中芯國際:全面受惠5G標準遷移 走出調整重啟成長

中芯國際:全面受惠5G標準遷移 走出調整重啟成長

中芯國際11月12晚發(fā)布未經審核的2019年第三季度業(yè)績。2019年第三季度,公司實現營業(yè)收入8.16億美元,同比減少4.0%,環(huán)比增長3.2%;公司擁有人應占溢利為1.15億美元,同比增長333.5%,環(huán)比增長521.0%。中芯國際聯合首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松表示,公司將全面受惠于市場向5G標準遷移帶來的廣泛商機,走出調整,重啟成長。

公司預計,2019年第四季收入環(huán)比增加2%至4%,不含阿韋扎諾200mm晶圓廠將環(huán)比增加4%至6%;毛利率介于23%至25%。

趙海軍和梁孟松表示,經過兩年的積累,公司不僅進一步縮短先進技術的差距,也同時全面拓展新的成熟工藝技術平臺,有信心隨著5G終端應用發(fā)展的浪潮步入新的發(fā)展階段。

趙海軍和梁孟松表示,公司預計四季度公司營收將保持成長態(tài)勢。同時,FinFET技術研發(fā)不斷向前推進。第一代FinFET已成功量產,第四季度將貢獻有意義的營收;第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進,客戶導入進展順利。

全球芯片市場上 “兩強之爭”已打響

全球芯片市場上 “兩強之爭”已打響

境外媒體報道稱,韓國三星電子在半導體代工領域向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費巨額投資,確定采用新一代生產技術“EUV(極紫外光刻)”的量產體制,用10年左右挑戰(zhàn)臺積電世界首位的寶座。三星與臺積電這兩強展開競爭,將促進行業(yè)的技術革新。

三星誓言成為“世界第一”

據《日本經濟新聞》網站11月12日報道,三星近日發(fā)布的財報顯示,2019年7月至9月的合并營業(yè)利潤同比大幅減少56%,銷售額減少5%。主力半導體業(yè)務的營業(yè)利潤同比大幅減少78%,不過環(huán)比減少10%,減幅收窄。

報道稱,SK海力士、原東芝存儲器等全球半導體存儲器企業(yè)的業(yè)績恢復遲遲沒有進展,而三星呈現出復蘇的跡象,這得益于三星年銷售額可觀的代工生產業(yè)務。7月至9月,該業(yè)務的銷售額比上季度增長14%,持續(xù)保持兩位數增長。在存儲器價格下跌背景下,代工生產業(yè)務支撐了三星的業(yè)績。

三星高層強調,“繼存儲器之后,在包括代工生產在內的系統(tǒng)半導體業(yè)務領域也必將成為世界第一”。這名高層稱,每年會在該領域的生產設備和研發(fā)上投入巨額資金。作為比肩半導體存儲器業(yè)務的收益支柱,三星計劃把代工生產業(yè)務打造為世界第一。

報道稱,代工生產的尖端競爭正迎來新的局面。能夠使半導體性能飛躍性提升的全新生產技術EUV進入普及期,三星可以應用通過存儲器業(yè)務培育的技術。另外,預計今后為應對5G,高性能半導體的需求將急劇擴大,三星認為這是良機。

在位于首爾郊外三星華城工廠的新廠房內,EUV曝光設備的投產準備工作正在推進之中。三星計劃向半導體設備投入大量資金,最早將于2020年初正式投產。據業(yè)內相關人士透露,預計將量產美國高通的最尖端智能手機用CPU(中央處理器)。

報道稱,三星已在自身智能手機的CPU上使用EUV技術,還將把該技術應用于代工生產。據稱,和現有生產方法相比,使用EUV技術后,CPU處理速度和省電性能將提高兩至三成左右。

臺積電傾盡全力守王者地位

不過,報道同時指出,在代工生產領域,臺積電握有世界一半市場份額,將量產活用EUV技術、電路線寬為7納米的半導體。近日,臺積電還宣布把2019年內的投資額增加50億美元(1美元約合7元人民幣),這正是對自身技術有信心的表現。此外,臺積電還確定獲得美國蘋果新一代iPhone用尖端半導體訂單。

臺積電總裁兼副董事長魏哲家表示,公司的下一代半導體在行業(yè)內最先進,能夠更加吸引顧客。透露出擴大市場份額的自信。

另據臺灣中時電子報11月12日報道,抓住三星生產半導體材料受到日韓貿易戰(zhàn)影響,以及先進制程采用(EUV)技術發(fā)展不如預期,臺積電靠著7納米(EUV)技術的強效版制程(N7+),協(xié)助客戶產品大量進入市場。

報道稱,臺積電傾全力支持聯發(fā)科發(fā)展,就是要超越三星在5G芯片制程的時程,只要能搶到大陸中端5G手機市場,就有機會擴大市占率。

《日本經濟新聞》網站認為,臺積電的強項不僅只有量產技術。該公司還擁有幾千名技術人員,這些人為客戶設計線路提供支援,起到了確保量產的橋梁作用。另一方面,三星以存儲器為主力業(yè)務,缺少的是應對多品種的設計技術。

報道稱,三星把成為世界第一代工企業(yè)目標的實現時間設定在2030年。計劃用10多年培育設計技術,目前正以美國硅谷的基地為中心招募技術人員。

另一個令三星不安的因素是日本政府加強對韓國的出口管制。成為限制對象的3種產品中,EUV用光刻膠不可缺少且難以找到替代采購地。雖然目前仍能夠穩(wěn)定采購,但是未來采購可能變得困難。

報道認為,三星和臺積電均主張“自身用EUV技術實現7納米半導體的量產”,顯示出對自身技術實力的強烈信心。半導體兩強火花四濺的競爭將持續(xù)下去。

華虹最新財報公布:無錫12英寸晶圓廠已投產 七廠本季開始投產

華虹最新財報公布:無錫12英寸晶圓廠已投產 七廠本季開始投產

華虹半導體發(fā)布2019年第3季度業(yè)績,該集團于期內銷售收入2.39億美元,同比下降0.9%,環(huán)比增長3.9%。毛利率31.0%,同比下降3.0個百分點,環(huán)比持平。期內溢利4440萬美元,同比下降12.8%,環(huán)比下降11.0%。

母公司擁有人應占溢利4520萬美元,同比下降6.4%,環(huán)比上升4.3%?;久抗捎?.035美元。

公司總裁兼執(zhí)行董事唐均君,對第三季度的業(yè)績評論道:“盡管上季度經濟環(huán)境存在挑戰(zhàn)和不確定性,華虹半導體仍精準貫徹落實戰(zhàn)略部署、推動業(yè)績持續(xù)增長。第三季度公司的銷售收入達2.39億美元,環(huán)比增長3.9%,同比基本持平。收入方面的強勁表現主要得益于中國和亞洲其他國家及地區(qū)對公司產品需求的增加,尤其是MCU、超級結、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模擬產品。這再次凸顯了公司特色工藝產品的實力和質量。面對不盡理想的市場環(huán)境,公司迎難而上、交出了一份亮眼的成績單。毛利率維持在31%,取得這一業(yè)績并非一蹴而就??傮w而言,市場變化使產品面臨價格下行壓力,與此同時硅片成本卻顯著上升。這些不利因素被整體產能利用率上升至96.5%所抵消。此外,上季度收到的大量政府補貼,抵消了部分折舊成本?!?/p>

“華虹無錫300mm晶圓廠(七廠)本季度開始投入生產。公司團隊已經在七廠產線上驗證通過了若干個客戶的產品,其中有兩個產品,良品率已達到90%。作為整體擴產計劃的一部分,該晶圓廠將在未來幾年里為公司提供巨大的發(fā)展機會。管理團隊深知在最短時間內使該晶圓廠實現盈利的重要性和緊迫性,這無疑將是公司下階段的工作重點?!?/p>

“對公司的發(fā)展方向和戰(zhàn)略方針,公司仍保持非常積極樂觀的看法。公司相信5G將成為下一個浪潮,為半導體企業(yè)帶來新的機遇。對半導體器件的需求會相應激增,包括微控制器、傳感器、射頻、電源管理和存儲器。作為特色工藝的領先者,華虹半導體將在5G創(chuàng)新中扮演不可或缺的重要角色?!?/p>

此外,該公司預計2019年第四季度銷售收入約2.42億美元左右,毛利率約在26%到28%之間。

臺積電最新財報出爐:10月營收同比增長4.4%

臺積電最新財報出爐:10月營收同比增長4.4%

晶圓代工龍頭臺積電近日公布2019年10月份的營收狀況,營收金額為1,060.4億元(新臺幣,下同),較9月份的1,021.7億元成長3.8%,也較2018年同期的1,015.5億元成長4.4%,創(chuàng)單月次高紀錄。累計,2019年前10個月的營收為8,587.88億元,較2018年同期的8,432.54億元成長1.8%。

根據臺積電上一季法說會時的表示,第4季合并營收預計介于102億美元到103億美元之間,若以新臺幣30.6元兌1美元匯率假設,則營收約為新臺幣3,121.2億元到3,151.8億元之間,將較2019年第3季再成長6.5%到7.5%之間,而毛利率預計介于48%到50%之間,營業(yè)利益率預計介于37%到39%之間。而以10月份1,060.4億元的營收金額來估算,2019年剩下的2個月平均營收只要超過1,030.4億元,即可達到先前財測預期,機率也相當大。

臺積電財務長暨發(fā)言人黃仁昭在日前法說會上指出,臺積電2019年第3季營收受惠于客戶采用領先業(yè)界的7納米制程,推出其高端智能手機新產品及高效能運算應用的新產品。預期在高端智能手機、5G的初始布建、以及高效能運算應用相關產品的驅動下,客戶對于臺積電7納米制程的需求將持續(xù)強勁。而在此原因下,市場需求將會持續(xù),也使得臺積電接下來的業(yè)績也將會被進一步帶動。

此外,臺積電2019年的資本支出預估將介于140億美元到150億美元之間,較之前預估的增加約40億美元,也創(chuàng)下臺積電史上最高資本支出金額。其中15億美元將花費在7納米的部分,而25億美元將花費在5納米的部分。而增加的資本支出部分,將自2020年第2季開始運用。

格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案

格芯針對人工智慧應用推出12LP+ FinFET解決方案

才與臺積電進行專利訴訟官司和解,并簽訂10年交互授權協(xié)議的晶圓代工大廠格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,與IC設計廠SiFive正在合作研發(fā)將高頻寬存儲器(HBM2E)運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案,以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務,可加速人工智能(AI)應用上市時間。

格芯表示,為了實現資料密集AI訓練應用的容量和頻寬,系統(tǒng)設計師面臨在同時保持合理的功率標準下,將更多的頻寬壓縮到較小區(qū)域的艱鉅挑戰(zhàn)。因此,格芯的12LP平臺和12LP+解決方案,搭配SiFive的定制化高頻寬存儲器介面,能使高頻寬存儲器輕松整合到系統(tǒng)單芯片(SoC)解決方案,從而在運算和有線基礎設施市場中,為AI應用提供快速、節(jié)能的數據處理。

另外,作為合作的一部分,設計人員還能使用SiFive的RISC-V IP產品組合和DesignShare IP生態(tài)系統(tǒng),運用格芯12LP+設計技術協(xié)同優(yōu)化(DTCO),大幅提高芯片的專門化,改善設計效率,在迅速又具成本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。

格芯進一步指出,旗下的12LP+是一款針對AI訓練和推理應用的創(chuàng)新解決方案,為設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元,支持處理器與存儲器之間快速、節(jié)能的數據傳輸。此外,用于2.5D封裝的新中介層有助于將高頻寬存儲器與處理器整合在一起,以實現快速、節(jié)能的數據處理。

目前,格芯正在位于美國紐約州馬爾他的8號晶圓廠,進行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解決方案的開發(fā)??蛻魧⒖稍?020年上半年開始進行優(yōu)化芯片設計,開發(fā)針對高性能計算和邊緣AI應用的差異化解決方案。

半導體業(yè)擁抱EUV技術 代工廠資本支出直線攀升

半導體業(yè)擁抱EUV技術 代工廠資本支出直線攀升

臺積電、英特爾和三星為打造體積更小、效能更強的處理器,紛紛導入極紫外光(EUV)技術,相關設備所費不貲,3家大廠資本支出直線攀升,ASML等設備廠則成為受益者。

華爾街日報報導,晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限,需要EUV微影技術當幫手。與常用光源相比,采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮,但先進晶圓廠建造成本也跟著水漲船高,臺積電兩年前宣布的新廠建造費用達200億美元。

關鍵在于EUV光刻器具價格高昂。ASML公布,第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進帳7.43億歐元,等于每套系統(tǒng)要價超過1億歐元。這還不含半導體制程控管與測試設備成本。

臺積電深耕晶圓代工先進制程,10月表示強效版7納米制程導入EUV技術,今年第2季開始量產,良率已相當接近7納米制程;6納米制程預計明年第1季試產,并于明年底前進入量產。

與此同時,晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。

臺積電10月宣布今年資本支出達140億至150億美元,高于原先設定目標近40%。英特爾(Intel)隨后宣布加碼3%,今年資本支出目標達160億美元,創(chuàng)公司成立以來新高,比兩年前高出36%。三星(Samsung)上周宣布,今年半導體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年,但業(yè)界分析師預期,三星今年大幅減少投資存儲器生產,以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術帶動下,半導體設備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單,創(chuàng)單季訂單金額新高;半導體制程控管設備制造商科磊(KLA-Tencor)上周公布,會計年度第1季營收年增率達29%,并表示EUV投資是業(yè)績成長主要動能。

今年以來,ASML與科磊股價漲幅分別達76%、94%。報導指出,明年EUV需求預料更加旺盛,半導體設備廠前景一片光明。

三星第三季獲利砍半,稱5納米已獲訂單

三星第三季獲利砍半,稱5納米已獲訂單

三星電子31日發(fā)布的最新財報顯示,由于芯片價格持續(xù)下跌,第三季度營運利潤同比下降近56%,不過仍略優(yōu)于市場預期。

三星第三季度營收為62萬億韓元,營業(yè)利潤為7.78萬億韓元,同比下降近56%,營業(yè)利潤率為12.5%。凈利6.29萬億韓元,同比減少52.3%。這已是連續(xù)第4個季度,三星獲利同比下滑,但仍優(yōu)于此前市場預估的5.8萬億韓元。

且三星認為,接下來的第四季存儲器芯片需求將比第三季回溫,2020年也將穩(wěn)健,預期第四季仍能實現低個位數成長。

(Source:三星)

目前最受關注的還是智能手機和資料中心所使用的存儲器行情,也是三星主要獲利來源。三星對此相當樂觀的表示,由于5G技術的發(fā)展,存儲器需求將會持續(xù)擴展,明年將會觸底反彈。且目前旗艦機Galaxy Note 10的出貨強勁,也帶來更好的盈利能力,其行動部門的收入成長近17.4%。

值得一提的是,證券分析師指出,這是受益于美國華為禁售令,三星將因華為禁售令而在除中國大陸外的5G手機競爭中獲勝。還有IBK證券近期也有分析師報告提到,預計到明年第三季DRAM價格將開始復蘇,其中服務器芯片需求將會大幅增加,且認為折疊屏幕手機未來也將成為一個新亮點。

但《彭博社》的研究則沒有那么看好,盡管市場似乎對存儲器態(tài)度轉趨樂觀,但三星至明年初營利還是會持續(xù)下滑。簡單來講,盡管明年三星可望改善中小尺寸顯示器的產能利用率,但競爭也會更加劇烈,甚至可能在第四季就將惡化,而同樣手機出貨預估也會下修,零組件需求將受到季節(jié)因素影響而趨軟。

(Source:三星)

三星自身其實也表示,今年資本支出與去年差不多,不過受到行銷費用增加影響,獲利并不是很穩(wěn)定,其強調,在大環(huán)境風險高的情況下,仍謹慎看待2020年。

還有需注意的是,在晶圓代工方面,三星表示,今年第四季將開始大量生產EUV 7納米產品,EUV 5納米即將流片,已獲得新訂單,并將建立4納米設計的基礎設施。三星強調,將藉由擴大新興科技應用訂單來加速其客戶多元化,并致力完成GAA 3納米制程的開發(fā)。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩年不再追逐12納米以下先進制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT為主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將能提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經理王石曾表示,在先進制程戰(zhàn)爭中,聯電的客戶群縮小,但先進制程每個世代,產能投資成本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這項新制程已過了價格最高的黃金時期,因此大膽將重點放在成熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成并購,未來將為聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產品,月產能3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購后讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,隨無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩年不再追逐12納米以下先進制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT為主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將能提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經理王石曾表示,在先進制程戰(zhàn)爭中,聯電的客戶群縮小,但先進制程每個世代,產能投資成本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這項新制程已過了價格最高的黃金時期,因此大膽將重點放在成熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成并購,未來將為聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產品,月產能3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購后讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,隨無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩年不再追逐12納米以下先進制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT為主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將能提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經理王石曾表示,在先進制程戰(zhàn)爭中,聯電的客戶群縮小,但先進制程每個世代,產能投資成本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這項新制程已過了價格最高的黃金時期,因此大膽將重點放在成熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成并購,未來將為聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,為客戶提供90納米、65納米及40納米制程產品,月產能3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購后讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,隨無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。