臺積電披露5納米制程最新進(jìn)展:測試良率超過8成

臺積電披露5納米制程最新進(jìn)展:測試良率超過8成

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),日前在國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)大會上,晶圓代工龍頭臺積電官方披露了5納米制程的最新進(jìn)展。

而根據(jù)公布的資料顯示,5納米制程將會是臺積電的再一個(gè)重要制程節(jié)點(diǎn),其中將分為N5、N5P兩個(gè)版本。N5相較于當(dāng)前N7的7納米制程,性能要再提升15%、功耗降低30%。N5P則將在N5的基礎(chǔ)上再將性能提升7%、功耗降低15%。

報(bào)導(dǎo)指出,臺積電的5納米將使用第五代FinFET電晶體技術(shù),EUV極紫外光刻技術(shù)也提升到10多個(gè)光刻層,整體電晶體密度提升84%。換句話說,以7納米是每平方公厘9,627萬個(gè)電晶體計(jì)算,則5納米就將是每平方公里有1.771億個(gè)電晶體。

同時(shí),臺積電強(qiáng)調(diào),目前5納米制程正在進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,而測試芯片的良率平均已達(dá)80%,最高良率可超過90%,只是,相對來說,這些測試芯片的架構(gòu)相對簡單,要真的生產(chǎn)移動或個(gè)人電腦處理器芯片上,目前良率可能還有些差距。不過,臺積電目前并沒有公開正式數(shù)據(jù)。

另外,臺積電還公布了5納米制程下的CPU和GPU芯片的電壓、頻率相對關(guān)系。目前CPU通過測試的最低值是0.7V/1.5GHz,最高可以做到1.2V/3.25GHz,而GPU方面則是最低0.65V/0.66GHz,而最高則是達(dá)到1.2V/1.43GHz。這些公布的結(jié)果都是初期的報(bào)告,未來正式投產(chǎn)之后,后續(xù)將還會提升。

根據(jù)先前相關(guān)外資所進(jìn)行的預(yù)估,臺積電的5納米制程將在2020年上半年,甚至最快在2020年第1季末就會投入大規(guī)模量產(chǎn),相關(guān)芯片產(chǎn)品將在2020年晚些時(shí)候陸續(xù)登場。

而包括蘋果A14、華為海思麒麟系列新一代處理器,以及AMD Zen4架構(gòu)第四代銳龍(Ryzen)個(gè)人電腦處理器都將會采用。而初期的產(chǎn)能規(guī)劃每月4.5萬片,而未來將逐步拉高到8萬片的數(shù)字,只是初期的產(chǎn)能將可能由蘋果吃下70%,其余的就由華為海思包下。

2020年DDI供貨吃緊隱憂浮現(xiàn),TDDI朝更先進(jìn)制程邁進(jìn)

2020年DDI供貨吃緊隱憂浮現(xiàn),TDDI朝更先進(jìn)制程邁進(jìn)

根據(jù)集邦咨詢光電研究中心(WitsView)最新調(diào)查,在5G應(yīng)用帶動下,終端廠商開始布局2020年的產(chǎn)品需求,帶動晶圓代工廠的產(chǎn)能運(yùn)轉(zhuǎn)率提升,預(yù)估主要晶圓代工廠在8寸與12寸廠第四季的產(chǎn)能幾乎都在高檔水位,也因此在大尺寸DDI與小尺寸TDDI的供應(yīng)開始受到排擠。

集邦咨詢研究協(xié)理范博毓指出,經(jīng)過兩到三年的收斂后,目前大尺寸DDI主要集中在8寸晶圓廠0.1x微米節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。但近期許多新增的需求開始浮現(xiàn),包括指紋識別、電源管理IC,以及低端的CMOS Sensor等,在利潤率較佳的狀況下,晶圓代工廠以優(yōu)先滿足這類新增需求為主,因而開始排擠原本的DDI供給。

集邦咨詢認(rèn)為,雖然目前大尺寸面板市場因供過于求問題嚴(yán)重,加上步入淡季,整體需求較弱,但日后隨著面板廠產(chǎn)能調(diào)整到一個(gè)段落,加上電視面板價(jià)格逐漸落底,一旦客戶需求開始快速增溫,不排除2020年上半年大尺寸DDI可能將再次出現(xiàn)供應(yīng)吃緊。

至于手機(jī)用的TDDI,在2018年上半年曾經(jīng)一度出現(xiàn)供應(yīng)吃緊,為分散風(fēng)險(xiǎn),IC廠商開始將TDDI的生產(chǎn)從集中在80納米節(jié)點(diǎn),改為向不同晶圓廠的55納米節(jié)點(diǎn)移轉(zhuǎn)。

但2019年轉(zhuǎn)往55納米的主要規(guī)格HD Dual Gate與FHD MUX6 TDDI,各自因?yàn)楫a(chǎn)品驗(yàn)證與產(chǎn)品實(shí)際效益的問題,導(dǎo)致客戶采用意愿不高,大部分的產(chǎn)品仍是使用既有的80納米TDDI。

另一方面,在中國面板廠大規(guī)模量產(chǎn)后,OLED DDI的需求開始快速增加,預(yù)估2020年將集中在40納米與28納米生產(chǎn)為主。而部分晶圓廠在數(shù)個(gè)主要節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)設(shè)備共享的限制之下,在28納米與40納米擴(kuò)大生產(chǎn)之際,可能導(dǎo)致80納米的產(chǎn)能吃緊,進(jìn)而影響TDDI的產(chǎn)出,預(yù)期可能會再次加速推動IC廠商將TDDI轉(zhuǎn)進(jìn)到55納米節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)。

高刷新率手機(jī)滲透率持續(xù)提升,有助分散TDDI供貨風(fēng)險(xiǎn)

著眼于高傳輸?shù)?G服務(wù)在不同區(qū)域開始運(yùn)營,加上電競市場熱度不減,手機(jī)品牌客戶已把高刷新率(High Frame Rate,90Hz以上)面板視為2020年手機(jī)規(guī)格差異化的重點(diǎn)。

IC廠商也在55納米節(jié)點(diǎn)重新打造90Hz/120Hz用的TDDI IC,全力在TFT-LCD機(jī)種上推升新的需求。除了TFT-LCD機(jī)種之外,鎖定旗艦市場的AMOLED機(jī)種也積極在新產(chǎn)品布局上強(qiáng)調(diào)90Hz規(guī)格。

集邦咨詢預(yù)期,整體而言,High Frame Rate手機(jī)滲透率有機(jī)會在2020年突破10%,甚至在未來幾年成為高端旗艦手機(jī)市場的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,而在市場加速轉(zhuǎn)進(jìn)的同時(shí),也有助于IC廠商分散在2020年可能遇到的TDDI供貨風(fēng)險(xiǎn)。

臺積電市占率拉大與三星距離,三星2030成為產(chǎn)業(yè)龍頭恐難達(dá)成

臺積電市占率拉大與三星距離,三星2030成為產(chǎn)業(yè)龍頭恐難達(dá)成

日前韓國媒體曾經(jīng)報(bào)導(dǎo),在美中貿(mào)易摩擦下,臺積電與華為關(guān)系更加緊密,使得華為旗下海思半導(dǎo)體的代工幾乎由臺積電所包辦的情況下,三星預(yù)計(jì)大幅度投資,期望在 2030 年成為非存儲器領(lǐng)域的系統(tǒng)半導(dǎo)體全球領(lǐng)先者,這樣的期待恐怕破滅一事,如今可能越來越接近。因?yàn)橹叭窃诰A代工領(lǐng)域的追趕,使得與臺積電方面的差距有所拉近。不過,這樣的情況在臺積電技術(shù)持續(xù)領(lǐng)先,且產(chǎn)品良率持續(xù)維持在高檔的情況下,依舊獲得市場上客戶的青睞。

根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的統(tǒng)計(jì)資料顯示,2019 年第 4 季臺積電的 16/12 納米與 7 納米節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能持續(xù)滿載。其中,7 納米部份受惠蘋果 iPhone 11 系列銷售優(yōu)于預(yù)期、AMD 維持投片量,以及聯(lián)發(fā)科的首款 5G SoC 等需求挹注,營收比重持續(xù)提升。至于,成熟制程方面則受惠 IoT 芯片出貨增加,估計(jì)臺積電整體第 4 季營收達(dá)到年增 8.6% 的幅度。

事實(shí)上,根據(jù)臺積電在 10 日所公布的 11 月份財(cái)報(bào)顯示,營收金額來到1,078.84 億元(新臺幣,下同) ,較 10 月增加 1.7%,也較 2018 年同期增加 9.7%,為連續(xù) 4 個(gè)月以來達(dá)營收千億元,也創(chuàng)下歷年單月新高紀(jì)錄。而根據(jù)臺積電在上一次法說會上的預(yù)測,目前第 4 季前兩個(gè)月合并營收,累計(jì)為 2,139.24 億元來看,12 月業(yè)績只要達(dá)到 981.76 億到 1,011.76 億元,也就是只要延續(xù)前 2 個(gè)月的營收水平,臺積電第 4 季就可達(dá)財(cái)測目標(biāo),甚至有機(jī)會改寫第 3 季歷史新高紀(jì)錄。若以第 4 季達(dá)到高標(biāo)的數(shù)字計(jì)算,則臺積電 2019 全年?duì)I收將達(dá) 1.068 兆元,優(yōu)于 2018 年的 1.031 兆元,再創(chuàng)新高。

而帶動臺積電營收亮麗表現(xiàn)者,7 納米制程的產(chǎn)能滿載當(dāng)屬居功厥偉。因?yàn)槌酥八岬降氖芑萏O果 iPhone 11系列銷售優(yōu)于預(yù)期、AMD 維持投片量,以及聯(lián)發(fā)科的首款 5G SoC 等需求的挹注之外,上周移動處理器大廠高通 (Qualcomm) 的 7 項(xiàng)新產(chǎn)品中,臺積電拿下了包括驍龍 865 5G 移動處理器、驍龍 XR2 延展實(shí)境處理器、以及驍龍 8cx 5G、驍龍 8c等兩款 Arm 架構(gòu) PC 處理器,共 4 項(xiàng)產(chǎn)品的代工訂單,超越競爭對手三星僅拿下包括驍龍 765 及驍龍 765G、以及驍龍 7c Arm 架構(gòu) PC 處理器等 3 款產(chǎn)品的代工生產(chǎn)。

另外在三星方面,拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的報(bào)告則是表示,由于市場對于 2020 年 5G 手機(jī)寄予厚望,使得自有品牌高階 4G 手機(jī)處理器需求成長趨緩。不過,高通在三星投片的 5G SoC (驍龍 765 及驍龍 765G ) 于第 4 季底將陸續(xù)出貨,可望填補(bǔ)原本手機(jī)處理器下滑的狀況。其他則是在 5G 網(wǎng)通裝置的芯片與高分辨率 CIS 表現(xiàn)不俗,估計(jì)第 4 季營收相較第 3 季持平或微幅成長,年增幅則受惠 2018 年同期基期較低,因此有 19.3% 的高成長。

雖然三星在市場上,第 4 季較之前仍有較好的表現(xiàn)。但是,相對于臺積電取得亮麗成績,三星的努力則似乎仍舊功虧一簣。而且,臺積電還預(yù)計(jì)于 2020 年第 1 季開始量產(chǎn)更先進(jìn)的 5 納米制程。根據(jù)外資的預(yù)估,在客戶需求強(qiáng)勁情況下,每月產(chǎn)能甚至要自 4.5 萬片,最高提升至 8 萬片的規(guī)模。這方面三星則還沒有相關(guān)實(shí)際計(jì)劃提出下,三星期望能超越臺積電的想法,未來可能很難以實(shí)現(xiàn)。

徐韶甫:2020年先進(jìn)制程“坐7趕5追3”

徐韶甫:2020年先進(jìn)制程“坐7趕5追3”

集邦拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師? 徐韶甫

縱觀整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值,在2017年、2018年經(jīng)歷了蓬勃上漲后,2019年總體需求不穩(wěn)定,市場開始衰退、存貨處理困難,徐韶甫預(yù)估2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將衰退13.3%,若排除占比最大的存儲器,其他IC元件約衰退4%。

展望2020年,半導(dǎo)體整體市場需求將迎回升,加上5G、AI、車用等各種新興應(yīng)用帶來的需求,2020年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值趨勢可望谷底反轉(zhuǎn)。推動未來半導(dǎo)體產(chǎn)值趨勢方向的主要是AI、5G和車用,其他如5G手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、AIoT、汽車ADAS等,亦是推升半導(dǎo)體產(chǎn)值的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)方面,2019年全球晶圓代工產(chǎn)值約衰退2%,這一幅度相較于IC設(shè)計(jì)、IC封測會稍好一點(diǎn),主要是來自于在晶圓代工今年7納米制程等新產(chǎn)品出現(xiàn)及主要大客戶的布局。2020年全球晶圓代工產(chǎn)值將有所上升,目前預(yù)估漲幅約為3.8%。

在區(qū)域占比方面,2016年-2019年晶圓代工區(qū)域占比以中國臺灣領(lǐng)先,然后依次為韓國、中國大陸。受到韓國三星拆分晶圓代工事業(yè)部影響,臺灣地區(qū)的區(qū)域占比從2016年的67%快速下滑至2018年的60%,但預(yù)計(jì)2019年將回升至62%。

徐韶甫認(rèn)為,受惠先進(jìn)制程在客戶端的采用順利及新興產(chǎn)業(yè)趨勢帶動化合物半導(dǎo)體需求上升,將持續(xù)拉抬2020年臺灣地區(qū)的晶圓代工產(chǎn)值占比,在臺積電的先進(jìn)制程幫助下估計(jì)可望接近65%。中國大陸區(qū)域的晶圓廠擴(kuò)建動作頻頻,但芯片自給率提升速度仍有限,加上受制中美貿(mào)易摩擦影響,短期內(nèi)占比影響有限。

從TOP10晶圓代工業(yè)者占比情況來看,2019年臺積電營收占比超過五成,大陸業(yè)者中芯國際等企業(yè)也榜上有名。得益于國產(chǎn)化政策推動,中國大陸區(qū)域在所有區(qū)域分布中規(guī)劃最為積極。徐韶甫預(yù)期,在2020年中國大陸晶圓代工產(chǎn)能計(jì)劃實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后,中國大陸區(qū)域占比會有所提升。

先進(jìn)制程方面(16納米及以下制程),目前主要晶圓制造業(yè)者包括臺積電、三星、英特爾、格芯、聯(lián)電、中芯國際等6家,其中5家晶圓代工業(yè)者仍有持續(xù)擴(kuò)建產(chǎn)能的為臺積電、三星與中芯國際,聯(lián)電與格芯主要以填補(bǔ)產(chǎn)能利用率為主要目標(biāo)。目前,中芯國際在14納米甚至7納米有所布局,在今年年底實(shí)現(xiàn)14納米的實(shí)際營收后,預(yù)計(jì)2021年將有大量的量產(chǎn)計(jì)劃。

縱觀5大晶圓代工業(yè)者近三年的營收年成長率,先進(jìn)制程占比較多的三星與臺積電面對2019市場需求衰退的抵抗力較大,仍有機(jī)會在今年保持正成長,其他三家2019年成長率將面臨衰退。

晶圓制造業(yè)中處于第一梯隊(duì)的是臺積電、三星、英特爾,在先進(jìn)制程領(lǐng)域臺積電和三星作出了最主要的貢獻(xiàn),這兩家在先進(jìn)制程布局的產(chǎn)能超過了總產(chǎn)能的一半,并且會持續(xù)推升先進(jìn)制程營收在其總營收的占比。

2019年,臺積電7納米大部分客戶投片狀況良好、優(yōu)于預(yù)期,7納米產(chǎn)能與滲透率均迅速拉升,三星也已量產(chǎn)7納米產(chǎn)品,英特爾則實(shí)現(xiàn)了10納米量產(chǎn)。展望2020年,徐韶甫表示將重點(diǎn)關(guān)注5納米的量產(chǎn)計(jì)劃以及2020年-2021年3納米的試產(chǎn)。

在先進(jìn)制程的研發(fā)方面,臺積電表現(xiàn)非常穩(wěn)健,其7納米生產(chǎn)優(yōu)于整個(gè)市場,今年年底已有少量5納米試產(chǎn),明年將形成5納米的量產(chǎn)計(jì)劃,2021年會有3納米、甚至到2024年會出現(xiàn)2納米;三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域一直想要率先開發(fā),除了7納米的開發(fā)外,三星還有7納米、6納米、5納米的量產(chǎn)計(jì)劃,基本上可看到三星和臺積電屬于正面對決的狀態(tài)。

臺積電與三星兩者相比,7納米均已持續(xù)量產(chǎn),但因?yàn)榕_積電的客戶訂單比較多,所以產(chǎn)能規(guī)劃也較多,基本上到今年底會超過100K的水準(zhǔn),明年還將小幅度增加;三星7納米全面導(dǎo)入使用EUV,主要客戶來自家LSI的投片與部分外部客戶,初期產(chǎn)能規(guī)劃不高。

5納米量產(chǎn)時(shí)程目前兩家業(yè)者皆訂于2020年,目前臺積電5納米產(chǎn)能規(guī)劃超過三星;3納米節(jié)點(diǎn)同樣為兩家技術(shù)競爭的重點(diǎn),目前三星定案以GAA晶體管結(jié)構(gòu)研發(fā),臺積電則多方向進(jìn)行。

至于英特爾,今年量產(chǎn)10納米、2021年將推出7納米產(chǎn)品,其7納米相當(dāng)于臺積電與三星的5納米,所以英特爾進(jìn)入之后將讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)更激烈的競爭態(tài)勢。

此外,嵌入式存儲器是晶圓代工廠提供給客戶的一個(gè)不錯(cuò)的選擇,嵌入式存儲器是很多終端產(chǎn)品不可或缺的部分。目前,主要晶圓制造業(yè)者對嵌入式存儲器頗有興趣,臺積電、三星與格芯持續(xù)進(jìn)行技術(shù)開發(fā),往16納米與12納米邁進(jìn)。

徐韶甫指出,由于運(yùn)算效能的需求,晶圓代工廠嘗試尋找提升方法來增加儲存單元與邏輯單元的整合性,eNVM成為主要發(fā)展目標(biāo)。過往e-Flash有完整的解決方案,為更進(jìn)一步提升性能,eMRAM是目前主要業(yè)者搭配先進(jìn)制程發(fā)展的eNVM技術(shù)。

總結(jié):

從市場角度來看,2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到庫存去化不易與總體經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定等影響,衰退已是必然,但隨著5G、AI等需求持續(xù)走高,2020年半導(dǎo)體市場將看見回升動能,我們可期許明年的反彈情況。

從產(chǎn)品角度來看,先進(jìn)制程發(fā)展與終端產(chǎn)品采用率優(yōu)于預(yù)期,預(yù)估2020年晶圓代工業(yè)將有所成長并將持續(xù)拉抬先進(jìn)制程的占比。2020年再度成為先進(jìn)制程主要業(yè)者競爭的一年,除了更多開案轉(zhuǎn)進(jìn)7納米,5納米的量產(chǎn)與3納米的試產(chǎn)也是重點(diǎn),臺積電與三星的競爭關(guān)系將持續(xù)推升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)需求與未來發(fā)展,英特爾也將加入。

此外,晶圓代工廠積極布局嵌入式存儲器,并推出eMRAM的解決方案用以替代過去的eFlash。雖然目前采用率尚不全面,然為因應(yīng)未來高效運(yùn)算持續(xù)性的需求,嵌入式存儲仍將有持續(xù)擴(kuò)大使用的推升力道。

集邦咨詢已于2019年11月27日成功舉辦2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會(MTS 2020),在此特別感謝金邦科技、芝奇國際、宏旺半導(dǎo)體、時(shí)創(chuàng)意電子、金泰克半導(dǎo)體、紫光存儲、廈門銀行等企業(yè)對本次會議的大力支持。

PS:集邦咨詢MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會分析師演講講義現(xiàn)已對外分享,如有需要請關(guān)注“全球半導(dǎo)體觀察”微信公眾號并回復(fù)分析師名字即可領(lǐng)取,如“徐紹甫”、“陳玠瑋”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

同時(shí),歡迎識別下方二維碼或在微信公眾號回復(fù)”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

【MTS2020】集邦咨詢分析師徐韶甫:2020年先進(jìn)制程“坐7趕5追3”

【MTS2020】集邦咨詢分析師徐韶甫:2020年先進(jìn)制程“坐7趕5追3”

集邦拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師? 徐韶甫

縱觀整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值,在2017年、2018年經(jīng)歷了蓬勃上漲后,2019年總體需求不穩(wěn)定,市場開始衰退、存貨處理困難,徐韶甫預(yù)估2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將衰退13.3%,若排除占比最大的存儲器,其他IC元件約衰退4%。

展望2020年,半導(dǎo)體整體市場需求將迎回升,加上5G、AI、車用等各種新興應(yīng)用帶來的需求,2020年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值趨勢可望谷底反轉(zhuǎn)。推動未來半導(dǎo)體產(chǎn)值趨勢方向的主要是AI、5G和車用,其他如5G手機(jī)、數(shù)據(jù)中心、AIoT、汽車ADAS等,亦是推升半導(dǎo)體產(chǎn)值的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

晶圓代工產(chǎn)業(yè)方面,2019年全球晶圓代工產(chǎn)值約衰退2%,這一幅度相較于IC設(shè)計(jì)、IC封測會稍好一點(diǎn),主要是來自于在晶圓代工今年7納米制程等新產(chǎn)品出現(xiàn)及主要大客戶的布局。2020年全球晶圓代工產(chǎn)值將有所上升,目前預(yù)估漲幅約為3.8%。

在區(qū)域占比方面,2016年-2019年晶圓代工區(qū)域占比以中國臺灣領(lǐng)先,然后依次為韓國、中國大陸。受到韓國三星拆分晶圓代工事業(yè)部影響,臺灣地區(qū)的區(qū)域占比從2016年的67%快速下滑至2018年的60%,但預(yù)計(jì)2019年將回升至62%。

徐韶甫認(rèn)為,受惠先進(jìn)制程在客戶端的采用順利及新興產(chǎn)業(yè)趨勢帶動化合物半導(dǎo)體需求上升,將持續(xù)拉抬2020年臺灣地區(qū)的晶圓代工產(chǎn)值占比,在臺積電的先進(jìn)制程幫助下估計(jì)可望接近65%。中國大陸區(qū)域的晶圓廠擴(kuò)建動作頻頻,但芯片自給率提升速度仍有限,加上受制中美貿(mào)易摩擦影響,短期內(nèi)占比影響有限。

從TOP10晶圓代工業(yè)者占比情況來看,2019年臺積電營收占比超過五成,大陸業(yè)者中芯國際等企業(yè)也榜上有名。得益于國產(chǎn)化政策推動,中國大陸區(qū)域在所有區(qū)域分布中規(guī)劃最為積極。徐韶甫預(yù)期,在2020年中國大陸晶圓代工產(chǎn)能計(jì)劃實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后,中國大陸區(qū)域占比會有所提升。

先進(jìn)制程方面(16納米及以下制程),目前主要晶圓制造業(yè)者包括臺積電、三星、英特爾、格芯、聯(lián)電、中芯國際等6家,其中5家晶圓代工業(yè)者仍有持續(xù)擴(kuò)建產(chǎn)能的為臺積電、三星與中芯國際,聯(lián)電與格芯主要以填補(bǔ)產(chǎn)能利用率為主要目標(biāo)。目前,中芯國際在14納米甚至7納米有所布局,在今年年底實(shí)現(xiàn)14納米的實(shí)際營收后,預(yù)計(jì)2021年將有大量的量產(chǎn)計(jì)劃。

縱觀5大晶圓代工業(yè)者近三年的營收年成長率,先進(jìn)制程占比較多的三星與臺積電面對2019市場需求衰退的抵抗力較大,仍有機(jī)會在今年保持正成長,其他三家2019年成長率將面臨衰退。

晶圓制造業(yè)中處于第一梯隊(duì)的是臺積電、三星、英特爾,在先進(jìn)制程領(lǐng)域臺積電和三星作出了最主要的貢獻(xiàn),這兩家在先進(jìn)制程布局的產(chǎn)能超過了總產(chǎn)能的一半,并且會持續(xù)推升先進(jìn)制程營收在其總營收的占比。

2019年,臺積電7納米大部分客戶投片狀況良好、優(yōu)于預(yù)期,7納米產(chǎn)能與滲透率均迅速拉升,三星也已量產(chǎn)7納米產(chǎn)品,英特爾則實(shí)現(xiàn)了10納米量產(chǎn)。展望2020年,徐韶甫表示將重點(diǎn)關(guān)注5納米的量產(chǎn)計(jì)劃以及2020年-2021年3納米的試產(chǎn)。

在先進(jìn)制程的研發(fā)方面,臺積電表現(xiàn)非常穩(wěn)健,其7納米生產(chǎn)優(yōu)于整個(gè)市場,今年年底已有少量5納米試產(chǎn),明年將形成5納米的量產(chǎn)計(jì)劃,2021年會有3納米、甚至到2024年會出現(xiàn)2納米;三星在先進(jìn)制程領(lǐng)域一直想要率先開發(fā),除了7納米的開發(fā)外,三星還有7納米、6納米、5納米的量產(chǎn)計(jì)劃,基本上可看到三星和臺積電屬于正面對決的狀態(tài)。

臺積電與三星兩者相比,7納米均已持續(xù)量產(chǎn),但因?yàn)榕_積電的客戶訂單比較多,所以產(chǎn)能規(guī)劃也較多,基本上到今年底會超過100K的水準(zhǔn),明年還將小幅度增加;三星7納米全面導(dǎo)入使用EUV,主要客戶來自家LSI的投片與部分外部客戶,初期產(chǎn)能規(guī)劃不高。

5納米量產(chǎn)時(shí)程目前兩家業(yè)者皆訂于2020年,目前臺積電5納米產(chǎn)能規(guī)劃超過三星;3納米節(jié)點(diǎn)同樣為兩家技術(shù)競爭的重點(diǎn),目前三星定案以GAA晶體管結(jié)構(gòu)研發(fā),臺積電則多方向進(jìn)行。

至于英特爾,今年量產(chǎn)10納米、2021年將推出7納米產(chǎn)品,其7納米相當(dāng)于臺積電與三星的5納米,所以英特爾進(jìn)入之后將讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)更激烈的競爭態(tài)勢。

此外,嵌入式存儲器是晶圓代工廠提供給客戶的一個(gè)不錯(cuò)的選擇,嵌入式存儲器是很多終端產(chǎn)品不可或缺的部分。目前,主要晶圓制造業(yè)者對嵌入式存儲器頗有興趣,臺積電、三星與格芯持續(xù)進(jìn)行技術(shù)開發(fā),往16納米與12納米邁進(jìn)。

徐韶甫指出,由于運(yùn)算效能的需求,晶圓代工廠嘗試尋找提升方法來增加儲存單元與邏輯單元的整合性,eNVM成為主要發(fā)展目標(biāo)。過往e-Flash有完整的解決方案,為更進(jìn)一步提升性能,eMRAM是目前主要業(yè)者搭配先進(jìn)制程發(fā)展的eNVM技術(shù)。

總結(jié):

從市場角度來看,2019年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到庫存去化不易與總體經(jīng)濟(jì)不穩(wěn)定等影響,衰退已是必然,但隨著5G、AI等需求持續(xù)走高,2020年半導(dǎo)體市場將看見回升動能,我們可期許明年的反彈情況。

從產(chǎn)品角度來看,先進(jìn)制程發(fā)展與終端產(chǎn)品采用率優(yōu)于預(yù)期,預(yù)估2020年晶圓代工業(yè)將有所成長并將持續(xù)拉抬先進(jìn)制程的占比。2020年再度成為先進(jìn)制程主要業(yè)者競爭的一年,除了更多開案轉(zhuǎn)進(jìn)7納米,5納米的量產(chǎn)與3納米的試產(chǎn)也是重點(diǎn),臺積電與三星的競爭關(guān)系將持續(xù)推升半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)需求與未來發(fā)展,英特爾也將加入。

此外,晶圓代工廠積極布局嵌入式存儲器,并推出eMRAM的解決方案用以替代過去的eFlash。雖然目前采用率尚不全面,然為因應(yīng)未來高效運(yùn)算持續(xù)性的需求,嵌入式存儲仍將有持續(xù)擴(kuò)大使用的推升力道。

集邦咨詢已于2019年11月27日成功舉辦2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會(MTS 2020),在此特別感謝金邦科技、芝奇國際、宏旺半導(dǎo)體、時(shí)創(chuàng)意電子、金泰克半導(dǎo)體、紫光存儲、廈門銀行等企業(yè)對本次會議的大力支持。

PS:集邦咨詢MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會分析師演講講義現(xiàn)已對外分享,如有需要請關(guān)注“全球半導(dǎo)體觀察”微信公眾號并回復(fù)分析師名字即可領(lǐng)取,如“徐紹甫”、“陳玠瑋”、“劉家豪”、“郭祚榮”、“葉茂盛”。

同時(shí),歡迎識別下方二維碼或在微信公眾號回復(fù)”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

8英寸晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求,明年或?qū)⒏o張

8英寸晶圓產(chǎn)能供不應(yīng)求,明年或?qū)⒏o張

里昂證券最新報(bào)告指出,亞洲8英寸晶圓代工出現(xiàn)供不應(yīng)求,所有主要廠商產(chǎn)能都已滿載。

據(jù)供應(yīng)鏈消息指出,不僅臺積電產(chǎn)能滿載,聯(lián)電、中芯國際、先鋒、華虹、東部等晶圓廠通通都爆單,而主要的原因在于手機(jī)應(yīng)用,如超薄屏幕下指紋識別、電源管理芯片、傳感器IC等產(chǎn)品的需求攀高。尤其確定臺積電所收到訂單已超過明年總產(chǎn)能,若客戶不先果斷下手為強(qiáng),基本上已經(jīng)分配不到產(chǎn)能。

不僅如此,流向二線廠商的訂單也非??捎^,且明年需求將會繼續(xù)上升。這是由于超薄屏幕下指紋識別的采用可能會更加廣泛,未來的5G手機(jī)耗能肯定會更高,而超薄指紋識別將能騰出更多空間給電池,有利于設(shè)計(jì)安排。廣泛的來說,基本上5G手機(jī)所用芯片都將需要采用更高的制程,以管理能源消耗至可接受的水平。

當(dāng)然PMIC也會是重點(diǎn),目前最好的相關(guān)制造平臺仍是臺積電,也是海思及聯(lián)發(fā)科的主要代工廠,但在此境況下,先鋒可望奪得溢出訂單。還有如多鏡頭的普及致使CMOS圖像傳感器需求越來高,芯片尺英寸越來越大,如格科微電子的合作伙伴除臺積電外,還有中芯及東部,但據(jù)信還有30~40k/wpm的產(chǎn)能缺口還未填補(bǔ)。

里昂證券強(qiáng)調(diào),此次供不應(yīng)求的情勢將更勝以往,有許多跡象是過去沒有的,如許多下游用戶繞過IDM供應(yīng)商直接去晶圓廠跟單,顯示他們真的擔(dān)心會拿不到貨。還有三星自己的晶圓廠產(chǎn)能也都趨于滿載,甚至需要外包,這些都是從未有過的,估計(jì)2020年的供不應(yīng)求將會比過去嚴(yán)重?cái)?shù)倍。部分訂單將轉(zhuǎn)移至12英寸晶圓廠,也同樣有趨緊現(xiàn)象。

不過值得注意的是,在美國有不同的情勢,由于中國半導(dǎo)體供應(yīng)本地化的趨勢基本上不可逆,一些美國業(yè)者正考慮出售其晶圓廠,而那些產(chǎn)能不足的亞洲廠商可能會很有興趣。這意味著,未來亞洲晶圓代工規(guī)模將會持續(xù)擴(kuò)大。

消息稱臺積電下一代5納米制程良率進(jìn)展超預(yù)期

消息稱臺積電下一代5納米制程良率進(jìn)展超預(yù)期

此前臺積電7納米產(chǎn)能題材炒熱股市,市場預(yù)期明年上半年將淡季不淡,不過如今又有新消息接上,下一代5納米制程良率進(jìn)展也超乎預(yù)期。

此前就有消息指出,臺積電5納米制程已順利研發(fā)完成,正進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),且最快明年第1季就量產(chǎn),但更令人關(guān)注的是,良率已達(dá)到50%,且目前半導(dǎo)體市場需求超乎預(yù)期,未來不排除上看到8萬片產(chǎn)能。

臺積電表示,采用5納米制程芯片邏輯密度能再提高1.8倍或降低功耗30%。目前除蘋果以外,海思新一代的麒麟1000處理器也傳流片成功,還有新AMD Zen4處理器預(yù)計(jì)也將采用5納米,未來訂單可期,于明年7月就可望大規(guī)模量產(chǎn)。

目前臺積電各制程產(chǎn)能已紛紛滿載,在此狀況下,先進(jìn)制程仍繼續(xù)維持良好前景,未來競爭力強(qiáng)勁,外資續(xù)看好臺積電,目標(biāo)價(jià)已提高到新臺幣350元。甚至連帶相關(guān)廠商也水漲船高,EUV光罩盒供應(yīng)商家登近2個(gè)月以來,股價(jià)飆漲近1.5倍。市場認(rèn)為,在先進(jìn)制程訂單得以保證下,貴10倍的EUV光罩盒當(dāng)然也利潤可期。

且據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)導(dǎo),臺積電預(yù)期將在5日的年度供應(yīng)鏈管理論壇上,號召供應(yīng)鏈廠商將重心轉(zhuǎn)移至5納米制程相關(guān)業(yè)務(wù),包括應(yīng)材備品代工廠京鼎、后段濕式制程設(shè)備弘塑、晶圓分析的閎康、承包無塵室工程廠漢唐、帆宣;自動化及周邊設(shè)備的迅得、信紘科等股價(jià)也都相當(dāng)強(qiáng)勢。

聯(lián)電工藝路線差異化轉(zhuǎn)型持續(xù)取得進(jìn)展

聯(lián)電工藝路線差異化轉(zhuǎn)型持續(xù)取得進(jìn)展

近日,業(yè)界有消息傳出,聯(lián)電獲得三星LSI的28納米5G智能手機(jī)圖像系統(tǒng)處理器(ISP)大單,明年開始進(jìn)入量產(chǎn)。此外,聯(lián)電還將為韓國AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動IC、為韓國Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI,這兩家公司均是三星OLED面板主要芯片供應(yīng)商。一系列消息顯示,聯(lián)電自2017年啟動的強(qiáng)化成熟工藝市場、實(shí)現(xiàn)差異化轉(zhuǎn)型策略正在取得進(jìn)展。未來,聯(lián)電的盈利表現(xiàn)將有進(jìn)一步的提升。

市場轉(zhuǎn)型成功業(yè)績向好

日前,有消息稱,聯(lián)電已爭取到了OLED面板驅(qū)動IC、整合觸控功能面板驅(qū)動IC(TDDI)等新訂單,包括為韓國AnaPass代工28納米OLED面板驅(qū)動IC、為韓國Magnachip代工40納米OLED面板驅(qū)動IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面板的主要芯片供應(yīng)商,這意味著聯(lián)電打入了三星的供應(yīng)鏈。

近日,又有消息傳出,三星LSI設(shè)計(jì)專用ISP已在近期完成設(shè)計(jì)定案,并將在明年第一季度交由聯(lián)電代工,季度投片量約為2萬片。隨著三星及其芯片供應(yīng)鏈對聯(lián)電陸續(xù)釋放出新的28納米或40納米訂單,聯(lián)電8英寸及12英寸產(chǎn)能利用率將持續(xù)提高,明年第一季度有望達(dá)滿載水平。

加上聯(lián)電10月1日完成了對日本三重富士通半導(dǎo)體12英寸晶圓廠的100%并購,讓聯(lián)電在晶圓代工市場占有率突破10%,重回全球第二大廠寶座。淡季不淡,一系列亮眼的業(yè)績表明,聯(lián)電此前開啟的市場轉(zhuǎn)型策略正在取得成效。

2017年7月,聯(lián)電開始采用共同總經(jīng)理制,新接任的王石和簡山杰進(jìn)行了重大市場策略調(diào)整,逐漸淡出先進(jìn)制程的較量,轉(zhuǎn)向發(fā)揮在主流邏輯和特殊制程技術(shù)方面的優(yōu)勢,強(qiáng)化對成熟及差異化工藝市場的開發(fā)。上述情況顯示,聯(lián)電專注于成熟及差異化工藝的市場策略正在取得成功。

根據(jù)第三季度財(cái)報(bào),聯(lián)電對第四季度業(yè)績展望樂觀,包括在5G智能手機(jī)中所使用的射頻IC、OLED面板驅(qū)動IC,及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤(SSD)的電源管理IC等需求回升,加上增加日本新廠的貢獻(xiàn),預(yù)估第四季度晶圓出貨較上季度增加10%,產(chǎn)能利用率接近90%。預(yù)估聯(lián)電第四季度合并營收將季增10%,可望創(chuàng)下季度營收歷史新高。

聯(lián)電的這一轉(zhuǎn)變也獲得了資本市場的認(rèn)可。摩根斯坦利分析師詹家鴻在7月份的報(bào)告中認(rèn)為,聯(lián)電“把錢花在了正確的地方”,并上調(diào)聯(lián)電的投資評級等;UBS(瑞銀集團(tuán))也給予買進(jìn)評級。

中國大陸市場將成為有力支撐

中國大陸市場對于聯(lián)電的轉(zhuǎn)型發(fā)展也十分重要。根據(jù)調(diào)研公司Gartner的數(shù)據(jù),2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值為4290億美元。中國大陸一直是全球最大的半導(dǎo)體市場,約占全球市場需求的1/3。同時(shí),中國大陸存在晶圓制造產(chǎn)能的巨大缺口。集邦咨詢報(bào)告稱,2016—2022年,中國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)代工需求本土滿足比一直低于40%,并在2018年達(dá)到30%的最低點(diǎn)。據(jù)集邦咨詢測算,若中國市場使用的集成電路中五成在本土制造(含IDM和Foundry,不含存儲),到2022年,90nm以上制程制造能力缺口為20萬片(合12英寸),28nm~90nm(含90nm,不含28nm)制造能力缺口為15萬片,28nm及以下缺口為30萬片。

在此情況下,聯(lián)電對于中國大陸市場非常重視,持續(xù)投入中國市場發(fā)展。和艦芯片副總經(jīng)理林偉圣此前接受記者采訪時(shí)曾表示,聯(lián)電的發(fā)展戰(zhàn)略仍是以提升公司整個(gè)獲利與市占為優(yōu)先。在中國大陸,聯(lián)電與廈門市政府及福建省電子信息集團(tuán)合資成立了聯(lián)芯集成的12英寸晶圓代工廠。聯(lián)電在中國大陸也有8英寸廠支持成熟特色工藝。聯(lián)電將把相關(guān)產(chǎn)品做得尺寸更小、功耗更低、性能更高,以滿足市場需求。

據(jù)了解,因市場需求旺盛,聯(lián)電蘇州和艦8英寸廠、廈門聯(lián)芯12英寸廠產(chǎn)能都已爆滿,供不應(yīng)求。業(yè)界看好中國大陸市場物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、通信、消費(fèi)電子等需求,預(yù)計(jì)未來這部分需求將進(jìn)一步增加,為聯(lián)電的轉(zhuǎn)型發(fā)展提供有力支撐。

聯(lián)電宣布22納米特殊技術(shù)成熟 28納米設(shè)計(jì)可無痛轉(zhuǎn)移

聯(lián)電宣布22納米特殊技術(shù)成熟 28納米設(shè)計(jì)可無痛轉(zhuǎn)移

聯(lián)華電子2日表示,在使用USB 2.0測試載具并成功通過硅驗(yàn)證之后,正式宣布更先進(jìn)的22納米制程技術(shù)就緒。

聯(lián)電表示,相較于一般的USB 2.0 PHY IP,使用聯(lián)電制程的測試載具所使用面積是全球最小,已展現(xiàn)聯(lián)電技術(shù)的成熟,且新的芯片設(shè)計(jì)若要采用22納米制程,并無需更改現(xiàn)有的28納米設(shè)計(jì)架構(gòu),客戶將可放心地的直接從28納米制程轉(zhuǎn)移到22納米。

聯(lián)電強(qiáng)調(diào),將致力于提供世界領(lǐng)先的晶圓專工特殊技術(shù),并持續(xù)推出特殊制程,以應(yīng)用于快速成長的5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等芯片市場。與原本的28納米高介電系數(shù)/金屬柵極制程相比,22納米能再縮減10%的晶粒面積、擁有更好的功率效能比,以及強(qiáng)化射頻性能等特點(diǎn)。

另外還提供了與28納米制程相同光罩?jǐn)?shù)的22納米超低功耗版本(22ULP),以及22納米超低泄漏版本(22ULL),將支援0.6~1.0伏特電壓,協(xié)助客戶在系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)中同時(shí)享有兩種技術(shù)優(yōu)勢。

日前聯(lián)電已與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)商智原在22納米制程平臺上合作推出基礎(chǔ)元件IP支援,是市場上需防漏電或長期續(xù)行的產(chǎn)品,如機(jī)頂盒、數(shù)字電視、監(jiān)視器、穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)芯片的理想選擇。

目前應(yīng)用22ULP/ULL制程的基礎(chǔ)元件IP已具備進(jìn)階的繞線架構(gòu),多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO,且存儲器編譯器還具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。

2.5億美元!松下出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 預(yù)計(jì)2020年6月完成交割

2.5億美元!松下出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 預(yù)計(jì)2020年6月完成交割

微控制器廠新唐28日舉行重大訊息記者會,表示在28日已經(jīng)與日本松下公司(Panasonic Corporation)達(dá)成協(xié)議,并簽訂股份與資產(chǎn)購買合約,將以現(xiàn)金2.5億美元,收購Panasonic Semicondutor Solutions(PSCS)為主的半導(dǎo)體事業(yè)100%股權(quán)。而整體效益會在2020年6月完成交割后展現(xiàn),但是該合并案仍有待相關(guān)主管機(jī)關(guān)核準(zhǔn)。

總監(jiān)黃求己表示,目前PSCS旗下共有2,000多名員工及6英寸與8英寸廠各一座,再加上相關(guān)專利技術(shù),以及松下與高塔半導(dǎo)體合資的Panasonic TowerJazz Semiconductor(PTS)未來都將納入新唐。完成合并后,新唐除原有IC設(shè)計(jì)業(yè)務(wù),還能使目前產(chǎn)能近滿載的6英寸晶圓廠外再增加產(chǎn)能。

黃求己表示,PSCS為全球領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商,主要提供影像感測技術(shù)、微控制器技術(shù)如IC Card、電池管理、電源管理,以及半導(dǎo)體元件技術(shù)如MOSFET、射頻用氮化鎵(GaN)等。新唐十分期待此次收購發(fā)揮綜效,除拓展全球銷售通路,更可進(jìn)軍日本客戶。其中,PSCS具有很高價(jià)值的研發(fā)技術(shù)與人才,預(yù)計(jì)PSCS全數(shù)2,000多名員工都將留在新唐,沒有裁員打算。

至于目前PSCS兩座晶圓廠正處于虧損狀態(tài),被問到未來合并完成后,新唐要如何協(xié)助這兩座晶圓廠擺脫虧損時(shí),黃求己僅表示,公司的未來規(guī)劃沒有提供財(cái)測,這方面也不評論。另外,針對本次的收購,黃求己也指出,新唐現(xiàn)金支付,未來不會有相關(guān)借貸的打算。