芯片被喻為“工業(yè)糧食”，是所有整機設備的“心臟”，更是高端制造業(yè)的“皇冠明珠”。而粵港澳大灣區(qū)擁有最大的芯片需求市場。全球將近1.4萬億元的半導體芯片市場份額，實際上近60%的芯片市場在中國，中國近60%是在珠三角。9月20日，隨著粵芯12英寸晶圓項目在黃埔區(qū)、廣州開發(fā)區(qū)投產(chǎn)，廣州第一條、廣東省唯一一條量產(chǎn)的12英寸芯片生產(chǎn)線橫空出世，標志著廣州先進制造業(yè)“缺芯”成為歷史。

目標：帶動形成千億元產(chǎn)值規(guī)模

“一般芯片企業(yè)投產(chǎn)需要36個月時間，而‘廣州第一芯’粵芯12英寸晶圓項目僅18個月就投產(chǎn)，這是世界級的速度?！睋?jù)粵芯半導體副總裁李海明介紹，過去一年，粵芯實現(xiàn)了從無到有的突破，自2018年3月打樁到今年9月正式投產(chǎn)，并快速趕超海內外業(yè)界同行。

“項目總投資288億元，分兩期建設，目前投產(chǎn)的是第一期的上半段，產(chǎn)能2萬片。我們正考慮加速第二期的計劃，第二期投產(chǎn)后產(chǎn)能將擴大到8萬片?！被浶?2英寸晶圓項目堅持自主創(chuàng)新，在國內首創(chuàng)了虛擬IDM(Virtual IDM)運營模式，粵芯半導體聯(lián)合芯片設計客戶進行工藝平臺的訂制開發(fā)，成為國內首個可為客戶“定制芯片”的芯片企業(yè)，將極大提高客戶生產(chǎn)效率、降低成本。

隨著粵芯量產(chǎn)，粵港澳大灣區(qū)將形成芯片“一日產(chǎn)業(yè)群”，助力粵港澳大灣區(qū)發(fā)展：“我們可以直接服務廣東、粵港澳大灣區(qū)的產(chǎn)業(yè)群。這些大灣區(qū)的企業(yè)用的芯片之前有可能來自其他地方，大灣區(qū)內很難形成芯片‘一日產(chǎn)業(yè)群’。隨著粵芯量產(chǎn)，芯片從設計到制造、封裝都在大灣區(qū)內完成，形成完整產(chǎn)業(yè)鏈，將帶動廣州乃至粵港澳大灣區(qū)新一代信息技術、消費電子、人工智能等產(chǎn)業(yè)發(fā)展?！?/p>

李海明告訴記者：“未來粵芯將以高端模擬芯片、汽車電子、生物醫(yī)療檢測、5G前端模塊等國內較為稀缺的產(chǎn)品為主要方向，預計實現(xiàn)百億級的銷售目標，進一步帶動上下游企業(yè)形成千億元產(chǎn)值的規(guī)模。”

政策扶持吸引企業(yè)人才紛至沓來

之所以粵芯能在如此短的時間內投產(chǎn)，廣州綜合城市功能不斷完善、不斷出新出彩是重要原因?！熬C合城市功能不斷完善，才能匯集高端產(chǎn)業(yè)和人才?！睋?jù)李海明介紹，省市區(qū)各級政府大力支持，制定了產(chǎn)業(yè)方面大量優(yōu)惠措施、扶持政策，開發(fā)區(qū)為粵芯進行“信任審批”，各項審批工作并聯(lián)進行，節(jié)省了大量時間。

人才是第一資源，芯片是人才密集型產(chǎn)業(yè)，引進人才才能帶來技術。不僅是粵芯，集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新園區(qū)內的其他企業(yè)也看中了廣州的市場需求、人才資源，以及開發(fā)區(qū)的營商環(huán)境和企業(yè)扶持政策等，拿腳投票，紛至沓來。

紫光集團官方消息顯示，9月27日，“成都紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金”設立啟動會在四川省成都市天府新區(qū)舉行。

活動上，西藏紫光投資基金董事長鄭鉑代表紫光集團與成都空港興城投資集團、成都天府新區(qū)投資集團、成都產(chǎn)業(yè)投資集團先進制造產(chǎn)業(yè)投資公司、成都交子金融控股集團簽署了《成都紫光集成電路產(chǎn)業(yè)股權投資基金（有限合伙）合伙協(xié)議》。

據(jù)介紹，成都紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金總規(guī)模580.02億元、一期規(guī)模280.02億元，采用“雙GP”模式實施管理，將主要投資紫光成都存儲器制造基地項目，用于支持芯片工廠一期的建設及運營，為紫光成都存儲器制造基地項目發(fā)展按下“快進鍵”。

根據(jù)基金合伙人之一成都空港興城投資集團官方發(fā)布的詳細信息，該基金的一期280.02億元，成都市（市、區(qū)兩級）出資230億元，紫光集團出資50億元；二期300億元由紫光集團于2020年啟動募集、2021年底前全部到位。

具體而言，成都天府新區(qū)投資集團有限公司與成都空港興城投資集團有限公司分別認繳出資額74.75萬元，成都交子金融控股集團有限公司與成都先進制造產(chǎn)業(yè)投資公司分別認繳出資額40.25億元，西藏紫光新業(yè)投資有限公司認繳出資額50億元，西藏紫光投資基金有限責任公司與成都空港產(chǎn)業(yè)興城投資發(fā)展有限公司分別認繳出資額100萬元。

基金期限方面，合伙企業(yè)續(xù)存期限為10年，其中投資期5年，退出期5年；“雙GP”管理模式即由成都空港產(chǎn)業(yè)興城投資發(fā)展有限公司擔任成都方GP，作為執(zhí)行事務合伙人。西藏紫光投資基金有限責任公司擔任紫光方GP，作為普通合伙人。

該基金的核心投資標的——成都紫光集成電路基地項目于2018年10月正式開工，該項目占地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，預計在2022年實現(xiàn)一期10萬片/月的達產(chǎn)目標。

據(jù)紫光集團聯(lián)席總裁王慧軒表示，紫光已在成都落地多個項目。紫光展銳已在成都投資建設其全球三大總部之一及全球研發(fā)基地；紫光旗下新華三集團在成都布局云計算業(yè)務全國運營總部及研發(fā)中心；紫光芯云中心也已在成都落地。

現(xiàn)在成立的成都紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，將進一步支持紫光成都存儲器制造基地項目建設。

近日，科銳在官網(wǎng)宣布擴產(chǎn)計劃進展，表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

通過與紐約州州長（Andrew M. Cuomo）辦公室以及其他州立與當?shù)貦C構和實體的戰(zhàn)略合作，科銳決定在美國紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進技術并滿足車規(guī)級標準的200mm功率和射頻（RF）晶圓制造工廠，而與之相輔相成的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴產(chǎn)正在公司達勒姆總部開展進行。

作為該合作的一部分，科銳將投資近10億美元，用于在紐約州fab的建造、設備和其它相關成本。紐約州將提供來自Empire State Development 的5億美元資金，同時科銳可以享受額外的當?shù)丶钫吆蜏p稅以及來自紐約州立大學的設備和工具。

這一新制造工廠旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）業(yè)務的產(chǎn)能，將建設成為一座規(guī)模更大、高度自動化和更高生產(chǎn)能力的工廠。

新工廠計劃將于2022年實現(xiàn)量產(chǎn)，完工面積達到480,000平方英尺，其中近1/4將是超凈間，提供未來所需產(chǎn)能擴充。這些擴展計劃，將進一步提升科銳在市場競爭的領先地位，加速碳化硅（SiC）在一系列高增長產(chǎn)業(yè)中的采用。

科銳指出，公司將繼續(xù)推進從硅（Si）向碳化硅（SiC）技術的轉型，滿足公司開創(chuàng)性Wolfspeed技術日益提升的需求，支持電動汽車（EV）、4G/5G移動和工業(yè)市場的不斷增長。

從行業(yè)基本面來看，雖然自2018年下半年開始半導體行業(yè)景氣度波動下行，但最新銷售額以及設備等出現(xiàn)了企穩(wěn)跡象，并且大陸半導體廠商在存儲、晶圓制造等傳統(tǒng)薄弱環(huán)節(jié)屢獲重要進展，不少A股公司擔綱重要角色，推動芯片自主國產(chǎn)化。

存儲項目獲進展

據(jù)統(tǒng)計，在半導體品類中存儲產(chǎn)品占比最大，并且隨著市場和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，銷售額持續(xù)擴大。但長期以來，國際存儲領域在三星、美光、海力士壟斷的背景下，中國大陸存儲逐步形成國產(chǎn)化布局，長鑫存儲進展成為最新破冰之舉。

安徽省政府官網(wǎng)資訊顯示，日前總投資超過2200億元的合肥長鑫集成電路制造基地項目在2019世界制造業(yè)大會上簽約，其中長鑫存儲12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資約1500億元。

據(jù)介紹，長鑫存儲技術有限公司是中國第一家投入量產(chǎn)的DRAM芯片設計制造一體化企業(yè)，項目由合肥市產(chǎn)業(yè)投資（控股）集團有限公司和兆易創(chuàng)新(180.290, 16.39, 10.00%)合作投資，長鑫存儲負責管理和運營，系中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產(chǎn)運營團隊的DRAM項目。其中，兆易創(chuàng)新與合肥產(chǎn)投、合肥長鑫集成電路有限責任公司簽署《可轉股債權投資協(xié)議》，約定以可轉股債權方式投資3億元。

長鑫存儲項目將建設3座12英寸DRAM存儲器晶圓工廠，打造研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的存儲器芯片國產(chǎn)化生產(chǎn)基地，預計三期滿產(chǎn)后，產(chǎn)能達每月36萬片?；亟ǔ珊?，預計可形成產(chǎn)值規(guī)模超2000億元。

對于長鑫存儲項目，資本市場市場反響熱烈。自8月中旬以來，兆易創(chuàng)新股價持續(xù)上揚，9月23日再度漲停，報收180.29元，創(chuàng)歷史新高。值得注意的是，當初與兆易創(chuàng)新競購國際存儲標的ISSI的北京君正(62.530, 2.56, 4.27%)，9月以來公司股價累計漲幅超過36%，目前該項收購已獲證監(jiān)會受理。

昨日，兆易創(chuàng)新披露股價異動公告稱，經(jīng)自查，公司擬籌劃非公開發(fā)行股份事項，募集資金總額約43億元，主要用于公司DRAM芯片自主研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補充流動資金。目前，公司接到較多投資者有關合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目的咨詢。公司與合肥產(chǎn)投于2017年10月26日簽署合作協(xié)議，約定合作開展該項目，項目預算約為180億元，公司負責籌集約36億元。公司正在籌劃的定增項目與該項目投資無關。

集團化推進

作為主打NorFlash類型存儲公司，兆易創(chuàng)新也在該領域刷新國際排名。有研究報告顯示，在NOR Flash領域長久以來位居第五位的兆易創(chuàng)新，超越美光首度站上第四名的位置，創(chuàng)下中國存儲產(chǎn)業(yè)的新里程碑。

對于其中原因，兆易創(chuàng)新代理總經(jīng)理何衛(wèi)在媒體采訪中介紹，主要得益于市場回暖速度比較快，以及以TWS為代表的穿戴市場高速成長。

證券時報記者注意到，在8月接受機構調研時，兆易創(chuàng)新高管曾指出，NorFlash在國內需求狀況還是挺旺盛的，主要受到可穿戴裝置以及物聯(lián)網(wǎng)模塊等新型應用的拉動；現(xiàn)在市場需求已經(jīng)超過了公司的供應能力。從今年第二季以來，供應端的去庫存非常迅速，導致了局部供應比較緊張的狀態(tài)，另一方面，第三季度也是行業(yè)旺季。

另外，在閃存產(chǎn)品領域，紫光集團旗下長江存儲也在9月宣布，該公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

長江存儲聯(lián)席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示，隨著5G、人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時代到來，閃存市場有望持續(xù)增長；長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品量產(chǎn)將為全球存儲器市場發(fā)展注入動力。

紫光集團還對人事方面進行了配套調整。7月份紫光集團宣布組建DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，高啟全擔任紫光集團DRAM事業(yè)群CEO，完善“從芯到云”產(chǎn)業(yè)鏈建設。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長等職位，高啟全現(xiàn)擔任紫光集團全球執(zhí)行副總裁、長江存儲執(zhí)行董事及代行董事長、武漢新芯CEO，有“臺灣存儲教父”之稱。

同時，自主存儲廠進展也為半導體設備、建造等產(chǎn)業(yè)鏈營造機會。北方華創(chuàng)董秘辦人員向記者表示，長鑫存儲是否為公司客戶尚待核實，但目前長江存儲已經(jīng)是公司的重要客戶。

國際局勢危與機

除了存儲方面進展，在傳統(tǒng)薄弱的芯片生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)，日前也現(xiàn)重大進展。

智光電氣最新披露，公司通過投資認購廣州譽芯眾誠股權投資合伙企業(yè)有限合伙人份額從而間接持股廣州粵芯半導體技術有限公司50%股權?；浶景雽w建設的12英寸芯片生產(chǎn)線項目（一期）已達到投產(chǎn)條件，并于2019年9月20日實現(xiàn)量產(chǎn)。9月23日，智光電氣斬獲漲停。

據(jù)介紹，作為國內第一座以虛擬IDM為營運策略的12英寸芯片廠，粵芯半導體生產(chǎn)包括微處理器、電源管理IC、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能及5G等創(chuàng)新應用的模擬芯片與分立器件需求。

同時，芯片制造廠商對產(chǎn)業(yè)鏈也有強大的聚集效應。據(jù)官方披露，自2017年12月粵芯半導體在廣州開發(fā)區(qū)中新知識城設立以來，已經(jīng)有14個產(chǎn)業(yè)項目和規(guī)模超過50億元的集成電路產(chǎn)業(yè)落地本地創(chuàng)新園區(qū)。

廣州市半導體協(xié)會秘書長潘雪花曾向媒體指出，廣東省是芯片需求大省，但另一方面芯片制造產(chǎn)能顯得尤為不足；隨著粵芯半導體的到來，廣州半導體產(chǎn)業(yè)得到了全面激活，廣州將能夠以粵芯半導體為支點，帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈形成全新的千億級產(chǎn)業(yè)集群。

興業(yè)證券研究指出，基于韓國廠商的生產(chǎn)風險，中國相關產(chǎn)業(yè)鏈可能受益，并影響全球分工布局。長期來看，中國與韓國將追求關鍵制程的自給能力，加速重構現(xiàn)有的區(qū)域分工格局。

另一方面，在貿(mào)易摩擦背景下，芯片產(chǎn)業(yè)鏈自主自控成為長期話題。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武在出席2019世界制造業(yè)大會時表示，打造一個自主控股集成電路產(chǎn)業(yè)鏈供應體系，每個環(huán)節(jié)要與用戶有機地結合起來，尤其是國產(chǎn)裝備、材料這些方面?，F(xiàn)在用戶單位會主動和芯片企業(yè)對接，共同研討方案，這是非常好的事情，促進了企業(yè)自身的發(fā)展，同時也實現(xiàn)了企業(yè)對國產(chǎn)芯片的支持。

當前，先進制程仍是半導體產(chǎn)業(yè)趨勢的重點之一，尤其在業(yè)界龍頭臺積電對于其先進制程布局與時程更加明確的情況下，增加主要供應鏈廠商對納米節(jié)點持續(xù)微縮的信心，勢必也將帶來更多元的設備與材料需求；然而，連帶對于設備與材料規(guī)格提升的需求，也考驗供應鏈廠商在產(chǎn)品競爭力上的表現(xiàn)。

臺積電7nm表現(xiàn)持續(xù)亮眼，持續(xù)增添發(fā)展先進制程的信心

臺積電在7nm的卓越成果為先進制程后續(xù)發(fā)展打下穩(wěn)固基礎，也讓鰭片式(FinFET)結構晶體管能有更多應用。從臺積電目前表現(xiàn)來看，7nm節(jié)點在技術與產(chǎn)能上的規(guī)劃已超過2019年初時對量產(chǎn)產(chǎn)能的預估，除了既有的7nm加強版囊括眾多產(chǎn)品線外，7nm EUV產(chǎn)能受惠于客戶的加量投片下，預估在2019年第四季能有1.5倍左右成長。

加上在6nm制程方面，由于6nm制程與現(xiàn)行7nm制程共享生產(chǎn)機臺與流程，縮短不少開發(fā)時間，包括海思、Qualcomm、Broadcom、Apple、AMD及聯(lián)發(fā)科等主要客戶對前進6nm制程展現(xiàn)高度興趣，積極投入測試，相信原訂2020年第一季風險試產(chǎn)的6nm規(guī)劃將如期落實，因此預估整體7nm(包括7nm第一代、7nm第二代加強版、7nm EUV、6nm)產(chǎn)能在2020上半年前將持續(xù)擴產(chǎn)20～25%以上。

臺積電下一階段納米節(jié)點微縮計劃更加明確，2nm時程有譜

在5nm制程方面，已建構出具可靠性的前段制造流程架構，預計2019年第四季或將進入拉抬良率階段，憑借豐富的數(shù)據(jù)庫與制程調整經(jīng)驗快速提升新品良率，能大幅縮短產(chǎn)品學習曲線，因此在量產(chǎn)時程上目前仍處于業(yè)界領先位置；再繼續(xù)做納米節(jié)點微縮，3nm開發(fā)目前還在「尋找路徑(Path-Finding)」階段，且由于線寬間距極小，在漏電方面的問題難度提升，也催生晶體管結構改變的可能。

目前GAA(Gate-All-Around)是Samsung主要采用在3nm制程架構，藉由閘極全面包覆來增加與硅的接觸面積，達到良好的漏電控制；而臺積電目前除了GAA技術的研究外，仍有在評估FinFET的最大應用限度，畢竟從7nm與5nm得到的寶貴經(jīng)驗中發(fā)現(xiàn)，F(xiàn)inFET確實還有延續(xù)的可能性，且由于晶體管結構一脈相成，在性能表現(xiàn)與可靠度上或將比新的結構來得可掌握，相信也能增加客戶的采用意愿。

此外，臺積電也確認2nm的相關建廠與開發(fā)計劃，以目前技術的研發(fā)時程推斷，2nm出現(xiàn)的時間點預估落在4年后，雖然屆時勢必面臨晶體管結構的改變與挑戰(zhàn)，但此舉也為相關廠商帶來納米節(jié)點微縮仍具有獲利的可能性與技術必須性，將持續(xù)推動半導體產(chǎn)業(yè)供應鏈發(fā)展。

先進制程為設備與材料供應商帶來新挑戰(zhàn)，相關廠商積極推出解決方案

先進制程面臨的挑戰(zhàn)不僅在制程微縮方面，也同樣存在于半導體設備與材料廠商。主要是在微縮過程中，對Particle的容忍度越來越低，由Particle產(chǎn)生缺陷(Defect)的機率提升，不管在清洗晶圓的化學藥液或制程用水，亦或是光阻劑、CMP研磨液及蝕刻液或氣體等，要求的質量與潔凈度越來越高。
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業(yè)界主要的化學品及制程用水過濾濾芯供應美商Entegris與美商Pall，就針對不斷微縮的制程持續(xù)開發(fā)新型過濾濾芯，不僅在濾膜表面的孔洞微縮至1nm程度，也持續(xù)研究各種化學吸附或離子交換膜等方式優(yōu)化過濾效果，對應不同種類的化學藥液與制程用水的過濾需求。

另外，在先進制程中扮演重要角色的EUV光刻機供應商ASML，除了現(xiàn)有主要廠商采用的EUV光刻機NXE:3400B外，也預計2019下半年出貨下一世代的EUV光刻機－NXE:3400C，具有更高的NA(數(shù)值孔徑)值提升分辨率，以及更快的Throughput(單位時間晶圓處理量，WPH)，能進一步提升EUV在顯影表現(xiàn)與晶圓處理效率，是先進制程發(fā)展不可或缺的重要設備。

值得一提的是，有鑒于臺積電在先進制程方面成為業(yè)界領導廠商，除了確保未來先進制程對設備與材料的需求外，也讓有意進入先進制程的設備與材料廠商，以臺積電的認證為首要目標。

而就臺積電規(guī)格要求來看，即便供應鏈廠商技術到位，仍需不斷根據(jù)制程需求做更新，包括機臺改造與高規(guī)格材料的導入，才能在先進制程發(fā)展下保有各自的產(chǎn)品競爭力。

今日（9月20日），廣州粵芯半導體技術有限公司（以下簡稱“粵芯”）在廣州舉行“粵芯12英寸晶圓項目投產(chǎn)啟動活動。

資料顯示，粵芯成立于2017年12月，位于廣州中新知識城。粵芯12英寸晶圓項目是國內第一座以虛擬IDM (Virtual IDM)為營運策略的12英寸芯片廠，也是廣州第一條12英寸芯片生產(chǎn)線，列入廣東省、廣州市重點建設項目。

該項目一期投資100億元，達產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)40000片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等，滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G等創(chuàng)新應用的模擬芯片需求。二期投資額約約188億元，月產(chǎn)能將達4萬片12英寸晶圓芯片。

據(jù)了解，粵芯12英寸晶圓項目于2017年12月奠基，2018年3月打樁施工，2018年10月主體結構封頂，2018年12月潔凈室正壓送風，今年3月首批設備搬入，6月15日開始投片，今日（9月20日）正式宣告投產(chǎn)，從打樁施工到投產(chǎn)只用了一年半時間。

南方網(wǎng)報道稱，粵芯12英寸晶圓項目吸引了一大批半導體企業(yè)聚集廣州，在該項目動工前一天就有15家企業(yè)簽約落地廣州開發(fā)區(qū)，包括14個產(chǎn)業(yè)項目和一支規(guī)模達50億元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金，建設期間已吸引了數(shù)十家半導體上下游企業(yè)匯聚。

此外，粵芯牽頭成立廣州市半導體協(xié)會，聯(lián)席成立粵港澳大灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟；與中山大學、華南理工大學、廣東工業(yè)大學建立產(chǎn)學研合作關系，合力培養(yǎng)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的人才；前不久，粵芯還聯(lián)合中標工信部半導體、芯片、關鍵零部件等領域的產(chǎn)業(yè)技術基礎公告服務平臺建設項目。

作為廣州首條12英寸生產(chǎn)線，粵芯12英寸晶圓項目為廣州帶來產(chǎn)業(yè)集聚效應，該項目的正式投產(chǎn)將進一步加快廣州集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展融合，并立足廣州輻射珠三角地區(qū)甚至全國，對國內進一步探索虛擬IDM模式亦將起到積極意義。

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臺積電副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律還是活躍存在，未來30年半導體制程新節(jié)點將帶來益處，強調存儲器、邏輯元件和感測元件的系統(tǒng)整合。

黃漢森指出，半導體產(chǎn)業(yè)透過芯片特性界定每一個世代，現(xiàn)在7納米和5納米制程已無法形容未來半導體科技的核心，他認為半導體產(chǎn)業(yè)應該要采用新制度，衡量科技新進展，預測科技進步的方式。

他表示，7納米晶圓制程去年開始量產(chǎn)，5納米制程相關生態(tài)圈已準備就緒，未來將有3納米制程，隨著晶圓制程節(jié)點進步，未來也有可能發(fā)展2納米甚至是1納米。

黃漢森指出，摩爾定律還是活躍存在，隨著元件密度越高，成本效益越好，不過若要預測下一個世代半導體科技發(fā)展，可能要提出新的方式。

展望未來30年半導體產(chǎn)業(yè)技術指標，黃漢森表示，新的節(jié)點出現(xiàn)將帶來益處，透過半導體創(chuàng)新達到目的地，他預期未來30年新指標，可能是存儲器、邏輯元件和感測元件整合，帶動電晶體效能和存儲器進展，系統(tǒng)高度整合，透過新的節(jié)點獲益。

摩爾定律（Moore’s law）是指積體電路上可容納的電晶體數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也提升一倍，近年，由于電晶體尺寸縮小速度趨緩，業(yè)界對于摩爾定律是否已到盡頭的爭論不斷。

臺灣國際半導體展（SEMICON Taiwan）探討后摩爾定律極限，對于外界對于現(xiàn)今科技疑慮，臺積電副總黃漢森指出，未來摩爾定律仍存在，未來30年透過新節(jié)點出現(xiàn)而從中獲益更多，半導體創(chuàng)新核心將聚焦于邏輯與存儲結合、系統(tǒng)之間的連結、電晶體密度與效能提升。

黃漢森表示，臺積電5納米有最好的性能、最高得電晶體密度，并大量使用EUV（極紫外光），不僅生態(tài)圈已準備就緒準備量產(chǎn)，在未來還會有3、2納米推出。然而隨著節(jié)點不斷進步，未來先進制程納米節(jié)點到哪里會停下，外界對現(xiàn)今科技產(chǎn)生疑慮，他表示未來摩爾定律依舊存在，不僅在電晶體，在DRAM及NAND也有一樣的曲線。

摩爾定律在每一個世代都有一甜蜜點，成本及數(shù)量達到最完美境界，因此，隨著元件密度越來越高，成本效益就越好，當時摩爾提出理論時，并沒有明確目標可達到，直到1993年摩爾提出微縮方式，體積縮小又同時提升性能，而微縮方式是每個科技世代重要節(jié)點。

相信未來30年半導體將有許多創(chuàng)新，有些是現(xiàn)在無法預見，單位元密度將是重要特質，不僅可降低成本，并可以增加效能，當電晶體數(shù)量及密度更高時，可以建立多核心芯片及加速器，讓深度學習效能更好。

當初從250微米一路微縮下來，每個世代微縮0.7倍，非常規(guī)律，閘極與節(jié)點數(shù)之間關系，大約在0.35微米時候，已經(jīng)不再具有絕對關連，現(xiàn)在微縮比例已經(jīng)當初不一樣，最后節(jié)點計算約略為98，而目前節(jié)點僅成為一種行銷手法，跟科技本身特性已不太有關連。

電晶體微縮不僅是節(jié)點概念，電晶體密度提升是很多創(chuàng)新整合而成，他舉例：NAND未來趨勢上，單位元密度會不斷增加，不單純是微縮，更有密度提升，透過多層單元方式，從2D到3D讓趨勢可延續(xù)下去。