi)始出貨。

據(jù)悉，三星電子已領(lǐng)先臺(tái)積電成功開(kāi)發(fā)了業(yè)界首個(gè)3nm制程工藝，預(yù)計(jì)將于2022年開(kāi)啟大規(guī)模量產(chǎn)。目前三星電子已經(jīng)成功攻克了3nm工藝所使用的GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞式柵極技術(shù)）工藝技術(shù)，而臺(tái)積電在近期公布了將投資150億美元用于研發(fā)3nm工藝。

4月21日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電上傳股東會(huì)年報(bào)，年報(bào)中首度提到2納米制程技術(shù)進(jìn)展，去年領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)行2納米制程技術(shù)研發(fā)，針對(duì)2納米以下技術(shù)進(jìn)行探索性研究；至于EUV專案，去年也取得持續(xù)性進(jìn)展，可加快先進(jìn)技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開(kāi)發(fā)，將逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。

臺(tái)積電表示，每2年半導(dǎo)體運(yùn)算能力增加1倍的摩爾定律，技術(shù)挑戰(zhàn)日益困難，研發(fā)組織努力讓臺(tái)積電能夠提供客戶率先上市、且先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)解決方案，幫助客戶取得產(chǎn)品成功。

隨著2019年7納米強(qiáng)效版技術(shù)量產(chǎn)，及5納米技術(shù)成功試產(chǎn)，臺(tái)積電研發(fā)組織持續(xù)推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，以維持業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)地位。臺(tái)積電表示，當(dāng)公司采用三維電晶體第六代技術(shù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)3納米技術(shù)時(shí)，也已開(kāi)始開(kāi)發(fā)領(lǐng)先半導(dǎo)體業(yè)界的2納米技術(shù)，并針對(duì)2納米以下的技術(shù)進(jìn)行探索性研究。

5納米方面，臺(tái)積電表示，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逼近硅晶物理極限，5納米制程仍遵循摩爾定律，顯著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好效能，或在相同效能下，提供更低功耗。目前靜態(tài)隨機(jī)存取(SRAM)存儲(chǔ)器及邏輯電路良率均符合預(yù)期，已達(dá)成去年進(jìn)入試產(chǎn)的目標(biāo)。

相較5納米制程技術(shù)，臺(tái)積電3納米制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗，并維持相同芯片效能，今年研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、電晶體及導(dǎo)線效能改善，及可靠性評(píng)估，將持續(xù)進(jìn)行3納米制程技術(shù)全面開(kāi)發(fā)。

微影技術(shù)方面，臺(tái)積電去年研發(fā)重點(diǎn)在5納米技術(shù)轉(zhuǎn)移、3納米技術(shù)開(kāi)發(fā)與2納米以下技術(shù)開(kāi)發(fā)的先期準(zhǔn)備。5納米技術(shù)已順利移轉(zhuǎn)，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量產(chǎn)問(wèn)題。

針對(duì)3納米技術(shù)開(kāi)發(fā)，極紫外光(EUV)微影技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異光學(xué)能力，與符合預(yù)期的芯片良率，研發(fā)單位正致力于極紫外光技術(shù)，以減少曝光機(jī)光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成本。臺(tái)積電表示，今年在2納米及更先進(jìn)制程上，將著重于改善極紫外光技術(shù)的品質(zhì)與成本。

臺(tái)積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩(wěn)定度上，有持續(xù)性進(jìn)展，光源功率穩(wěn)定與改善，得以加快先進(jìn)技術(shù)學(xué)習(xí)速度與制程開(kāi)發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護(hù)膜及相關(guān)光罩基板，也都展現(xiàn)顯著進(jìn)步，極紫外光技術(shù)正逐步邁向全面生產(chǎn)制造就緒。

2月13日，晶圓代工廠商中芯國(guó)際發(fā)布其2019年第四季度業(yè)績(jī)報(bào)告，并對(duì)2020年第一季度業(yè)績(jī)作出指引，預(yù)計(jì)其2020年第一季度收入環(huán)比增加0%~2%，毛利率介于21%~23%的范圍內(nèi)。4月7日，中芯國(guó)際宣布上調(diào)今年第一季度業(yè)績(jī)指引。

公告顯示，公司上調(diào)其最初于2月13日公告內(nèi)發(fā)布的截至2020年3月31日止三個(gè)月的收入和毛利率指引。截至2020年3月31日止三個(gè)月的收入增長(zhǎng)指引由原先的0%~2%上調(diào)為6%~8%。截至2020年3月31日止三個(gè)月的毛利率指引由原先的21%~23%上調(diào)為25%~27%。?
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中芯國(guó)際首席財(cái)務(wù)官高永崗博士表示：“自從我們最初公布第一季度收入和毛利率指引后，我們看見(jiàn)產(chǎn)品需求的增長(zhǎng)及產(chǎn)品組合的優(yōu)化，這些都超過(guò)了我們?cè)缜暗念A(yù)期。因此，我們現(xiàn)在上調(diào)我們第一季度的收入和毛利率指引?！?/p>

公告指出，公司仍在落實(shí)其截至2020年3月31日止三個(gè)月的第一季度業(yè)績(jī)。此次公告所載之資料乃公司管理層根據(jù)公司最近期截至2020年3月31日止三個(gè)月未經(jīng)審計(jì)合并管理賬目而作出的初步評(píng)估，其尚未經(jīng)公司核數(shù)師審計(jì)或確認(rèn)，并可能會(huì)作出調(diào)整。

在新型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調(diào)降對(duì)2020年市場(chǎng)成長(zhǎng)性的預(yù)估，不過(guò)為把握5G、AI、車用與物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新興需求，晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必要性的制程轉(zhuǎn)移與產(chǎn)品規(guī)劃。

28nm需求復(fù)蘇時(shí)間或延后，新興產(chǎn)品支撐力道目前無(wú)損

28nm節(jié)點(diǎn)由于過(guò)去產(chǎn)能規(guī)劃量大與產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程，目前市場(chǎng)呈現(xiàn)供過(guò)于求情形，加上中國(guó)晶圓代工廠為提升芯片自給率仍持續(xù)擴(kuò)建自有28nm產(chǎn)能，使得目前28nm節(jié)點(diǎn)的平均稼動(dòng)率僅約70～75%，相較其他制程節(jié)點(diǎn)低。

除了陸系廠商既有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃外，包括臺(tái)積電、聯(lián)電等一線廠商對(duì)于28nm制程稼動(dòng)率的復(fù)甦時(shí)程仍保守看待。

然而，自2019年底開(kāi)始，受惠于OLED驅(qū)動(dòng)IC、高畫(huà)素CMOS Sensor的ISP(Image Signal Processor)、部份網(wǎng)通RF IC與物聯(lián)網(wǎng)芯片逐步轉(zhuǎn)進(jìn)28nm，可望為該節(jié)點(diǎn)稼動(dòng)率提供穩(wěn)定且長(zhǎng)期的支撐力道。

在制程優(yōu)化方面，臺(tái)積電與聯(lián)電推出的22nm制程，以超低功耗與超低漏電率的特點(diǎn)適合廣泛使用在穿戴式裝置與物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)應(yīng)用，目前陸續(xù)有產(chǎn)品完成制程開(kāi)發(fā)并進(jìn)入驗(yàn)證階段，部份客戶也在2020年進(jìn)行投片規(guī)劃，未來(lái)有望為提升28nm稼動(dòng)率增添動(dòng)能。

雖然新型冠狀病毒的影響為終端制造與市場(chǎng)需求增添不確定性，或?qū)⑹沟迷绢A(yù)期提升28nm稼動(dòng)率的時(shí)間點(diǎn)延后，不過(guò)基本上新興產(chǎn)品對(duì)22/28nm制程的采用度相對(duì)較重要，即便未來(lái)市場(chǎng)需求走勢(shì)減緩，也不致影響上述產(chǎn)品對(duì)28nm節(jié)點(diǎn)的支撐力道，仍有機(jī)會(huì)在2020年實(shí)現(xiàn)提升28nm稼動(dòng)率目標(biāo)。

化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

分析8寸晶圓成熟制程產(chǎn)品，除產(chǎn)能吃緊需持續(xù)關(guān)注外，化合物半導(dǎo)體氮化稼(GaN)元件在8寸晶圓上的發(fā)展也備受矚目。

化合物半導(dǎo)體在5G、電動(dòng)車與高速充電等應(yīng)用興起后重要性大幅提升，吸引眾多廠商投入開(kāi)發(fā)，不過(guò)受限材料具有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)，目前量產(chǎn)品多以6寸晶圓制作。

然而，為因應(yīng)日后GaN在多方應(yīng)用領(lǐng)域的元件需求，并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成本競(jìng)爭(zhēng)力，發(fā)展8寸晶圓的GaN產(chǎn)品仍有其必要性。

此外，發(fā)展8寸GaN晶圓技術(shù)，也有利于現(xiàn)行以12寸與8寸晶圓為生產(chǎn)主力的晶圓代工廠商，包括2020年2月20日臺(tái)積電與STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，以及世界先進(jìn)在2019年第四季法說(shuō)會(huì)上提到的8寸GaN晶圓計(jì)劃。

因此，即便IDM掌握較多GaN的相關(guān)技術(shù)，但考量到降低量產(chǎn)成本和提高整合度需求，與晶圓代工廠合作不失為雙贏選項(xiàng)，加上針對(duì)客制化元件開(kāi)發(fā)，對(duì)晶圓代工廠商的依賴度將提升，助益晶圓代工廠商在成熟制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品需求。